2024電子束技術(shù)產(chǎn)業(yè)化調(diào)研報(bào)告

電子束技術(shù)產(chǎn)業(yè)化調(diào)研報(bào)告ShenzhnMicro-NanoManufacuringindustyPromotionAssodation2024年12月前言當(dāng)制造精度進(jìn)入10nm以下級(jí)別時(shí)，電子束技術(shù)因其分辨率優(yōu)勢(shì)，在檢測(cè)和加工應(yīng)用上逐漸擴(kuò)大規(guī)模。電子束技術(shù)的研發(fā)及典型產(chǎn)品電子顯微鏡、電子束光刻機(jī)領(lǐng)域，基本上由美日歐企業(yè)壟斷，我國(guó)正在追趕。近年國(guó)內(nèi)涌現(xiàn)了一批電子束焊接、增材制造、醫(yī)療加速器、核能等領(lǐng)域都有深入應(yīng)用。作為“微納制造”行業(yè)組織，我們更關(guān)注微米納米級(jí)的技術(shù)和應(yīng)用，因此低能量(束流在nA級(jí))、高分辨率(束斑直徑為nm級(jí))的電子束技術(shù)是本報(bào)告的研究對(duì)象，對(duì)應(yīng)的應(yīng)用主要口關(guān)注的問(wèn)題·電子束技術(shù)在微納制造領(lǐng)域的研發(fā)和應(yīng)用趨勢(shì)·電子顯微鏡、電子束光刻設(shè)備全球發(fā)展格局·國(guó)內(nèi)電子束技術(shù)產(chǎn)業(yè)化發(fā)展現(xiàn)狀·技術(shù)商業(yè)化的難點(diǎn)、行業(yè)需求目錄01電子束技術(shù)總覽02核心器件與產(chǎn)業(yè)鏈03產(chǎn)業(yè)發(fā)展格局04國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)化現(xiàn)狀05技術(shù)產(chǎn)業(yè)化建議光束==》電子束——開(kāi)啟原子制造時(shí)代的鑰匙深圳市微納制造產(chǎn)業(yè)促進(jìn)會(huì)性投影光刻電子束光刻投影光刻電子束光刻分辨率*十學(xué)分辨率微納米尺度的物質(zhì)線0分率分率練光學(xué)顯微鏡電子顯微鏡710710◆檢測(cè)領(lǐng)域的顯微鏡>一般地，固定波長(zhǎng)的光學(xué)顯微鏡分辨極限(Abbe'sdiffractionlimit),是光線波長(zhǎng)的一半，可見(jiàn)光波長(zhǎng)400~760nm之間，所以光學(xué)顯微鏡的分辨極限就是200nm(0.2μm)。一般高端透射電子顯微鏡的分辨率可達(dá)0.2nm。436nm縮小約30倍，達(dá)到13.5nm(極紫外光),對(duì)應(yīng)節(jié)點(diǎn)從μm級(jí)升級(jí)到最先進(jìn)的3nm。>電子本身是一種帶電粒子，根據(jù)波粒二象性也可以得到電子的波長(zhǎng)：動(dòng)能為100eV的自由電子的物質(zhì)波波長(zhǎng)是0.12nm。電子束(e-beam)曝光是利用某些高分子聚合物對(duì)電子敏感而形成曝光圖形的。目前，電子束光刻的最高分辨率達(dá)到0.5nm。成像檢測(cè)光學(xué)顯微鏡電子顯微鏡微納加工投影光刻電子束光刻13.5nm(極紫外光EUV)0.12nm(100KV電壓下)納米級(jí)原子制造時(shí)代的鑰匙。電子束技術(shù)基本原理及應(yīng)用深圳市微納制造產(chǎn)業(yè)促進(jìn)會(huì)e●電子束(ElectronBeam)是利用電子槍中陰極所產(chǎn)生的電子在陰陽(yáng)極間的高壓加速電場(chǎng)作用下被加速至很高的速度，經(jīng)透鏡會(huì)聚作用后，形成密集的高速電子流?！耠娮邮夹g(shù)廣泛用于科研、材料、加工和醫(yī)學(xué)治療，典型應(yīng)用產(chǎn)品有顯像管、示波器、電子顯微鏡、電子束光刻、電子束蒸發(fā)鍍膜、電子束焊接、同步加速器輻射等等?！耠娮邮残约夹g(shù)主要包括電子束的產(chǎn)生技術(shù)，如熱電子發(fā)射、場(chǎng)致發(fā)射等；電子束聚焦技術(shù)，利用電磁透鏡使電子束匯聚成細(xì)束；電子束的偏轉(zhuǎn)技術(shù)，借助電場(chǎng)或磁場(chǎng)改變電子束方向；電子束的加速技術(shù)，給予電子足夠的動(dòng)能；還有電子束的束流控制技術(shù)，精確調(diào)控束流的強(qiáng)度、穩(wěn)定性等?！窨刂齐娮邮芰棵芏鹊拇笮『湍芰孔⑷霑r(shí)間，就可以達(dá)到不同的加工目的：1、只使材料局部加熱就可進(jìn)行電子束熱處理；2、使材料局部熔化就可以進(jìn)行電子束焊接；3、提高電子束能量密度，使材料熔化和汽化，就可進(jìn)行打孔、切割等加工；4、利用較低能量密度的電子束轟擊高分子材料時(shí)產(chǎn)生化學(xué)變化的原理，即e圖：電子束的工業(yè)應(yīng)用。電子束輻照用于許多行業(yè)，包括汽車(chē)、紡織、電線電纜、醫(yī)療等，用于改善材料特性、增加功能、固化涂層和材料滅菌。34電子束的微納級(jí)應(yīng)用——電子顯微鏡●電子束成像電子束照射到樣品表面，電子就會(huì)與樣品的一部分發(fā)生相互作用，發(fā)生彈性散射和非彈性散射，從而產(chǎn)●電子束成像電子束照射到樣品表面，電子就會(huì)與樣品的一部分發(fā)生相互作用，發(fā)生彈性散射和非彈性散射，從而產(chǎn)生大量信號(hào)，這些可用于成像用于成像和半定量分析的典型信號(hào)包括：俄歇電子、二次電子、背散射電子、X射線、陰極熒光等?！呙桦娮语@微鏡(SEM)使用一組特定的線圈以光柵樣式掃描樣品并收集散射的電子。·透射電子顯微鏡(TEM)使用透射電子，收集透過(guò)樣品的電子。:PCg只電子束筒散制電子連續(xù)X射線散射電子衍射電子掃描電鏡SEM透射電鏡TEM任何厚度高達(dá)100-200萬(wàn)超過(guò)500萬(wàn)<50pm(市面上最高端型號(hào))示圖像用CCD在熒光屏或PC屏幕上直接成像樣品制備較易，易于使用樣品制備復(fù)雜，需要培訓(xùn)圖：光學(xué)顯微鏡與掃描電鏡(SEM)、透射電鏡(TEM)對(duì)比電子束的微納級(jí)應(yīng)用——電子束光刻深圳市微納制造產(chǎn)業(yè)促進(jìn)會(huì)●電子束光刻(Electron-beamlithography,EBL)又稱電子束曝光，是一種通過(guò)掃描聚焦電子束在覆蓋有電子敏感膜(稱為光刻膠)的表面上繪制自定義形狀的技術(shù)(曝光)。電子束會(huì)改變光刻膠的溶解度，通過(guò)將光刻膠浸入溶劑中(顯影，可以選擇性地去除光刻膠的曝光或非曝光區(qū)域。與光刻一樣，其目的是在光刻膠中創(chuàng)建非常小的結(jié)構(gòu)，然后可以通過(guò)蝕刻將其轉(zhuǎn)移到基底材料上。●電子束光刻系統(tǒng)具有多種應(yīng)用，是獲得納米級(jí)圖案的重要工具。電子束光刻技術(shù)廣泛應(yīng)用于新材料(如超材料、表面工程)、前沿物理(如超導(dǎo)、量子現(xiàn)象)、仿生學(xué)(功能表面)、光子學(xué)(微納光學(xué)、波導(dǎo)、光子晶體)、生物學(xué)(DNA分析、納米流體學(xué))、微電子學(xué)等研究領(lǐng)域。近年來(lái)，隨著技術(shù)市場(chǎng)的發(fā)展，電子束光刻技術(shù)也開(kāi)始應(yīng)用于三維結(jié)構(gòu)光學(xué)器件的制造、光子芯片的制造、高功率芯片的制造以及傳統(tǒng)掩膜版的制作。ComputerHighspe圖：典型的電子束光刻設(shè)備架構(gòu)Development圖：簡(jiǎn)化的電子束光刻工藝流程掃描電鏡VS.電子束光刻·EBL技術(shù)是從SEM發(fā)展而來(lái)的，典型的EBL系統(tǒng)與SEM非常相似。因此，可以選擇合適的掃描電鏡(SEM),并將其與電子precisionstage)和EBL控制軟件組裝成EBL系統(tǒng)。如下圖所示?！EM和EBL乏間的主要區(qū)別在于，在EBL中，光束根據(jù)來(lái)自圖案生成器的指令掃描到樣品上，而在SEM中，光束在樣品上進(jìn)行光柵掃描以收集二次電子形成圖像。電子槍電子槍聚光鏡電子槍準(zhǔn)直系統(tǒng)圖形發(fā)生器快門(mén)/束閘呂呂投影透鏡sr呂口口器工作臺(tái) 光束偏轉(zhuǎn)頻率曝光寫(xiě)場(chǎng)尺寸場(chǎng)拼接精度Magnificationvaries-lowmagfor形狀重疊曝光劑量deflectiongain/rotat對(duì)準(zhǔn)Alignment穩(wěn)定性StabiitypoorSource:Electron-BeamLithographyTraining-YaleUniversity,/electr電子束檢測(cè)設(shè)備VS.電子顯微鏡深圳市微納制造產(chǎn)業(yè)促進(jìn)會(huì)●電子束缺陷檢查設(shè)備EBI(E-BeamInspection)是專門(mén)用于快速分析半導(dǎo)體晶圓缺陷的專用設(shè)備。EBI設(shè)備源自于SEM,電子束檢測(cè)設(shè)備EBI與掃描電子顯微鏡SEM在半導(dǎo)體檢測(cè)領(lǐng)域各有側(cè)重，但又相互關(guān)聯(lián)、相互補(bǔ)充。●幾十年來(lái)電子顯微鏡技術(shù)的發(fā)展，從關(guān)注降低成像分辨率轉(zhuǎn)向關(guān)注提高生產(chǎn)力和獲取更高質(zhì)量、更可重復(fù)的數(shù)據(jù)，特別是對(duì)于半導(dǎo)體應(yīng)用。陰極電位：OkV陰極電位：OkV陽(yáng)極電位：+15kV著陸能量：1keV樣臺(tái)電位：14kV圖：EBI設(shè)備樣品臺(tái)減速模式圖：常規(guī)SEM物鏡(上)與EBI半浸沒(méi)物鏡(下)示意圖對(duì)比55easeofuse0prUMr圖：TEM發(fā)展概況與趨勢(shì)Source:納克微束公眾號(hào)，ThermoFisherScientific7目錄01電子束技術(shù)總覽02核心器件與產(chǎn)業(yè)鏈03產(chǎn)業(yè)發(fā)展格局04國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)化現(xiàn)狀05技術(shù)產(chǎn)業(yè)化建議8微納電子束系統(tǒng)結(jié)構(gòu)(電子顯微鏡、電子束光刻設(shè)備)●電源系統(tǒng)，由穩(wěn)壓、穩(wěn)流及相應(yīng)的安全保護(hù)電路所組成。高壓電源的穩(wěn)定性是實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定電子束，實(shí)現(xiàn)SEM和EBL高分辨率的最重要因素之一?！耠娫聪到y(tǒng)，由穩(wěn)壓、穩(wěn)流及相應(yīng)的安全保護(hù)電路所組成。高壓電源的穩(wěn)定性是實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定電子束，實(shí)現(xiàn)SEM和EBL高分辨率的最重要因素之一。級(jí)級(jí)電子給●電子光學(xué)系統(tǒng)：由電子槍、電磁透鏡、靜電透鏡、偏轉(zhuǎn)線圈等基本元件組成的系統(tǒng)，以操縱光束電流、直徑和發(fā)散度，最終影●高精度平臺(tái)控制系統(tǒng)：控制被檢測(cè)/加工樣品(基片)的高精度移動(dòng)。它由用于支撐和移動(dòng)樣品/基片的XYZ工作臺(tái)、激光干涉儀系統(tǒng)(電子束光刻專用)、容納工作臺(tái)的樣品室和樣品更換室組成。第二酸光磷要各種信號(hào)收集和處理系統(tǒng)，用于區(qū)分和采集二次電子和背散射電子，并將SE、BSE產(chǎn)額信號(hào)進(jìn)行放大和調(diào)制，轉(zhuǎn)變?yōu)橹庇^的圖像。m電子來(lái)圖：典型掃描電子顯微鏡結(jié)構(gòu)號(hào)檢源放大顯統(tǒng)及系線真空系流●真空系統(tǒng)：電鏡和電子束光刻對(duì)真空度要求非常高，這是因?yàn)樵谡婵窄h(huán)境下，可以有效地避免電子束與氣體分子發(fā)生碰撞，從而保持電子束的穩(wěn)定性和樣品的表面清晰度。典型的SEM工作室真●真空系統(tǒng)：電鏡和電子束光刻對(duì)真空度要求非常高，這是因?yàn)樵谡婵窄h(huán)境下，可以有效地避免電子束與氣體分子發(fā)生碰撞，從而保持電子束的穩(wěn)定性和樣品的表面清晰度。典型的SEM工作室真空要求在10^-4至10^-8帕范圍內(nèi)，這通常由機(jī)械泵和離子泵等真空系統(tǒng)來(lái)實(shí)現(xiàn)。電子束設(shè)備對(duì)比深圳市微納制造產(chǎn)業(yè)促進(jìn)會(huì)·對(duì)比掃描電鏡、電子束光刻，以及非微納級(jí)的電子束增材制造設(shè)備的主要參數(shù)，可以了解不同應(yīng)用場(chǎng)景對(duì)電子束系統(tǒng)核心器件的要求。消像散線圈輔助聚焦線圈偏轉(zhuǎn)線圈三次電子粉料倉(cāng)工件消像散線圈輔助聚焦線圈偏轉(zhuǎn)線圈三次電子粉料倉(cāng)工件基板升降臺(tái)子上位機(jī)控制露探測(cè)板功放圖：電子束增材制造設(shè)備結(jié)構(gòu)示意圖應(yīng)用高精度掩模版等納米結(jié)構(gòu)器件納米級(jí)超高分辨率檢測(cè)高價(jià)值金屬部件制造電子槍/陰極類型肖特基熱場(chǎng)發(fā)射肖特基熱場(chǎng)發(fā)射電子加速電壓電子束流最小束斑直徑0.7nm(分辨率)束流漂移—圖形發(fā)生器掃描頻率——曝光寫(xiě)場(chǎng)尺寸—晶圓樣品尺寸2英寸，4英寸，6英寸可選——最小線寬 一 一拼接精度— 一核心器件——電子槍we是發(fā)射、形成和會(huì)聚電子束的裝置。電子槍的分類方式包括電場(chǎng)的產(chǎn)生方式(直流或射頻)、電子發(fā)射的機(jī)制(熱發(fā)射、光陰極、場(chǎng)致發(fā)射、等離子體源)、聚焦方式(純靜電或使用磁場(chǎng))、以及電極的數(shù)量。電子槍最早用于陰極射線管(CRT)。電子槍由發(fā)生電子的發(fā)射極(陰極)、聚焦電子束的聚焦極、和加速電子的引出極(陽(yáng)極)三部分組成；電子槍的核心技術(shù)和制造難點(diǎn)在于電子源(陰極)和腔體結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和加工。電子槍的兩個(gè)重要參數(shù)是產(chǎn)生的電流大小和電流的穩(wěn)定性。一般情況下，電子槍發(fā)射電子時(shí)，束流密度越大，束流能散度越小，發(fā)射亮度越大，則電子槍本征亮度越大，掃描電鏡的分辨力也就越強(qiáng)。·場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡的分辨率、亮度等性能指標(biāo)通常要優(yōu)于熱發(fā)射掃描電鏡，但使用條件往往更為嚴(yán)苛、價(jià)格更為昂貴。圖：電子槍結(jié)構(gòu)圖電子源類型束斑直徑溫度亮度1最大束流電流密度能量擴(kuò)展真空度分辨率分析功能擴(kuò)展約S1000約S10000約S1000約S10000電子源技術(shù)趨勢(shì)>冷場(chǎng)發(fā)射2022年12月應(yīng)用材料公司宣布“冷場(chǎng)發(fā)射”(CFE)技術(shù)的商業(yè)化，可將納米級(jí)圖像分辨率提高50%,成像速度提高10倍。CFEeBeam技術(shù)使芯片制造商能夠加速次世代閘極全環(huán)(Gate-All-Around,GAA)邏輯芯片，以及更高密度DRAM和3DNAND閃存的開(kāi)發(fā)和制造。>新技術(shù)研發(fā)——CNT、SED傳導(dǎo)電子發(fā)射器件顯示器”的縮寫(xiě)。當(dāng)向具有納米級(jí)微小狹縫的薄膜電極(陰極)施加電壓時(shí)，該方法利用隧道效應(yīng)從電極發(fā)射電新興電子束源——半導(dǎo)體光電陰極由名古屋大學(xué)創(chuàng)立的初創(chuàng)公司PhotoelectronSoulInc.是全球唯——家成功開(kāi)發(fā)半導(dǎo)體光電陰極電子束系統(tǒng)的公司。統(tǒng)可以實(shí)現(xiàn)以下優(yōu)勢(shì)：1)與現(xiàn)有的電子束系統(tǒng)相比，吞吐量提高10倍或更多；2)透過(guò)選擇性照射電子束，實(shí)現(xiàn)對(duì)晶體管的非接觸測(cè)試；3)透過(guò)即時(shí)控制束劑量，檢測(cè)30倍或更高長(zhǎng)寬比的深孔底部隱藏的微粒?！ゆu熱陰極：多晶鎢陰極，價(jià)格低廉，應(yīng)用范圍廣，使用量巨大。主要廠家有美國(guó)APT、KimballPhysics,德國(guó)STAIB,及日本大和電子等?！駠?guó)內(nèi)廠商國(guó)內(nèi)各類電鏡所使用的陰極，從低端的熱鎢絲陰極、到中高端的六硼化鑭或六硼化鈰陰極，再到高端的熱場(chǎng)發(fā)射陰極和冷場(chǎng)發(fā)射陰極，均處于大量進(jìn)口的狀態(tài)。電鏡陰極不能自主的現(xiàn)狀，已經(jīng)成為制約我國(guó)高端電子顯微鏡制造和應(yīng)用的主要瓶頸。國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃“熱場(chǎng)發(fā)射電子源”項(xiàng)目啟動(dòng)，該項(xiàng)目由中國(guó)科學(xué)院空天信息創(chuàng)新研究院牽頭，中國(guó)科學(xué)院電工研究所和北京中科科儀股份有限公司共同承擔(dān)。·2024年7月，蘇州博眾儀器科技有限公司宣布成功研發(fā)出國(guó)際領(lǐng)先水平的熱場(chǎng)發(fā)射電子源。該產(chǎn)品針尖曲率半徑可精準(zhǔn)控制在400~900nm之間，角電流密度達(dá)200～500uA/Sr,在200kV高壓下，其亮度可達(dá)6.5×10^8~1.5×10^9A/(cm2·Sr),在1700～1850K的溫度環(huán)境下穩(wěn)定工作?！て渌麖S家：大束科技核心器件——高壓電源SEM是利用高壓電源加速電子束來(lái)觀察微觀世界的技術(shù)，若加速電壓及偏壓不穩(wěn)定，則電子入射至標(biāo)本的深度也會(huì)不穩(wěn)定，造成成像不清晰。因此，高壓電源的穩(wěn)定性是SEM實(shí)現(xiàn)高分辨率的最重要因素之一。海外SEM高壓電源領(lǐng)域在其早期已經(jīng)積累了相當(dāng)長(zhǎng)時(shí)間的研發(fā)經(jīng)驗(yàn)和產(chǎn)品迭代。現(xiàn)今，多家公司已能夠提供適用于SEM的低紋波、高穩(wěn)定性的高壓直流電源。i>中國(guó)在精密測(cè)量?jī)x器領(lǐng)域的高穩(wěn)定性高壓直流電源的起步較晚，導(dǎo)致該領(lǐng)域的研發(fā)水平仍處于初級(jí)階段?！ね悸邏弘娫从邢薰咀鳛闋款^承擔(dān)單位參與2022年國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃“基礎(chǔ)科研條件與重大科學(xué)儀器設(shè)備研發(fā)”重點(diǎn)專項(xiàng)“數(shù)字化低紋波高穩(wěn)定度高壓電源”項(xiàng)目。該公司已發(fā)布并銷售多款高壓電源。·2024年9月，蘇州博眾儀器科技有限公司推出兩款新產(chǎn)品："200kV超高穩(wěn)定度直流高壓電源”和“15A高穩(wěn)定度恒流源”。高壓電源穩(wěn)定度優(yōu)于10ppm,恒流源穩(wěn)定度同樣在10ppm,適用于電子束相關(guān)設(shè)備?！て渌麌?guó)內(nèi)廠商：博雷電氣、泰思曼、博思曼、慧炬科技核心器件——單光闌==》光闌束閘陣列深圳市微納制造產(chǎn)業(yè)促進(jìn)會(huì)半導(dǎo)體制造和檢測(cè)的高通量需求，推動(dòng)電子束技術(shù)由單束向多束發(fā)展。多束檢測(cè)系統(tǒng)和多束曝光系統(tǒng)已經(jīng)商業(yè)化，并形成應(yīng)用快速擴(kuò)展之勢(shì)。公司推出了高通量多光束掩模直寫(xiě)曝光機(jī)—MBMW-101,成功用于7nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)的EUV掩模生產(chǎn)。自此掩模寫(xiě)入技術(shù)進(jìn)入電子束光刻時(shí)代?！?020年5月，ASML推出第一代多光束檢測(cè)系統(tǒng)“eSca多束電子束系統(tǒng)的核心零部件的光闌和束閘陣列，采用MEMS技術(shù)制造，制備工藝復(fù)雜，良率低，是限制多束設(shè)備發(fā)展的多束電子束系統(tǒng)的核心零部件的光闌和束閘陣列，采用MEMS陰極y.陰極y.驕極吸出極準(zhǔn)直透鏡分束板陣靜電透鏡一陣列束網(wǎng)加連通鏡可變光闡聚光鏡物鏡樣品平面圖：多束電子光學(xué)系統(tǒng)及光闌束閘陣列示意圖91個(gè)平行電子束的采集速度-以納米分辨率對(duì)厘米級(jí)樣本進(jìn)行成像，號(hào)稱世界上最快的掃描電子顯微鏡圖：多束電子光學(xué)系統(tǒng)及光闌束閘陣列示意圖微納電子束產(chǎn)業(yè)鏈核心零部件應(yīng)用市場(chǎng)圖形控制、分析樣品桿圖形控制、分析樣品桿電子光學(xué)系統(tǒng)真空系統(tǒng)電源系統(tǒng)信號(hào)探測(cè)與成像位移控制平臺(tái)位移臺(tái)、減震臺(tái)分析、圖形發(fā)生位移臺(tái)、減震臺(tái)分析、圖形發(fā)生原位芯片電子槍物鏡透鏡偏轉(zhuǎn)器真空泵離子泵閥門(mén)APTech、Kimball、FEI;APTech、Kimball、FEI;電鏡制樣薄膜制備量測(cè)國(guó)儀量子、博眾儀器中圖儀器、伯銳鍶沖微公司GEAdditive;掛林獅達(dá)速普儀器、屹東光學(xué)廣州競(jìng)贏、艾博智業(yè)(鋰電池。納米材)(半導(dǎo)體、MEMS、微納光學(xué)等)各大醫(yī)院、生物檢測(cè)、醫(yī)藥研發(fā)德方納米、萬(wàn)華化學(xué)、北方稀土、歐波同、勝科納米后市場(chǎng)：維修保養(yǎng)、升級(jí)改造、機(jī)器搬遷注：非詳盡的清單|15目錄01電子束技術(shù)總覽02核心器件與產(chǎn)業(yè)錠03產(chǎn)業(yè)發(fā)展格局04國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)化現(xiàn)狀05技術(shù)產(chǎn)業(yè)化建議年份技術(shù)商業(yè)化進(jìn)展事件1897發(fā)現(xiàn)-電子英國(guó)物理學(xué)家和諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)獲得者JosephJohnThomson通過(guò)陰極射線發(fā)現(xiàn)并且鑒定了電子。發(fā)明WestinghouseElectricCorporation開(kāi)發(fā)出了第一臺(tái)使用熱陰極的CRT,并成為商業(yè)產(chǎn)品.產(chǎn)1933發(fā)明-電子顯微鏡德國(guó)物理學(xué)家和諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)獲得者ErnstRuska和電氣工程師MaxKnoll使用多個(gè)串聯(lián)線圈制造出第一臺(tái)透射電子顯微鏡.1938商業(yè)化-電子顯微鏡西門(mén)子公司推出了第一臺(tái)商用電子顯微鏡。品1958發(fā)現(xiàn)-電子束光刻美國(guó)麻省理工學(xué)院科研人員首次使用高能電子輻照在二維平面制備出高分辨率的圖案.化1960s研發(fā)-電子束光刻電鏡裝配圖形發(fā)生器的配置已經(jīng)可以加工微米或亞微米結(jié)構(gòu)，1965商業(yè)化-電子顯微鏡1965年英國(guó)劍橋儀器公司生產(chǎn)的第一臺(tái)商用掃描電鏡Mark1,它用二次電子成像，分辨率達(dá)25nm,使SEM進(jìn)入了實(shí)用階段。1967商業(yè)化-電子束光刻JEOL開(kāi)發(fā)了第一臺(tái)商用電子束光刻系統(tǒng)JEBX-2B1968發(fā)明-場(chǎng)發(fā)射電子槍MaxKnoll成功研制了場(chǎng)發(fā)射電子槍，并將它應(yīng)用于SEM,可獲得較高分辨率的透射電子像，商1970發(fā)明-冷場(chǎng)發(fā)射電子槍芝加哥大學(xué)的AlbertCrewe及其同事開(kāi)發(fā)了STEM中使用的冷場(chǎng)發(fā)射電子槍，他使用的儀器已經(jīng)近似于現(xiàn)代STEM的結(jié)構(gòu).業(yè)1970發(fā)明-拼接技術(shù)ThomsonCSF為電子束光刻系統(tǒng)引入了激光干涉定位系統(tǒng)，讓大面積高精度寫(xiě)場(chǎng)拼接和套刻得以實(shí)現(xiàn)化出并實(shí)現(xiàn)了目前廣泛應(yīng)用于產(chǎn)業(yè)界的變形束電子束光刻技術(shù)，使得電子束光刻的加工效率得到極大的提高。1972商業(yè)化-場(chǎng)發(fā)射技術(shù)日立與AlbertCrewe合作開(kāi)發(fā)并將世界上第一臺(tái)場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡商業(yè)化。1985商業(yè)化-半導(dǎo)體領(lǐng)域日立推出用于半導(dǎo)體器件的CD-SEM3S-6000.SEM花了50年的時(shí)間才進(jìn)入半導(dǎo)體行業(yè)。產(chǎn)1990s研發(fā)-多束平行電子束系統(tǒng)貝爾實(shí)驗(yàn)室、IBM公司和尼康公司共同合作研發(fā)2種基于掩模加工的多束平行電子束系統(tǒng)，即PREVAIL與SCALPEL,業(yè)1998商業(yè)化-半導(dǎo)體領(lǐng)域AMAT商業(yè)化第一個(gè)reviewSEM,AMATSEMVision.化1999商業(yè)化-半導(dǎo)體領(lǐng)域KLA-Tencor推出了第一個(gè)reviewSEM,eS20。電子顯微鏡行業(yè)進(jìn)入巨頭時(shí)代2002商業(yè)化-電子束光刻?hào)|芝機(jī)械株式會(huì)社半導(dǎo)體設(shè)備部開(kāi)發(fā)并商業(yè)化了用于90納米(電路線)設(shè)計(jì)規(guī)則的EBM-4000EB掩模寫(xiě)入機(jī)。2003商業(yè)化-電子束光刻尼康向Selete交付了第一臺(tái)基于PREVAIL技術(shù)的NCR-EB1A電子束步進(jìn)機(jī)。2014商業(yè)化-多束掃描電子顯微鏡ZEISS發(fā)布第一臺(tái)商用多光束掃描電子顯微鏡MultiSEM505,它使用61束電子束，能夠比傳統(tǒng)儀器快得多地對(duì)樣本進(jìn)行成像，2016商業(yè)化-多束掩膜直寫(xiě)IMSNanofabricationAG發(fā)布世界上第一個(gè)高吞吐量的多光束掩膜直寫(xiě)設(shè)備。2024商業(yè)化-多柱電子束光刻Multibeam推出半導(dǎo)體行業(yè)首款用于批量生產(chǎn)的多柱電子束光刻(MEBL)系統(tǒng)。工業(yè)工業(yè)·電子束成像·電子束光刻電子束檢測(cè)多束電子束檢測(cè)掩膜版制造商業(yè)化科研科研市場(chǎng)格局——電子顯微鏡深圳市微納制造產(chǎn)業(yè)促進(jìn)會(huì)根據(jù)GrandViewResearch,Inc.基數(shù)矩陣中呈現(xiàn)的分析，賽默飛世爾科技公司是電子顯微鏡市場(chǎng)的先驅(qū)，AdvantestCorporation、CarlZeissAG、BrukerCorporation等公司是電子顯微鏡市場(chǎng)的一些關(guān)鍵創(chuàng)新者。透射電子顯微鏡領(lǐng)域主要由ThermoScientific、JEOL、HITACHI等公司主導(dǎo)，三家企業(yè)在全球市場(chǎng)份額占比超97%。a.5.市場(chǎng)格局——電子束檢測(cè)設(shè)備全球電子束檢測(cè)設(shè)備市場(chǎng)集中度較高，歐美、日本企業(yè)處于壟斷地位。根據(jù)VLSI數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)，2023年全球半導(dǎo)體量檢測(cè)設(shè)備行業(yè)CR5超過(guò)84%,主要包括KLA、應(yīng)用材料、日立等，其中KLA市占率高達(dá)55.8%。電子束檢測(cè)設(shè)備方面，根據(jù)應(yīng)用材料統(tǒng)計(jì)，2021年應(yīng)用材料、日立、阿斯麥、KLA等企業(yè)市占率分別為50%、28%、15%、6%。圖表：全球主要電子束檢測(cè)設(shè)備供應(yīng)商(億美元)營(yíng)收凈利澗毛利率電子束檢測(cè)設(shè)備(2021)收入收入占比市占率量檢測(cè)設(shè)備(2020)美國(guó)日立日本阿斯麥荷蘭美國(guó)Source:半導(dǎo)體前道量檢測(cè)設(shè)備行業(yè)報(bào)告-國(guó)海證券-2024年06月25日市場(chǎng)格局——電子束光刻深圳市微納制造產(chǎn)業(yè)促進(jìn)會(huì)電子束光刻設(shè)備根據(jù)所使用的電子束技術(shù)主要分為高斯束、變形束和多束電子束，其中高斯束設(shè)備相對(duì)門(mén)檻較低，能夠靈活曝光任意圖形，被廣泛應(yīng)用于基礎(chǔ)科學(xué)研究中，而變形束和多束電子束則主要服務(wù)于工業(yè)界的掩模制備中。NuFlare是單光束光罩刻寫(xiě)機(jī)市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)者，2022年，IMS的多束掩模直寫(xiě)設(shè)備市場(chǎng)份額約占90%?！?016年，奧地利公司IMSNanofabrication推出了首款高通量多光束掩模直寫(xiě)曝光機(jī)MBMW-101,成功用于7nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)的EUV掩模生產(chǎn)。自此掩模寫(xiě)入技術(shù)進(jìn)入電子束光刻時(shí)代。向業(yè)界發(fā)布了應(yīng)用于3nm節(jié)點(diǎn)的多光束掩模直寫(xiě)曝光機(jī)MBM-2000。曾是多電子束光刻的先驅(qū)，2018年12月破產(chǎn)后被ASML收購(gòu)?！龌谘谀５耐队捌毓猓骸龌谘谀５耐队捌毓猓簣D：電子束光刻設(shè)備的發(fā)展歷程與等效電子束束斑數(shù)量的關(guān)系變形束■可變成形束■源■固定成形束(>100A/cm2)自動(dòng)化程度多束■可編輯投影曝光：復(fù)雜圖形寫(xiě)入速度■特征/單元投影實(shí)物圖片*滿A束流密度八A-om)電子束數(shù)量來(lái)班直稅km電子束點(diǎn)陣尺寸套刻誤養(yǎng)hm5<12M他欖(100×130)一一501010M處模(100130二表：3家多束電子束光刻公司設(shè)備參數(shù)Source:梁惠康，段輝高《電子束光刻設(shè)備發(fā)展現(xiàn)狀及展望》2022年第11期《科技導(dǎo)報(bào)》;米eBeamInitiativeSurveyReports行業(yè)巨頭發(fā)展戰(zhàn)略ThermoFisherScientificInc.(賽默飛)是全球分析儀器的領(lǐng)導(dǎo)者，在公司的長(zhǎng)期發(fā)展過(guò)程中，公司通過(guò)外延并購(gòu)的方式持續(xù)擴(kuò)大業(yè)務(wù)范圍和優(yōu)化產(chǎn)業(yè)鏈，逐步拓展形成了生命科學(xué)、專業(yè)診斷、分析儀器、實(shí)驗(yàn)室產(chǎn)品與服務(wù)四大業(yè)務(wù)板塊。賽默飛的發(fā)展就是一部并購(gòu)·2023年10月，賽默飛推出基于電子束技術(shù)的故障分析解決方案，用于對(duì)先進(jìn)的半導(dǎo)體邏輯技術(shù)進(jìn)行精確的故障定位?！?023年，賽默飛全年收入428.6億美元，下降5%,全年凈利潤(rùn)同比下降14%至59.5億美元。而其分析儀器業(yè)務(wù)全年收入72.63億美元，占收入16.9%,較上年66.24億美元增長(zhǎng)9.6%。該部門(mén)的強(qiáng)勁增長(zhǎng)主要得益于電子顯微鏡業(yè)務(wù)?！?016年5月27日，該公司宣布將以42億美元收購(gòu)電子顯微鏡制造商FEI公司。此次收購(gòu)促進(jìn)賽默飛分析儀器業(yè)務(wù)集團(tuán)的增長(zhǎng)。收購(gòu)?fù)瓿珊螅琓hermoFisher將FEI的高分辨率SEM和TEM整合到自身產(chǎn)品線中，進(jìn)一步擴(kuò)展了其在半導(dǎo)體和納米科技領(lǐng)域的業(yè)務(wù)。這一舉措使ThermoFisher能夠?yàn)榘雽?dǎo)體行業(yè)提供更全面的分析和檢測(cè)解決方案，用于缺陷檢測(cè)、工藝監(jiān)控和故障分析等關(guān)鍵環(huán)節(jié)。FEI收購(gòu)FEI成立全資收明FEIs01110w深圳市微納制造產(chǎn)業(yè)促進(jìn)會(huì)日本電子株式會(huì)社(JEOLLtd.簡(jiǎn)稱IEOL)是世界頂級(jí)的科學(xué)儀器生產(chǎn)制造商。JEOL以電子顯微鏡為起點(diǎn)，七十多年來(lái)在該領(lǐng)域不斷深耕細(xì)作，其產(chǎn)品在全球都有著很高的影響力。尤其是作為目前世界上的主要透射電鏡供應(yīng)商之一，JEOL在以球差電鏡為代表的高分辨電鏡領(lǐng)域引領(lǐng)著技術(shù)發(fā)展的潮流。集團(tuán)公司的業(yè)務(wù)包括三個(gè)部分：科學(xué)/計(jì)量?jī)x器、工業(yè)設(shè)備以及醫(yī)療器械。在2019年，JEOL成立70周年之際，宣布新的增長(zhǎng)愿景—Evolvinginthe70thYear。主要的舉措是改進(jìn)核心技術(shù)，積極進(jìn)入增長(zhǎng)市場(chǎng)，并提供全面的解決方案。>JEOL不斷精進(jìn)其電子技術(shù)技術(shù)，拓展產(chǎn)品領(lǐng)域。電子束技術(shù)主要產(chǎn)品包括電子束光刻系統(tǒng)、大功率電子束源和電源、沉積電子束源和沉積電源、電子束金屬3D打印機(jī)等。2023年，由于對(duì)功率半導(dǎo)體的需求，特別是在中國(guó)，傳統(tǒng)節(jié)點(diǎn)的單光束掩模寫(xiě)入器繼續(xù)表現(xiàn)良好。JEBX-2BorOLfotcmm··HIthe株式會(huì)社日立八造產(chǎn)業(yè)促進(jìn)會(huì)>自1939年以來(lái),日立開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)了各種電子顯微鏡,包括獨(dú)特的臺(tái)式和超高壓電子顯微鏡以及SEM、TEM和FIB。日立高科技株式會(huì)社成立于2001年,由日立的儀器儀表集團(tuán)和半導(dǎo)體制造設(shè)備集團(tuán)與經(jīng)營(yíng)高科技產(chǎn)品的貿(mào)易公司日精產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社合并而成。日立高新主要提供電子顯微鏡、全自動(dòng)生化分析儀、通用分析儀器、半導(dǎo)體元器件檢測(cè)設(shè)備等尖端技術(shù)產(chǎn)品。鞏固和強(qiáng)化電子束技術(shù)的業(yè)務(wù)領(lǐng)域,涉及半導(dǎo)體制造中必不可少的電子顯微鏡等檢測(cè)設(shè)備。見(jiàn)る(TA抽生化學(xué)·角疫分析婆溫、核體核查自勤化鄉(xiāng)7△.y-能第泳勤鄉(xiāng)-5>分驗(yàn)時(shí)·裂造·短殼能子酒微說(shuō)，光度針、重光X分析裝源.熱分析腦器，液體知574EO險(xiǎn)計(jì)-黏造-版c圖：日立高新最新技術(shù)信息和研究基礎(chǔ)戰(zhàn)略圖:日立高新的核心技術(shù)“觀察、測(cè)量、分行業(yè)巨頭發(fā)展戰(zhàn)略——深圳市微納制造產(chǎn)業(yè)促進(jìn)會(huì)>兩家企業(yè)都幾乎在同一時(shí)期，開(kāi)展電子束光刻和電子束檢測(cè)設(shè)備的研發(fā)。·2000年左右，AppliedMaterials通過(guò)收購(gòu)EtecSystems(一家從事掃描電子顯微鏡和電子束光刻研發(fā)的美國(guó)公司),及與ASML合資圖2020年前五大設(shè)備公司的市場(chǎng)份額圖2013年正在平行開(kāi)展的電子束光刻系統(tǒng)研發(fā)項(xiàng)目電子束檢測(cè)設(shè)備領(lǐng)域激戰(zhàn)正酣宣布推出用于先進(jìn)邏輯和內(nèi)存芯片制造的革命性eSL10'"電子束圖案晶圓缺陷檢測(cè)系統(tǒng)。Materials宣布“冷場(chǎng)發(fā)射”(CFE)技術(shù)的商業(yè)化，并發(fā)布兩款基于CFE技術(shù)的缺陷檢查和檢測(cè)系統(tǒng)?！杉夜径荚诶盟惴ê腿斯ぶ悄芗夹g(shù)與電子束分辨率優(yōu)勢(shì)結(jié)合，提升效率。sSmalPixel1HghsolfonEB/EBIMidPirelOPWReglong·圖：AppliedMaterials發(fā)布的2021年eBeam檢測(cè)市場(chǎng)份額目錄01電子束技術(shù)總覽02核心器件與產(chǎn)業(yè)鏈03產(chǎn)業(yè)發(fā)展格局04國(guó)內(nèi)產(chǎn)業(yè)化現(xiàn)狀05技術(shù)產(chǎn)業(yè)化建議國(guó)內(nèi)電子顯微鏡行業(yè)發(fā)展歷程深圳市微納制造產(chǎn)業(yè)促進(jìn)會(huì)>1959-1965年：自行設(shè)計(jì)研制，達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平·1959年，王大珩領(lǐng)導(dǎo)，姚駿恩、黃蘭友等人研制成功了我國(guó)第一臺(tái)自行設(shè)計(jì)的透射電子顯微鏡(XD-100型),分辨本領(lǐng)優(yōu)于2.5nm、加速電壓100kV、放大倍數(shù)達(dá)10萬(wàn)倍以上?！?965年，中國(guó)科學(xué)院北京科儀廠和長(zhǎng)春光機(jī)所共同研制的DX-2大型透射電子顯微鏡第一臺(tái)樣機(jī)調(diào)試后，由中國(guó)科學(xué)院組織鑒定并認(rèn)>1975-1983年：重新自主設(shè)計(jì)研制·1975年，中科院長(zhǎng)春光機(jī)所和電子所調(diào)集電子及電子光學(xué)領(lǐng)域的專家，以北京中科科儀股份有限公司(簡(jiǎn)稱“中科科儀”)的前—>1983-2000年：技術(shù)引進(jìn)消化·1983年，中科儀器廠從美國(guó)Amray公司引進(jìn)微機(jī)控制、分辨本領(lǐng)6nm,功能齊全的Amray-1000B型SEM生產(chǎn)技術(shù)。經(jīng)過(guò)2年多的技>2000-2015年：自主研發(fā)放緩，國(guó)外廠商壟斷市場(chǎng)·20世紀(jì)80年代以前，我國(guó)生產(chǎn)的電子顯微鏡數(shù)量與進(jìn)口的數(shù)量相當(dāng)。進(jìn)入20世紀(jì)90年代，國(guó)內(nèi)對(duì)電子顯微鏡的需求大增，國(guó)外企業(yè)Source:謝書(shū)堪.2012:中國(guó)透射式電子顯微鏡發(fā)展的歷程，物理，41(6):401-406.隨著加入WTO,我國(guó)經(jīng)濟(jì)和科技快速發(fā)展，科研類需求帶動(dòng)電子顯微鏡市場(chǎng)發(fā)展，然而電子顯微鏡市場(chǎng)幾乎被國(guó)外廠商壟斷，存在“卡脖子”風(fēng)險(xiǎn)；尤其是2018年以來(lái)，美國(guó)在基礎(chǔ)技術(shù)和新興技術(shù)方面對(duì)中國(guó)嚴(yán)防死守，高端電子顯微鏡、電子束曝光設(shè)備和先進(jìn)光刻機(jī)一樣，受到嚴(yán)格管制。自主研制電子束技術(shù)儀器設(shè)備成為打破國(guó)外壟斷，成為實(shí)現(xiàn)自主可控技術(shù)體系重要一環(huán)?！?015年，電子束檢測(cè)設(shè)備國(guó)際領(lǐng)軍企業(yè)HermesMicrovision,Inc.(HMI,2016年被ASML收購(gòu))聯(lián)合創(chuàng)始人、著名工業(yè)電子顯微鏡專家陳仲瑋博士出資成立聚束科技(北京)有限公司，研發(fā)生產(chǎn)高通量掃描電子顯微鏡。該公司于2017年發(fā)布的Navigator-100型高通量場(chǎng)發(fā)射掃描電子顯微鏡多項(xiàng)指標(biāo)超過(guò)國(guó)際廠商同類產(chǎn)品?？梢哉f(shuō)，聚束科技的成立標(biāo)志著電子束設(shè)備新一輪國(guó)產(chǎn)化和商業(yè)化開(kāi)啟?！?016年以后，陸續(xù)成立了多家企業(yè)，從事電子顯微鏡研發(fā)生產(chǎn)。國(guó)內(nèi)科研團(tuán)隊(duì)、海歸專家、企業(yè)工程師等各類人才一起掀起電子顯微鏡國(guó)產(chǎn)化浪潮，國(guó)產(chǎn)廠商不斷實(shí)現(xiàn)技術(shù)突破。表：國(guó)產(chǎn)電子束顯微鏡、曝光機(jī)企業(yè)成立年表成立時(shí)間2000年…2015年2016年…2018年……2020年…2022年聚束科技澤攸科技惠然科技國(guó)儀量子大束科技金竟科技博眾儀器慧炬科技吃東光學(xué)納克微束伯銳鍶√透射電鏡√√電子束曝光√√√熱場(chǎng)發(fā)射電子源電子槍、電子源、高壓電源自上而下推動(dòng)電子測(cè)量?jī)x器(電子顯微鏡)加快國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)程法律法規(guī)及政策發(fā)布時(shí)間發(fā)布單位相關(guān)主要內(nèi)容2016年國(guó)務(wù)院等新產(chǎn)品.2016年中國(guó)儀器儀表行業(yè)協(xié)會(huì)《高端智能再制造行動(dòng)計(jì)劃(2018-2020年)》2017年工信部2020年科技部、國(guó)家發(fā)改委等化和產(chǎn)業(yè)化研究，推動(dòng)高端科學(xué)儀器設(shè)備產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展“十四五”規(guī)劃2021年明確提出要“加強(qiáng)高端科研儀器設(shè)備研發(fā)制造”.2021年12月底第一O三號(hào)主席令，修訂通過(guò)了《中華購(gòu)應(yīng)當(dāng)率先購(gòu)買(mǎi)，進(jìn)一步推動(dòng)電子測(cè)量?jī)x器行業(yè)的國(guó)家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃“基礎(chǔ)科研條件與重大科學(xué)儀器設(shè)備研發(fā)”重點(diǎn)專項(xiàng)2021年科技部2021年中國(guó)儀器儀表行業(yè)協(xié)會(huì)業(yè)在高端產(chǎn)品的明顯短板.(產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整指導(dǎo)目錄(2024年本)》2023年國(guó)家發(fā)改委鼓勵(lì)：各工業(yè)領(lǐng)域用高端在線檢驗(yàn)檢測(cè)儀器設(shè)備、航空航天儀器儀表電子、智能檢測(cè)市場(chǎng)監(jiān)管總局到2035年，國(guó)產(chǎn)儀器儀表的計(jì)量性能和技術(shù)指標(biāo)達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，部分國(guó)產(chǎn)儀器儀表的計(jì)量性能和技設(shè)計(jì)能力的儀器儀表創(chuàng)新企業(yè)。《電子信息制造業(yè)2023-2024年穩(wěn)增長(zhǎng)行動(dòng)方案》2023年推動(dòng)電子材料、電子專用設(shè)備和電子測(cè)量?jī)x器技術(shù)攻關(guān)，研究建立電子材料產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新公國(guó)務(wù)院2024年國(guó)務(wù)院發(fā)布時(shí)間產(chǎn)品企業(yè)概要2024年8月多通道高速探測(cè)器東方晶源率先實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)EOS在高端量測(cè)檢測(cè)領(lǐng)域的應(yīng)用，助力產(chǎn)品性能實(shí)現(xiàn)進(jìn)一步攀升的同為國(guó)產(chǎn)電子束量測(cè)檢測(cè)技術(shù)的發(fā)展進(jìn)一步夯實(shí)了基礎(chǔ)。2024年1月慧炬科技鏡整機(jī)產(chǎn)品的能力。2023年12月博眾儀器博眾儀器自主研發(fā)的200kV透射電子顯微鏡BZ-F200已經(jīng)進(jìn)入了小批試產(chǎn)階段，標(biāo)志著國(guó)產(chǎn)首臺(tái)200kV透射電子顯微鏡取得重大突2023年12月拉曼集成掃描電子顯微鏡惠然科技發(fā)布首臺(tái)國(guó)產(chǎn)"拉曼集成掃描電子顯微鏡F6000-RS"。2023年10月高分辨率熱場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡屹東光學(xué)發(fā)布第一款高分辨率熱場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡產(chǎn)品"YF-1801"。該產(chǎn)品分辨率為1nm,集高分辨率、易用性、可拓展性等多項(xiàng)特點(diǎn)于一體。2023年6月中大型掃描電鏡量產(chǎn)納克微束納克微束成功交付兩臺(tái)中大型顯微鏡產(chǎn)品FE-1050、Horizon2000已具備一定的量產(chǎn)能力。2022年6月電子束量測(cè)檢測(cè)設(shè)備東方晶源東方晶源旗下電子束缺陷檢測(cè)(EBI)和關(guān)鍵尺寸量測(cè)(CD-SEM)兩臺(tái)設(shè)備已順利交付2020年12月半導(dǎo)體電子束檢測(cè)設(shè)備上海精測(cè)上海精測(cè)半導(dǎo)體宣布推出首款半導(dǎo)體電子束檢測(cè)設(shè)備：eViewTM全自動(dòng)晶圓缺陷復(fù)查設(shè)高分辨率復(fù)查、分析和分類，滿足10xnm集成電路工藝制程的需求。2017年12月聚束科技臺(tái)NeuroSEM-100正式下線并交付客戶一中科院自動(dòng)化研究所。國(guó)內(nèi)電子束光刻設(shè)備商業(yè)化初顯深圳市微納制造產(chǎn)業(yè)促進(jìn)會(huì)國(guó)內(nèi)關(guān)于電子束光刻設(shè)備的研發(fā)主要集中在20世紀(jì)70年代到21世紀(jì)初，在2000年后電子束光刻設(shè)備研發(fā)熱度逐漸降低甚至一度擱置。早期從事和引導(dǎo)電子束光刻設(shè)備研發(fā)的單位主要有中國(guó)科學(xué)院電工研究所、中國(guó)電子科技集團(tuán)有限公司第四十八研究所、哈爾濱工業(yè)大學(xué)和山東大學(xué)等。由于國(guó)外禁售和市場(chǎng)需求，國(guó)內(nèi)電子束光刻機(jī)研發(fā)重新提升日程，近年來(lái)多個(gè)科研和企業(yè)團(tuán)隊(duì)開(kāi)發(fā)出功能樣機(jī)，如金竟科技和澤攸科技，以及由德國(guó)歸國(guó)團(tuán)隊(duì)成立的百及納米科技(上海)有限公司，推出了獨(dú)特的探針電子束光刻機(jī)?？傮w而言，國(guó)內(nèi)電子束光刻(EBL)技術(shù)處于商業(yè)化起步階段，與國(guó)外技術(shù)水平差距很大。對(duì)比先進(jìn)光刻工藝DUV和EUV,由于EBL結(jié)構(gòu)和供應(yīng)鏈相對(duì)簡(jiǎn)單，所以國(guó)內(nèi)EBL技術(shù)追趕相對(duì)容易。金竟科技●北京金竟科技有限責(zé)任公司(簡(jiǎn)稱“金竟科技”)成立于2018年12月，專注于電子束曝光系統(tǒng)、陰極熒光檢測(cè)系統(tǒng)、超低溫冷臺(tái)、圖形發(fā)生器等高精尖微納制造設(shè)備的研發(fā)和生產(chǎn)。公司創(chuàng)始人俞大鵬院士是電子顯微學(xué)，量子科學(xué)領(lǐng)域著名科學(xué)家，承擔(dān)廣東省重點(diǎn)領(lǐng)域研發(fā)計(jì)劃電子束曝光機(jī)研制項(xiàng)目。·金竟科技團(tuán)隊(duì)2021年開(kāi)發(fā)出電子束曝光功能樣機(jī)，2022年發(fā)布電子束曝光系統(tǒng)Pharos310,首臺(tái)由天津大學(xué)采購(gòu)?！駶韶萍汲闪⒂?016年，專注于掃描電鏡、原位測(cè)量系統(tǒng)、臺(tái)階儀、探針臺(tái)、電子束光刻機(jī)等精密設(shè)備的研究和生產(chǎn)?！?024年1月，澤攸科技聯(lián)合松山湖材料實(shí)驗(yàn)室基于自主研制的掃描電鏡主機(jī)ZEL304G,完成電子束光刻機(jī)工程樣機(jī)研制。國(guó)內(nèi)電子束技術(shù)產(chǎn)業(yè)化生態(tài)，如雨后春筍●技術(shù)與人才對(duì)應(yīng)的也是主要儀器和設(shè)備的需求領(lǐng)域。決方案發(fā)展。重要增長(zhǎng)推動(dòng)力。較順暢，投資規(guī)模隨著企業(yè)產(chǎn)品研發(fā)和市場(chǎng)銷售情況逐漸放大。惠然科技惠然科技科所微機(jī)電成像電子束加工Bio-eBeam儀器半導(dǎo)體上海精測(cè)半導(dǎo)體國(guó)儀量子中科科儀●澤攸科技目錄01電子束技術(shù)總覽02核心器件與產(chǎn)業(yè)鏈03產(chǎn)業(yè)發(fā)展格局04國(guó)內(nèi)