分子印跡電化學(xué)傳感器對15-AG的檢測研究

TOC\o"1-4"\h\u目錄TOC\o"1-3"\h\u12511引言 摘要：1,5-脫水-D-葡萄糖醇（1,5-AG）是一種具有吡喃環(huán)結(jié)構(gòu)的六碳單糖，分子結(jié)構(gòu)與葡萄糖十分相似。1,5-AG是一個(gè)與糖代謝密切相關(guān)的指標(biāo)，在腎小管重吸收，但這種重吸收可以被葡萄糖競爭性抑制，因此糖尿病人的血漿1,5-AG顯著低于健康人。本實(shí)驗(yàn)制備以1,5-AG為模板分子，苯胺作為功能單體的一種新型靈敏檢測的1,5-AG分子印跡傳感器。通過循環(huán)伏安法（CV）和電化學(xué)阻抗（EIS）等手段對分子印跡聚合物進(jìn)行表征和性能評價(jià)，同時(shí)優(yōu)化模板分子和功能單體的摩爾比、聚合時(shí)間、電聚合圈數(shù)、洗脫時(shí)間、檢測體系的pH、掃描速率對分子印記傳感器響應(yīng)的影響。在最佳條件下，制備出高靈敏度的1,5-AG分子印跡電化學(xué)傳感器，檢測范圍為0.5μM~10μM，檢測限為0.178μM。關(guān)鍵詞:分子印跡；1,5-脫水-D-葡萄糖醇；電化學(xué)傳感器1引言糖尿病是影響人類健康的代謝性疾病之一，其會(huì)引發(fā)多種代謝紊亂和并發(fā)癥，如高血糖、高血酯等REF_Ref1810\w\h[1]，早期的診斷和治療對糖尿病患者是非常重要的，而1,5-AG能夠準(zhǔn)確檢測出糖尿病患者過去3-7天的平均血糖水平，反映糖尿病近期發(fā)展?fàn)顩r的標(biāo)志物REF_Ref1993\w\h[2]。1,5-AG是一種天然存在的1-脫氧形式的葡萄糖類似物具有封閉的環(huán)結(jié)構(gòu)，具有較好的代謝穩(wěn)定性REF_Ref2147\w\h[3]。因此，1,5-AG在疾病檢測方面有著重要的應(yīng)用價(jià)值，為疾病的診斷治療提供重要依據(jù)和手段。目前，質(zhì)譜法(MS)、酶聯(lián)免疫吸附法(ELISA)、高效液相色譜法(HPLC)等方法可以檢測1,5-AGREF_Ref2362\w\h[4-REF_Ref2369\w\h5]。質(zhì)譜能夠?qū)Ψ治龅臉悠愤M(jìn)行可靠和準(zhǔn)確的檢測，并且不干擾基質(zhì)，是一種有效分析1,5-AG的方法，常常被用于動(dòng)物或者人類血糖的鑒定REF_Ref2245\w\h[6]。ELISA具有較高的特異性和選擇性，能夠利用抗原和抗原連接物之間的競爭來檢測1,5-AG，但ELISA試劑盒價(jià)格較為昂貴REF_Ref2529\w\h[7]。HPLC具有色譜柱可重復(fù)使用、易于回收的優(yōu)點(diǎn)，但存在“離柱效應(yīng)”的缺點(diǎn)REF_Ref2548\w\h[8]。這些方法靈敏度高，特異度高，但存在耗時(shí)、昂貴、步驟復(fù)雜等缺點(diǎn)，無法實(shí)現(xiàn)廉價(jià)、廣泛、實(shí)時(shí)的監(jiān)測。為了克服這些缺點(diǎn)，開發(fā)了一系列1,5-AG電化學(xué)傳感器。如Adamson等REF_Ref2591\w\h[9]以吡喃糖氧化酶(pyranoseoxidase,PROD)為識別元件對金電極作為工作電極進(jìn)行修飾，得到了電化學(xué)阻抗譜。Odaci等REF_Ref2636\w\h[10]開發(fā)了一種基于碳納米管(CNT)固定的碳糊電極的1,5-AG傳感器，實(shí)現(xiàn)了對葡萄糖的高靈敏度檢測。分子印跡技術(shù)的基本原理是在交聯(lián)劑的作用下，將模板分子與功能單體通過共價(jià)或者非共價(jià)作用在聚合物溶液中進(jìn)行聚合，得到分子印跡聚合物。在用合適的洗脫液除去模板分子，以便在聚合物網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)留下與模板分子結(jié)構(gòu)相一致的立體孔穴，這種孔穴可以對印跡分子進(jìn)行高度的特異性識別REF_Ref2692\w\h[11]。電化學(xué)傳感器具有檢測靈敏度高、檢測速度快、操作簡單快捷等特點(diǎn)，將目標(biāo)分子濃度信號轉(zhuǎn)換為電化學(xué)信號REF_Ref2754\w\h[12]。分子印跡電化學(xué)傳感器兼具分子印跡技術(shù)的預(yù)定性和特定識別性與電化學(xué)技術(shù)的檢測高靈敏度、操作簡單快捷等特點(diǎn)REF_Ref2777\w\h[13]，使得分子印跡傳感器在食品安全REF_Ref2832\w\h[14]、生物醫(yī)藥REF_Ref2907\w\h[15]、環(huán)境檢測REF_Ref2934\w\h[16]等領(lǐng)域獲得了廣泛應(yīng)用。本實(shí)驗(yàn)以苯胺為功能單體，1,5-AG為模板分子，在聚合液下，通過分子的相互作用力形成分子印跡膜（MIPs），用乙酸：水為1：9的洗脫液洗脫模板分子，留下與模板分子結(jié)構(gòu)相一致的立體孔穴，最后用吸附液吸附模板分子檢測其性能。通過循環(huán)伏安法（CV）和電化學(xué)阻抗（EIS）等方法對分子印跡聚合物進(jìn)行表征和性能評價(jià)，優(yōu)化模板分子和功能單體的摩爾比、電聚合圈數(shù)、洗脫時(shí)間、吸附時(shí)間、檢測體系的pH、掃描速率對分子印跡傳感器電化學(xué)響應(yīng)的影響。2實(shí)驗(yàn)部分2.1儀器和試劑表1實(shí)驗(yàn)儀器所需儀器名稱生產(chǎn)廠家電化學(xué)工作站CHI660E上海辰華儀器有限公司電子分析天平北京賽多利斯科學(xué)儀器有限公司超聲波清洗機(jī)廣州邦潔電子產(chǎn)品有限公司pH計(jì)上海儀電科學(xué)儀器股份有限公司鉑電極（GCE）武漢高仕睿聯(lián)科技有限公司Ag/AgCl電極武漢高仕睿聯(lián)科技有限公司鉑絲電極武漢高仕睿聯(lián)科技有限公司表2實(shí)驗(yàn)試劑所需試劑符號表示生產(chǎn)廠家1，5-AGC6H12O5阿達(dá)瑪斯（Adamas）苯胺C6H7N上海阿拉丁生化科技有限公司乙酸CH3COOH西隴化工股份有限公司氯化鉀鐵氰化鉀無水乙醇KClK3[Fe(CN)6]CH3CH2OH廣州化學(xué)試劑分公司西隴化工股份有限公司廣州化學(xué)試劑廠氫氧化鈉NaOH廣州化學(xué)試劑分公司磷酸磷酸二氫鈉磷酸氫二鈉超純水H3PO4NaH2PO4Na2HPO4H2O廣州化學(xué)試劑分公司廣州化學(xué)試劑廠廣州化學(xué)試劑廠實(shí)驗(yàn)室自制2.2樣品的制備2.2.1溶液配制不同濃度的PBS緩沖液：用磷酸氫二鈉、磷酸二氫鈉、氯化鈉、氯化鉀按一定的比例分別配制出pH=4、5、6、7、7.5、8的0.1MPBS緩沖溶液。聚合溶液：利用10mLPBS緩沖液，配制濃度為10mM的苯胺單體和2mM1,5-AG模板分子。洗脫液：乙酸和水按9：1的比例配制出洗脫液。標(biāo)準(zhǔn)溶液：使用PBS溶液（pH=70.1M）配制不同濃度的標(biāo)準(zhǔn)溶液。2.3實(shí)驗(yàn)方法2.3.1GCE電極預(yù)處理用0.05μm的三氧化二鋁粉末在仿麂皮上將電極拋光，分別用去離子水、無水乙醇溶液和去離子水對GCE電極依次進(jìn)行超聲清洗5min，將預(yù)處理的電極放入5mMol/L的鐵氰化鉀溶液中進(jìn)行CV掃描(電位窗口為-0.2V-0.6V)，當(dāng)氧化還原峰電位小于100mV時(shí)，則GCE電極預(yù)處理完畢。2.3.2分子印跡膜的制備將GCE電極放在三電極系統(tǒng)電化學(xué)工作站的電壓參數(shù)為-0.2-0.9V的范圍內(nèi)進(jìn)行CV掃描速度為50mV/s，掃描圈數(shù)為8圈，在電極表面形成分子印跡膜。聚合完成后在洗脫液浸泡20min洗脫1，5-AG模板分子后用去離子水水沖洗。非印跡膜的制備方法同上，在制備過程中不需加入模板分子。圖（A）為含有1，5-AG模板分子電聚合的CV圖。圖（B）為沒有1，5-AG模板分子電聚合的CV圖。由圖（A）可知隨著電聚合圈數(shù)的增加電流在急劇下降后循環(huán)圈數(shù)達(dá)到8圈時(shí)電流逐漸減小并最終趨于零。原因在于含有1，5-AG的聚合液中，成功在電極表面中形成一層分子印跡薄膜。這層薄膜不導(dǎo)電，能夠阻礙探針溶液和電極電子轉(zhuǎn)移。結(jié)果表明電極表面聚合上了分子印跡薄膜。圖1分子印跡薄膜A和非分子印跡薄膜B的循環(huán)伏安電化學(xué)聚合圖2.4傳感器的檢測過程將制備的傳感器放入含有1,5-AG標(biāo)準(zhǔn)溶液的溶液中吸附15min，讓傳感器表面的分子印跡聚合物薄膜與1,5-AG分子進(jìn)行充分的相互作用，吸附完成后，在5mMol的鐵氰化鉀溶液中，采用差分脈沖伏安法(DPV)掃描，由于傳感器表面已經(jīng)吸附了1,5-AG分子，這些分子與鐵氰化鉀溶液中的離子或電子傳遞過程發(fā)生相互作用，導(dǎo)致電流的變化，記錄下各個(gè)階段的峰值電流，反映出傳感器在不同條件下的電化學(xué)響應(yīng)，以ΔI作為評價(jià)指標(biāo)，可以評估傳感器的靈敏度。2.5實(shí)驗(yàn)條件的優(yōu)化2.5.1掃描速率的優(yōu)化掃描速率在分子印跡膜的生長過程中起著至關(guān)重要的作用，影響著膜的生長速率和最終的形貌特征。在實(shí)驗(yàn)中，選擇了五個(gè)不同的掃描速率（25、50、75、100和125mV/s）來聚合印跡膜，將聚合后的GCE電極放入吸附液中吸附20min。吸附完成后，用5mMol/L的鐵氰化鉀溶液在電化學(xué)工作站中進(jìn)行循環(huán)伏安（CV）掃描。在CV掃描過程中，記錄下各個(gè)階段的峰值電流，并計(jì)算ΔI，即吸附前后峰值電流的變化量。ΔI作為評價(jià)指標(biāo)，能夠反映傳感器對目標(biāo)分子的響應(yīng)程度，選擇最佳掃描速率。2.5.2掃描圈數(shù)的優(yōu)化印跡膜的沉積厚度是分子印跡傳感器制備過程中的一個(gè)關(guān)鍵參數(shù)，可以通過調(diào)整掃描圈數(shù)來控制。沉積厚度的變化會(huì)直接影響電子在印跡膜與電極之間的轉(zhuǎn)移效率，進(jìn)而影響到傳感器的性能。因此本實(shí)驗(yàn)設(shè)定的掃描圈數(shù)分別為6、7、8、9、10圈，每個(gè)掃描圈數(shù)都會(huì)對應(yīng)一個(gè)特定的沉積厚度，從而影響到傳感器的電化學(xué)響應(yīng)。聚合分子印跡膜后，同上步驟，以ΔI為評價(jià)指標(biāo)，存在一個(gè)最佳的掃描圈數(shù)，使得ΔI達(dá)到最大值。2.5.3聚合底液功能單體和模板分子摩爾比例的優(yōu)化分子印跡膜的印跡位點(diǎn)的數(shù)目和結(jié)構(gòu)是受聚合液中功能單體與模板分子的摩爾比例影響，根據(jù)分子量來計(jì)算不同摩爾比例下功能單體和1,5-AG的質(zhì)量比例。在實(shí)驗(yàn)中，設(shè)定了10：1、10：2、10：3、10：4、10：5的摩爾比例進(jìn)行優(yōu)化。通過調(diào)整聚合液中功能單體與1,5-AG的摩爾比例，并比較不同比例下ΔI的大小，選擇最佳的摩爾比例值，優(yōu)化分子印跡傳感器的性能。2.5.4聚合底液pH的優(yōu)化聚合底液的pH值是影響分子印跡膜形成的關(guān)鍵因素之一，它提供了質(zhì)子環(huán)境，對電聚合過程中分子印跡膜的結(jié)構(gòu)和性能產(chǎn)生重要影響。為了優(yōu)化pH值，本實(shí)驗(yàn)選擇了五個(gè)不同的pH值（5、6、7、7.5、8）進(jìn)行探究。在每個(gè)pH值下，制備相應(yīng)的聚合底液，并進(jìn)行電聚合反應(yīng)以形成分子印跡膜，按照相同的后續(xù)步驟處理傳感器，包括靜態(tài)吸附和循環(huán)伏安掃描。在每次實(shí)驗(yàn)中，我們記錄下ΔI值，以評估不同pH值下傳感器的性能。2.5.5洗脫時(shí)間的優(yōu)化洗脫時(shí)間對于分子印跡傳感器的制備過程至關(guān)重要，它決定了模板分子被完全洗脫的程度。為了優(yōu)化洗脫時(shí)間，本實(shí)驗(yàn)選擇了五個(gè)不同的時(shí)間點(diǎn)：2min、4min、6min、8min和10min來進(jìn)行探究。通過比較不同洗脫時(shí)間下傳感器的ΔI值，可以判斷哪個(gè)洗脫時(shí)間下傳感器的性能最佳。2.5.6吸附時(shí)間的優(yōu)化吸附時(shí)間對分子印跡傳感器的性能具有重要影響，它決定了模板分子對分子印跡的空腔再次特異性吸附結(jié)合的程度，本實(shí)驗(yàn)選擇五個(gè)不同的時(shí)間點(diǎn)：5min、10min、15min、20min、25min進(jìn)行優(yōu)化，記錄下ΔI的值，選擇最佳的吸附時(shí)間。2.6性能測試2.6.1線性范圍和檢出限配制濃度的分別為0.5、1、2、4、6、8、10μmol/L的1，5-AG標(biāo)準(zhǔn)溶液，用不同濃度的1,5-AG標(biāo)準(zhǔn)溶液吸附最優(yōu)條件下制備的MIPs傳感器，使用5mMol/L的鐵氰化鉀溶液掃描DPV(電位窗口為-0.2-0.6V,掃速為50mV/s)，記錄峰電流和ΔI值，將1,5-AG濃度與ΔI值進(jìn)行線性擬合，計(jì)算出MIPs傳感器對1,5-AG的檢出限。3結(jié)果與分析3.1可行性驗(yàn)證3.1.1循環(huán)伏安法（CV）表征采用CV(電位窗口為-0.2-0.6V,掃速為50mV/s)考察了不同電極在含5.0mmol/L鐵氰化鉀溶液中的電化學(xué)行為。如圖2所示，MIP/NIP線表示有模板分子和無模板分子聚合的CV圖，MIP-adsorbed線表示聚合物吸附圖，MIP-washed表示聚合物洗脫圖，NIP-washed則表示無模板分子洗脫圖。有模板分子和無模板分子聚合后，都沒有形成電流峰。MIP-washed曲線出現(xiàn)鐵氰化鉀溶液的電流峰，表明在模板分子存在的情況下，聚合形成了與模板分子相匹配的孔穴。用洗脫液洗脫出模板分子后，暴露的孔穴使鐵氰化鉀分子到達(dá)電極表面，產(chǎn)生電化學(xué)響應(yīng)，從而出現(xiàn)氧化還原電流峰。將洗脫1,5-AG模板分子的GCE電極放在吸附液溶液中孵育20min，鐵氰化鉀溶液的峰電流下降。最后，與印跡電極相比，非印跡電極（NIP）的曲線顯示很弱的電流響應(yīng)，這是因?yàn)镹IP膜上缺乏與模板分子相匹配的印跡孔穴，鐵氰化鉀分子無法有效地到達(dá)電極表面進(jìn)行電化學(xué)反應(yīng)。圖2不同電極的CV圖3.1.2EIS表征從圖3可見，MIP/NIP曲線表示有模板分子和無模板分子聚合的EIS圖，說明電極表面聚合后，出現(xiàn)了不導(dǎo)電的聚合膜，減少了溶液和電極表面電子的傳遞，電阻增大。MIP-washed曲線表示聚合物洗脫圖和NIP-washed曲線則表示無模板分子洗脫圖，表明用洗脫液洗脫1,5-AG模板分子，電極表面留下的孔穴能夠形成電子轉(zhuǎn)移的通道，導(dǎo)電性增強(qiáng)，電阻會(huì)顯著減小。MIP-adsorbed曲線表示聚合物吸附圖，當(dāng)印跡電極再次吸附模板分子后，部分印跡孔穴會(huì)被重新占據(jù)，導(dǎo)致擴(kuò)散通道被堵塞，這減少了鐵氰化鉀分子到達(dá)電極表面的機(jī)會(huì)，也降低了電子傳遞的效率，電阻會(huì)明顯增大。圖3不同電極的EIS圖3.2傳感器的構(gòu)建實(shí)驗(yàn)優(yōu)化3.2.1MIPs掃描速率的優(yōu)化掃描速率影響了電極表面的電化學(xué)反應(yīng)速率，決定了電位發(fā)生變化的快慢。從圖4中，可以發(fā)現(xiàn)隨著掃描速率的增大，ΔI呈現(xiàn)上升趨勢，表明在一定范圍內(nèi)，增加掃描速率可以促進(jìn)分子印跡膜在電極表面的生成，從而提高傳感器的響應(yīng)。當(dāng)掃描速率達(dá)到50mV/s時(shí)，ΔI達(dá)到最大值，超過50mV/s后電流值下降，這是因?yàn)檫^快的掃描速率，形成分子印跡膜表面不均勻，影響電子的傳遞效率，降低了傳感器的性能。因此，雖然較快的掃描速率可以加速膜的生成，但過高的速率并不利于形成高質(zhì)量的分子印跡膜。綜上所述，50mV/s被確定為膜在電極表面CV電聚合MIPs的最佳掃描速率。在這個(gè)速率下，可以獲得均勻分布的分子印跡膜，從而獲得最佳的傳感器性能。圖4掃描速率對峰電流的影響3.2.2掃描圈數(shù)的優(yōu)化膜的厚度對電極的電流響應(yīng)和傳感器的性能有重要影響。在制備過程中，通過循環(huán)伏安掃描在電極表面沉積分子印跡膜。掃描圈數(shù)越多，電極表面的膜就越厚。然而，膜的厚度并不是越厚越好。過厚的膜會(huì)降低電子的傳遞效率。這是因?yàn)殡娮釉谕ㄟ^較厚的膜時(shí)需要穿越更多的障礙，導(dǎo)致電阻增加，電流響應(yīng)下降。過薄的膜雖然電子傳遞效率高，但印跡位點(diǎn)數(shù)量可能不足，從而影響傳感器的靈敏度。印跡位點(diǎn)是識別目標(biāo)分子的關(guān)鍵，數(shù)量不足會(huì)導(dǎo)致識別能力下降。從圖5中，我們可以看到隨著掃描圈數(shù)的增加，ΔI（電流變化量）呈現(xiàn)先上升后下降的模式。當(dāng)掃描圈數(shù)大于8時(shí)，膜過厚導(dǎo)致電子傳遞效率降低，從而使ΔI下降。因此，為了獲得最佳的傳感器性能，需要找到一個(gè)合適的掃描圈數(shù)，使得分子印跡膜的厚度既能保證足夠的印跡位點(diǎn)數(shù)量，又能保持較高的電子傳遞效率。因此，需要通過控制掃描圈數(shù)來優(yōu)化膜的厚度，以實(shí)現(xiàn)最佳的電流響應(yīng)和靈敏度，掃描圈數(shù)為8為最佳值。圖5掃描圈數(shù)對峰電流的影響3.2.3聚合液功能單體和模板分子摩爾比例的優(yōu)化在本實(shí)驗(yàn)中，聚合液中苯胺溶液與1,5-AG溶液的摩爾比例對分子印跡膜的印跡位點(diǎn)數(shù)目和結(jié)構(gòu)的影響。聚合液中的苯胺溶液與1,5-AG溶液通過相互作用力進(jìn)行結(jié)合，這些作用力包括氫鍵、π-π堆積等，圖6中可以觀察到響應(yīng)電流ΔI達(dá)到最大值，苯胺單體與1,5-AG模板分子的摩爾比例為10：2。這說明在這個(gè)比例下，苯胺單體與1,5-AG模板分子的結(jié)合最為緊密，形成的印跡位點(diǎn)數(shù)量最多且結(jié)構(gòu)最為穩(wěn)定。因此，此時(shí)的電聚合效果最好，傳感器的靈敏度也最高摩爾比例過大或過小，都會(huì)導(dǎo)致結(jié)合不夠緊密。比例過大時(shí)，苯胺單體可能過量，無法與1,5-AG模板分子充分結(jié)合，導(dǎo)致印跡位點(diǎn)數(shù)量減少；比例過小時(shí)，1,5-AG模板分子可能無法被足夠的苯胺單體包圍，同樣會(huì)影響印跡位點(diǎn)的形成。這兩種情況都會(huì)導(dǎo)致電聚合效果變差，進(jìn)而影響傳感器的靈敏度。圖6分子摩爾比對峰電流的影響3.2.4聚合底液pH的優(yōu)化圖7表示不同聚合底液pH在聚合后和吸附后的峰電流值以及響應(yīng)電流ΔI的變化情況。聚合底液pH不能太高也不能太低，會(huì)影響質(zhì)子環(huán)境。當(dāng)pH過低時(shí)，底液會(huì)則提供過多的酸性條件，pH過高時(shí)，聚合底液提供過多的堿性條件，會(huì)阻礙1,5-AG中電負(fù)性大原子與苯胺單體中H原子的結(jié)合，最終影響印跡位點(diǎn)的數(shù)目。所以，pH=6時(shí)的響應(yīng)電流ΔI為最大，選擇pH=6作為電聚合底液的最佳pH值。圖7pH對峰電流的影響3.2.5MIPs洗脫時(shí)間模板分子的清除對于印跡位點(diǎn)的形成和暴露具有直接影響，進(jìn)而決定了傳感器的響應(yīng)電流ΔI值。如圖8所示，表示分子印跡聚合物（MIPs）洗脫時(shí)間與響應(yīng)電流ΔI值之間關(guān)系。隨著洗脫時(shí)間增加，響應(yīng)電流ΔI值在12min時(shí)最大后呈現(xiàn)下降趨勢，說明12min形成的分子印跡位點(diǎn)最多;當(dāng)洗脫時(shí)間小于12min時(shí)，響應(yīng)電流ΔI值較小。這可能是因?yàn)樵谶@個(gè)時(shí)間段內(nèi)，分子印跡位點(diǎn)還沒有完全形成或暴露出來。模板分子與功能單體之間的相互作用需要一定的時(shí)間來達(dá)到平衡，從而形成穩(wěn)定且有效的印跡位點(diǎn)。洗脫時(shí)間超過12min時(shí)，響應(yīng)電流ΔI值也開始下降。這是由于過長的洗脫時(shí)間導(dǎo)致印跡位點(diǎn)受到破壞或失去穩(wěn)定性。長時(shí)間的洗脫可能破壞了印跡位點(diǎn)與功能單體之間的相互作用，使得印跡位點(diǎn)失去識別模板分子的能力。因此，最佳洗脫時(shí)間為12min。圖8洗脫時(shí)間對峰電流的影響3.2.6吸附時(shí)間的優(yōu)化吸附時(shí)間是影響傳感器的檢測性能的決定性因素，不同的吸附時(shí)間對電極表面電流有不同的影響。如圖9所示，吸附時(shí)間越長，峰值響應(yīng)電流就越小，ΔI值越大，綜合實(shí)驗(yàn)時(shí)間效率，吸附時(shí)間達(dá)到15min最佳吸附時(shí)間。圖9吸附時(shí)間對峰電流的影響3.3傳感性能研究3.3.1傳感器的線性范圍與檢出限配制濃度的分別為0.5、1、2、4、6、8、10μmol/L的1，5-AG標(biāo)準(zhǔn)溶液，用其1,5-AG標(biāo)準(zhǔn)溶液吸附最優(yōu)條件下制備的MIPs傳感器，在5mMol/L的鐵氰化鉀溶液掃描DPV(電位窗口為-0.2-0.6V,掃速為50mV/s)，其DPV曲線如圖10(A)所示。峰電流隨著1,5-AG標(biāo)準(zhǔn)濃度的增加，傳感器的峰電流隨著濃度的升高的降低。如圖10(B)所示，其線性關(guān)系可表示為y=4.104x-0.2881,R2=0.9986,線性范圍為0.5-10μmol，1,5-AG的檢出限為0.178μmol。圖10分子印跡傳感器在不同濃度的1,5-AG溶液中的測量結(jié)果A和分子印跡傳感器的標(biāo)準(zhǔn)工作曲線B4結(jié)論本文以1,5-AG為載體，結(jié)合苯胺功能單體制備的印跡膜,構(gòu)建了一種用于檢測1,5-AG分子印跡電化學(xué)傳感器。傳感器的線性范圍為0.5-10μmol,檢出限低至0.178μmol。所構(gòu)建的傳感器對1,5-AG具有高靈敏度檢測，為實(shí)際樣品檢測提供了一種簡單、經(jīng)濟(jì)、有效的分析,對糖尿病治療有很大的應(yīng)用潛力。

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