《內(nèi)存儲器》課件

內(nèi)存儲器計算機(jī)系統(tǒng)的核心組件，用于存儲當(dāng)前正在運(yùn)行的程序和數(shù)據(jù)。內(nèi)存儲器也被稱為主存儲器或內(nèi)存，是所有應(yīng)用程序和操作系統(tǒng)運(yùn)行的基礎(chǔ)。內(nèi)存儲器簡介計算機(jī)的核心內(nèi)存儲器是計算機(jī)系統(tǒng)中必不可少的組成部分，它用于存儲正在運(yùn)行的程序和數(shù)據(jù)，是計算機(jī)的核心部件之一。快速訪問內(nèi)存儲器與中央處理器（CPU）之間的數(shù)據(jù)交換速度極快，直接影響著計算機(jī)的運(yùn)行速度和性能。臨時存儲內(nèi)存儲器是臨時存儲數(shù)據(jù)的地方，當(dāng)計算機(jī)關(guān)閉或重啟時，存儲在其中的數(shù)據(jù)會丟失。內(nèi)存儲器的分類按存儲介質(zhì)分類內(nèi)存儲器可分為半導(dǎo)體存儲器和磁存儲器兩種。按存取方式分類內(nèi)存儲器可分為隨機(jī)存取存儲器(RAM)和只讀存儲器(ROM)兩類。按用途分類內(nèi)存儲器可分為主存儲器、高速緩存存儲器(Cache)和專用存儲器等。內(nèi)存儲器的種類11.半導(dǎo)體內(nèi)存存儲器半導(dǎo)體存儲器使用半導(dǎo)體材料制成，如硅、鍺等，具有高速度、高密度、低功耗等特點。22.磁芯存儲器磁芯存儲器使用磁芯作為存儲元件，具有較高的可靠性和壽命，但速度較慢，成本較高。33.磁泡存儲器磁泡存儲器使用磁性薄膜作為存儲元件，具有較高的存儲密度，但速度較慢，成本較高。半導(dǎo)體內(nèi)存存儲器使用半導(dǎo)體材料制成的內(nèi)存存儲器主要采用集成電路技術(shù)制造用于存儲計算機(jī)系統(tǒng)中的數(shù)據(jù)和指令靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器(SRAM)SRAM的工作原理SRAM使用晶體管作為存儲單元。每個存儲單元由6個晶體管和一個電容器組成。當(dāng)寫入數(shù)據(jù)時，晶體管被打開，電容器被充電或放電，以存儲數(shù)據(jù)。動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)DRAM是一種常用的半導(dǎo)體內(nèi)存，用于計算機(jī)系統(tǒng)的主存儲器。DRAM使用電容器來存儲數(shù)據(jù)，需要定期刷新以保持?jǐn)?shù)據(jù)。DRAM通常集成在單個芯片上，并以模塊的形式安裝在主板上。DRAM的工作原理1讀操作刷新DRAM存儲單元。將數(shù)據(jù)從存儲單元復(fù)制到緩沖器。從緩沖器將數(shù)據(jù)傳輸?shù)紺PU。2寫操作刷新DRAM存儲單元。將數(shù)據(jù)從CPU傳輸?shù)骄彌_器。將數(shù)據(jù)從緩沖器寫入存儲單元。3刷新操作定期讀取存儲單元數(shù)據(jù)。寫入數(shù)據(jù)到存儲單元。DRAM的特點高密度DRAM具有高存儲密度，體積小，存儲容量大，可以滿足現(xiàn)代計算機(jī)對大容量內(nèi)存的需求。價格低廉由于DRAM技術(shù)的成熟和規(guī)模化生產(chǎn)，其成本相對較低，是目前主流內(nèi)存存儲器的選擇。讀寫速度快DRAM的讀寫速度比其他類型的內(nèi)存存儲器（如硬盤）快得多，可以滿足計算機(jī)快速數(shù)據(jù)訪問的需求。易于擴(kuò)展DRAM的擴(kuò)展性很好，可以輕松地增加內(nèi)存容量，以滿足日益增長的應(yīng)用需求。DRAM的發(fā)展歷程早期發(fā)展20世紀(jì)70年代，DRAM技術(shù)開始應(yīng)用于計算機(jī)系統(tǒng)中，并逐漸取代了磁芯存儲器。技術(shù)革新隨著集成電路技術(shù)的發(fā)展，DRAM的密度不斷提高，容量不斷增加，價格不斷下降。高速發(fā)展20世紀(jì)90年代，DRAM技術(shù)進(jìn)入快速發(fā)展階段，出現(xiàn)了多種技術(shù)改進(jìn)，例如同步DRAM(SDRAM)和雙倍數(shù)據(jù)速率同步DRAM(DDRSDRAM)等。應(yīng)用廣泛目前，DRAM已成為各種電子設(shè)備中最主要的內(nèi)存形式，包括電腦、手機(jī)、平板電腦等。DRAM的主要技術(shù)指標(biāo)DRAM技術(shù)指標(biāo)反映了其性能和容量。主要指標(biāo)包括：容量、速度、功耗、工作電壓等。容量是DRAM存儲器能夠存儲的數(shù)據(jù)量，單位通常為兆字節(jié)（MB）、吉字節(jié)（GB）或太字節(jié)（TB）。速度是指DRAM存儲器進(jìn)行讀寫操作的速度，通常用訪問時間來衡量，單位為納秒（ns）。功耗是指DRAM存儲器在工作時消耗的能量，單位為瓦特（W）。工作電壓是指DRAM存儲器正常工作所需的電壓，通常為1.2V、1.5V或1.8V。DRAM的容量發(fā)展趨勢DRAM容量的發(fā)展趨勢始終朝著更大的方向前進(jìn)。隨著科技的進(jìn)步和制造工藝的提升，DRAM的容量不斷增加。1K1970年1K位64K1980年64K位1M1990年1M位1G2000年1G位未來，隨著技術(shù)的不斷革新，DRAM容量將突破現(xiàn)有限制，朝著更廣闊的領(lǐng)域發(fā)展。DRAM的功耗問題功耗來源DRAM的功耗主要來自數(shù)據(jù)刷新，以及讀寫操作。功耗控制低電壓技術(shù)、睡眠模式、電源管理策略可以有效降低功耗。功耗挑戰(zhàn)隨著DRAM容量的不斷增加，功耗問題日益突出，需要更先進(jìn)的技術(shù)來解決。專用內(nèi)存存儲器用途專用內(nèi)存存儲器主要用于特定用途，例如引導(dǎo)程序、系統(tǒng)參數(shù)存儲等。它們具有非易失性，即使斷電后數(shù)據(jù)仍然保留。特點它們通常具有較小的容量和較高的速度，并與特定硬件或軟件系統(tǒng)相結(jié)合。專用內(nèi)存存儲器對于系統(tǒng)啟動和運(yùn)行至關(guān)重要。只讀存儲器(ROM)11.非易失性存儲器ROM是一種非易失性存儲器，即使斷電后，信息也不會丟失。22.存儲數(shù)據(jù)不可改變數(shù)據(jù)在生產(chǎn)過程中寫入，不可更改。33.讀出速度快ROM通常用于存儲固件、引導(dǎo)程序等。44.應(yīng)用范圍廣ROM廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備，例如計算機(jī)、手機(jī)等。ROM的種類掩模ROM(MROM)在制造過程中，ROM的內(nèi)容被永久地寫入芯片，無法修改。可編程ROM(PROM)一次性可編程ROM，允許用戶在制造后寫入一次數(shù)據(jù)?？刹量删幊蘎OM(EPROM)通過紫外線照射擦除數(shù)據(jù)，可以重復(fù)寫入數(shù)據(jù)。電可擦可編程ROM(EEPROM)通過電信號擦除數(shù)據(jù)，支持多次寫入和擦除操作。可編程ROM(PROM)1一次性編程PROM出廠時是空白的，只能寫入一次數(shù)據(jù)。2紫外線擦除PROM存儲的數(shù)據(jù)無法修改，需要使用紫外線擦除后才能重新編程。3應(yīng)用范圍PROM常用于存儲引導(dǎo)程序、系統(tǒng)配置參數(shù)等。可擦可編程ROM(EPROM)EPROM特點可擦可編程ROM(EPROM)是一種可多次擦除和編程的只讀存儲器，在紫外線下擦除。EPROM編程EPROM使用特殊的編程器進(jìn)行編程，將數(shù)據(jù)寫入芯片內(nèi)部。EPROM應(yīng)用EPROM廣泛應(yīng)用于嵌入式系統(tǒng)、微控制器、電子設(shè)備等領(lǐng)域，存儲系統(tǒng)軟件、固件等。電可擦可編程ROM(EEPROM)可擦寫EEPROM是一種非易失性存儲器，可以反復(fù)擦除和編程。它允許用戶在現(xiàn)場更新或修改存儲的數(shù)據(jù)，提供了更高的靈活性。字節(jié)可擦除與EPROM不同，EEPROM可以選擇性地擦除和編程特定字節(jié)，而無需擦除整個芯片，從而提高了效率和靈活性。較慢的寫入速度與其他類型的ROM相比，EEPROM的寫入速度較慢，這主要是因為其擦除和編程過程需要較長時間。廣泛應(yīng)用EEPROM廣泛用于需要非易失性存儲的應(yīng)用中，例如計算機(jī)系統(tǒng)、微控制器和嵌入式系統(tǒng)。閃存(FlashMemory)非易失性存儲器閃存是一種非易失性存儲器，即使在斷電后也能保留數(shù)據(jù)。它廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中，例如智能手機(jī)、平板電腦和筆記本電腦。高密度存儲閃存具有高存儲密度，可以存儲大量數(shù)據(jù)，使其成為存儲應(yīng)用程序的理想選擇。相比傳統(tǒng)硬盤驅(qū)動器，閃存體積更小，重量更輕，而且更耐用。閃存的結(jié)構(gòu)與工作原理1結(jié)構(gòu)由多個存儲單元組成2存儲單元以浮柵晶體管為基本單元3控制單元控制數(shù)據(jù)讀寫4接口單元與外部系統(tǒng)交互閃存的結(jié)構(gòu)與工作原理決定了其優(yōu)缺點：高密度、低功耗、可靠性高，但讀寫速度較慢。閃存的特點與應(yīng)用11.速度快閃存讀取速度比傳統(tǒng)硬盤快得多，存儲數(shù)據(jù)也更快。22.耐用性強(qiáng)閃存能夠承受反復(fù)讀寫，不易損壞，壽命長。33.小型化閃存體積小，重量輕，非常適合用于移動設(shè)備和嵌入式系統(tǒng)。44.應(yīng)用廣泛閃存被廣泛應(yīng)用于手機(jī)、平板電腦、筆記本電腦、數(shù)碼相機(jī)、MP3播放器等電子設(shè)備中。內(nèi)存存儲器的發(fā)展趨勢容量持續(xù)增長不斷提高存儲密度，降低成本。速度不斷提高更快地訪問數(shù)據(jù)，滿足高性能計算需求。功耗降低減少能耗，延長設(shè)備使用時間。技術(shù)創(chuàng)新新型存儲技術(shù)不斷涌現(xiàn)，例如3DNAND、MRAM等。集成電路內(nèi)存封裝技術(shù)封裝形式主要包括DIP、SOIC、TSOP、BGA、QFP等封裝形式，為滿足不同應(yīng)用需求而設(shè)計。封裝材料采用陶瓷、塑料或金屬等材料，確保內(nèi)存芯片的可靠性和耐久性。引腳排列引腳排列方式影響內(nèi)存芯片與主板的連接，不同的封裝類型有不同的引腳布局。尺寸大小內(nèi)存芯片的尺寸與封裝類型密切相關(guān)，不同尺寸的內(nèi)存芯片適合不同的應(yīng)用場景。內(nèi)存接口技術(shù)內(nèi)存接口標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)存接口標(biāo)準(zhǔn)定義了內(nèi)存控制器和內(nèi)存模塊之間通信的規(guī)則，例如數(shù)據(jù)傳輸速率、數(shù)據(jù)寬度、時序和信號定義。DDR（雙倍數(shù)據(jù)速率）SDRAM（同步動態(tài)隨機(jī)存取存儲器）DIMM（雙列直插式內(nèi)存模塊）SIMM（單列直插式內(nèi)存模塊）內(nèi)存接口類型內(nèi)存接口可以分為并行接口和串行接口，并行接口傳輸數(shù)據(jù)速率更快，而串行接口傳輸數(shù)據(jù)速率相對較慢，但更靈活。PCIe（外設(shè)組件互連標(biāo)準(zhǔn)）SATA（串行ATA）USB（通用串行總線）內(nèi)存控制技術(shù)內(nèi)存控制器主板芯片組中的內(nèi)存控制器負(fù)責(zé)管理和控制內(nèi)存的讀寫操作，確保數(shù)據(jù)準(zhǔn)確高效地傳輸。內(nèi)存插槽內(nèi)存插槽是連接內(nèi)存模塊的物理接口，通過不同的插槽類型和技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)實現(xiàn)內(nèi)存與主板之間的連接。內(nèi)存管理操作系統(tǒng)負(fù)責(zé)分配和管理內(nèi)存資源，優(yōu)化內(nèi)存利用率，提高系統(tǒng)運(yùn)行效率。存儲器系統(tǒng)的性能分析指標(biāo)描述影響因素訪問速度讀寫數(shù)據(jù)的時間內(nèi)存類型、頻率、時序容量存儲數(shù)據(jù)的總量內(nèi)存顆粒、數(shù)據(jù)位寬功耗運(yùn)行時的能量消耗內(nèi)存類型、工作頻率、電壓可靠性數(shù)據(jù)保存的穩(wěn)定性內(nèi)存技術(shù)、制造工藝內(nèi)存存儲器的應(yīng)用計算機(jī)系統(tǒng)內(nèi)存存儲器是計算機(jī)系統(tǒng)