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選擇題突破晶體結構的分析與計算課前學習任務核心歸納1.晶胞分析的方法——均攤法晶胞均攤規(guī)則平行六面體頂點18;棱上14;面心正六棱柱頂點16;水平棱14,豎直棱13正三棱柱頂點112;水平棱14,豎直棱162.晶體密度及粒子間距離的計算方法(1)計算晶體密度的方法(2)計算晶體中粒子間距離①分析思路②常見堆積模型粒子之間的距離(a為晶胞參數(shù),r為粒子半徑)簡單立方體心立方面心立方金剛石型a=2r3a=4r2a=4r33.原子坐標與投影圖(1)體心立方晶胞結構模型圖的原子坐標與投影圖①若原子1、原子3、原子7的坐標分別為(0,0,0)、(1,1,0)、(1,1,1);則原子2、原子4、原子5、原子6、原子8、原子9的坐標分別為(0,1,0)、(1,0,0)、(0,0,1)、(0,1,1)、(1,0,1)、12②沿x、y、z軸的投影均為。③沿體對角線的投影為。(2)面心立方晶胞結構模型圖的原子坐標與投影圖①原子10~15分別位于六個面的面心,原子1和原子2的坐標為(0,0,0)、(1,1,1);則確定坐標參數(shù):100,12,12、1112,12②沿x、y、z軸的投影均為。③沿體對角線的投影為。(3)金剛石的原子坐標與投影圖①若a原子為坐標原點,晶胞棱長的單位為1,則原子1、2、3、4的坐標分別為14,14,14②沿x、y、z軸的投影均為。③沿體對角線的投影為。

課堂學習任務真題訓練1.(2024·湖北卷,11)黃金按質(zhì)量分數(shù)分級,純金為24K。Au-Cu合金的三種晶胞結構如圖,Ⅱ和Ⅲ是立方晶胞。下列說法錯誤的是()A.Ⅰ為18K金B(yǎng).Ⅱ中Au的配位數(shù)是12C.Ⅲ中最小核間距Au-Cu<Au-AuD.Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ中,Au與Cu原子個數(shù)比依次為1∶1、1∶3、3∶12.(2024·黑、吉、遼卷,14)某鋰離子電池電極材料結構如圖。結構1是鈷硫化物晶胞的一部分,可代表其組成和結構;晶胞2是充電后的晶胞結構;所有晶胞均為立方晶胞。下列說法錯誤的是()A.結構1鈷硫化物的化學式為Co9S8B.晶胞2中S與S的最短距離為32C.晶胞2中距Li最近的S有4個D.晶胞2和晶胞3表示同一晶體3.(2024·河北卷,12)金屬鉍及其化合物廣泛應用于電子設備、醫(yī)藥等領域。如圖是鉍的一種氟化物的立方晶胞及晶胞中MNPQ點的截面圖,晶胞的邊長為apm,NA為阿伏加德羅常數(shù)的值。下列說法錯誤的是()A.該鉍氟化物的化學式為BiF3B.粒子S、T之間的距離為114aC.該晶體的密度為1064D.晶體中與鉍離子最近且等距的氟離子有6個考向預測1.CaF2的晶胞結構和部分離子的投影位置如圖所示,下列說法錯誤的是()甲乙A.CaF2屬于離子晶體B.Ca2+的配位數(shù)為8C.圖甲為F-沿y軸投影圖D.圖乙為Ca2+沿面對角線投影圖2.(2024·湖北省圓創(chuàng)聯(lián)盟3月聯(lián)考)一種硼鎂化合物具有超導性能,晶體結構屬于六方晶系,其晶體結構、晶胞沿豎直方向的投影圖如下所示(晶胞邊長為apm,晶胞高為cpm,NA為阿伏加德羅常數(shù)的值)。下列說法正確的是()A.該物質(zhì)的化學式為Mg2BB.硼原子間最近距離為32aC.Mg的配位數(shù)為12D.該物質(zhì)的摩爾體積為a2c×10-36NAm3·mol-13.(2024·遼寧省鞍山市二模)科研工作者合成了低溫超導化合物M,再利用低溫去插層法,獲得了一個新化合物N。二者的晶體結構如圖所示,下列說法正確的是()A.去插層過程中Cs元素均轉化為Cs單質(zhì)B.N的化學式為V2Se2OC.M中與Cs原子最臨近的Se原子有2個D.N中V原子填充了Se原子構成的正八面體空隙

課后學習任務1.(2024·吉林省白山市一模)Cu、Au能形成多種組成固定的合金,其中一種晶體的晶胞結構(立方體)如圖所示。下列說法正確的是()A.該晶體的化學組成可表示為CuAuB.Cu在元素周期表中位于ds區(qū),屬于過渡元素C.與1個Cu原子距離最近且相等的Au原子有8個D.Au填充了與之距離最近的Cu原子構成的正四面體空隙2.(2024·江西省重點中學聯(lián)盟3月聯(lián)考)Ce的某種氧化物具有良好的儲氧放氧能力,可作為氧載體參與有機物氧化反應,其中Ce為面心立方堆積,O填充在Ce立方晶格所有的正四面體空隙中(如圖,未標注全部的O),下列說法錯誤的是()A.該氧化物化學式為CeO2B.O原子周圍等距且最近的O原子個數(shù)為6C.若反應后,晶胞中O脫離形成一個O的空位,則該物質(zhì)中Ce3+與Ce4+的個數(shù)比為1∶3D.若頂點位置原子位于體心時,則面心原子位于棱心3.(2024·河南省五市3月聯(lián)考)石墨是層狀結構,許多分子和離子可以滲入石墨層間形成插層化合物。Li+插入石墨層中間,形成晶體結構如圖(a),晶體投影圖如圖(b)。若該結構中碳碳鍵鍵長為apm,碳層和鋰層相距dpm(用NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值)。下列說法錯誤的是()(a)(b)A.石墨的二維結構中,每個碳原子配位數(shù)為3B.該插層化合物的化學式為LiC6C.該插層化合物中同層Li+最近距離為3apmD.該插層化合物的密度為158327NA4.(2024·九省聯(lián)考吉林、黑龍江卷)鎳酸鑭電催化劑立方晶胞如圖所示,晶胞參數(shù)為a,具有催化活性的是Ni,圖①和圖②是晶胞的不同切面。下列說法錯誤的是()A.催化活性:①>②B.鎳酸鑭晶體的化學式為LaNiO3C.La周圍緊鄰的O有4個D.La和Ni的最短距離為325.(2024·甘肅卷,12)β-MgCl2晶體中,多個晶胞無隙并置而成的結構如圖甲所示,其中部分結構顯示為圖乙,下列說法錯誤的是()甲乙A.電負性:Mg<ClB.單質(zhì)Mg是金屬晶體C.晶體中存在范德華力D.Mg2+離子的配位數(shù)為36.(2023·遼寧卷,14)晶體結構的缺陷美與對稱美同樣受關注。某富鋰超離子導體的晶胞是立方體(圖1),進行鎂離子取代及鹵素共摻雜后,可獲得高性能固體電解質(zhì)材料(圖2)。下列說法錯誤的是()圖1圖2A.圖1晶體密度為72.5/(NA×a3×10-30)g·cm-3B.圖1中O原子的配位數(shù)為6C.圖2表示的化學式為LiMg2OClxBr1-xD.Mg2+取代產(chǎn)生的空位有利于Li+傳導7.(2024·九省聯(lián)考江西卷)朱砂(硫化汞)在眾多先秦考古遺址中均有發(fā)現(xiàn),其立方晶系β型晶胞如下圖所示,晶胞參數(shù)為anm,A原子的分數(shù)坐標為(0,0,0),阿伏加德羅常數(shù)的值為NA,下列說法正確的是()A.S的配位數(shù)是6B.晶胞中B原子分數(shù)坐標為3C.該晶體的密度是ρ=9.32×1029D.相鄰兩個Hg的最短距離為12a8.(2023·湖北卷,15)鑭La和H可以形成一系列晶體材料LaHn,在儲氫和超導等領域具有重要應用。LaHn屬于立方晶系,晶胞結構和參數(shù)如圖所示。高壓下,LaH2中的每個H結合4個H形成類似CH4的結構,即得到晶體LaHx。下列說法錯誤的是()A.LaH2晶體中La的配位數(shù)為8B.晶體中H和H的最短距離:LaH2>LaHxC.在LaHx晶胞中,H形成一個頂點數(shù)為40的閉合多面體籠D.LaHx單位體積中含氫質(zhì)量的計算式為404.84×109.(2024·安徽省安慶市二模)北京冬奧會使用的碲化鎘(CdTe)太陽能電池,能量轉化效率較高。立方晶系CdTe的晶胞結構如圖甲所示,其晶胞參數(shù)為apm。下列說法正確的是()圖甲圖乙圖丙A.Cd的配位數(shù)為4B.相鄰兩個Te的核間距為a2C.晶體的密度為4×240NAD.若按圖乙虛線方向切甲,可得到圖丙10.(2024·遼寧省遼陽市一模)氧化鈰(CeO2)常用作玻璃工業(yè)添加劑,在其立方晶胞中摻雜Y2O3,Y3+占據(jù)原來Ce4+的位置,可以得到更穩(wěn)定的結構,這種穩(wěn)定的結構使得氧化鈰具有許多獨特的性質(zhì)和應用,CeO2晶胞中Ce4+與最近O2-的核間距為apm。下列說法正確的是()已知:O2-的空缺率=氧空位數(shù)氧空位數(shù)A.已知M點原子的分數(shù)坐標為(0,0,0),則N點原子的分數(shù)坐標為(1,0,1)B.CeO2晶胞中與Ce4+最近的Ce4+的個數(shù)為6C.CeO2晶體的密度為1.72×1032D.若摻雜Y2O3后得到n(CeO2)∶n(Y2O3)=0.6∶0.2的晶體,則此晶體中O2-的空缺率為10%

答案與解析課堂學習任務真題精研1.C純金為24K,則18K金中金的質(zhì)量分數(shù)為75%,Ⅰ中Au位于體心,個數(shù)為1,Cu位于頂點,個數(shù)為8×18=1,則Au的質(zhì)量分數(shù)為197197+64×100%≈75%,為18K金,A正確;Ⅱ中Au位于頂點,個數(shù)為8×18=1,Cu位于面心,個數(shù)為6×12=3,晶體化學式為Cu3Au,1個Cu周圍有4個Au,則1個Au周圍有12個Cu,Au的配位數(shù)是12,B正確;Ⅲ中Au-Cu和Au-Au的最小核間距均為面對角線長度的122.B由均攤法知,結構1中含Co數(shù)目為4×18+4=4.5,含S數(shù)目為12×14+1=4,Co、S個數(shù)比為9∶8,則結構1鈷硫化物的化學式為Co9S8,A正確;由晶胞2結構可知,S與S的最短距離為面對角線長度的123.D根據(jù)均攤法可知,該晶胞中Bi的個數(shù)為12×14+1=4,F(xiàn)的個數(shù)為8×18+6×12+8=12,故該鉍氟化物的化學式為BiF3,A正確;如圖所示,根據(jù)勾股定理可知,BG2=BP2+PG2=54a2pm2=BO2+OG2,則∠BOG為直角,OA=14BH=34apm,OG=22apm,AG2=OA2+OG2考向預測1.D氟化鈣是由鈣離子和氟離子形成的離子晶體,故A正確;晶胞中位于頂點的鈣離子與位于體對角線14處的氟離子的距離最近,則鈣離子的配位數(shù)為8,故B正確;由晶胞結構和圖甲可知,圖甲為氟離子沿y軸投影圖,故C正確;由晶胞結構可知,Ca2+2.C結合投影圖可知,晶體結構中實線部分為1個晶胞,Mg個數(shù)為4×16+4×112=1,有2個B位于晶胞體內(nèi),化學式為MgB2,A錯誤;晶胞沿豎直方向的投影圖中硼原子位于正三角形的中心,硼原子間的最近距離,應為33apm,B錯誤;由晶胞圖可知,6個B距底面中心的Mg距離相同,底面的Mg為2個晶胞共有,即距Mg最近的B有12個,即Mg的配位數(shù)為12,故C正確;該物質(zhì)的摩爾體積為a2csin60°×10-36NA3.B去插層過程中Cs元素均轉化為CsI,故A錯誤;根據(jù)均攤原則,晶胞中含有V原子數(shù)為8×14+4×12=4、Se原子數(shù)為8×14+2=4、O原子數(shù)為8×1

課后學習任務1.B該晶胞中Cu原子個數(shù)為6×12=3,Au原子個數(shù)為8×18=1,Cu、Au原子個數(shù)之比為3∶1,所以其化學式為Cu3Au,故A錯誤;銅的價層電子排布為3d104s2.C由示意圖可知,Ce的個數(shù)為8×18+6×12=4,O填充在Ce立方晶格所有的正四面體空隙中,共有8個空隙,故O個數(shù)為8,化學式為CeO2,故A正確;氧原子在空間上形成簡單立方結構,O原子周圍等距且最近的O原子個數(shù)為6,故B正確;晶胞中O脫離形成一個O的空位,則化學式可以表示為Ce4O7,如果Ce3+與Ce4+的個數(shù)比為1∶3,則正化合價總數(shù)為+15,不符合化合價代數(shù)和為0的規(guī)則,應該有2個+3價、2個+4價,即Ce3.D石墨的二維結構中,每個碳原子周圍等距且最近的碳原子為3個,配位數(shù)為3,故A正確;根據(jù)均攤原則,四棱柱單元中Li+個數(shù)=4×14=1,C原子個數(shù)=16×14+4×12=6,所以該化合物的化學式為LiC6,故B正確;同層Li+最近距離為棱柱底面邊長,同層Li+最近距離為3apm,故C正確;晶胞質(zhì)量為79NAg,晶胞體積為3a×3a×32×2d×10-30cm4.C具有催化活性的是Ni,圖②中沒有Ni原子,則催化活性:①>②,故A正確;鎳酸鑭電催化劑立方晶胞中含有1個La,12×14=3個O,8×18=1個Ni,鎳酸鑭晶體的化學式為LaNiO3,故B正確;由晶胞結構可知,La在晶胞體心,O在晶胞的棱心,則La周圍緊鄰的O有12個,故C錯誤;由晶胞結構可知,La和Ni的最短距離為體對角線的一半,為35.D電負性越大的元素吸引電子的能力越強,活潑金屬的電負性小于活潑非金屬,因此,Mg的電負性小于Cl,A正確;金屬晶體包括金屬單質(zhì)及合金,單質(zhì)Mg是金屬晶體,B正確;由晶體結構可知,該結構中存在層狀結構,層與層之間存在范德華力,C正確;由圖乙中結構可知,每個Mg2+與周圍6個Cl-距離最近且相等,因此,Mg2+的配位數(shù)為6,D錯誤。6.C圖1晶胞中Li個數(shù)為8×14+1=3,O個數(shù)為2×12=1,Cl個數(shù)為4×14=1,則題圖1晶體的化學式為Li3OCl,1molLi3OCl晶體的質(zhì)量為72.5g,1個晶胞質(zhì)量為72.5NAg,晶胞體積為(a×10-10cm)3,則晶體密度為72.5NAg÷(a×10-10cm)3=72.5NA×7.C由晶胞結構圖知,S的配位數(shù)是4,A錯誤;由A原子的分數(shù)坐標為(0,0,0),結合投影圖知,晶胞中B原子分數(shù)坐標為14,14,34,B錯誤;由晶胞結構圖可知,S有4個,Hg有6×12+8×18=4個,故該晶體的密度是ρ=8.C以上底面的La為研究對

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