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文檔簡(jiǎn)介
超聲檢測(cè)知到智慧樹(shù)章節(jié)測(cè)試課后答案2024年秋蘭州石化職業(yè)技術(shù)大學(xué)第一章單元測(cè)試
超聲波檢測(cè)法不能用于混凝土結(jié)構(gòu)材料()
A:錯(cuò)B:對(duì)
答案:錯(cuò)在特種設(shè)備行業(yè)中,超聲檢測(cè)通常指()。
A:幾何特性測(cè)量
B:力學(xué)性能檢測(cè)
C:材料厚度測(cè)量
D:宏觀缺陷測(cè)量
答案:材料厚度測(cè)量
;宏觀缺陷測(cè)量
利用超聲波來(lái)對(duì)固體內(nèi)部進(jìn)行無(wú)損檢測(cè),始于()。
A:20世紀(jì)20年代末
B:20世紀(jì)20年代初
C:20世紀(jì)20年代中
D:19世紀(jì)20年代末
答案:20世紀(jì)20年代末
頻率低于20Hz的機(jī)械波稱為次聲波。()
A:錯(cuò)B:對(duì)
答案:對(duì)對(duì)于鋼等金屬材料的檢測(cè)。常用頻率為15~20MHz的超聲波()
A:錯(cuò)B:對(duì)
答案:錯(cuò)
第二章單元測(cè)試
當(dāng)材料確定時(shí),波長(zhǎng)與波速成正比,與頻率成反比。()
A:錯(cuò)B:對(duì)
答案:對(duì)固體介質(zhì)中既可以傳播縱波,又可以傳播橫波。()
A:錯(cuò)B:對(duì)
答案:對(duì)頻譜特征量主要有()。
A:峰值頻率
B:頻帶寬度
C:幅度峰值
D:中心頻率
答案:峰值頻率
;頻帶寬度
;中心頻率
兩束頻率相同但行進(jìn)方向相反的聲波的疊加可形成駐波。()
A:錯(cuò)B:對(duì)
答案:對(duì)根據(jù)惠更斯-菲涅耳原理,任一點(diǎn)波的振動(dòng),可視為()。
A:到達(dá)該點(diǎn)的所有原波干涉的結(jié)果
B:到達(dá)該點(diǎn)的所有次波干涉的結(jié)果
C:到達(dá)該點(diǎn)的原波
D:到達(dá)該點(diǎn)的次波
答案:到達(dá)該點(diǎn)的所有次波干涉的結(jié)果
在同一種固體材料中,橫波的聲速比縱波的聲速()。
A:慢
B:快
C:相同
答案:慢
液體和氣體介質(zhì)中只能傳播()。
A:表面波
B:縱波
C:橫波
答案:縱波
下列材料中聲速最低的是()。
A:空氣
B:不銹鋼
C:水
D:鋁
答案:空氣
在水中不僅能傳播縱波,也能傳播橫波()
A:錯(cuò)B:對(duì)
答案:錯(cuò)
第三章單元測(cè)試
波長(zhǎng)越短,近場(chǎng)長(zhǎng)度越短,晶片直徑越大,近場(chǎng)長(zhǎng)度也越長(zhǎng)。()
A:錯(cuò)B:對(duì)
答案:錯(cuò)A型顯示探傷儀,利用D.G.S曲線板是不能直觀顯示缺陷的當(dāng)量大小和缺陷深度的()
A:對(duì)B:錯(cuò)
答案:對(duì)聲源面積不變時(shí),超聲波頻率越高,超聲場(chǎng)的近場(chǎng)長(zhǎng)度越短()
A:錯(cuò)B:對(duì)
答案:錯(cuò)在第二介質(zhì)中橫波折射角達(dá)到90°時(shí),在第一介質(zhì)中的縱波入射角度稱為第二臨界角()
A:對(duì)B:錯(cuò)
答案:對(duì)超聲波探頭的半擴(kuò)散角近似與晶片直徑成反比,與波長(zhǎng)成正比()
A:對(duì)B:錯(cuò)
答案:對(duì)超聲波聲場(chǎng)的近場(chǎng)長(zhǎng)度愈短,聲束指向性愈好()
A:錯(cuò)B:對(duì)
答案:錯(cuò)如果超聲波頻率增加,則一定直徑晶片的聲束擴(kuò)散角將()
A:保持不變
B:減少
C:增大
D:隨波長(zhǎng)均勻變化
答案:減少
在水/鋼界面上,水中入射角為7°,在鋼中主要存在的振動(dòng)波型是()
A:縱波、橫波同時(shí)存在
B:縱波、橫波都不存在
C:縱波
D:橫波
答案:縱波、橫波同時(shí)存在
第四章單元測(cè)試
超聲檢測(cè)儀按照其指示的參量可以分為()。
A:共振測(cè)厚儀
B:數(shù)字式超聲檢測(cè)儀
C:脈沖波檢測(cè)儀
D:穿透式檢測(cè)儀
答案:共振測(cè)厚儀
;脈沖波檢測(cè)儀
;穿透式檢測(cè)儀
當(dāng)晶體材料在交變電場(chǎng)作用下,產(chǎn)生伸縮變形的效應(yīng)稱為壓電效應(yīng)。()
A:對(duì)B:錯(cuò)
答案:錯(cuò)模擬試塊材料應(yīng)盡可能與被檢工件相同或相近。()
A:對(duì)B:錯(cuò)
答案:對(duì)壓電晶片的壓電應(yīng)變常數(shù)大,則說(shuō)明該晶片接收性能好。()
A:錯(cuò)B:對(duì)
答案:錯(cuò)檢驗(yàn)近表面缺陷,最有效的方法是()。
A:收發(fā)聯(lián)合雙晶探頭
B:斜探頭
C:可變角探頭
D:直探頭
答案:收發(fā)聯(lián)合雙晶探頭
探頭型號(hào)組成項(xiàng)目包括()。
A:晶片材料
B:基本頻率
C:探頭種類
D:晶片尺寸
E:探頭特征
答案:晶片材料
;基本頻率
;探頭種類
;晶片尺寸
;探頭特征
探傷面上涂敷耦合劑的主要目的是()。
A:消除探頭與探測(cè)面之間的空氣
B:防止工件生銹
C:防止探頭磨損
D:有利于探頭滑動(dòng)
答案:消除探頭與探測(cè)面之間的空氣
超聲檢測(cè)用試塊通常分為()。
A:對(duì)比試塊
B:模擬試塊
C:測(cè)試試塊
D:標(biāo)準(zhǔn)試塊
答案:對(duì)比試塊
;模擬試塊
;標(biāo)準(zhǔn)試塊
我國(guó)的CSK-1A試塊是在IIW試塊的基礎(chǔ)上改進(jìn)后得到的,其中將直孔φ50改成階梯孔()。
A:φ30
B:φ40
C:
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