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…………○…………內(nèi)…………○…………裝…………○…………內(nèi)…………○…………裝…………○…………訂…………○…………線…………○…………※※請※※不※※要※※在※※裝※※訂※※線※※內(nèi)※※答※※題※※…………○…………外…………○…………裝…………○…………訂…………○…………線…………○…………第=page22頁,總=sectionpages22頁第=page11頁,總=sectionpages11頁2025年統(tǒng)編版2024選修3化學(xué)上冊月考試卷含答案考試試卷考試范圍:全部知識(shí)點(diǎn);考試時(shí)間:120分鐘學(xué)校:______姓名:______班級(jí):______考號(hào):______總分欄題號(hào)一二三四五六總分得分評(píng)卷人得分一、選擇題(共9題,共18分)1、下列對一些實(shí)驗(yàn)事實(shí)的理論解釋正確的是。

。選項(xiàng)。

實(shí)驗(yàn)事實(shí)。

理論解釋。

A

碘單質(zhì)在CCl4中溶解度比在水中大。

CCl4和I2都是非極性分子,而H2O是極性分子。

B

CO2為直線形分子。

CO2分子中C═O是極性鍵。

C

金剛石的熔點(diǎn)低于石墨。

金剛石是分子晶體;石墨是原子晶體。

D

HF的沸點(diǎn)高于HCl

HF的相對分子質(zhì)量小于HCl

A.AB.BC.CD.D2、我們可以將SiO2的晶體結(jié)構(gòu)想象為在晶體硅的Si—Si鍵之間插入O原子。根據(jù)SiO2晶體結(jié)構(gòu)圖,下列說法不正確的是()

A.石英晶體中每個(gè)Si原子通過Si—O極性鍵與4個(gè)O原子作用B.每個(gè)O原子也通過Si—O極性鍵與2個(gè)Si原子作用C.石英晶體中Si原子與O原子的原子個(gè)數(shù)比為1∶2,可用“SiO2”來表示石英的組成D.在晶體中存在石英分子,故能叫分子式3、下列說法正確的是()A.基態(tài)原子的能量一定比激發(fā)態(tài)原子的能量低B.某原子的電子排布式為:1s22s22p63s23p63d54s1,其表示的是基態(tài)原子的電子排布C.日常生活中我們看到的許多可見光,如霓虹燈光、節(jié)日焰火,是因?yàn)樵雍送怆娮影l(fā)生躍遷吸收能量導(dǎo)致的D.電子僅在激發(fā)態(tài)躍遷到基態(tài)時(shí)才會(huì)產(chǎn)生原子光譜4、下列各項(xiàng)敘述中,正確的是A.價(jià)電子排布為4s24p3的元素位于第四周期第ⅤA族,是p區(qū)元素B.N、P、As的電負(fù)性隨原子序數(shù)的增大而增大C.2p和3p軌道形狀均為紡錘形,能量也相等D.分子晶體中都存在共價(jià)鍵5、以下關(guān)于原子結(jié)構(gòu)及性質(zhì)的說法中不正確的是A.同一原子的能層越高,s電子云半徑越大B.每一能層的能級(jí)總是從s能級(jí)開始,且能級(jí)數(shù)等于該能層序數(shù)C.電子從激發(fā)態(tài)躍遷到基態(tài)時(shí)將釋放能量,光是電子釋放能量的重要形式之一D.同主族元素的第一電離能隨核電荷數(shù)的遞增依次增大6、第三周期的下列基態(tài)原子中,第一電離能最小的是A.3s23p3B.3s23p5C.3s23p4D.3s23p67、關(guān)于PCl3和CCl4的說法正確的是A.兩種分子的中心原子雜化軌道類型相同B.鍵角PCl3比CCl4大C.二者均為非極性分子D.兩者中的化學(xué)鍵都是p-pσ鍵8、美國化學(xué)家鮑林教授具有獨(dú)特的化學(xué)想象力:只要給他物質(zhì)的分子式,他就能大體上想象出這種物質(zhì)的分子結(jié)構(gòu)模型.多核離子所帶電荷可以認(rèn)為是中心原子得失電子所致,根據(jù)VSEPR模型,下列離子中所有原子都在同一平面上的一組是()A.NO和NHB.H3O+和ClOC.NO和COD.PO和SO9、下列敘述正確A.任何晶體中,若含有陽離子也一定含有陰離子B.原子晶體中只含有共價(jià)鍵C.離子晶體中只含有離子鍵D.分子晶體中只存在分子間作用力,不含化學(xué)鍵評(píng)卷人得分二、填空題(共7題,共14分)10、(1)在現(xiàn)用周期表中氧族元素包括______________________(填元素名稱)五種元素,其中Se的基態(tài)原子的電子排布式為______________________,元素X與Se同周期,X元素原子核外未成對電子數(shù)最多,X為______________________(填元素符號(hào))。

(2)與氧同周期的相鄰元素中,第一電離能有大到小的順序______________________。

(3)臭鼬排放的臭氣主要成分為3—MBT(3—甲基—2—丁烯硫醇,結(jié)構(gòu)如圖)。1mol3—MBT中含有σ鍵數(shù)目為____________(NA為阿佛加德羅常數(shù)的值)。沸點(diǎn):3—MBT____________(CH3)2C==CHCH2OH(填“>”“<”或“=”),主要原因是________________________。

(4)S有+4和+6兩種價(jià)態(tài)的氧化物。

①下列關(guān)于氣態(tài)SO3和SO2的說法正確的是__________(填序號(hào))。

A.中心原子的價(jià)層電子對數(shù)不相等。

B.都是極性分子。

C.中心原子的核對電子數(shù)目不相等。

D.都含有極性鍵。

②SO3分子的空間構(gòu)型為__________,與其互為等電子體的陰離子為__________(舉一例)。

(5)單質(zhì)Po是有__________鍵形成的晶體;若已知Po的摩爾質(zhì)量為Mg·mol-1,原子半徑為rpm,阿伏加德羅常數(shù)的值為NA,則釙晶體的密度的表達(dá)式為____________________g·cm-3。11、如圖為元素周期表中部分元素某種性質(zhì)值隨原子序數(shù)變化的關(guān)系。

(1)短周期中原子核外p能級(jí)上電子總數(shù)與s能級(jí)上電子總數(shù)相等的元素是______填元素符號(hào)

(2)同周期,隨著原子序數(shù)的增大,X值變化趨勢為______再結(jié)合同主族不同元素的X值變化的特點(diǎn),體現(xiàn)了元素性質(zhì)的______變化規(guī)律。

(3)X值較小的元素集中在元素周期表的______填序號(hào)

A.左下角右上角分界線附近。

(4)下列關(guān)于元素此性質(zhì)的說法中正確的是______填序號(hào)

A.X值可反映元素最高正化合價(jià)的變化規(guī)律。

B.X值可反映原子在分子中吸引電子的能力。

C.X值的大小可用來衡量元素金屬性和非金屬性的強(qiáng)弱。

(5)SiHCl3與水發(fā)生的化學(xué)反應(yīng)可認(rèn)為是廣義的水解反應(yīng),根據(jù)圖中數(shù)據(jù),該反應(yīng)的化學(xué)方程式為______12、試判斷下列分子中心原子的雜化類型和分子構(gòu)型。

(1)NI3:______;

(2)CH3Cl:______;

(3)CO2:______;

(4)BF3:______;

(5)H2O:______。13、按要求填空:

(1)在第二周期中(稀有氣體除外);第一電離能最大的元素的原子結(jié)構(gòu)示意圖是___,第一電離能最小的元素的電子排布圖為___。

(2)以下是一些原子的2p能級(jí)和3d能級(jí)中電子排布的情況.試判斷;哪些違反了泡利不相容原理,哪些違反了洪特規(guī)則。

①②③④⑤⑥

違反泡利不相容原理的有__;違反洪特規(guī)則的有___。

(3)用VSEPR模型和雜化軌道理論相關(guān)知識(shí)填表:

。分子或離子。

中心原子軌道雜化形式。

分子或離子的立體結(jié)構(gòu)。

分子有無極性。

CH2O

________

_______

_____

NH4+

________

_______

_____

CS2

________

_______

_____

14、疊氮化合物是一類重要的化合物,其中氫疊氮酸(HN3)是一種弱酸,其分子結(jié)構(gòu)可表示為H—N=N≡N,肼(N2H4)被亞硝酸氧化時(shí)便可得到氫疊氮酸(HN3),發(fā)生的反應(yīng)為N2H4+HNO2=2H2O+HN3。HN3的酸性和醋酸相近,可微弱電離出H+和N3-。試回答下列問題:

(1)下列有關(guān)說法正確的是___(填序號(hào))。

A.HN3中含有5個(gè)σ鍵。

B.HN3中的三個(gè)氮原子均采用sp2雜化。

C.HN3、HNO2、H2O、N2H4都是極性分子。

D.N2H4沸點(diǎn)高達(dá)113.5℃;說明肼分子間可形成氫鍵。

(2)疊氮酸根能與許多金屬離子等形成配合物,如[Co(N3)(NH3)5]SO4,在該配合物中鈷顯___價(jià);根據(jù)價(jià)層電子對互斥理論判斷SO42-的空間構(gòu)型為___。

(3)與N3-互為等電子體的分子有___(寫兩種即可)。15、銅的化合物用途非常廣泛。已知下列反應(yīng):[Cu(NH3)2]++NH3+CO?[Cu(NH3)3CO]+,2CH3COOH+2CH2=CH2+O22CH3COOCH=CH2+2H2O。

(1)Cu2+基態(tài)核外電子排布式為______。

(2)NH3分子空間構(gòu)型為_______,其中心原子的雜化類型是______。

(3)CH3COOCH=CH2分子中碳原子軌道的雜化類型是_______,1molCH3COOCH=CH2中含鍵數(shù)目為_____。

(4)CH3COOH可與H2O混溶,除因?yàn)樗鼈兌际菢O性分子外,還因?yàn)開_________。

(5)配離子[Cu(NH3)3CO]+中NH3及CO中的C與Cu(Ⅰ)形成配位鍵。不考慮空間構(gòu)型,[Cu(NH3)3CO]+的結(jié)構(gòu)示意圖表示為____16、硼氫化鈉(NaBH4)在化工領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用價(jià)值,可采用硼砂、SiO2、Na和H2作為原料制備。回答下列問題:

(1)周期表中,與B的化學(xué)性質(zhì)最相似的鄰族元素是____;該元素基態(tài)原子核外M層電子中自旋狀態(tài)相同的有_____個(gè)。

(2)NaBH4中,電負(fù)性最大的元素是____(填元素符號(hào));B的____雜化軌道與H的1s軌道形成鍵。

(3)硼砂是含8個(gè)結(jié)晶水的四硼酸鈉。其陰離子(含B;O、H三種元素)的球模型如圖所示:

①陰離子中,配位鍵存在于____和____原子之間。(均填原子的序號(hào))

②硼砂的化學(xué)式為_______。

(4)SiO2晶胞(立方體)如圖所示,已知SiO2的密度為g/cm3,設(shè)阿伏加德羅常數(shù)的值為NA,則SiO2晶胞的邊長為___pm。

評(píng)卷人得分三、結(jié)構(gòu)與性質(zhì)(共5題,共10分)17、在每個(gè)能層中,能級(jí)符號(hào)的順序是____________(n代表能層),任意能層總是從____能級(jí)開始,而且能級(jí)數(shù)等于________,第一能層只有____個(gè)能級(jí),能級(jí)符號(hào)____,第二能層有______個(gè)能級(jí),能級(jí)符號(hào)________,第三能層有____個(gè)能級(jí),能級(jí)符號(hào)________,等等,以____排序的各能級(jí)可容納的最多電子數(shù)依次是________。18、氮是極其重要的化學(xué)元素。我國科學(xué)家最近成功合成了超高含能材料聚合氮和金屬氮?;诘?dú)獾哪茉囱芯恳彩俏磥砟茉窗l(fā)展的重要方向。

(1)基態(tài)氮原子的價(jià)電子排布式為___________。

(2)14g氮?dú)夥肿又性榆壍酪浴邦^碰頭”方式形成的共價(jià)鍵數(shù)目為___________,以“肩并肩”方式形成的共價(jià)鍵數(shù)目為___________。

(3)C、N、O三種元素按第一電離能從大到小的排列順序?yàn)開__________。已知氧的第一電離能為1369kJ·mol-1、第二電離能為3512kJ·mol-1、第三電離能為5495kJ·mol-1,其第二電離能增幅較大的原因是__________________。

(4)某含氨配合物CrCl3·6NH3的化學(xué)鍵類型有配位鍵、極性共價(jià)鍵和___________。CrCl3·6NH3有三種異構(gòu)體,按絡(luò)離子式量增大的順序分別是[Cr(NH3)6]Cl3、___________、[Cr(NH3)4Cl2]Cl·2NH3。

(5)NH4N3是高能量度材料,其晶胞如下圖所示。N3-是直線型結(jié)構(gòu),N3-中氮原子的雜化類型是___________。在VSEPR模型中NH4+的幾何構(gòu)型名稱為______________。

(6)已知NH4N3的晶胞參數(shù)為anm和0.5anm,阿伏加德羅常數(shù)的值為NA,則NH4N3的密度為_________________g·cm-3。19、前四周期元素A;B、C、D、E、F的原子序數(shù)依次增大;A是宇宙中含量最豐富的元素;B和C同一主族,且B的L層電子數(shù)是K層電子數(shù)的2.5倍;D和C同一周期;E元素原子核外電子有17種不同的運(yùn)動(dòng)狀態(tài),F(xiàn)位于第四周期,其未成對電子數(shù)只有一個(gè),且內(nèi)層都處于全充滿狀態(tài)。請回答下列問題:

(1)B原子的L層電子排布圖____________。

(2)由A、B原子形成的分子的結(jié)構(gòu)式為:A-B=B-A,則該分子中σ鍵和π鍵的數(shù)目之比為________,B、C的氫化物中BH3的沸點(diǎn)高于CH3的沸點(diǎn),原因是___________;C、D和E的電負(fù)性由大到小的順序?yàn)開__________;C、D和E的第一電離能由大到小的順序是____________;C和D最高價(jià)含氧酸的酸性由弱到強(qiáng)的順序?yàn)開________________。CO中C的雜化方式為___________,該離子的“VSEPR”模型為__________________形。

(3)向FDO4溶液中加入過量稀氨水,得到的深藍(lán)色溶液中陽離子化學(xué)式為_______,該離子的配位體為________________。

(4)D(黑球)和F(白球)形成的某種晶體的晶胞如下圖所示,已知該晶胞的棱長為516pm,則該晶胞的密度為___________g/cm3(精確到0.1),最近的黑球和白球之間的距離為_______pm。

20、翡翠是一類名貴的裝飾品,其主要成分為硅酸鋁鈉(NaAlSi2O6),常含微量Cr;Ni、Mn等元素?;卮鹣铝袉栴}:

(1)基態(tài)硅原子的電子排布式為__;基態(tài)鉻原子的價(jià)電子排布圖不能寫成形式,其原因是違背了___。

(2)NaAlSi2O6中四種元素第一電離能由大到小的順序?yàn)開__(填元素符號(hào)),灼燒硅酸鋁鈉時(shí),當(dāng)鈉元素的價(jià)電子由__(填“激發(fā)態(tài)”或“基態(tài)”)躍遷到另一狀態(tài)時(shí)產(chǎn)生黃色火焰。

(3)工業(yè)上冶煉金屬鋁的方程式為__。硅與碳類似,能與氫元素形成SiH4、Si2H4、Si3H8,此三種分子中硅原子為sp3雜化的有___;分子空間構(gòu)型屬于正四面體的是__。

(4)已知氧化鈉、氧化鋁的熔點(diǎn)分別為1132℃、2054℃,從結(jié)構(gòu)的角度解釋導(dǎo)致這種差異的主要原因:___。

(5)某N、Cr元素組成的化合物具有高的硬度和良好的耐磨性,是一種很受重視的耐磨涂層,其晶胞結(jié)構(gòu)如圖甲,圖乙為晶胞沿z軸投影圖,該化合物的化學(xué)式為__。知該晶體密度為ρg·cm-3。晶體中Cr原子和N的最近核間距為___pm(NA表示阿伏加德羅常數(shù)值)。

21、均是鉻的重要化合物;回答下列問題:

(1)基態(tài)Cr原子的未成對電子數(shù)為________________。

(2)的結(jié)構(gòu)如圖所示。

①下列有關(guān)的說法正確的是__________(填標(biāo)號(hào))。

A.含離子鍵、σ鍵B.含離子鍵;σ鍵和π鍵。

C.氧原子與中心原子間形成配位鍵D.鉻顯+10價(jià)。

②已知電子親和能(E)是基態(tài)的氣態(tài)原子得到電子變?yōu)闅鈶B(tài)陰離子所放出的能量,氧的第一電子親和能E1為__________kJ/mol;△H2>0,其原因是_____________________________________。

(3)雷氏鹽的化學(xué)式為

①H、C、N、O四種元素的電負(fù)性由大到小的順序?yàn)開_________________。

②其陽離子的中心原子的雜化方式為_________________,配體之一NH3分子的立體構(gòu)型為______。

③與配體NCSˉ互為等電子體的陰離子有等,分子有_____________________(寫1種);畫出的結(jié)構(gòu)式:_____________________________。

(4)的晶體密度為晶體結(jié)構(gòu)(如下圖)為六棱柱,底邊邊長為高為設(shè)阿伏加德羅常數(shù)的值為NA,則a2c=_______________(列出計(jì)算式)。

評(píng)卷人得分四、元素或物質(zhì)推斷題(共5題,共25分)22、已知A、B、C、D、E都是周期表中前四周期的元素,它們的核電荷數(shù)A<B<C<D<E。其中A、B、C是同一周期的非金屬元素。化合物DC為離子化合物,D的二價(jià)陽離子與C的陰離子具有相同的電子層結(jié)構(gòu)?;衔顰C2為一種常見的溫室氣體。B;C的氫化物的沸點(diǎn)比它們同族相鄰周期元素氫化物的沸點(diǎn)高。E的原子序數(shù)為24。請根據(jù)以上情況;回答下列問題:(答題時(shí),A、B、C、D、E用所對應(yīng)的元素符號(hào)表示)

(1)基態(tài)E原子的核外電子排布式是________,在第四周期中,與基態(tài)E原子最外層電子數(shù)相同還有_______(填元素符號(hào))。

(2)A、B、C的第一電離能由小到大的順序?yàn)開___________。

(3)寫出化合物AC2的電子式_____________。

(4)D的單質(zhì)在AC2中點(diǎn)燃可生成A的單質(zhì)與一種熔點(diǎn)較高的固體產(chǎn)物,寫出其化學(xué)反應(yīng)方程式:__________。

(5)1919年,Langmuir提出等電子原理:原子數(shù)相同、電子數(shù)相同的分子,互稱為等電子體。等電子體的結(jié)構(gòu)相似、物理性質(zhì)相近。此后,等電子原理又有發(fā)展,例如,由短周期元素組成的微粒,只要其原子數(shù)相同,各原子最外層電子數(shù)之和相同,也可互稱為等電子體。一種由B、C組成的化合物與AC2互為等電子體,其化學(xué)式為_____。

(6)B的最高價(jià)氧化物對應(yīng)的水化物的稀溶液與D的單質(zhì)反應(yīng)時(shí),B被還原到最低價(jià),該反應(yīng)的化學(xué)方程式是____________。23、現(xiàn)有屬于前四周期的A、B、C、D、E、F、G七種元素,原子序數(shù)依次增大。A元素的價(jià)電子構(gòu)型為nsnnpn+1;C元素為最活潑的非金屬元素;D元素核外有三個(gè)電子層,最外層電子數(shù)是核外電子總數(shù)的E元素正三價(jià)離子的3d軌道為半充滿狀態(tài);F元素基態(tài)原子的M層全充滿;N層沒有成對電子,只有一個(gè)未成對電子;G元素與A元素位于同一主族,其某種氧化物有劇毒。

(1)A元素的第一電離能_______(填“<”“>”或“=”)B元素的第一電離能,A、B、C三種元素的電負(fù)性由小到大的順序?yàn)開______(用元素符號(hào)表示)。

(2)C元素的電子排布圖為_______;E3+的離子符號(hào)為_______。

(3)F元素位于元素周期表的_______區(qū),其基態(tài)原子的電子排布式為_______

(4)G元素可能的性質(zhì)_______。

A.其單質(zhì)可作為半導(dǎo)體材料B.其電負(fù)性大于磷。

C.其原子半徑大于鍺D.其第一電離能小于硒。

(5)活潑性:D_____(填“>”或“<”,下同)Al,I1(Mg)_____I1(Al),其原因是____。24、原子序數(shù)小于36的X;Y、Z、R、W五種元素;其中X是周期表中原子半徑最小的元素,Y是形成化合物種類最多的元素,Z原子基態(tài)時(shí)2p原子軌道上有3個(gè)未成對的電子,R單質(zhì)占空氣體積的1/5;W的原子序數(shù)為29。回答下列問題:

(1)Y2X4分子中Y原子軌道的雜化類型為________,1molZ2X4含有σ鍵的數(shù)目為________。

(2)化合物ZX3與化合物X2R的VSEPR構(gòu)型相同,但立體構(gòu)型不同,ZX3的立體構(gòu)型為________,兩種化合物分子中化學(xué)鍵的鍵角較小的是________(用分子式表示),其原因是________________________________________________。

(3)與R同主族的三種非金屬元素與X可形成結(jié)構(gòu)相似的三種物質(zhì),三者的沸點(diǎn)由高到低的順序是________。

(4)元素Y的一種氧化物與元素Z的單質(zhì)互為等電子體,元素Y的這種氧化物的結(jié)構(gòu)式是________。

(5)W元素原子的價(jià)電子排布式為________。25、下表為長式周期表的一部分;其中的編號(hào)代表對應(yīng)的元素。

。①

請回答下列問題:

(1)表中⑨號(hào)屬于______區(qū)元素。

(2)③和⑧形成的一種常見溶劑,其分子立體空間構(gòu)型為________。

(3)元素①和⑥形成的最簡單分子X屬于________分子(填“極性”或“非極性”)

(4)元素⑥的第一電離能________元素⑦的第一電離能;元素②的電負(fù)性________元素④的電負(fù)性(選填“>”、“=”或“<”)。

(5)元素⑨的基態(tài)原子核外價(jià)電子排布式是________。

(6)元素⑧和④形成的化合物的電子式為________。

(7)某些不同族元素的性質(zhì)也有一定的相似性,如表中元素⑩與元素⑤的氫氧化物有相似的性質(zhì)。請寫出元素⑩的氫氧化物與NaOH溶液反應(yīng)的化學(xué)方程式:____________________。26、下表為長式周期表的一部分;其中的序號(hào)代表對應(yīng)的元素。

(1)寫出上表中元素⑨原子的基態(tài)原子核外電子排布式為___________________。

(2)在元素③與①形成的水果催熟劑氣體化合物中,元素③的雜化方式為_____雜化;元素⑦與⑧形成的化合物的晶體類型是___________。

(3)元素④的第一電離能______⑤(填寫“>”、“=”或“<”)的第一電離能;元素④與元素①形成的X分子的空間構(gòu)型為__________。請寫出與元素④的單質(zhì)互為等電子體分子、離子的化學(xué)式______________________(各寫一種)。

(4)④的最高價(jià)氧化物對應(yīng)的水化物稀溶液與元素⑦的單質(zhì)反應(yīng)時(shí),元素④被還原到最低價(jià),該反應(yīng)的化學(xué)方程式為_______________。

(5)元素⑩的某種氧化物的晶體結(jié)構(gòu)如圖所示,其中實(shí)心球表示元素⑩原子,則一個(gè)晶胞中所包含的氧原子數(shù)目為__________。評(píng)卷人得分五、計(jì)算題(共2題,共6分)27、如圖是金屬鎢晶體中的一個(gè)晶胞的結(jié)構(gòu)模型(原子間實(shí)際是相互接觸的)。它是一種體心立方結(jié)構(gòu)。實(shí)驗(yàn)測得金屬鎢的密度為19.30g·cm-3;鎢的相對原子質(zhì)量為183.9.假定金屬鎢為等直徑的剛性球,請回答以下各題:

(1)每一個(gè)晶胞中分?jǐn)偟絖_________個(gè)鎢原子。

(2)計(jì)算晶胞的邊長a。_____________

(3)計(jì)算鎢的原子半徑r(提示:只有體對角線上的各個(gè)球才是彼此接觸的)。___________

(4)計(jì)算金屬鎢原子采取的體心立方密堆積的空間利用率。____________28、通常情況下;氯化鈉;氯化銫、二氧化碳和二氧化硅的晶體結(jié)構(gòu)分別如下圖所示。

(1)在NaCl的晶胞中,與Na+最近且等距的Na+有_____個(gè),在NaCl的晶胞中有Na+_____個(gè),Cl-____個(gè)。

(2)在CsCl的晶胞中,Cs+與Cl-通過_________結(jié)合在一起。

(3)1mol二氧化硅中有______mol硅氧鍵。

(4)設(shè)二氧化碳的晶胞密度為ag/cm3,寫出二氧化碳的晶胞參數(shù)的表達(dá)式為____nm(用含NA的代數(shù)式表示)評(píng)卷人得分六、工業(yè)流程題(共1題,共3分)29、飲用水中含有砷會(huì)導(dǎo)致砷中毒,金屬冶煉過程產(chǎn)生的含砷有毒廢棄物需處理與檢測。冶煉廢水中砷元素主要以亞砷酸(H3AsO3)形式存在;可用化學(xué)沉降法處理酸性高濃度含砷廢水,其工藝流程如下:

已知:①As2S3與過量的S2-存在反應(yīng):As2S3(s)+3S2-(aq)?2(aq);

②亞砷酸鹽的溶解性大于相應(yīng)砷酸鹽。

(1)砷在元素周期表中的位置為_______;AsH3的電子式為______;

(2)下列說法正確的是_________;

a.酸性:H2SO4>H3PO4>H3AsO4

b.原子半徑:S>P>As

c.第一電離能:S

(3)沉淀X為__________(填化學(xué)式);

(4)“一級(jí)沉砷”中FeSO4的作用是________。

(5)“二級(jí)沉砷”中H2O2與含砷物質(zhì)反應(yīng)的化學(xué)方程式為__________;

(6)關(guān)于地下水中砷的來源有多種假設(shè),其中一種認(rèn)為富含砷的黃鐵礦(FeS2)被氧化為Fe(OH)3,同時(shí)生成導(dǎo)致砷脫離礦體進(jìn)入地下水。FeS2被O2氧化的離子方程式為______________。參考答案一、選擇題(共9題,共18分)1、A【分析】【詳解】

A.CCl4和I2都是非極性分子,而H2O是極性分子,根據(jù)相似相溶原理可知碘單質(zhì)在水中的溶解度很小,但在CCl4中溶解度很大;故A正確;

B.理論解釋不對,CO2分子是直線型;中心C原子雜化類型為sp雜化,分子構(gòu)型與鍵的極性無關(guān),故B錯(cuò)誤;

C.金剛石是原子晶體;故C錯(cuò)誤;

D.理論解釋不對;HF分子中間含有氫鍵,故HF的沸點(diǎn)高于HCl,故D錯(cuò)誤;

答案選A。2、D【分析】晶體硅的結(jié)構(gòu)是五個(gè)硅原子形成正四面體結(jié)構(gòu),其中有一個(gè)位于正四面體的中心,另外四個(gè)位于四面體的頂點(diǎn),故SiO2的結(jié)構(gòu)為每個(gè)硅原子周圍有四個(gè)氧原子,而每個(gè)氧原子周圍有兩個(gè)硅原子,在晶體中Si原子與O原子的原子個(gè)數(shù)比為1∶2,“SiO2”僅表示石英的組成,故沒有單個(gè)的SiO2分子。3、B【分析】【詳解】

A.對于同類原子而言;基態(tài)原子的能量總是低于激發(fā)態(tài)原子的能量,不同類的原子不一定符合這個(gè)規(guī)律,A錯(cuò)誤;

B.電子排布式為1s22s22p63s23p63d54s1的原子是Cr;屬于洪特規(guī)則的特例,是基態(tài)原子的電子排布,B正確;

C.光是電子釋放能量的重要形式之一;不同元素的原子中發(fā)生躍遷時(shí)吸收或放出的光是不同的,霓虹燈光;激光、焰火等都與原子核外電子躍遷釋放能量有關(guān),而不是吸收能量,C錯(cuò)誤;

D.原子光譜有兩種;基態(tài)原子的電子躍遷到激發(fā)態(tài)時(shí)產(chǎn)生吸收光譜,電子從激發(fā)態(tài)躍遷到基態(tài)時(shí)產(chǎn)生發(fā)射光譜,D錯(cuò)誤;

故選B。4、A【分析】【分析】

【詳解】

A.價(jià)電子排布為4s24p3的元素原子序數(shù)33,為砷元素,位于第四周期第ⅤA族,屬于p區(qū)元素,故A正確;B.同主族元素的電負(fù)性隨原子序數(shù)的增大而減小,N、P、As同主族,電負(fù)性N>P>As,故B錯(cuò)誤;C.2p和3p軌道形狀均為紡錘形,但兩者能層不同,能層高的軌道能量高,3p能量高于2p,故C錯(cuò)誤;D.分子晶體中不一定都存在共價(jià)鍵,如稀有氣體為單原子分子,不存在化學(xué)鍵,故D錯(cuò)誤;故選A。5、D【分析】【詳解】

A.同一原子的能層越高;離原子核的距離越遠(yuǎn),所以s電子云半徑越大,A正確;

B.每一能層的能級(jí)總是從能量低的s能級(jí)開始;并且能層序數(shù)等于該能層所具有的能級(jí)數(shù),如第三能層,具有3s;3p、3d能級(jí),B正確;

C.電子從激發(fā)態(tài)躍遷到基態(tài)時(shí);常將能量以光的形式釋放出來,C正確;

D.同主族元素的第一電離能隨核電荷數(shù)的遞增依次減小;D不正確;

故選D。6、C【分析】【分析】

A選項(xiàng),3s23p3為P元素;B選項(xiàng),3s23p5為Cl元素;C選項(xiàng),3s23p4為S元素;D選項(xiàng),3s23p6為Ar元素。

【詳解】

第三周期的基態(tài)原子中,第一電離具有增大的趨勢,但第IIA族元素大于第IIIA族元素,第VA族元素大于第VIA族元素;因此第一電離能最小的是S元素,故C正確。

綜上所述;答案為C。

【點(diǎn)睛】

同周期從左到右第一電離具有增大的趨勢,但第IIA族元素大于第IIIA族元素,第VA族元素大于第VIA族元素。7、A【分析】【分析】

的中心原子P采取雜化,分子的空間構(gòu)型為三角錐形,的中心原子C采取雜化;分子的空間構(gòu)型為正四面體形。

【詳解】

A.兩種分子的中心原子雜化軌道類型相同,均采取雜化;A正確;

B.由于孤對電子對成鍵電子的斥力要大于成鍵電子之間的斥力,所以PCl3比CCl4的鍵角??;B錯(cuò)誤;

C.的正電中心和負(fù)電中心不重合;分子為極性分子,C錯(cuò)誤;

D.兩者中的化學(xué)鍵都是sp3-pσ鍵;D錯(cuò)誤;

故答案選A。8、C【分析】【分析】

離子中所有原子都在同一平面上;則離子的空間構(gòu)型為直線形;V形或平面三角形,根據(jù)中心原子的價(jià)層電子對數(shù)判斷分子的空間構(gòu)型,價(jià)層電子對=σ鍵電子對+中心原子上的孤電子對,據(jù)此分析。

【詳解】

A.NO2-中心原子的價(jià)層電子對數(shù)=2+(5+1-2×2)×=3,含有一個(gè)孤電子對,空間構(gòu)型為V形,NH4+中心原子的價(jià)層電子對數(shù)=4+(5-1-4×1)×=4;沒有孤電子對,空間構(gòu)型為正四面體,故A不符合題意;

B.H3O+中心原子的價(jià)層電子對數(shù)=3+(6-1-3×1)×=4,含有一個(gè)孤電子對,空間構(gòu)型為三角錐形,ClO3-中心原子的價(jià)層電子對數(shù)=3+(7+1-3×2)×=4;含有一個(gè)孤電子對,空間構(gòu)型為三角錐形,故B不符合題意;

C.NO3-中心原子的價(jià)層電子對數(shù)=3+(5+1-3×2)×=3,沒有孤電子對,空間構(gòu)型為平面三角形,CO32-中心原子的價(jià)層電子對數(shù)=3+(4+2-2×3)×=3;沒有孤電子對,空間構(gòu)型為平面三角形,故C符合題意;

D.PO43-中心原子的價(jià)層電子對數(shù)=4+(5+3-4×2)×=4,沒有孤電子對,空間構(gòu)型為正四面體,SO42-中心原子的價(jià)層電子對數(shù)=4+(6+2-4×2)×=4;沒有孤電子對,空間構(gòu)型為正四面體,故D不符合題意;

答案為C。9、B【分析】【詳解】

A.金屬晶體中;只含有陽離子不含有陰離子,A錯(cuò)誤;

B.原子晶體由原子構(gòu)成;原子間只含有共價(jià)鍵,B正確;

C.離子晶體中一定含有離子鍵;可能含有共價(jià)鍵,B錯(cuò)誤;

D.只有稀有氣體形成的分子晶體中不含化學(xué)鍵;D錯(cuò)誤;

故選B。二、填空題(共7題,共14分)10、略

【分析】【分析】

根據(jù)原子的核外電子排布規(guī)律分析解答;根據(jù)元素周期表;元素周期律分析解答;根據(jù)價(jià)層電子對互斥理論分析解答。

【詳解】

(1)氧族元素即第VIA族元素,其中包括氧、硫、硒、碲、釙五種元素,其中Se是位于第四周期VIA族,Se的基態(tài)原子的電子排布式為1s22s22p63s23p63d104s24p4或[Ar]3d104s24p4,元素X與Se同周期,X元素原子核外未成對電子數(shù)最多,則X的d軌道和4s軌道呈半滿狀態(tài)時(shí),原子核外未成對電子數(shù)最多,所以X為Cr;

故答案為氧、硫、硒、碲、釙,1s22s22p63s23p63d104s24p4,Cr;

(2)與氧同周期的相鄰元素中有N元素和F元素;由于N原子2p軌道呈半滿狀態(tài),較穩(wěn)定,則N的第一電離能大于O原子的第一電離能,所以F;O、N的第一電離能由大到小的順序F>N>O;

故答案為F>N>O;

(3)有圖片可知,一分子3—MBT(3—甲基—2—丁烯硫醇)含有9個(gè)C—H鍵,4個(gè)C—Cσ鍵,一個(gè)C—S鍵,一個(gè)S—H鍵,所以1mol3—MBT中含有σ鍵數(shù)目為15NA,由于(CH3)2C=CHCH2OH分子間存在氫鍵,使沸點(diǎn)增高沸點(diǎn),所以(CH3)2C=CHCH2OH的沸點(diǎn)高于3—MBT;

故答案為5NA,<,(CH3)2C=CHCH2OH分子間存在氫鍵;使沸點(diǎn)增高;

(4)①根據(jù)分析可知;二者中心原子的價(jià)層電子對數(shù)目相等,都是3對,故A正確;二氧化硫是極性分子,而三氧化硫?yàn)槠矫嫒切?,結(jié)構(gòu)對稱,為非極性分子,故B錯(cuò)誤;中心原子的孤對電子數(shù)目不等,二氧化硫分子中含有1對,三氧化硫不存在孤對電子,故C正確;二氧化硫和三氧化硫都含有S與O之間的極性鍵,故D正確;

故答案為CD;

②SO3中心原子S原子價(jià)電子對數(shù)為3,即SO3為sp2雜化,所以SO3的空間構(gòu)型為平面三角形,價(jià)電子數(shù)和原子數(shù)分別相等的是等電子體,則與SO3互為等電子體的離子為NO3-,CO32-;

故答案為平面三角形,NO3-、CO32-;

(5)單質(zhì)釙是由金屬鍵形成的晶體,屬于簡單立方堆積,一個(gè)晶胞中含有1個(gè)原子,當(dāng)原子半徑為rpm時(shí),晶胞邊長為2rpm,則釙晶體的密度ρ===

故答案為【解析】氧、硫、硒、碲、釙1s22s22p63s23p63d104s24p4CrF>N>O15NA<(CH3)2C=CHCH2OH分子間存在氫鍵,使沸點(diǎn)增高CD平面三角形NO3-或CO32-金屬11、略

【分析】【分析】

(1)p能級(jí)最多容納6個(gè)電子;s能級(jí)最多容納2個(gè)電子,結(jié)合原子核外電子排布規(guī)律分析;

(2)根據(jù)圖示曲線變化分析同主族;同周期X的變化規(guī)律;

(3)根據(jù)圖示可知;周期表中X較小的元素集中在左下角;

(4)此變化規(guī)律可以判斷兩元素的金屬性或非金屬性強(qiáng)弱;

(5)結(jié)合圖示中X值判斷各元素化合價(jià);然后分析反應(yīng)產(chǎn)物并寫出化學(xué)方程式。

【詳解】

(1)p能級(jí)最多容納6個(gè)電子,s能級(jí)最多容納2個(gè)電子,則短周期中原子核外p能級(jí)上電子總數(shù)與s能級(jí)上電子總數(shù)相等的元素的核外電子排布式為分別為O;Mg元素;

故答案為:O;Mg;

(2)根據(jù)圖示可知;同周期隨著原子序數(shù)的增大,X值逐漸增大,同主族從上至下,對應(yīng)的X值減小,體現(xiàn)了元素性質(zhì)的周期性變化規(guī)律;

故答案為:逐漸增大;周期性;

(3)同周期;X值左邊小,同一主族,X值下邊小,所以周期表中X較小的元素集中在左下角,故A正確;

故答案為:A;

(4)A;X值可代表電負(fù)性;無法根據(jù)X值判斷元素最高正化合價(jià),故A錯(cuò)誤;

B;X值可代表電負(fù)性;X值越大非金屬性越強(qiáng),能夠反映原子在分子中吸引電子的能力,故B正確;

C;X值越大金屬性越弱、非金屬性越強(qiáng);X值的大小可用來衡量元素金屬性和非金屬性的強(qiáng)弱,故C正確;

故答案為:BC;

(5)X值可代表電負(fù)性,X值越大非金屬性越強(qiáng),根據(jù)圖示可知,非金屬性:則中Si為價(jià),H、Cl元素為價(jià),與水反應(yīng)時(shí),Si元素生成或價(jià)H元素與水分子中價(jià)H生成氫氣,該反應(yīng)方程式為:或

故答案為:(或)。

【點(diǎn)睛】

本題考查位置結(jié)構(gòu)性質(zhì)的相互關(guān)系應(yīng)用,題目難度中等,明確圖像曲線變化為解答關(guān)鍵,注意掌握原子結(jié)構(gòu)與元素周期律、元素周期表的應(yīng)用,試題側(cè)重考查學(xué)生的分析能力及綜合應(yīng)用能力?!窘馕觥縊、Mg逐漸增大周期性ABC12、略

【分析】【分析】

利用雜化軌道理論和價(jià)層電子對互斥理論進(jìn)行解題。

【詳解】

(1)NI3:中心原子N原子孤電子對數(shù)為×(5-3×1)=1,價(jià)層電子對數(shù)為3+1=4,雜化軌道為sp3;VSEPR模型為四面體,去掉孤電子對,分子空間構(gòu)型為三角錐形;

(2)CH3Cl:中心原子C原子孤電子對數(shù)為×(4-3×1-1)=0,價(jià)層電子對數(shù)為4,雜化軌道為sp3;VSEPR模型為四面體,無孤電子對,分子空間構(gòu)型為四面體型;

(3)CO2:中心原子C原子孤電子對數(shù)為×(4-2×2)=0;價(jià)層電子對數(shù)為2,雜化軌道為sp,VSEPR模型為直線型,無孤電子對,分子空間構(gòu)型為直線型;

(4)BF3:中心原子B原子孤電子對數(shù)為×(3-3×1)=0,價(jià)層電子對數(shù)為3,雜化軌道為sp2;VSEPR模型為平面三角形,無孤電子對,分子空間構(gòu)型為平面三角形;

(5)H2O:中心原子O原子孤電子對數(shù)為×(6-2×1)=2,價(jià)層電子對數(shù)為2+2=4,雜化軌道為sp3;VSEPR模型為四面體,去掉孤電子對,分子空間構(gòu)型為V型。

【點(diǎn)睛】

分子的中心原子價(jià)層電子對數(shù)=σ鍵個(gè)數(shù)+孤電子對數(shù),孤電子對數(shù)的計(jì)算用最外層電子數(shù)減去成鍵電子數(shù),再除以2。如果價(jià)層電子對數(shù)是4且不含孤電子對,則雜化軌道為sp3,四面體結(jié)構(gòu),如果價(jià)層電子對數(shù)是4且含有一個(gè)孤電子對,則雜化軌道為sp3,三角錐形結(jié)構(gòu),如果價(jià)電子對數(shù)是4且含有2個(gè)孤電子對,則雜化軌道為sp3,V形;如果價(jià)層電子對數(shù)是3且不含孤電子對,則雜化軌道為sp2,平面三角形結(jié)構(gòu),如果價(jià)層電子對數(shù)是2,則雜化軌道為sp,直線型結(jié)構(gòu)?!窘馕觥竣?sp3、三角錐②.sp3、四面體③.sp、直線型④.sp2、平面三角形⑤.sp3、V型13、略

【分析】【分析】

【詳解】

(1)同周期元素第一電離能呈增大趨勢,在第二周期中(稀有氣體除外),第一電離能最大的元素是F,其原子結(jié)構(gòu)示意圖為第一電離能最小的元素是Li,其電子排布圖為

故答案為:

(2)泡利不相容原理指在原子中不能容納運(yùn)動(dòng)狀態(tài)完全相同的電子;每一軌道中只能容納自旋相反的兩個(gè)電子,違背此原理的有①;洪特規(guī)則是在等價(jià)軌道(相同電子層;電子亞層上的各個(gè)軌道)上排布的電子將盡可能分占不同的軌道,且自旋方向相同,②④⑤違背了洪特規(guī)則;

故答案為:①;②④⑤;

(3)CH2O中心碳原子的價(jià)層電子對數(shù)=碳原子采用sp2雜化,無孤電子對,分子為平面三角形結(jié)構(gòu),因正負(fù)電荷重心不能重合,故為極性分子;NH4+中心氮原子的價(jià)電子對數(shù)=碳原子采用sp3雜化,無孤電子對,分子為正四面體形,因正負(fù)電荷重心重合,故為非極性分子;CS2中心碳原子的價(jià)層電子對數(shù)=碳原子采用sp雜化,分子為直線形,因正負(fù)電荷重心重合,故為非極性分子;

故答案為:sp2;平面三角形;有;sp3;正四面體形;無;sp;直線形;無;

【點(diǎn)睛】

價(jià)層電子對數(shù)與價(jià)鍵形式和分子構(gòu)型的關(guān)系:

當(dāng)n=2時(shí);叁鍵,空間構(gòu)型是直線型。

當(dāng)n=3時(shí);雙鍵,空間構(gòu)型平面正三角型。

當(dāng)n=4時(shí),單鍵,空間構(gòu)型為正四面體(三角錐型,V型)【解析】①②④⑤sp2平面三角形有sp3正四面體形無sp直線形無14、略

【分析】【詳解】

(1)A.根據(jù)HN3的分子結(jié)構(gòu)可知,HN3分子中存在3個(gè)σ鍵;故A錯(cuò)誤;

B.HN3分子中連接三鍵的氮原子為sp雜化;故B錯(cuò)誤;

C.HN3、HNO2、H2O、N2H4分子的正;負(fù)電荷中心不重合;都是極性分子,故C正確;

D.N2H4為分子化合物;N元素電負(fù)性較高,能夠形成分子間氫鍵,分子間氫鍵的存在會(huì)使物質(zhì)的熔;沸點(diǎn)升高,故D正確;

故答案為:CD;

(2)[Co(N3)(NH3)5]SO4中帶1個(gè)單位負(fù)電荷,NH3不帶電荷,帶2個(gè)單位負(fù)電荷,根據(jù)化合物中元素化合價(jià)的代數(shù)和等于零可知,[Co(N3)(NH3)5]SO4中鈷顯+3價(jià);硫酸根離子中S原子的價(jià)層電子對數(shù)為無孤電子對,故其空間構(gòu)型為正四面體形;

(3)互為等電子體的粒子必須滿足兩個(gè)條件:①所含原子總數(shù)相等;②所含價(jià)電子總數(shù)相等,價(jià)電子總數(shù)為3×5+1=16,因此與互為等電子體的分子有CO2、CS2。【解析】①.CD②.+3③.正四面體形④.CO2、CS215、略

【分析】【分析】

根據(jù)銅原子的電子排布式;失去最外層與次外層各一個(gè)電子,依此寫出銅離子的電子排布式;根據(jù)VSEPR判斷其空間構(gòu)型和雜化軌道形式;根據(jù)結(jié)構(gòu)中σ鍵數(shù),判斷雜化軌道形式和計(jì)算σ鍵;根據(jù)分子間可以形成氫鍵,判斷相溶性;根據(jù)形成配位鍵,判斷結(jié)構(gòu)示意圖。

【詳解】

(1)Cu元素的核電荷數(shù)為29,核外電子數(shù)也為29,基態(tài)Cu原子核外電子排布為1s22s22p63s23p63d104s1,4s與3d能級(jí)各失去1個(gè)電子形成Cu2+,Cu2+基態(tài)核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d9;答案為1s22s22p63s23p63d9。

(2)NH3分子中N原子價(jià)層電子對數(shù)=3+=4,且含有1對孤電子對,根據(jù)VSEPR模型為四面體形,由于一對孤電子對占據(jù)四面體的一個(gè)頂點(diǎn),所以其空間構(gòu)型為三角錐形,根據(jù)雜化軌道理論,中心N原子的雜化方式為sp3雜化;答案為三角錐形,sp3。

(3)CH3COOCH=CH2分子中甲基上的C形成4個(gè)σ鍵,沒有孤對電子,C原子為sp3雜化,羧基上的碳、碳碳雙鍵中碳都形成3個(gè)σ鍵,沒有孤對電子,為sp2雜化,CH3COOCH=CH2分子中含有1個(gè)C.6個(gè)C-H、2個(gè)C-O、1個(gè)C=O、1個(gè)C=C鍵,則σ鍵的數(shù)目為1+6+2+1+1=11,1molCH3COOCH=CH2分子中含有σ鍵的數(shù)目為11mol;答案為:sp2和sp3;11mol。

(4)乙酸和水都為極性分子,且分子之間可形成氫鍵,故CH3COOH可與H2O混溶;答案為CH3COOH與H2O之間可以形成氫鍵。

(5)Cu(I)提供空軌道,N、C原子提供孤對電子,Cu(I)與NH3及CO中的C形成配位鍵,結(jié)構(gòu)示意圖表示為:答案為【解析】①.[Ar]3d9或1s22s22p63s23p63d9②.三角錐③.sp3④.sp2和sp3⑤.11mol⑥.CH3COOH與H2O之間可以形成氫鍵⑦.16、略

【分析】【詳解】

(1)在周期表中,與B的化學(xué)性質(zhì)最相似的鄰族元素是Si,硅元素基態(tài)原子核外M層電子排布式為3s23p2;所以有3個(gè)電子的自旋狀態(tài)相同;

(2)電負(fù)性規(guī)律:同周期,從左到右:電負(fù)性依次增大;同主族,從上到下:電負(fù)性依次減小。NaBH4中電負(fù)性最大的元素為H;依據(jù)價(jià)層電子理論,NaBH4中B的價(jià)層電子對數(shù)為4,為sp3雜化。

(3)①1,3,5,6代表氧原子,2,4代表B原子,2號(hào)B形成3個(gè)鍵,則B原子為SP2雜化,4號(hào)B形成4個(gè)鍵,則B原子為SP3雜化;B一般是形成3個(gè)鍵;4號(hào)B形成4個(gè)鍵,其中1個(gè)鍵很可能就是配位鍵,配位鍵存在4號(hào)與5號(hào)之間;

②硼砂晶體由Na+、含有B的陰離子和H2O構(gòu)成。觀察模型,可知含有B的陰離子是(H4B4O9)m?,依據(jù)化合價(jià)H為+1,B為+3,O為?2,可得m=2,結(jié)合模型圖和組成,硼砂的化學(xué)式為Na2B4O5(OH)4·8H2O;

(4)SiO2晶胞中,大球是Si,小球是O。Si的數(shù)目為O是Si的2倍,故是16。晶體的密度晶胞的體積V=a3。因此SiO2晶胞的邊長a=【解析】Si3Hsp345Na2B4O5(OH)4·8H2O三、結(jié)構(gòu)與性質(zhì)(共5題,共10分)17、略

【分析】【分析】

每個(gè)能層中,能級(jí)符號(hào)的順序是ns、np、nd、nf(n代表能層);任意能層總是從s能級(jí)開始;而且能級(jí)數(shù)等于能層序數(shù);s;p、d、f排序的各能級(jí)可容納的最多電子數(shù)依次是1、3、5、7的兩倍。

【詳解】

在每個(gè)能層中,能級(jí)符號(hào)的順序是ns、np、nd、nf(n代表能層);任意能層總是從s能級(jí)開始,而且能級(jí)數(shù)等于能層序數(shù),第一能層只有1個(gè)能級(jí),能級(jí)符號(hào)1s,第二能層有2個(gè)能級(jí),能級(jí)符號(hào)2s;2p,第三能層有3個(gè)能級(jí),能級(jí)符號(hào)3s、3p、3d,等等,以s、p、d、f排序的各能級(jí)可容納的最多電子數(shù)依次是2、6、10、14。

【點(diǎn)睛】

本題考查能層與能級(jí)的關(guān)系,各能層電子的排布及能級(jí)可容納的最多電子數(shù)的判斷是解題的關(guān)系,注意基礎(chǔ)知識(shí)的積累?!窘馕觥竣?ns、np、nd、nf②.s③.能層序數(shù)④.1⑤.1s⑥.2⑦.2s、2p⑧.3⑨.3s、3p、3d⑩.s、p、d、f?.2、6、10、1418、略

【分析】【分析】

=1,NH4+為1個(gè),由此可求出1個(gè)小立方體的質(zhì)量及體積,從而求出NH4N3的密度。

【詳解】

(1)氮原子的電子排布式為1s22s22p3,則基態(tài)氮原子的價(jià)電子排布式為2s22p3。答案為:2s22p3;

(2)14g氮?dú)鉃?.5mol,1個(gè)氮?dú)夥肿又泻?個(gè)σ鍵、2個(gè)π鍵,其中以“頭碰頭”方式形成的共價(jià)鍵為σ鍵,數(shù)目為0.5NA,以“肩并肩”方式形成的共價(jià)鍵為π鍵,數(shù)目為NA。答案為:0.5NA;NA;

(3)C;N、O屬于同周期元素且原子序數(shù)依次增大;同一周期元素的第一電離能隨著原子序數(shù)的增大而增大,但N由于2p軌道半充滿而出現(xiàn)反常,其第一電離能大于O,所以三種元素按第一電離能從大到小的排列順序?yàn)镹>O>C。氧的第二電離能增幅較大,應(yīng)從2p軌道的電子排布情況進(jìn)行分析,其原因是O失去1個(gè)電子后,2p軌道有3個(gè)電子,為半充滿狀態(tài),較為穩(wěn)定。答案為:N>O>C;O失去1個(gè)電子后,2p軌道有3個(gè)電子,為半充滿狀態(tài),較為穩(wěn)定;

(4)某含氨配合物CrCl3·6NH3為離子化合物,化學(xué)鍵類型有配位鍵、極性共價(jià)鍵和離子鍵。CrCl3·6NH3有三種異構(gòu)體,按絡(luò)離子式量增大的順序分別是[Cr(NH3)6]Cl3、[Cr(NH3)5Cl]Cl2·NH3、[Cr(NH3)4Cl2]Cl·2NH3。答案為:離子鍵;[Cr(NH3)5Cl]Cl2·NH3;

(5)N3-是直線型結(jié)構(gòu),其與CO2為等電子體,則N3-中氮原子的雜化類型是sp。在VSEPR模型中NH4+的價(jià)層電子對數(shù)為4;則幾何構(gòu)型名稱為正四面體。答案為:sp;正四面體;

(6)由晶胞結(jié)構(gòu)可知,1個(gè)晶胞分為8個(gè)小立方體,每個(gè)小立方體中,含N3-的個(gè)數(shù)為8×=1,NH4+為1個(gè),1個(gè)小立方體的質(zhì)量為g,阿伏加德羅常數(shù)的值為NA,則NH4N3的密度為=g·cm-3。答案為:

【點(diǎn)睛】

對于一種金屬離子與幾種配體形成的配合物,雖然某種配體的數(shù)目可以改變,但配體的總數(shù)通常是固定不變的?!窘馕觥竣?2s22p3②.0.5NA③.NA④.N>O>C⑤.O失去1個(gè)電子后,2p軌道有3個(gè)電子,為半充滿狀態(tài),較為穩(wěn)定⑥.離子鍵⑦.[Cr(NH3)5Cl]Cl2·NH3⑧.sp⑨.正四面體⑩.19、略

【分析】【詳解】

前四周期元素A;B、C、D、E、F的原子序數(shù)依次增大;A是宇宙中含量最豐富的元素,A為H元素;B和C同一主族,且B的L層電子數(shù)是K層電子數(shù)的2.5倍,B為N元素,C為P元素;E元素原子核外電子有17種不同的運(yùn)動(dòng)狀態(tài),E為Cl元素;F位于第四周期,其未成對電子數(shù)只有一個(gè),且內(nèi)層都處于全充滿狀態(tài),F(xiàn)為銅元素;C、D、E的原子序數(shù)依次增大,D為S元素,即A-H、B-N、C-P、D-S、E-Cl、F-Cu。

(1)B為N元素,原子的L層5個(gè)電子,電子排布圖:(2)由A、B原子形成的分子的結(jié)構(gòu)式為:H-N=N-H,則該分子中σ鍵和π鍵的數(shù)目之比為3:1,B、C的氫化物中NH3的沸點(diǎn)高于PH3的沸點(diǎn),原因是NH3分子間可以形成氫鍵,分子間作用力大,沸點(diǎn)高;在元素周期表中,同一周期元素的電負(fù)性從左到右逐漸增大,同一主族元素的電負(fù)性從上到下逐漸減小,C、D和E的電負(fù)性由大到小的順序?yàn)镃l>S>P;在元素周期表中,同一周期元素的第一電離能從左到右逐漸增大,同一主族元素的第一電離能從上到下逐漸減小,當(dāng)處于充滿和半充滿狀態(tài)時(shí),第一電離能變大,C、D和E的第一電離能由大到小的順序是Cl>P>S;在元素周期表中,同一周期元素的最高價(jià)含氧酸的酸性逐漸增強(qiáng),C和D最高價(jià)含氧酸的酸性由弱到強(qiáng)的順序?yàn)镠3PO4<H2SO4。PO43-中P孤電子對為=0,σ鍵為4,價(jià)電子對為4,PO43-中P的雜化方式為sp3雜化,該離子的“VSEPR”模型為正四面體形。(3)向CuSO4溶液中加入過量稀氨水,得到的深藍(lán)色溶液中陽離子化學(xué)式為[Cu(NH3)4]2+,NH3中N原子提供孤電子對,該離子的配位體為NH3;(4)D為S(黑球)和F為銅(白球)形成的某種晶體的晶胞中,S原子8×1/8+6×1/2=4,銅為4,已知該晶胞的棱長為516pm,則該晶胞的密度為=g/cm3=4.6g/cm3(精確到0.1);令晶胞的棱長a為516pm,四個(gè)銅離子在體內(nèi)四個(gè)小立方體的中心,過銅原子向底邊作垂線,與相鄰的硫構(gòu)成直角三角形,兩邊分別為a、a,可求得斜邊為a,最近的黑球和白球之間的距離為×516pm=129pm?!窘馕觥?︰1NH3分子間可以形成氫鍵Cl>S>PCl>P>SH3PO4<H2SO4sp3雜化正四面體[Cu(NH3)4]2+NH34.612920、略

【分析】【分析】

【詳解】

(1)已知硅是14號(hào)元素,基態(tài)硅原子的電子排布式為1s22s22p63s23p2;根據(jù)洪特規(guī)則,當(dāng)電子進(jìn)入同一能級(jí)的不同軌道時(shí),電子總是優(yōu)先單獨(dú)占據(jù)不同的軌道且自旋方向相同,故基態(tài)鉻原子的價(jià)電子排布圖不能寫成形式,是違背了洪特規(guī)則,故答案為:1s22s22p63s23p2;洪特規(guī)則;

(2)同一周期從左往右元素第一電離能呈增大趨勢,ⅡA與ⅢA、ⅤA與ⅥA反常,同一主族從上往下元素第一電離能依次減小,故NaAlSi2O6中四種元素第一電離能由大到小的順序?yàn)镺>Si>Al>Na;灼燒硅酸鋁鈉時(shí),元素由基態(tài)到激發(fā)態(tài)時(shí)需吸收能量,當(dāng)由激發(fā)態(tài)轉(zhuǎn)化為基態(tài)時(shí),則會(huì)釋放能量,故當(dāng)鈉元素的價(jià)電子由激發(fā)態(tài)躍遷到另一狀態(tài)時(shí)產(chǎn)生黃色火焰,故答案為:O>Si>Al>Na;激發(fā)態(tài);

(3)工業(yè)上電解熔融的氧化鋁來冶煉金屬鋁,反應(yīng)的化學(xué)方程式為:2Al2O3(熔融)4Al+3O2;硅與碳類似,能與氫元素形成SiH4、Si2H4、Si3H8,分別類似于CH4、C2H4、C3H8,故此三種分子中硅原子的雜化軌道類型有sp3、sp2、sp3,故硅原子為sp3雜化的有SiH4、Si3H8;CH4為正四面體結(jié)構(gòu),故分子空間構(gòu)型屬于正四面體的是SiH4,故答案為:2Al2O3(熔融)4Al+3O2;SiH4、Si3H8;SiH4;

(4)已知氧化鈉、氧化鋁的熔點(diǎn)分別為1132℃、2054℃,由于Na2O和Al2O3均為離子晶體,且鈉離子半徑比Al原子的大,所帶電荷比Al的小,離子鍵弱,熔點(diǎn)低故答案為:由于Na2O和Al2O3均為離子晶體;且鈉離子半徑比Al原子的大,所帶電荷比Al的小,離子鍵弱,熔點(diǎn)低;

(5)某N、Cr元素組成的化合物具有高的硬度和良好的耐磨性,是一種很受重視的耐磨涂層,其晶胞結(jié)構(gòu)如圖甲,圖乙為晶胞沿z軸投影圖,根據(jù)均攤法結(jié)合圖甲可知,一個(gè)晶胞中含有的Cr原子數(shù)目為:N原子數(shù)目為:4,該化合物的化學(xué)式為CrN,設(shè)晶胞的邊長為xcm,由該晶體密度為ρg·cm-3,可知:解得:x=cm,故晶體中Cr原子和N的最近核間距為為體對角線的故為cm=×1010pm,故答案為:CrN;×1010?!窘馕觥?s22s22p63s23p2洪特規(guī)則O>Si>Al>Na激發(fā)態(tài)2Al2O3(熔融)4Al+3O2SiH4、Si3H8SiH4均為離子晶體,且鈉離子半徑比Al原子的大,所帶電荷比Al的小,離子鍵弱,熔點(diǎn)低CrN×101021、略

【分析】【分析】

(1)根據(jù)基態(tài)Cr原子核外電子排布分析;

(3)①非金屬性越強(qiáng);電負(fù)性越大;

②根據(jù)價(jià)層電子對互斥理論判斷;

③根據(jù)同族替換和等量代換原則找等電子體;

(4)根據(jù)均攤法確定晶胞所含微粒個(gè)數(shù),從而確定晶胞質(zhì)量,根據(jù)計(jì)算晶胞體積,根據(jù)幾何知識(shí)根據(jù)晶胞體積計(jì)算a2c。

【詳解】

(1)Cr是24號(hào)元素,其原子核外有24個(gè)電子,根據(jù)能量最低原理可寫出電子排布式為1s22s22p63s23p63d54s1,Cr原子有6個(gè)未成對電子;

(2)①鉀離子和CrO之間形成離子鍵,O原子之間為σ鍵,不含π鍵;根據(jù)共價(jià)鍵的飽和性,O原子可以形成2個(gè)共價(jià)鍵,圖示結(jié)構(gòu)氧原子形成3個(gè)單鍵,說明有一個(gè)配位鍵,O原子提供孤電子對,Cr3+提供空軌道;據(jù)圖可知該物質(zhì)中O原子之間形成過氧鍵,所以O(shè)元素化合價(jià)為-1價(jià),根據(jù)電中性原則可知Cr為+5價(jià);綜上所述選AC;

②根據(jù)可知氧的第一電子親和能E1為140kJ/mol;

Oˉ帶負(fù)電荷,對再得到的電子產(chǎn)生排斥,克服斥力需消耗能量,所以△H2>0;

(3)①非金屬性O(shè)>N>C>H,所以電負(fù)性O(shè)>N>C>H;

②其陽離子為NH中心原子的價(jià)層電子對數(shù)為=4,為sp3雜化;NH3分子的中心原子價(jià)層電子對數(shù)為4;含一對孤電子對,所以立體構(gòu)型為三角錐形;

③NCSˉ價(jià)電子數(shù)為16,原子數(shù)為3,用S、O代替Nˉ可得互為等電子的分子有CO2、CS2,同理還有N2O;F電負(fù)性較強(qiáng),容易形成氫鍵,根據(jù)共價(jià)鍵的飽和性可知中有氫鍵,所以其結(jié)構(gòu)式為

(4)根據(jù)均攤法,晶胞中Cr的數(shù)目為=3,B的數(shù)目為6,所以晶胞的質(zhì)量為m=根據(jù)幾何知識(shí),晶胞的體積為V=nm3,晶胞的密度解得a2c=cm3

【點(diǎn)睛】

第2小題為易錯(cuò)點(diǎn),要注意根據(jù)的結(jié)構(gòu)判斷出含有過氧鍵,O為-1價(jià),然后計(jì)算Cr的化合價(jià),根據(jù)共價(jià)鍵的飽和性判斷出有配位鍵?!窘馕觥?AC140Oˉ帶負(fù)電荷,對再得到的電子產(chǎn)生排斥,克服斥力需消耗能量O>N>C>H三角錐形CO2(或CS2、N2O等)四、元素或物質(zhì)推斷題(共5題,共25分)22、略

【分析】【分析】

已知A、B、C、D、E都是周期表中前四周期的元素,它們的核電荷數(shù)A<B<C<D<E。其中A、B、C是同一周期的非金屬元素。化合物DC為離子化合物,D的二價(jià)陽離子與C的陰離子具有相同的電子層結(jié)構(gòu),化合物AC2為一種常見的溫室氣體,則A為C,C為O,B為N,D為Mg。B、C的氫化物的沸點(diǎn)比它們同族相鄰周期元素氫化物的沸點(diǎn)高。E的原子序數(shù)為24,E為Cr。

【詳解】

(1)基態(tài)E原子的核外電子排布式是1s22s22p63s23p63d54s1(或[Ar]3d54s1),在第四周期中,與基態(tài)E原子最外層電子數(shù)相同即最外層電子數(shù)只有一個(gè),還有K、Cu;故答案為:1s22s22p63s23p63d54s1(或[Ar]3d54s1);K;Cu;

(2)同周期從左到右電離能有增大趨勢;但第IIA族元素電離能大于第IIIA族元素電離能,第VA族元素電離能大于第VIA族元素電離能,因此A;B、C的第一電離能由小到大的順序?yàn)镃<O<N;故答案為:C<O<N;

(3)化合物AC2為CO2,其電子式故答案為:

(4)Mg的單質(zhì)在CO2中點(diǎn)燃可生成碳和一種熔點(diǎn)較高的固體產(chǎn)物MgO,其化學(xué)反應(yīng)方程式:2Mg+CO22MgO+C;故答案為:2Mg+CO22MgO+C;

(5)根據(jù)CO與N2互為等電子體,一種由N、O組成的化合物與CO2互為等電子體,其化學(xué)式為N2O;故答案為:N2O;

(6)B的最高價(jià)氧化物對應(yīng)的水化物的稀溶液為HNO3與Mg的單質(zhì)反應(yīng)時(shí),NHO3被還原到最低價(jià)即NH4NO3,其反應(yīng)的化學(xué)方程式是4Mg+10HNO3=4Mg(NO3)2+NH4NO3+3H2O;故答案為:4Mg+10HNO3=4Mg(NO3)2+NH4NO3+3H2O?!窘馕觥?s22s22p63s23p63d54s1(或[Ar]3d54s1)K、CuC<O<N2Mg+CO22MgO+CN2O4Mg+10HNO3=4Mg(NO3)2+NH4NO3+3H2O23、略

【分析】【分析】

A元素的價(jià)電子構(gòu)型為nsnnpn+1,則n=2,故A為N元素;C元素為最活潑的非金屬元素,則C為F元素;B原子序數(shù)介于氮、氟之間,故B為O元素;D元素核外有三個(gè)電子層,最外層電子數(shù)是核外電子總數(shù)的最外層電子數(shù)為2,故D為Mg元素;E元素正三價(jià)離子的3d軌道為半充滿狀態(tài),原子核外電子排布為1s22s22p63s23p63d64s2,則原子序數(shù)為26,為Fe元素;F元素基態(tài)原子的M層全充滿,N層沒有成對電子,只有一個(gè)未成對電子,核外電子排布為1s22s22p63s23p63d104s1;故F為Cu元素;G元素與A元素位于同一主族,其某種氧化物有劇毒,則G為As元素,據(jù)此解答。

【詳解】

(1)N原子最外層為半充滿狀態(tài);性質(zhì)穩(wěn)定,難以失去電子,第一電離能大于O元素;同一周期元素從左到右元素的電負(fù)性逐漸增強(qiáng),故元素的電負(fù)性:N<O<F;

(2)C為F元素,電子排布圖為E3+的離子符號(hào)為Fe3+;

(3)F為Cu,位于周期表ds區(qū),其基態(tài)原子的電子排布式為1s22s22p63s23p63d104s1或[Ar]3d104s1,故答案為:ds;1s22s22p63s23p63d104s1或[Ar]3d104s1;

(4)A.G為As元素;與Si位于周期表對角線位置,則其單質(zhì)可作為半導(dǎo)體材料,A正確;

B.同主族從上到下元素的電負(fù)性依次減??;則電負(fù)性:As<P,B錯(cuò)誤;

C.同一周期從左到右原子半徑依次減?。籄s與Ge元素同一周期,位于Ge的右側(cè),則其原子半徑小于鍺,C錯(cuò)誤;

D.As與硒元素同一周期;由于其最外層電子處于半充滿的穩(wěn)定結(jié)構(gòu),故其第一電離能大于硒元素的,D錯(cuò)誤;

故合理選項(xiàng)是A;

(5)D為Mg元素,其金屬活潑性大于Al的活潑性;Mg元素的價(jià)層電子排布式為:3s2,處于全充滿的穩(wěn)定結(jié)構(gòu),Al的價(jià)層電子排布式為3s23p1,其3p上的1個(gè)電子較易失去,故Mg元素第一電離能大于Al元素的第一電離能,即I1(Mg)>I1(Al)?!窘馕觥浚綨<O<FFe3+ds1s22s22p63s23p63d104s1或[Ar]3d104s1A>>Mg元素的價(jià)層電子排布式為:3s2,處于全充滿的穩(wěn)定結(jié)構(gòu),Al的價(jià)層電子排布式為3s23p1,其3p上的1個(gè)電子較易失去24、略

【分析】【分析】

原子序數(shù)小于36的X;Y、Z、W四種元素;其中X是周期表中半徑最小的元素,則X是H元素;Y是形成化合物種類最多的元素,則Y是C元素;Z原子基態(tài)時(shí)2p原子軌道上有3個(gè)未成對的電子,則Z是N元素;R單質(zhì)占空氣體積的1/5,則R為O元素;W的原子序數(shù)為29,則W是Cu元素;再結(jié)合物質(zhì)結(jié)構(gòu)分析解答。

【詳解】

(1)C2H4分子中每個(gè)碳原子含有3個(gè)σ鍵且不含孤電子對,所以采取sp2雜化;一個(gè)乙烯分子中含有5個(gè)σ鍵,則1molC2H4含有σ鍵的數(shù)目為5NA;

(2)NH3和CH4的VSEPR模型為正四面體形;但氨氣中的中心原子上含有1對孤對電子,所以其實(shí)際構(gòu)型是三角錐形;

由于水分子中O的孤電子對數(shù)比氨分子中N原子多,對共價(jià)鍵排斥力更大,所以H2O的鍵角更?。?/p>

(3)H2O可形成分子間氫鍵,沸點(diǎn)最高;H2Se相對分子質(zhì)量比H2S大,分子間作用力大,沸點(diǎn)比H2S高,三者的沸點(diǎn)由高到低的順序是H2O>H2Se>H2S;

(4)元素C的一種氧化物與元素N的一種氧化物互為等電子體,CO2和N2O互為等電子體,所以元素C的這種氧化物CO2的結(jié)構(gòu)式是O=C=O;

(5)銅是29號(hào)元素,其原子核外有29個(gè)電子,其基態(tài)原子的電子排布式為[Ar]3d104s1,價(jià)電子排布式為3d104s1?!窘馕觥縮p25NA三角錐形H2O水分子中O的孤電子對數(shù)比氨分子中N原子多,對共價(jià)鍵排斥力更大,所以鍵角更小H2O>H2Se>H2SO=C=O3d104s125、略

【分析】【詳解】

(1)根據(jù)元素周期表可知:元素⑨位第四周期IB族的銅元素;為過渡元素,屬于ds區(qū)元素,故答案:ds;

(2)根據(jù)元素周期表可知:③為碳元素,⑧為氯元素,兩者形成的一種常見溶劑為CCl4;其分子空間構(gòu)型為正四面體結(jié)構(gòu),故答案:正四面體結(jié)構(gòu);

(3)根據(jù)元素周期表可知:元素①為氫元素,⑥為磷元素,兩者形成的最簡單分子為PH3;分子中正負(fù)電荷中心不重合,屬于極性分子,故答案:極性;

(4)根據(jù)元素周期表可知:元素⑥為磷元素,元素⑦為硫元素,P原子為半充滿的穩(wěn)定結(jié)構(gòu),磷的第一電離能大于硫元素的第一電離能;元素②為鈹元素,元素④為鎂元素,同一主族從上到下,元素的電負(fù)性逐漸減小,則鈹元素的電負(fù)性大于鎂元素的電負(fù)性,故答案:>;>;

(5)根據(jù)元素周期表可知:元素⑨為銅元素,位于第四周期IB族,所以銅元素的基態(tài)原子核外價(jià)電子排布式是3d104s1,故答案:3d104s1;

(5)根據(jù)元素周期表可知:元素⑧為氯元素,元素④為鎂元素,形成的化合物為MgCl2,其電子式為故答案:

(6)根據(jù)元素周期表可知:元素⑩為鋅元素,元素⑤為鋁元素,鋁能與NaOH溶液反應(yīng),所以鋅也能與N

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