《模擬電子技術(shù)》課件-PN結(jié)特性

模擬電子技術(shù)半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識（1）PN結(jié)外加正向電壓正偏時內(nèi)電場減弱，空間電荷區(qū)變窄，PN結(jié)呈低阻，多子擴(kuò)散為主形成的正向電流

IF較大。

正偏時PN結(jié)導(dǎo)通（2）PN結(jié)外加反向電壓反偏時內(nèi)電場增強(qiáng)，空間電荷區(qū)變寬，PN結(jié)呈高阻，以少子漂移為主的反向電流

IR很小，與反偏電壓大小無關(guān)

反偏時PN結(jié)截止PN結(jié)的導(dǎo)電性三、PN結(jié)P區(qū)接電源的正極N區(qū)接負(fù)極，正向偏置Forword簡稱正偏正向電流IF內(nèi)電場EP區(qū)接電源的負(fù)極N區(qū)接正極，反向偏置Reverse簡稱反偏正偏導(dǎo)通，反偏截止。PN結(jié)單向?qū)щ娦苑聪螂娏鱅R反向飽和電流IS很小伏安特性方程為三、PN結(jié)3.PN結(jié)的伏安特性i:PN結(jié)的電流IS

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PN結(jié)的反向飽和電流u:加在PN結(jié)兩段的電壓UT：為溫度的電壓當(dāng)量當(dāng)T=300K時，PN結(jié)反向擊穿當(dāng)加于PN結(jié)的反向電壓增大到一定數(shù)值UBR(ReverseBreakdown)時，反向電流突然急劇增加，這種現(xiàn)象稱為PN結(jié)的反向擊穿,特性方程不能描述

擊穿類型熱擊穿、電擊穿正偏反偏反向擊穿區(qū)零偏u=0時，零偏i=0；u

>0時，正偏，指數(shù)規(guī)律變化u

<0時，反偏i

–IS；三、PN結(jié)3.PN結(jié)的伏安特性PN結(jié)反向擊穿特性擊穿類型：電擊穿熱擊穿電擊穿分為：齊納擊穿和雪崩擊穿：齊納擊穿：(ZenerBreakdown)高摻雜時，耗盡層窄，較小的反向電壓便可產(chǎn)生很強(qiáng)反向電場，將電子強(qiáng)行拉出共價鍵。產(chǎn)生大量電子空穴對(擊穿電壓<6V，負(fù)溫度系數(shù))雪崩擊穿：(AvalanceBreakdown)低摻雜，耗盡層寬，當(dāng)反向電壓大時反向電場使電子加速，動能增大，撞擊使自由電子數(shù)突增。(擊穿電壓>6V，正溫度系數(shù))—PN結(jié)未損壞，斷電即恢復(fù)。—PN結(jié)燒毀,不可逆無論哪種電擊穿，只要電流不超過額定范圍，就可以被人們利用，如穩(wěn)壓管三、PN結(jié)4.PN結(jié)的電容效應(yīng)（1）勢壘電容

CB：Barrier勢壘空間電荷區(qū)的寬度隨反偏電壓變化的等效電容?？梢灾瞥勺?nèi)荻O管PN結(jié)中的電荷量隨外加反向電壓變化而改變。（2）擴(kuò)散電容

CD：Diffusion擴(kuò)散電容是由多子在擴(kuò)散過程中積累引起的。正偏時，P區(qū)內(nèi)的PN結(jié)邊緣有電子積累，N區(qū)內(nèi)的PN結(jié)邊緣有空穴積累，正偏電壓增大相當(dāng)于充電，反之減小時相當(dāng)于放電。正偏時顯著反偏時顯著+

URP區(qū)N區(qū)P