2025年上外版選擇性必修2化學(xué)下冊(cè)階段測(cè)試試卷含答案

…………○…………內(nèi)…………○…………裝…………○…………內(nèi)…………○…………裝…………○…………訂…………○…………線…………○…………※※請(qǐng)※※不※※要※※在※※裝※※訂※※線※※內(nèi)※※答※※題※※…………○…………外…………○…………裝…………○…………訂…………○…………線…………○…………第=page22頁(yè)，總=sectionpages22頁(yè)第=page11頁(yè)，總=sectionpages11頁(yè)2025年上外版選擇性必修2化學(xué)下冊(cè)階段測(cè)試試卷含答案考試試卷考試范圍：全部知識(shí)點(diǎn)；考試時(shí)間：120分鐘學(xué)校：______姓名：______班級(jí)：______考號(hào)：______總分欄題號(hào)一二三四五總分得分評(píng)卷人得分一、選擇題(共5題，共10分)1、前四周期主族元素X；Y、Z、W的原子序數(shù)依次增大；它們形成的一種物質(zhì)的結(jié)構(gòu)如圖所示，其中所有原子都形成了8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，四種元素中僅X、Y在同周期。下列推斷中錯(cuò)誤的是。

A.簡(jiǎn)單離子半徑：W>Z>YB.Z單質(zhì)可溶于由X、Z形成的化合物中C.第一電離能：Y>XD.Y與氧元素形成的化合物不止三種2、具有下列電子排布的原子中最難形成離子鍵的是（）A.1s22s22p2B.1s22s22p5C.1s22s22p63s2D.1s22s22p63s13、下列說法正確的是A.6C的電子排布式1s22s22p違反了泡利不相容原理B.價(jià)電子排布為5s25p1的元素位于第五周期第ⅠA族，是p區(qū)元素C.電子排布式（22Ti）1s22s22p63s23p10違反了洪特規(guī)則D.ns電子的能量一定高于(n-1)p電子的能量4、下列事實(shí)的解釋不正確的是。事實(shí)解釋A第一電離能：Mg為3p軌道全空的穩(wěn)定電子構(gòu)型，而Al失去一個(gè)電子變?yōu)?p軌道全空的穩(wěn)定電子構(gòu)型B溶液顯酸性電離產(chǎn)生的可以與水中的結(jié)合成弱電解質(zhì)使水的電離平衡向電離的方向移動(dòng)，最終導(dǎo)致溶液中大于C分子中的共價(jià)鍵是鍵Cl原子價(jià)電子排布為當(dāng)兩個(gè)Cl原子結(jié)合為時(shí)，兩個(gè)原子的3p軌道通過“肩并肩”重疊D的熔點(diǎn)依次增大的結(jié)構(gòu)和組成相似，相對(duì)分子質(zhì)量依次增大，范德華力依次增強(qiáng)

A.AB.BC.CD.D5、某種新型儲(chǔ)氫材料的晶胞如圖，八面體中心為金屬離子鐵，頂點(diǎn)均為配體；四面體中心為硼原子；頂點(diǎn)均為氫原子。下列說法正確的是。

A.化學(xué)式為B.金屬離子的價(jià)電子排布式為C.金屬離子與硼原子的配位數(shù)之比2∶1D.該化合物中存在金屬鍵、離子鍵、極性鍵和配位鍵評(píng)卷人得分二、多選題(共7題，共14分)6、下列說法正確的是A.鍵是由兩個(gè)p軌道“頭碰頭”重疊形成B.通過鍵連接的原子或原子團(tuán)可繞鍵軸旋轉(zhuǎn)C.鍵和鍵的強(qiáng)度不同D.乙烷分子中的鍵全為鍵而乙烯分子中含鍵和鍵7、已知某離子晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，其摩爾質(zhì)量為Mg/mol，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA，晶體的密度為dg/cm3。則下列說法正確的是。

A.晶胞中陰、陽(yáng)離子的個(gè)數(shù)都為4B.該晶體中兩個(gè)距離最近的同種離子的核間距為cmC.陰、陽(yáng)離子的配位數(shù)都是4D.該晶胞可能是NaCl晶體的晶胞8、下列各組表述中，正確的是A.核外電子排布式為的基態(tài)原子3p能級(jí)有一個(gè)空軌道B.第四周期中，未成對(duì)電子數(shù)最多的原子為CrC.基態(tài)的核外電子排布式為D.2p能級(jí)有2個(gè)未成對(duì)電子的基態(tài)原子的價(jià)層電子排布一定為9、壽山石主要由酸性火山凝灰?guī)r經(jīng)熱液蝕變而成，化學(xué)式為短周期元素的原子序數(shù)依次減小，基態(tài)原子的軌道上的電子總數(shù)比軌道上的電子總數(shù)少2個(gè)，的單質(zhì)均能與強(qiáng)堿反應(yīng)生成與含有相同的電子數(shù)。下列說法錯(cuò)誤的是A.原子半徑：B.的氧化物可作光導(dǎo)纖維的材料C.最簡(jiǎn)單氫化物的沸點(diǎn)：D.常溫常壓下，和形成的常見化合物均為液體10、短周期主族元素的原子序數(shù)依次增大，離子與分子均含有14個(gè)電子；習(xí)慣上把電解飽和水溶液的工業(yè)生產(chǎn)稱為氯堿工業(yè)。下列判斷正確的是A.原子半徑：B.最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)的水化物的酸性：C.化合物的水溶液呈中性D.分子中既有鍵又有鍵11、有5種元素X、Y、Z、Q、T，X原子2p軌道上有3個(gè)未成對(duì)電子；Y原子的價(jià)電子構(gòu)型為Q原子的最外層電子數(shù)是次外層電子數(shù)的3倍；Z原子的核外電子總數(shù)等于Q原子的最外層電子數(shù)；T原子有1個(gè)3p空軌道。下列敘述錯(cuò)誤的是A.Y與Q能形成Y2Q和YQ兩種化合物B.第一電離能Q＞X＞ZC.電負(fù)性Q＞Z＞TD.T和Q結(jié)合生成的化合物晶體類型為分子晶體12、下列說法正確的是A.I2是分子晶體，加熱升華過程中只需克服分子間作用力B.由于H—O鍵比H—S鍵牢固，所以水的沸點(diǎn)比H2S高C.隨著相對(duì)分子質(zhì)量的增加，四鹵化碳CX4分子間作用力逐漸增大，所以它們相應(yīng)的沸點(diǎn)也逐漸增高D.SiO2屬于原子晶體，熔化破壞共價(jià)鍵和分子間作用力評(píng)卷人得分三、填空題(共7題，共14分)13、Fe、Co、Ni在周期表中的位置為___________，基態(tài)Fe原子的電子排布式為___________。14、A；B、C、D四種元素的原子序數(shù)均小于18；其最高正價(jià)數(shù)依次為1，4，3，7，已知B的原子核外次外層電子數(shù)為2。A、C原子的核外次外層電子數(shù)為8。D元素的最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)的水化物是已知含氧酸中最強(qiáng)酸，則：

（1）A、B、C、D的名稱分別是___、___、___、___。

（2）A的離子結(jié)構(gòu)示意圖是___，C的原子結(jié)構(gòu)示意圖是___。

（3）C的最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)的水化物與A的最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)的水化物和D的最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)的水化物都能反應(yīng)，寫出相應(yīng)的離子方程式：___、___。

（4）B、D的氣態(tài)氫化物穩(wěn)定性由強(qiáng)到弱的順序是___。(填氫化物的化學(xué)式)15、下表是元素周期表的一部分；表中所列的字母分別代表一種化學(xué)元素。

試回答下列問題：

(1)寫出基態(tài)原子的電子排布式：_______，的原子序數(shù)：_______，的簡(jiǎn)化電子排布式：_______。

(2)下列關(guān)于元素在元素周期表中的位置的敘述正確的是_______(填選項(xiàng)字母)。

A.位于元素周期表中第四周期第ⅡB族，屬于區(qū)元素。

B.位于元素周期表中第四周期第ⅣB族，屬于區(qū)元素。

C.位于元素周期表中第三周期第ⅡA族，屬于區(qū)元素。

D.位于元素周期表中第三周期第ⅦA族，屬于區(qū)元素。

(3)下列有關(guān)說法正確的是_______(填選項(xiàng)字母)。

A.第一電離能：G>F>EB.電負(fù)性：D>CC.原子半徑：B>ED.最高價(jià)含氧酸的酸性：I>H16、在一個(gè)小燒杯里加入少量碘；用一個(gè)表面皿蓋在小燒杯上，并在表面皿上加少量冷水。把小燒杯放在石棉網(wǎng)上加熱，觀察實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象。

(1)在表面皿上加少量冷水的作用是________________________。

(2)觀察到的實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象是____________________________________________________。

(3)在表面皿上碘是________。(填“晶體”或“非晶體”)

(4)這種方法是________，制取晶體的方法還有________、________。17、含有C、H、O的某個(gè)化合物，其C、H、O的質(zhì)量比為12：1：16，其蒸氣對(duì)氫氣的相對(duì)密度為58，它能與小蘇打反應(yīng)放出CO2；也能使溴水褪色，0.58g這種物質(zhì)能與50mL0.2mol/L的氫氧化鈉溶液完全反應(yīng)。試回答：

(1)該有機(jī)物的分子式為________。

(2)該有機(jī)物可能的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式有_________。18、有下列幾種晶體：A．氮化硅；B．氯化銫；C．生石灰；D．金剛石；E．苛性鈉；F．銅；G．固態(tài)氨；H．干冰；I．二氧化硅。

回答下列問題：

(1)上述晶體中，屬于共價(jià)晶體的化合物是________(填字母；下同)。

(2)上述晶體中，受熱熔化后化學(xué)鍵不發(fā)生變化的是________。

(3)上述晶體中，含有共價(jià)鍵的離子晶體是________。

(4)上述晶體中，熔融狀態(tài)下能導(dǎo)電的是________。19、自然界中不存在氟的單質(zhì)；得到單質(zhì)氟的過程中，不少科學(xué)家為此獻(xiàn)出了寶貴的生命.1886年，法國(guó)化學(xué)家莫瓦桑發(fā)明了莫氏電爐，用電解法成功地制取了單質(zhì)氟，因此榮獲1906年諾貝爾化學(xué)獎(jiǎng)，氟及其化合物在生產(chǎn)及生活中有著廣泛的用途。

請(qǐng)回答下列問題：

(1)氟磷灰石可用于制取磷肥，其中原子的L層電子排布式為_______.基態(tài)P原子有_______個(gè)未成對(duì)電子，的中心P原子的雜化方式為_______。

(2)氟氣可以用于制取情性強(qiáng)于的保護(hù)氣也可以用于制取聚合反應(yīng)的催化劑可以作為工業(yè)制取硅單質(zhì)的中間物質(zhì)()的原料。

①分子的空間結(jié)構(gòu)為_______。

②S、P、的第一電離能由大到小的順序?yàn)開______。

(3)氟氣可以用于制取高化學(xué)穩(wěn)定性材料聚四氟乙烯的原料四氟乙烯，四氟乙烯含鍵的數(shù)目為_______

(4)工業(yè)上電解制取單質(zhì)鋁，常利用冰晶石降低的熔點(diǎn).F的電負(fù)性由小到大的順序?yàn)開______，工業(yè)上不用電解制取鋁的原因?yàn)開______。評(píng)卷人得分四、判斷題(共4題，共20分)20、第ⅠA族金屬元素的金屬性一定比同周期的第ⅡA族的強(qiáng)。(_______)A.正確B.錯(cuò)誤21、判斷正誤。

(1)雜化軌道只用于形成σ鍵或用于容納未參與成鍵的孤電子對(duì)____________

(2)分子中中心原子若通過sp3雜化軌道成鍵，則該分子一定為正四面體結(jié)構(gòu)____________

(3)NH3分子為三角錐形，N原子發(fā)生sp2雜化___________

(4)只要分子構(gòu)型為平面三角形，中心原子均為sp2雜化___________

(5)中心原子是sp1雜化的，其分子構(gòu)型不一定為直線形___________

(6)價(jià)層電子對(duì)互斥理論中，π鍵電子對(duì)數(shù)不計(jì)入中心原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)___________

(7)PCl3分子是三角錐形，這是因?yàn)镻原子是以sp2雜化的結(jié)果___________

(8)sp3雜化軌道是由任意的1個(gè)s軌道和3個(gè)p軌道混合形成的四個(gè)sp3雜化軌道___________

(9)凡中心原子采取sp3雜化的分子，其VSEPR模型都是四面體___________

(10)AB3型的分子空間構(gòu)型必為平面三角形___________

(11)分子中中心原子通過sp3雜化軌道成鍵時(shí)，該分子不一定為正四面體結(jié)構(gòu)___________

(12)雜化軌道只用于形成σ鍵或用于容納未參與成鍵的孤電子對(duì)___________

(13)NH3和CH4兩個(gè)分子中中心原子N和C都是通過sp3雜化軌道成鍵___________

(14)雜化軌道理論與VSEPR模型分析分子的空間構(gòu)型結(jié)果常常相互矛盾___________

(15)配位鍵也是一種靜電作用___________

(16)形成配位鍵的電子對(duì)由成鍵雙方原子提供___________A.正確B.錯(cuò)誤22、用銅作電纜、電線，主要是利用銅的導(dǎo)電性。(______)A.正確B.錯(cuò)誤23、判斷正誤。

(1)雜化軌道只用于形成σ鍵或用于容納未參與成鍵的孤電子對(duì)____________

(2)分子中中心原子若通過sp3雜化軌道成鍵，則該分子一定為正四面體結(jié)構(gòu)____________

(3)NH3分子為三角錐形，N原子發(fā)生sp2雜化___________

(4)只要分子構(gòu)型為平面三角形，中心原子均為sp2雜化___________

(5)中心原子是sp1雜化的，其分子構(gòu)型不一定為直線形___________

(6)價(jià)層電子對(duì)互斥理論中，π鍵電子對(duì)數(shù)不計(jì)入中心原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)___________

(7)PCl3分子是三角錐形，這是因?yàn)镻原子是以sp2雜化的結(jié)果___________

(8)sp3雜化軌道是由任意的1個(gè)s軌道和3個(gè)p軌道混合形成的四個(gè)sp3雜化軌道___________

(9)凡中心原子采取sp3雜化的分子，其VSEPR模型都是四面體___________

(10)AB3型的分子空間構(gòu)型必為平面三角形___________

(11)分子中中心原子通過sp3雜化軌道成鍵時(shí)，該分子不一定為正四面體結(jié)構(gòu)___________

(12)雜化軌道只用于形成σ鍵或用于容納未參與成鍵的孤電子對(duì)___________

(13)NH3和CH4兩個(gè)分子中中心原子N和C都是通過sp3雜化軌道成鍵___________

(14)雜化軌道理論與VSEPR模型分析分子的空間構(gòu)型結(jié)果常常相互矛盾___________

(15)配位鍵也是一種靜電作用___________

(16)形成配位鍵的電子對(duì)由成鍵雙方原子提供___________A.正確B.錯(cuò)誤評(píng)卷人得分五、計(jì)算題(共4題，共36分)24、K2S的晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示。其中K＋的配位數(shù)為___________，S2-的配位數(shù)為___________；若晶胞中距離最近的兩個(gè)S2-核間距為acm，則K2S晶體的密度為___________g·cm-3(列出計(jì)算式；不必計(jì)算出結(jié)果)。

25、已知鉬(Mo)的晶胞如圖所示，鉬原子半徑為apm，相對(duì)原子質(zhì)量為M，以NA表示阿伏加德羅常數(shù)的值。

(1)鉬晶體的堆積方式為_______________，晶體中粒子的配位數(shù)為________________。

(2)構(gòu)成鉬晶體的粒子是__________________，晶胞中所含的粒子數(shù)為___________。

(3)金屬鉬的密度為______________g·cm－3。26、(1)甲醛與新制懸濁液加熱可得磚紅色沉淀已知晶胞的結(jié)構(gòu)如圖所示：

①在該晶胞中，的配位數(shù)是___________。

②若該晶胞的邊長(zhǎng)為apm，則的密度為___________(只要求列算式，不必計(jì)算出數(shù)值，阿伏加德羅常數(shù)的值為)。

(2)砷化鎵為第三代半導(dǎo)體材料，晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示，砷化鎵晶體中最近的砷和鎵原子核間距為acm，砷化鎵的摩爾質(zhì)量為阿伏加德羅常數(shù)的值為則砷化鎵晶體的密度表達(dá)式是___________

(3)晶胞有兩個(gè)基本要素：①原子坐標(biāo)參數(shù)，表示晶胞內(nèi)部各原子的相對(duì)位置，基稀磁半導(dǎo)體的晶胞如圖所示，其中A處的原子坐標(biāo)參數(shù)為B處的原子坐標(biāo)參數(shù)為C處的原子坐標(biāo)參數(shù)為___________。

②晶胞參數(shù)，描述晶胞的大小和形狀，已知單晶的晶胞參數(shù)表示阿伏加德羅常數(shù)的值，則其密度為___________(列出計(jì)算式即可)。

(4)元素銅的單質(zhì)晶體中原子的堆積方式如圖甲所示；其晶胞特征如圖乙所示，原子之間相互位置關(guān)系的平面圖如圖丙所示。

若已知銅元素的原子半徑為dcm，相對(duì)原子質(zhì)量為M，代表阿伏加德羅常數(shù)的值，則該晶體的密度為___________(用含M、d、的代數(shù)式表示)。

(5)金屬鎳與鑭()形成的合金是一種良好的儲(chǔ)氫材料；其晶胞結(jié)構(gòu)如圖。

①儲(chǔ)氫原理：鑭鎳合金吸附解離為原子；H原子儲(chǔ)存在其中形成化合物。若儲(chǔ)氫后，氫原子占據(jù)晶胞中上下底面的棱心和面心，則形成的儲(chǔ)氫化合物的化學(xué)式為___________。

②測(cè)知鑭鎳合金晶胞體積為則鑭鎳合金的晶體密度為___________(列出計(jì)算式即可)。27、(1)晶胞有兩個(gè)基本要素：石墨一種晶胞結(jié)構(gòu)和部分晶胞參數(shù)如圖。原子坐標(biāo)參數(shù)描述的是晶胞內(nèi)原子間的相對(duì)位置。石墨晶胞中碳原子A、B的坐標(biāo)參數(shù)分別為A(0，0，0)、B(0，1，)，則C原子的坐標(biāo)參數(shù)為___________。

(2)鈷藍(lán)晶體結(jié)構(gòu)如下圖，該立方晶胞由4個(gè)Ⅰ型和4個(gè)Ⅱ型小立方體構(gòu)成，其化學(xué)式為___________，晶體中Al3＋占據(jù)O2-形成的___________(填“四面體空隙”或“八面體空隙”)。NA為阿伏加德羅常數(shù)的值，鈷藍(lán)晶體的密度為___________g·cm-3(列計(jì)算式)。

參考答案一、選擇題(共5題，共10分)1、A【分析】【分析】

由陰離子的結(jié)構(gòu)可知；X原子形成4個(gè)共價(jià)鍵；Y原子形成3個(gè)共價(jià)鍵、Z原子形成2個(gè)共價(jià)鍵，前四周期主族元素X、Y、Z、W的原子序數(shù)依次增大，化合物中所有原子都形成了8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，其中僅X、Y在同周期，則X為C元素、Y為N元素、Z為S元素、W為K元素。

【詳解】

A．電子層結(jié)構(gòu)相同的離子；核電荷數(shù)越大，離子半徑越小，則硫離子的離子半徑大于鉀離子，故A錯(cuò)誤；

B．硫單質(zhì)不溶于水；微溶于酒精；易溶于二硫化碳，故B正確；

C．N、C為同周期元素，同周期從左到右第一電離能呈增大趨勢(shì)，則第一電離能：N>C；故C正確；

D．氮元素與氧元素形成的氧化物有N2O、NO、N2O4、NO2、N2O3、N2O5；不止三種，故D正確；

故選：A。2、A【分析】【詳解】

A．根據(jù)電子排布式可知；該原子為C原子，化學(xué)性質(zhì)比較穩(wěn)定，不易形成離子鍵，A符合題意；

B．根據(jù)電子排布式可知，該原子為F原子，化學(xué)性質(zhì)活潑，容易得到電子變成F-；容易形成離子鍵，B不符合題意；

C．根據(jù)電子排布式可知，該原子為Mg原子，化學(xué)性質(zhì)活潑，容易失去電子變成Mg2+；容易形成離子鍵，C不符合題意；

B．根據(jù)電子排布式可知，該原子為Na原子，化學(xué)性質(zhì)活潑，容易失去電子變成Na+；容易形成離子鍵，D不符合題意；

故選擇A。3、D【分析】【分析】

【詳解】

A．根據(jù)洪特規(guī)則知，2p軌道上的兩個(gè)電子應(yīng)排在不同軌道上，6C的電子排布式1s22s22py2違反了洪特規(guī)則；A錯(cuò)誤；

B．價(jià)電子排布為5s25p1的元素最外層電子數(shù)為3；電子層數(shù)是5，最后一個(gè)電子排在p軌道，所以該元素位于第五周期第ⅢA族，是p區(qū)元素，B錯(cuò)誤；

C．選項(xiàng)所給電子排布式中；3p能級(jí)有10個(gè)電子，根據(jù)泡利不相容原理知，3p軌道最多排6個(gè)電子，C錯(cuò)誤；

D．根據(jù)構(gòu)造原理可知；能量由低到高的順序?yàn)椋?s2s2p3s3p4s3d4p5s4d5p6s4f5d6p7s等，則ns電子的能量一定高于(n-1)p電子的能量，D正確；

綜上所述答案為D。4、A【分析】【詳解】

A．第一電離能：是因?yàn)镸g的3s處于全滿狀態(tài)；能量低不容易失去一個(gè)電子；Al的最外層為3p1容易失去一個(gè)電子形成穩(wěn)定結(jié)構(gòu)，所以鋁的第一電離能比鎂低；故A錯(cuò)誤；

B．溶液顯酸性是因?yàn)榭梢耘c水中的結(jié)合成弱電解質(zhì)使水的電離平衡向電離的方向移動(dòng)，最終導(dǎo)致溶液中大于故B正確；

C．由于Cl原子價(jià)電子排布為當(dāng)兩個(gè)Cl原子結(jié)合為時(shí)，兩個(gè)原子的3p軌道通過“肩并肩”重疊，形成鍵；故C正確；

D．是由同主族元素形成的單質(zhì)；結(jié)構(gòu)和組成相似，相對(duì)分子質(zhì)量依次增大，范德華力依次增強(qiáng)，故D正確；

故答案選A。5、B【分析】【分析】

黑球位于頂點(diǎn)和面心，共4個(gè)，且八面體中心為金屬離子鐵，頂點(diǎn)為NH3配體，即[Fe(NH3)6]x+有4個(gè)。白球位于晶胞內(nèi)，共8個(gè)，且四面體中心為硼原子，頂點(diǎn)為氫原子，8個(gè)陰陽(yáng)離子之比為2:1。該物質(zhì)的化學(xué)式為[Fe(NH3)6](BH4)2；該物質(zhì)中Fe為+2價(jià)。

【詳解】

A．由上分析化學(xué)式為[Fe(NH3)6](BH4)2；A項(xiàng)錯(cuò)誤；

B．Fe的電子排布式為[Ar]3d64s2。+2價(jià)鐵為[Ar]3d6，其價(jià)電子排布為3d6；B項(xiàng)正確；

C．鐵配位數(shù)為6；硼的配位數(shù)為4，金屬離子與硼原子的配位數(shù)的個(gè)數(shù)比為3:2，C項(xiàng)錯(cuò)誤；

D．該物質(zhì)中存在配位鍵；離子鍵、共價(jià)鍵；D項(xiàng)錯(cuò)誤；

故選B。二、多選題(共7題，共14分)6、CD【分析】【分析】

【詳解】

A．鍵是由兩個(gè)p軌道“肩并肩”重疊形成；A項(xiàng)錯(cuò)誤；

B．通過鍵連接的原子或原子團(tuán)不能繞鍵軸旋轉(zhuǎn)；B項(xiàng)錯(cuò)誤；

C．鍵和鍵因軌道重疊程度不同；所以強(qiáng)度不同，C項(xiàng)正確：

D．乙烷分子中均為單鍵，單鍵均為鍵，乙烯分子中含碳碳雙鍵，雙鍵中有1個(gè)鍵和1個(gè)鍵；D項(xiàng)正確。

故選：CD。7、AD【分析】【分析】

【詳解】

A．晶胞中白色球、黑色球的個(gè)數(shù)分別為則晶胞中陰；陽(yáng)離子的個(gè)數(shù)都為4，A正確；

B．因?yàn)榫О嘘?、?yáng)離子的個(gè)數(shù)都為4，則晶胞的體積為cm3，晶胞的邊長(zhǎng)為因?yàn)閮蓚€(gè)距離最近的同種離子的核間距為晶胞面對(duì)角線長(zhǎng)度的一半，所以晶體中兩個(gè)距離最近的同種離子的核間距為B錯(cuò)誤；

C．由晶胞的結(jié)構(gòu)可知；陰；陽(yáng)離子的配位數(shù)都是6，C錯(cuò)誤；

D．由晶胞結(jié)構(gòu)可知；該晶胞可能為NaCl晶體的晶胞，D正確；

故選AD。8、BC【分析】【詳解】

A．基態(tài)S原子核外電子排布式為能級(jí)的軌道表示式為沒有空軌道，A錯(cuò)誤；

B．第四周期中，未成對(duì)電子數(shù)最多的原子的價(jià)層電子排布為為原子；B正確；

C．鐵為26號(hào)元素，基態(tài)的核外電子排布式為C正確；

D．能級(jí)有2個(gè)未成對(duì)電子，則該原子能級(jí)有2個(gè)或4個(gè)電子，價(jià)層電子排布為或D錯(cuò)誤；

故選BC。9、BC【分析】【分析】

短周期元素的原子序數(shù)依次減小，的單質(zhì)能與強(qiáng)堿反應(yīng)生成且基態(tài)原子的軌道上的電子總數(shù)比軌道上的電子總數(shù)少2個(gè)，為元素；與含有相同的電子數(shù)，為為的單質(zhì)能與強(qiáng)堿反應(yīng)生成再根據(jù)化學(xué)式中化合價(jià)代數(shù)和為零，則為據(jù)以上分析解答。

【詳解】

A．同一周期從左到右，原子半徑逐漸減小，同一主族，從上到下，原子半徑逐漸增大，所以原子半徑：故A正確；

B．的最高價(jià)氧化物為屬于耐高溫材料，不具有導(dǎo)光性，不可作光導(dǎo)纖維的材料，故B錯(cuò)誤；

C．二者雖然都屬于分子晶體，但水分子間存在氫鍵，沸點(diǎn)較高，而SiH4分子間沒有氫鍵，因此最簡(jiǎn)單氫化物的沸點(diǎn)：故C錯(cuò)誤；

D．和形成的常見化合物為水和雙氧水；常溫常壓下均為液體，故D正確；

故選BC。10、BD【分析】【分析】

離子與分子均含有14個(gè)電子，則X為C，Y為N；習(xí)慣上把電解飽和水溶液的工業(yè)生產(chǎn)稱為氯堿工業(yè)；則Z為Na，W為Cl。

【詳解】

A．同周期元素原子半徑隨核電荷數(shù)的增大半徑逐漸減小；故Na＞Cl，故A錯(cuò)誤；

B．同周期元素隨核電荷數(shù)的增大非金屬性逐漸增強(qiáng)，其最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)的水化物的酸性越強(qiáng)，故HNO3＞H2CO3；故B正確；

C．NaCN為強(qiáng)堿弱酸鹽；顯堿性，故C錯(cuò)誤；

D．(CN)2的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式為分子中單鍵為鍵，三鍵中含有1個(gè)鍵和2個(gè)鍵；故D正確；

故選BD。11、BD【分析】X原子2p軌道上有3個(gè)未成對(duì)電子，則X核外電子排布式是1s22s22p3，X是N元素；Y原子的價(jià)電子構(gòu)型為則Y是Cu元素；Q原子的最外層電子數(shù)是次外層電子數(shù)的3倍，則Q核外電子排布是2、6，所以Q是O元素；Z原子的核外電子總數(shù)等于Q原子的最外層電子數(shù)，則Z是6號(hào)C元素；T原子有1個(gè)3p空軌道，則T核外電子排布式是1s22s22p63s23p2；則T是Si元素，然后根據(jù)元素周期律及物質(zhì)性質(zhì)分析解答。

【詳解】

根據(jù)上述分析可知：X是N；Y是Cu，Z是C，Q是O，T是Si元素。

A．Y是Cu，Q是O，Cu、O兩種元素形成的化合物有Cu2O；CuO兩種；A正確；

B．Q是O；X是N，Z是C，它們是同一周期的元素，一般情況下，同一周期元素，原子序數(shù)越大，元素的第一電離能越大，但第VA的N元素的原子核外電子排布處于原子軌道的半充滿的穩(wěn)定狀態(tài)，其第一電離能大于同一周期相鄰元素，所以第一電離能大小關(guān)系為：X＞Q＞Z，B錯(cuò)誤；

C．同一周期元素；原子序數(shù)越大，其電負(fù)性越大；同一主族元素，原子序數(shù)越大，其電負(fù)性越小。Z是C，Q是O，二者是同一周期元素，T是Si，C；Si是同一主族元素，所以元素的電負(fù)性由大到小的順序?yàn)椋篞＞Z＞T，C正確；

D．Q是O，T是Si元素，二者形成的化合物為SiO2；Si原子與O原子之間以共價(jià)鍵結(jié)合形成立體網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，該物質(zhì)屬于共價(jià)晶體，D錯(cuò)誤；

故合理選項(xiàng)是BD。12、AC【分析】【詳解】

A．I2是分子晶體；加熱升華過程中，狀態(tài)發(fā)生變化，分子不變，只需克服分子間作用力，故A正確；

B．物質(zhì)的熔沸點(diǎn)與化學(xué)鍵無關(guān)，水的熔沸點(diǎn)比H2S高；是因?yàn)樗肿娱g存在氫鍵，故B錯(cuò)誤；

C．結(jié)構(gòu)相同的分子晶體中，物質(zhì)的熔沸點(diǎn)與其相對(duì)分子質(zhì)量成正比，所以隨著相對(duì)分子質(zhì)量的增加，鹵化物CX4分子間作用力逐漸增大；所以它們相應(yīng)的熔沸點(diǎn)也逐漸升高，故C正確；

D．二氧化硅是原子晶體；只存在化學(xué)鍵，不存在分子間作用力，則二氧化硅熔化時(shí)破壞共價(jià)鍵，故D錯(cuò)誤；

故選AC。三、填空題(共7題，共14分)13、略

【分析】【分析】

【詳解】

Fe、Co、Ni在周期表中的位置為第四周期第VIII族，基態(tài)Fe原子為26號(hào)元素，電子排布式為1s22s22p63s23p63d64s2或[Ar]3d64s2。【解析】第四周期第VIII族1s22s22p63s23p63d64s2或[Ar]3d64s214、略

【分析】【分析】

A；B、C、D四種元素的原子序數(shù)均小于18；其最高正價(jià)數(shù)依次為1，4，3，7，已知B的原子核外次外層電子數(shù)為2，則B是碳，A、C原子的核外次外層電子數(shù)為8，則A是鈉，C為鋁，D元素的最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)的水化物是已知含氧酸中最強(qiáng)酸，D為氯，據(jù)此解答。

（1）

A是鈉；B是碳，C是鋁，D是氯；

（2）

鈉原子最外層電子數(shù)為1，易失去電子，離子結(jié)構(gòu)示意圖是C為原子結(jié)構(gòu)示意圖是

（3）

C是鋁元素，最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)的水化物是A的最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)的水化物為D的最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)的水化物為離子方程式分別為

（4）

B是碳，D是氯，非金屬性大于非金屬性越強(qiáng)，氣態(tài)氫化物穩(wěn)定性越強(qiáng)；B、D的氣態(tài)氫化物穩(wěn)定性由強(qiáng)到弱的順序是＞【解析】（1）鈉碳鋁氯。

（2）

（3）Al(OH)3+OH-=AlO+2H2OAl(OH)3+3H+=Al3++3H2O

（4）HCl＞CH415、略

【分析】【詳解】

(1)原子序數(shù)為24，基態(tài)原子的的電子排布式：位于第六周期ⅡA，第五周期的稀有氣體Xe原子序數(shù)為54，則L的原子序數(shù)為56，為第四周期ⅦA，該周期稀有氣體原子序數(shù)為36，M原子序數(shù)為35，則M簡(jiǎn)化的電子排布式：

(2)A．位于元素周期表中第四周期第ⅠB族，屬于區(qū)元素；A錯(cuò)誤；

B．位于元素周期表中第四周期第ⅥB族，屬于區(qū)元素；B錯(cuò)誤；

C．位于元素周期表中第三周期第ⅡA族，屬于區(qū)元素；C正確；

D．位于元素周期表中第三周期第ⅦA族；屬于ｐ區(qū)元素，D錯(cuò)誤；

則關(guān)于元素在元素周期表中的位置的敘述正確的是C；

(3)A．同周期元素第一電離能從左到右有增大的趨勢(shì)，F(xiàn)即鎂元素電子排布有3S2全充滿結(jié)構(gòu)，第一電離能較高，高于Al元素，則第一電離能：F>G>E；A錯(cuò)誤；

B．同周期從左向右電負(fù)性增大，則電負(fù)性：D>C；B正確；

C．同周期主族元素，從左到右原子半徑逐漸減??；元素位于同主族時(shí)，核電荷數(shù)越大，電子層數(shù)越多，原子半徑越大。則原子半徑：BD．同周期從左向右非金屬性遞增，非金屬性越強(qiáng)，對(duì)應(yīng)最高價(jià)含氧酸的酸性越強(qiáng)，則最高價(jià)含氧酸的酸性：I>H；D正確；

則說法正確的是BD?！窘馕觥?6CBD16、略

【分析】【詳解】

獲得晶體有3個(gè)途徑：熔融態(tài)物質(zhì)凝固；氣態(tài)物質(zhì)冷卻不經(jīng)液態(tài)直接凝固(物理上稱為凝華)；溶質(zhì)從溶液中析出。(1)在表面皿上加少量冷水的作用是冷卻碘蒸氣；(2)觀察到的實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象是燒杯中充滿紫色的蒸氣，在表面皿上有紫黑色的晶體；(3)在表面皿上碘是晶體；(4)這種方法是凝華，制取晶體的方法還有熔融態(tài)物質(zhì)的凝固、結(jié)晶。【解析】①.冷卻碘蒸氣②.燒杯中充滿紫色的蒸氣，在表面皿上有紫黑色的晶體③.晶體④.凝華⑤.熔融態(tài)物質(zhì)的凝固⑥.結(jié)晶17、略

【分析】【分析】

由C、H、O的質(zhì)量比，可求出其最簡(jiǎn)式，再由與氫氣的相對(duì)密度，求出相對(duì)分子質(zhì)量，從而求出分子式；最后由“與小蘇打反應(yīng)放出CO2；也能使溴水褪色”的信息，確定所含官能團(tuán)的數(shù)目，從而確定其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式。

【詳解】

(1)由C、H、O的質(zhì)量比為12:1:16，可求出n(C):n(H):n(O)=1:1:1，其最簡(jiǎn)式為CHO；其蒸氣對(duì)氫氣的相對(duì)密度為58，則相對(duì)分子質(zhì)量為58×2=116；設(shè)有機(jī)物的分子式為(CHO)n，則29n=116，從而求出n=4，從而得出分子式為C4H4O4。答案為：C4H4O4；

(2)它能與小蘇打反應(yīng)放出CO2，則分子中含有-COOH，0.58g這種物質(zhì)能與50mL0.2mol/L的氫氧化鈉溶液完全反應(yīng)，則0.005mol有機(jī)物與0.01molNaOH完全反應(yīng)，從而得出該有機(jī)物分子中含有2個(gè)-COOH；該有機(jī)物也能使溴水褪色，由不飽和度為3還可確定分子內(nèi)含有1個(gè)碳碳雙鍵，從而確定其結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)式為HOOC-CH=CH-COOH或CH2=C(COOH)2。答案為：HOOC-CH=CH-COOH或CH2=C(COOH)2。

【點(diǎn)睛】

由分子式C4H4O4中C、H原子個(gè)數(shù)關(guān)系，與同數(shù)碳原子的烷烴相比，不飽和度為3。【解析】①.C4H4O4②.HOOC-CH=CH-COOH、CH2=C(COOH)218、略

【分析】【分析】

(1)滿足條件的是：由原子通過共價(jià)鍵構(gòu)成原子晶體的化合物；據(jù)此回答；

(2)受熱熔化后化學(xué)鍵不發(fā)生變化；則變化的是分子間作用力；故滿足條件的是分子晶體；

(3)含有共價(jià)鍵的離子晶體；那么離子化合物內(nèi)含有復(fù)雜離子，例如氫氧根離子；銨根離子、含氧酸根離子等，據(jù)此回答；

(4)熔融狀態(tài)下能導(dǎo)電的晶體是離子晶體及金屬晶體；據(jù)此回答；

【詳解】

(1)滿足條件的是：由原子通過共價(jià)鍵構(gòu)成原子晶體的化合物；硅的原子結(jié)構(gòu)決定了：氮化硅；二氧化硅晶體是由原子直接通過共價(jià)鍵形成的，故填A(yù)、I；

(2)原子晶體受熱熔化后；共價(jià)鍵被克服；離子晶體受熱熔化后，離子鍵被克服、金屬晶體受熱熔化后，金屬鍵被克服、受熱熔化后化學(xué)鍵不發(fā)生變化的只有分子晶體、則變化的是分子間作用力，故上述晶體中滿足條件的是固態(tài)氨和干冰；故填GH；

(3)含有共價(jià)鍵的離子晶體；那么離子化合物內(nèi)含有復(fù)雜離子，例如氫氧根離子；銨根離子、含氧酸根離子等，故上述晶體中滿足條件的是氫氧化鈉，故填E；

(4)熔融狀態(tài)下能導(dǎo)電的晶體是離子晶體及金屬晶體；上述晶體中離子晶體有氯化銫；生石灰、苛性鈉，金屬今天有銅；故填B、C、E、F。

【點(diǎn)睛】

構(gòu)成晶體的粒子、粒子之間的作用力共同決定了晶體類型，還可以通過性質(zhì)推測(cè)晶體類型?！窘馕觥緼、IG、HEB、C、E、F19、略

【分析】【分析】

【詳解】

(1)基態(tài)原子的核外電子排布式為則其L層電子排布式為基態(tài)P原子的價(jià)層電子排布為有3個(gè)未成對(duì)電子；的中心P原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為沒有孤電子對(duì)，原子軌道雜化方式為

(2)①中中心原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為無孤電子對(duì)，空間結(jié)構(gòu)為正四面體形；

②同周期元素的第一電離能從左到右呈增大趨勢(shì)，S、P、為同周期元素，由于P的軌道處于半充滿的較穩(wěn)定狀態(tài)，第一電離能大于同周期的相鄰元素，所以第一電離能由大到小的順序?yàn)?/p>

(3)四氟乙烯分子含4個(gè)C-F單鍵，一個(gè)C=C雙鍵，故1個(gè)四氟乙烯分子中含有5個(gè)鍵，則(即)四氟乙烯含鍵的數(shù)目為

(4)元素的電負(fù)性隨元素的非金屬性增強(qiáng)而增大，隨元素的金屬性減弱而增大，故F的電負(fù)性由小到大的順序?yàn)楣I(yè)上不用電解制取鋁的原因?yàn)槭枪矁r(jià)化合物，在熔融狀態(tài)下不會(huì)電離出自由移動(dòng)的陰、陽(yáng)離子，即熔融狀態(tài)不導(dǎo)電?！窘馕觥?正四面體形是共價(jià)化合物，在熔融狀態(tài)下不會(huì)電離出自由移動(dòng)的陰、陽(yáng)離子，即熔融狀態(tài)不導(dǎo)電四、判斷題(共4題，共20分)20、A【分析】【詳解】

同周期從左到右；金屬性減弱，非金屬性變強(qiáng)；同主族由上而下，金屬性增強(qiáng)，非金屬性變?nèi)?；故第ⅠA族金屬元素的金屬性一定比同周期的第ⅡA族的強(qiáng)。

故正確；21、B【分析】【分析】

【詳解】

(1)雜化軌道只用于形成σ鍵或用于容納未參與成鍵的孤電子對(duì)；正確；

(2)分子中中心原子若通過sp3雜化軌道成鍵；則該分子正四面體結(jié)構(gòu)或三角錐形或折線形，錯(cuò)誤；

(3)NH3分子為三角錐形，N原子發(fā)生sp3雜化；錯(cuò)誤；

(4)只要分子構(gòu)型為平面三角形，中心原子均為sp2雜化；正確；

(5)中心原子是sp1雜化的；其分子構(gòu)型一定為直線形，錯(cuò)誤；

(6)價(jià)層電子對(duì)互斥理論中；π鍵電子對(duì)數(shù)不計(jì)入中心原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)，正確；

(7)PCl3分子是三角錐形，這是因?yàn)镻原子是以sp3雜化的結(jié)果且沒有孤電子對(duì)；錯(cuò)誤；

(8)sp3雜化軌道是由中心原子的1個(gè)s軌道和3個(gè)p軌道混合形成的四個(gè)sp3雜化軌道；錯(cuò)誤；

(9)凡中心原子采取sp3雜化的分子；其VSEPR模型都是四面體，正確；

(10)AB3型的分子空間構(gòu)型為平面三角形或平面三角形；錯(cuò)誤；

(11)分子中中心原子通過sp3雜化軌道成鍵時(shí)；該分子正四面體結(jié)構(gòu)或三角錐形或折線形，正確；

(12)雜化軌道只用于形成σ鍵或用于容納未參與成鍵的孤電子對(duì)；正確；

(13)NH3和CH4兩個(gè)分子中中心原子N和C都是通過sp3雜化軌道成鍵；正確；

(14)雜化軌道理論與VSEPR模型分析分子的空間構(gòu)型結(jié)果不矛盾；錯(cuò)誤；

(15)配位鍵也是一種靜電作用；正確；

(16)形成配位鍵的電子對(duì)由一個(gè)原子提供，另一個(gè)原子提供空軌道，錯(cuò)誤。22、A【分析】【詳解】

因?yàn)殂~具有良好的導(dǎo)電性，所以銅可以用于制作電纜、電線，正確。23、B【分析】【分析】

【詳解】

(1)雜化軌道只用于形成σ鍵或用于容納未參與成鍵的孤電子對(duì)；正確；

(2)分子中中心原子若通過sp3雜化軌道成鍵；則該分子正四面體結(jié)構(gòu)或三角錐形或折線形，錯(cuò)誤；

(3)NH3分子為三角錐形，N原子發(fā)生sp3雜化；錯(cuò)誤；

(4)只要分子構(gòu)型為平面三角形，中心原子均為sp2雜化；正確；

(5)中心原子是sp1雜化的；其分子構(gòu)型一定為直線形，錯(cuò)誤；

(6)價(jià)層電子對(duì)互斥理論中；π鍵電子對(duì)數(shù)不計(jì)入中心原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)，正確；

(7)PCl3分子是三角錐形，這是因?yàn)镻原子是以sp3雜化的結(jié)果且沒有孤電子對(duì)；錯(cuò)誤；

(8)sp3雜化軌道是由中心原子的1個(gè)s軌道和3個(gè)p軌道混合形成的四個(gè)sp3雜化軌道；錯(cuò)誤；

(9)凡中心原子采取sp3雜化的分子；其VSEPR模型都是四面體，正確；

(10)AB3型的分子空間構(gòu)型為平面三角形或平面三角形；錯(cuò)誤；

(11)分子中中心原子通過sp3雜化軌道成鍵時(shí)；該分子正四面體結(jié)構(gòu)或三角錐形或折線形，正確；

(12)雜化軌道只用于形成σ鍵或用于容納未參與成鍵的孤電子對(duì)；正確；

(13)NH3和CH4兩個(gè)