3.1.4雙極型晶體管 - 雙極型晶體管-2

3.2.4晶體管的共射特性曲線iB是輸入電流，uBE是輸入電壓。

iC是輸出電流，uCE是輸出電壓。

輸入特性曲線——iB=f(uBE)

uCE=const

輸出特性曲線——

iC=f(uCE)

iB=const共發(fā)射極接法晶體管的特性曲線包括：共發(fā)射極接法的電壓-電流關(guān)系1.輸入特性曲線

(1)UCE=0V，iB和uBE和呈指數(shù)關(guān)系，類似于半導(dǎo)體二極管的特性。(2)當(dāng)UCE增加時(shí)，集電結(jié)收集電子能力增加，曲線右移。(3)UCE≥1V，曲線右移不明顯。近似用UCE=1V曲線代替。

NPN型晶體管的共射輸入特性曲線輸入特性曲線——iB=f(uBE)

uCE=const它是以IB為參變量的一族特性曲線。NPN型晶體管的共射輸出特性曲線2.輸出特性曲線當(dāng)UCE稍增大時(shí)，IC隨著UCE增加而增加。當(dāng)UCE=0V時(shí)，集電極無收集作用，IC=0。當(dāng)UCE繼續(xù)增加使集電結(jié)反偏電壓較大時(shí)，UCE再增加，電流也沒有明顯的增加。輸出特性曲線——iC=f(uCE)

iB=const輸出特性曲線可以分為三個(gè)區(qū)域:飽和區(qū)——iC受uCE顯著控制的區(qū)域，該區(qū)域內(nèi)uCE的數(shù)值較小，一般UCE＜0.7V(硅管)。此時(shí)

發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏或反偏電壓很小。截止區(qū)——iC接近零的區(qū)域，相當(dāng)iB=0的曲線的下方。此時(shí)，發(fā)射結(jié)反偏或正偏電壓小于開啟電壓。。放大區(qū)——iC平行于uCE軸的區(qū)域，曲線基本平行等距。此時(shí)，發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏，電壓大于0.7

V左右(硅管)。輸出特性曲線的分區(qū)截止區(qū)飽和區(qū)

晶體的參數(shù)分為三大類:

直流參數(shù)、交流參數(shù)、極限參數(shù)

(1)直流電流放大系數(shù)

①共發(fā)射極組態(tài)直流電流放大系數(shù)

1.直流參數(shù)對(duì)共射組態(tài)的電流放大系數(shù)，在UCE不變的條件下，輸出集電極電流ICQ與輸入基極電流IBQ之比，定義：3.2.5晶體管的主要參數(shù)輸出特性曲線②共基極組態(tài)直流電流放大系數(shù)

稱為共基極直流電流放大系數(shù)。①集電結(jié)的反向飽和電流ICBOICBO是發(fā)射極開路時(shí)集電結(jié)的反向飽和電流。

②穿透電流ICEO

ICEO是基極開路時(shí)集電極與發(fā)射極之間的穿透電流。

ICEO=（1+）ICBO(2)極間反向電流

在共射接法輸出特性曲線上，通過垂直于X軸的直線求取

iC/

iB。在輸出特性曲線上求β2.交流參數(shù)(1)交流電流放大系數(shù)①共發(fā)射極交流電流放大系數(shù)

Q②

共基極交流電流放大系數(shù)

(2)特征頻率fT

晶體管的

值不僅僅與工作電流有關(guān)，而且與工作頻率有關(guān)。由于結(jié)電容的影響，當(dāng)信號(hào)頻率增加時(shí)，晶體管的

值將會(huì)下降。當(dāng)

下降到1時(shí)所對(duì)應(yīng)的頻率稱為特征頻率，用fT表示。當(dāng)ICBO和ICEO很小時(shí)，≈

、≈

，可以不加區(qū)分。(3)共射截止頻率fβ低頻時(shí)共發(fā)射極交流電流放大系數(shù)為

0。

下降到

0/時(shí)所對(duì)應(yīng)的信號(hào)頻率稱為晶體管的共射截止頻率，用fβ表示。(4)共基截止頻率fα低頻時(shí)共基極交流電流放大系數(shù)為α0。α下降到α0/時(shí)所對(duì)應(yīng)的信號(hào)頻率稱為晶體管的共基截止頻率，用fα表示。特征頻率、共射截止頻率和共基截止頻率三者之間大致滿足如下關(guān)系：(1)集電極最大允許電流ICM3.極限參數(shù)當(dāng)集電極電流增加到一定程度，

就要下降，使

值明顯減小所對(duì)應(yīng)的IC稱為集電極最大允許電流ICM。(2)集電極最大允許功率損耗PCMpC=iC×uCE，PCM表示集電結(jié)上最大允許耗散功率。(3)反向擊穿電壓

反向擊穿電壓表示晶體管電極間承受反向電壓的能力。晶體管擊穿電壓的測試電路

1.U(BR)CBO——發(fā)射極開路時(shí)的集電結(jié)擊穿電壓。下標(biāo)BR代表擊穿之意，是Breakdown的字頭，CB代表集電極和基極，O代表第三個(gè)電極E開路。2.U(BR)EBO——集電極開路時(shí)發(fā)射結(jié)的擊穿電壓。

3.U(BR)CEO——基極開路集電極和發(fā)射極間的擊穿電壓。對(duì)于U(BR)CER表示BE間接有電阻，U(BR)CES表示BE間是短路的。幾個(gè)擊穿電壓在大小上有如下關(guān)系

U(BR)CBO≈U(BR)CES＞U(BR)CER＞U(BR)CEO＞U(BR)EBO

由晶體管的極限參數(shù)PCM、ICM和U(BR)CEO確定了晶體管的過損耗區(qū)、過流區(qū)和擊穿區(qū)。使用晶體管時(shí)，應(yīng)避免使其進(jìn)入上述三個(gè)區(qū)域，保證晶體管工作在安全工作區(qū)。輸出特性曲線的安全工作區(qū)

過電流區(qū)是集電極電流達(dá)到ICM和超過ICM以上的部分。過損耗區(qū)由晶體管的集電極最大功率損耗值確定，是一條曲線。

過電壓區(qū)由U(BR)CEO決定。曲線中間部分為安全工作區(qū)。1.溫度對(duì)ICBO的影響溫度升高，半導(dǎo)體的本征激發(fā)增大，漂移電流增大，ICBO隨之增大。經(jīng)驗(yàn)數(shù)據(jù)表明，溫度每升高10℃，ICBO增加約一倍。3.2.6晶體管的溫度特性2.溫度對(duì)輸入特性曲線的影響當(dāng)溫度升高時(shí)，輸入特性曲線左移，uBE減小，大約溫度每增加1℃，uBE的絕對(duì)值減小2~2.5mV。3.溫度對(duì)輸出特性曲線的影響當(dāng)溫度升高時(shí)，晶體管的輸出特性曲線上移且間距變大，穿透電流ICEO增加，

增加，IC增加。國家標(biāo)準(zhǔn)對(duì)半導(dǎo)體三極管的命名如下:3DG110B

第二位：A鍺PNP管、B鍺NPN管、

C硅PNP管、D硅NPN管第三位：X低頻小功率管、D低頻大功率管、

G高頻小功率管、A高頻大功率管、K開關(guān)管