半導(dǎo)體清洗設(shè)備行業(yè)深度研究報(bào)告

1.清洗設(shè)備：清洗步驟貫穿芯片生產(chǎn)各環(huán)節(jié)，濕法清洗為主 1.1清洗步驟貫穿芯片生產(chǎn)各環(huán)節(jié)，是芯片良率重要保障 51.2濕法清洗是主流清洗技術(shù)路線 6 6 71.3單片清洗良率高，是目前主流清洗設(shè)備 92.半導(dǎo)體設(shè)備進(jìn)入上行周期，先進(jìn)工藝為清洗設(shè)備帶來新增長點(diǎn) 2.1半導(dǎo)體市場景氣高漲，資本開支上行帶動(dòng)設(shè)備市場高成長 2.2大陸晶圓產(chǎn)能占比持續(xù)提高，有望帶動(dòng)國產(chǎn)設(shè)備需求成長 112.3清洗設(shè)備市場空間大，單片設(shè)備將長期占據(jù)主體地位 2.4先進(jìn)工藝為清洗設(shè)備增添新增長機(jī)遇 3.1日系廠商領(lǐng)跑清洗設(shè)備，國內(nèi)廠商替代進(jìn)展順利 3.2大基金二期加大設(shè)備投資，國產(chǎn)替代進(jìn)程有望加速 4.1至純科技：清洗賽道佼佼者，清洗設(shè)備步入加速成長期 4.2盛美股份：國內(nèi)半導(dǎo)體清洗設(shè)備領(lǐng)跑者 4.3北方華創(chuàng)：國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備龍頭，兼具單片和槽式清洗設(shè)備 5圖2：清洗步驟在晶圓制造過程中占比33% 6 6 9 9 11 圖13：東京電子預(yù)測單片清洗將長期占據(jù)主要份額 圖16：全球半導(dǎo)體清洗設(shè)備市場企業(yè)競爭格局（2020年） 圖17：大基金一期各細(xì)分行業(yè)投入占比 7表3：半導(dǎo)體主要清洗技術(shù) 8 9表5：位于大陸的晶圓廠及其基本情況 表6：主要半導(dǎo)體廠商在大陸擴(kuò)產(chǎn)情況 表7：國內(nèi)清洗設(shè)備廠商進(jìn)展 表8：大基金二期最新投資概況 表9：至純科技主要清洗機(jī)的類型 1.清洗設(shè)備：清洗步驟貫穿芯片生產(chǎn)各環(huán)節(jié)，濕法清洗為主流技術(shù)清洗是半導(dǎo)體制程的重要環(huán)節(jié)，也是影響半導(dǎo)體器件良率的最重要的因素之一。清洗是晶圓加工制造過程中的重要一環(huán)，為了最大限度降低雜質(zhì)對芯片良率的影響，在實(shí)際生產(chǎn)過程中不僅需要確保高效的單次清洗，還需要在幾乎所有的制程前后都進(jìn)行頻繁的清洗，在單晶硅片制造、光刻、刻蝕、沉積等關(guān)鍵制程工藝中均為必要環(huán)節(jié)。1)硅片制造過程中，經(jīng)過拋光處理后的硅片，需要通過清洗過程來確保其表面的平整度和性能，進(jìn)而提升在后續(xù)工藝中的良率。2)晶圓制造過程中，晶圓經(jīng)過光刻、刻蝕、離子注入、去膠、成膜以及機(jī)械拋光等關(guān)鍵工序前后都需要進(jìn)行清洗，以去除晶圓沾染的化學(xué)雜質(zhì)，減少缺陷率，提高良率。3)芯片封裝過程中，芯片需要根據(jù)封裝工藝進(jìn)行TSV(硅穿孔)清洗、UBM/RDL(凸點(diǎn)底層金屬/薄膜再分布技術(shù))清洗以及健合清洗等。硅片在進(jìn)入每道工序之前表面必須是潔凈的，需經(jīng)過重復(fù)多次的清洗步驟，除去表面的污染物。芯片制造需要在無塵室中進(jìn)行，在芯片的制造過程中，任何的沾污現(xiàn)象都將影響芯片上器件的正常功能。沾污雜質(zhì)具體指半導(dǎo)體制造過程中引入的任何危害芯片成品率以及電學(xué)性能的物質(zhì)。具體的沾污物包括顆粒、有機(jī)物、金屬和自然氧化層等，此類污染物包括從環(huán)境、其他制造工藝、刻蝕副產(chǎn)物、研磨液等。上述沾污雜質(zhì)如果不及時(shí)清理均可能導(dǎo)致后續(xù)工藝的失敗，導(dǎo)致電學(xué)失效，最終會(huì)造成芯片報(bào)廢。環(huán)境因素，其他工藝過程中產(chǎn)生影響后續(xù)光刻、干法刻蝕工藝，導(dǎo)致器件短路環(huán)境因素影響后續(xù)氧化、沉積工藝，導(dǎo)致器件電性失效金屬污染環(huán)境因素，其他工藝過程中產(chǎn)生影響后續(xù)氧化工藝，導(dǎo)致器件電性失效環(huán)境因素，干法刻蝕副產(chǎn)物影響后續(xù)沉積工藝，導(dǎo)致器件電性失效犧牲層氧化/沉積工藝影響后續(xù)特定工藝，導(dǎo)致器件電性失效拋光殘留物研磨液影響后續(xù)特定工藝，導(dǎo)致器件電性失效清洗步驟數(shù)量是芯片制造工藝步驟占比最大的工序，約占所有芯片制造工序步驟的30%芯片工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)進(jìn)入28nm、14nm以及更先進(jìn)等級(jí)后，工藝流程的延長且越趨復(fù)雜，產(chǎn)線成品率也會(huì)隨之下降。造成這種現(xiàn)象的一個(gè)原因就是先進(jìn)制程對雜質(zhì)的敏感度更高，小尺寸污染物的高效清洗更困難。解決的方法主要是增加清洗步驟。每個(gè)晶片在整個(gè)制造過程中需要甚至超過200道清洗步驟，晶圓清洗變得更加復(fù)雜、重要及富有挑戰(zhàn)性。33.0%33.0%67.0%清洗步驟其他步驟資料來源：盛美半導(dǎo)體、安信證券研究中心資料來源：盛美半導(dǎo)體、安信證券研究中心用溶液、酸堿、表面活性劑、水及其混合物，通過腐蝕、溶解、化學(xué)反應(yīng)等方法，使硅片表面的雜質(zhì)與溶劑發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成可溶性物質(zhì)、氣體或直接脫落，以獲得滿足潔凈度要求的硅片。干法清洗是指不依賴化學(xué)試劑的清洗技術(shù)，包括等離子體清洗、氣象清洗等。濕法清洗采用液體化學(xué)試劑和DI水氧化、蝕刻和溶解晶片表面污染物、有機(jī)物及金屬離子污染。通常采用的濕法清洗有RCA清洗法、稀釋化學(xué)法、IMEC清洗法和單晶片清洗1)RCA通用清洗法：RCA清洗法依靠溶劑、酸、表面活性劑和水，在不破壞晶圓表面特征的情況下通過噴射、凈化、氧化、蝕刻和溶解晶片表面污染物、有機(jī)物及金屬離子污染。在每次使用化學(xué)品后都要在超純水（UPW）中徹底清洗。AMP(SC1清洗液)HPM(SC2清洗液)SPM(SC3清洗液)稀釋氫氟酸溶液UPW(DI水)HF:DHFl:H20=1:2:10以氧化和微蝕刻來底切和去除表面顆粒；也可以去除輕微有機(jī)污染物及部分金屬化合物。但硅氧化和蝕刻的同時(shí)會(huì)發(fā)生表面可溶解堿金屬離子和鋁、鐵及鎂之氫氧化物，另外鹽酸中氯離子與殘留金屬離子發(fā)生絡(luò)合反應(yīng)形成易溶于水溶液的絡(luò)合物，可以硅的底層去除金屬污染物。典型的用于去除有機(jī)污染物的清洗液，硫酸可以使有機(jī)物脫水而碳化，而雙氧水可以將碳化產(chǎn)物氧化成一氧化碳或二氧化主要用于從特殊區(qū)域去除氧化物、蝕刻硅二氧化物及硅氧化物，減少表面金屬。UPW采用臭氧化的水稀釋化學(xué)品以及化學(xué)清洗后晶片的沖洗2)化學(xué)稀釋法：在RCA清洗的基礎(chǔ)上，對SC1、SC2混合物采用稀釋化學(xué)法可以大量節(jié)約化學(xué)品及DI水的消耗量。并且SC2混合物中的H2O2可以完全去掉。稀釋APMSC2混合物（1:1:50）可以有效地從晶片表面去除顆粒和碳?xì)浠衔?。?qiáng)烈稀釋HPM混合物（1:1:60）和稀釋HCI（1:100）在清除金屬時(shí)可以像標(biāo)準(zhǔn)SC2液體一樣有效。采用稀釋HCI溶液的另外一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是，在低HCI濃度下顆粒不清洗法可以使全部化學(xué)品消耗減少86%可以降低槽中溶液使用溫度，并優(yōu)化了各種清洗步驟的時(shí)間，因此導(dǎo)致槽中溶液壽命加長，使化學(xué)品消耗量減少80-90%。實(shí)驗(yàn)證明采用熱的UPW代替涼的UPW可以使UPW消耗量減少75-80%。此外，多種稀釋化學(xué)液體由于低流速或清洗時(shí)間的要求可①第一步，去除有機(jī)污染物，生成一薄層化學(xué)氧化物以便有效去除顆粒。通常采用硫②第二步，去除氧化層，同時(shí)去除顆粒和金屬氧化物。溶液時(shí)會(huì)沉積到Si表面。其沉積過程是一個(gè)電化學(xué)過程，在光照條件下，銅的表③第三步，在硅表面產(chǎn)生親水性，以保證干燥時(shí)不產(chǎn)生干燥斑點(diǎn)或水印。通常采用稀釋HCL/O3混合物，在低pH值下使硅表面產(chǎn)生親水性，同時(shí)避免再發(fā)生金屬污染，并且在最后沖洗過程中增加EQ\*jc3\*hps31\o\al(\s\up0(HNO),3)的濃度以減少Ca表面污染。4)單晶片清洗：大直徑晶片的清洗采用上述方法不好保證其清洗過程的完成，通常采用單晶片清洗法。其清洗過程是在室溫下重復(fù)利用DI-O3/DHF清洗液，臭氧化的DI水（DI-O3）產(chǎn)生氧化硅，稀釋的HF蝕刻氧化硅，同時(shí)清除顆粒和金屬污染物。根據(jù)蝕刻和氧化的要求采用較短的噴淋時(shí)間就可獲得好的清洗效果，不會(huì)發(fā)生交叉污染。最后沖洗不是采用DI水就是采用臭氧化的DI水。為了避免水漬，采用濃縮大量氮?dú)獾漠惐掖迹↖PA）進(jìn)行干燥處理。單晶片清洗具有或者比改良的RCA清洗更好的清洗效果，清洗過程中采用DI水及HF的再循環(huán)利用，降低化學(xué)品的消耗量，提高晶片成本干法清洗采用氣相學(xué)法去除晶片表面污染物。氣相化學(xué)法主要有熱氧化法和等離子清洗法，清洗過程就是將熱化學(xué)氣體或等離子態(tài)反應(yīng)氣體導(dǎo)入反應(yīng)室，反應(yīng)氣體與晶片表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成易揮發(fā)性反應(yīng)產(chǎn)物被真空抽去。在CI包容環(huán)境中退火是一種典型的熱氧化過程，在氧化爐中進(jìn)行，氬（Ar）濺射通常在濺射淀積前現(xiàn)場進(jìn)行。干法清洗的優(yōu)點(diǎn)在于清洗后無廢液，可有選擇性的進(jìn)行局部處理。另外，干法清洗蝕刻的各向異性有利于細(xì)線條和幾何特征的形成。但氣相化學(xué)法無法有選擇性的只與表面金屬污染物反應(yīng)，都不可避免的與硅表面發(fā)生反應(yīng)。各種揮發(fā)性金屬混合物蒸發(fā)壓力不同，在低溫下各種金屬揮發(fā)性不同，所以在一定的溫度、時(shí)間條件下，不能將所有金屬污染物完全去除，因此干法清洗不能完全取代濕法清洗。實(shí)驗(yàn)證明，氣相化學(xué)法可按要求的標(biāo)準(zhǔn)減少的金屬污染物有鐵、銅、鋁、鋅、鎳等，另外，鈣在低溫下采用基于CL離子的化學(xué)法也可有效揮發(fā)。工藝過程中通常采用干、濕法相結(jié)合的清洗方式。溶液浸泡法機(jī)械刷洗法二流體清洗超聲波清洗兆聲波清洗批式旋轉(zhuǎn)噴等離子清洗束流清洗化學(xué)藥液去離子水化學(xué)溶劑加超化學(xué)溶劑加超高壓噴淋去離子水或清洗液氧氣等離子體化學(xué)試劑的氣相等效物高能束流狀物質(zhì)主要用于槽式清洗設(shè)備，將待清洗晶圓放入溶液中浸泡，通過溶液與晶圓表面及雜質(zhì)的化學(xué)反應(yīng)達(dá)到去除污染物的目的。主要配臵包括專用刷洗器，配合去離子水利用刷頭與晶圓表面的摩擦力以達(dá)到去除顆粒一種精細(xì)化的水氣二流體霧化噴嘴，在噴嘴的兩端分別通入液體介質(zhì)和高純氮?dú)?，使用高純氮?dú)鉃閯?dòng)力，輔助液體微霧化成極微細(xì)的液體粒子被噴射至晶圓表面，從而達(dá)到去在20-40kHz超聲波下清洗，內(nèi)部產(chǎn)生空腔泡，泡消失時(shí)將表面雜質(zhì)解吸。與超聲波清洗類似，但用1-3MHz工藝頻率清洗腔室配臵轉(zhuǎn)盤，可一次裝載至少兩個(gè)晶圓盒，在旋轉(zhuǎn)過程中通過液體噴柱不斷向圓片表面噴淋液體去除圓片表面雜質(zhì)。在強(qiáng)電場作用下，使氧氣產(chǎn)生等離子體，迅速使光刻膠氣化成為可揮發(fā)性氣體狀態(tài)物質(zhì)利用液體工藝中對應(yīng)物質(zhì)的汽相等效物與圓片表面的沾污物質(zhì)相互作用。利用高能量的呈束流狀的物質(zhì)流與圓片表面的沾污雜質(zhì)發(fā)生相互作用而達(dá)到清除圓片表應(yīng)用廣泛，針對不同的雜質(zhì)可選用不同的化學(xué)藥液；產(chǎn)能高，同時(shí)可進(jìn)行多片晶圓浸泡工藝；成本低，分?jǐn)傇诿科A上的化學(xué)品消耗少；容易造成晶圓之間的交叉污染成本低，工藝簡單，對微米級(jí)的大顆粒去除效果好；清洗介質(zhì)一般為水，應(yīng)用受到局限；易對晶圓造成損傷。一般用于機(jī)械拋光后大顆粒的去除和背面顆粒的效率高，廣泛用于輔助顆粒去除的清洗步驟中；對精細(xì)晶圓圖形結(jié)構(gòu)有損傷的風(fēng)險(xiǎn)，且對小尺寸顆粒去除能清除晶圓表面附著的大塊污染和顆粒；易造成晶圓對小顆粒去除效果優(yōu)越，在高深寬比結(jié)構(gòu)清洗中優(yōu)勢明顯，精確控制空穴氣泡后，兆聲波也可應(yīng)用于精細(xì)晶圓圖形結(jié)構(gòu)的清洗；造價(jià)較高。與傳統(tǒng)的槽式清洗相比，化學(xué)藥液的使用量更低；機(jī)臺(tái)占地面積小；化學(xué)藥液之間存在交叉污染風(fēng)險(xiǎn)，若單一晶圓產(chǎn)生碎片，整個(gè)清洗腔室內(nèi)所有晶圓均有報(bào)工藝簡單、操作方便、壞境友好、表面干凈無劃傷；較難控制、造價(jià)較高。化學(xué)品消耗少，清洗效率高；但不能有效去除金屬污染物；較難控制、造價(jià)較高。技術(shù)較新，清洗液消耗少、避免二次污染；較難控在濕法清洗的技術(shù)路線下，清洗設(shè)備可以分為單片清洗設(shè)備、槽式清洗設(shè)備、批式旋轉(zhuǎn)噴淋清洗設(shè)備和洗刷器等，其中單片和槽式清洗設(shè)備是目前主流的清洗設(shè)備。單片清洗是將每一片晶圓送至各個(gè)腔體進(jìn)行單獨(dú)噴淋式清洗，這樣容易控制清洗質(zhì)量，也可以提高單片晶圓不同位臵的清洗均勻度，但是缺點(diǎn)是清洗效率低下。槽式清洗是將多片晶圓（100-200片）放入清洗槽中，集中起來清洗，此類清洗設(shè)備效率高且成本底，但是缺點(diǎn)是濃度較難控制，可能產(chǎn)生交叉污染。目前，單片清洗在集成電路制造的先進(jìn)工藝中已逐步取代槽式清洗成為主流，主要原因包括1）單片清洗能夠提供更好的工藝控制，提高產(chǎn)品良率2）在更大尺寸的晶圓和更先進(jìn)的工藝對于雜質(zhì)更敏感，槽式清洗出現(xiàn)交叉污染會(huì)危及整批晶圓的良率，會(huì)帶來高成本的芯片返工支出3）單片槽式組合清洗技術(shù)的出現(xiàn)，可以在提高清洗能力及效率的同時(shí)，減少硫酸的使用量，幫助客戶有效降低成本。應(yīng)用特點(diǎn)應(yīng)用特點(diǎn)極高的工藝環(huán)境控制能力與微粒去除能力，可有效解決晶圓之間交叉污染的問題；每個(gè)清洗腔體內(nèi)每次只能清洗單片晶圓，產(chǎn)能較低清洗產(chǎn)能高，適合大批量生產(chǎn)；但顆粒，濕法刻蝕速度控制差；交叉污染風(fēng)險(xiǎn)大產(chǎn)能較高，清洗精度較高，并可大幅降低濃硫酸使用量；產(chǎn)品造價(jià)較高難，晶圓碎片后整個(gè)清洗腔室內(nèi)所有晶圓均有報(bào)廢風(fēng)險(xiǎn)旋轉(zhuǎn)噴淋，兆聲波清洗，二流體清洗，機(jī)械刷洗等溶液浸泡，兆聲波清溶液浸泡+旋轉(zhuǎn)噴淋組合清洗旋轉(zhuǎn)噴淋槽式清洗設(shè)備組合式清洗設(shè)批式旋轉(zhuǎn)噴淋設(shè)備種類單片清洗設(shè)備技術(shù)難度很高高很高高2.半導(dǎo)體設(shè)備進(jìn)入上行周期，先進(jìn)工藝為清洗設(shè)備帶來新增長點(diǎn)年盡管受到疫情的影響，全球半導(dǎo)體市場規(guī)模依然同比增長6.8%，達(dá)到了4404億美元，預(yù)計(jì)2021年、2022年全球半導(dǎo)體市場規(guī)模分別為5272億美元、5734億美元，同比分別增長19.7%、8.8%。從分地區(qū)來看，亞太市場規(guī)模增速高于全球平均，分別為23.5%、9.2%，在全球市場的占比分別為63%、64%。亞太地區(qū)分立器件半導(dǎo)體光電子器件傳感器模擬電路微型電路邏輯電路存儲(chǔ)電路半導(dǎo)體廠商的資本開支提高將帶動(dòng)設(shè)備市場規(guī)模高成長，根據(jù)SEMI統(tǒng)計(jì)，全球半導(dǎo)體設(shè)備市場規(guī)模從2013年的318億美元增長至2020年的712億美元，年復(fù)合增長率達(dá)12.21%，2020年實(shí)現(xiàn)同比增長19.15%。預(yù)計(jì)2021年全球半導(dǎo)體設(shè)備市場規(guī)模將增至年復(fù)合增長率高達(dá)27.70%，遠(yuǎn)超全球市場增速。全球半導(dǎo)體設(shè)備市場規(guī)模（億美元）全球半導(dǎo)體設(shè)備市場規(guī)模（億美元）全球半導(dǎo)體設(shè)備市場規(guī)模YoY（%，右軸）40.00%95330.00%25.00%20.00%15.00%10.00%3185.00%0.00%-5.00%-10.00%20132015201720192021E8006004002000645.3566.2597.5412.435.00%712中國半導(dǎo)體設(shè)備市場規(guī)模（億美元）中國半導(dǎo)體設(shè)備市場規(guī)模（億美元）中國半導(dǎo)體設(shè)備市場規(guī)模YoY（%，右軸）402002013201420152016201720182019202070.00%60.00%50.00%40.00%30.00%20.00%10.00%0.00%64.1649.1642.4933.0725.37201282.3200在國家政策的大力扶持以及行業(yè)景氣高漲的帶動(dòng)下，大陸半導(dǎo)體企業(yè)紛紛提高資本開在全球占比為15.3%。ICInsights進(jìn)一步指出，隨著半導(dǎo)體制造硅晶圓產(chǎn)能持續(xù)向中國轉(zhuǎn)移，預(yù)計(jì)到2025年產(chǎn)能占比將增加至18%，是唯一一個(gè)在2020年至2025年期間產(chǎn)能占中國臺(tái)灣,444.8,21%其他,184.7,9%歐洲,中國臺(tái)灣,444.8,21%北美,262.3,13%韓國,425.3,20%中國大陸,318.4,晶圓產(chǎn)能（萬片/月）及其在全球占比（%）廠，其中中國大陸及中國臺(tái)灣各有8個(gè)晶圓新廠建設(shè)方案，其次是美洲6個(gè)，歐洲/中東3個(gè)，日本和韓國各2個(gè)，未來幾年這29座晶圓廠的設(shè)備支出預(yù)計(jì)將超過1400億美元。中國大陸在半導(dǎo)體廠投資規(guī)劃較大，有望大幅帶動(dòng)上游國產(chǎn)設(shè)備需求。中芯國際SN1武漢新芯長江存儲(chǔ)武漢弘芯晉華集成合肥長鑫晶合集成聯(lián)芯集成海力士AOS積塔半導(dǎo)體德淮半導(dǎo)體矽力杰產(chǎn)能（萬片/月）2+6 制程產(chǎn)品65nm~28nmFinFET90-10nmCMOS55-28nmCMOS20nm-14nmCMOSDRAM/NANDDRAM/NAND14~65nm，成熟工藝和RF32-20nmDRAM19nmDRAM65nmLCD驅(qū)動(dòng)40-28nmCMOS16nm20-10nmNAND20-10nmNAND90-40DRAM45-25nmDRAM功率器件相變存儲(chǔ)器CIS，CMOS90-65nm特色工藝60-40nmNand12英寸DSP，ADC等等研發(fā)中設(shè)備搬入運(yùn)行中運(yùn)行中運(yùn)行中在建中停工運(yùn)行停擺中在建中在建中擴(kuò)產(chǎn)簡介2017年8月份，香港經(jīng)濟(jì)日報(bào)旗下經(jīng)濟(jì)通報(bào)道稱，三星電子將投資70億美元于中國半導(dǎo)體工廠，以應(yīng)付對智能手機(jī)及其他設(shè)備對NAND芯片的需求。三星電子表示，該筆資金會(huì)分3年投資在西安工廠。將在南京投資28億美元建設(shè)新的生產(chǎn)線，在2023年之前提高產(chǎn)能，以滿足日益增長的28nm汽車芯片的需求。2021年12英寸月產(chǎn)能將擴(kuò)充1萬片，8英寸月產(chǎn)能將擴(kuò)充4.5萬片。2021年3月，公司宣布斥資153億元在深圳建立一座12英寸晶圓廠。2020年7月，公司與北京開發(fā)區(qū)管委會(huì)簽署協(xié)議，共同成立合資企業(yè)從事發(fā)展及運(yùn)營聚焦于生產(chǎn)28nm及以上集成電路項(xiàng)目，該項(xiàng)目首期計(jì)劃投資76億美元。2018年，公司旗下子公司SKhynixSystemIC與無錫產(chǎn)業(yè)集團(tuán)合資3.5億美元成立子公司，并建8英寸晶圓代工廠，項(xiàng)目投產(chǎn)后可實(shí)現(xiàn)月產(chǎn)11.5萬片8英寸晶圓。從2020年開始加速推進(jìn)無錫12廠擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，預(yù)計(jì)2021年底月產(chǎn)能可達(dá)6.5萬片，并有望無錫8英寸產(chǎn)線的募投技改項(xiàng)目已經(jīng)開始建設(shè)，預(yù)計(jì)2021年會(huì)釋放一部分產(chǎn)能；重慶8英寸產(chǎn)線升級(jí)改造項(xiàng)目將在2021年新增一部分產(chǎn)能；12英寸產(chǎn)線預(yù)計(jì)在2022年可以貢獻(xiàn)產(chǎn)能。2021年6月7日，公司公告稱將攜手國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金二期，擬共同投資75億元建設(shè)12寸功率半導(dǎo)體晶圓生產(chǎn)線。2020年8月，公司提出兩項(xiàng)投資計(jì)劃：一是總投資120億元的上海臨港12英寸車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體自動(dòng)化晶圓制造中心，二是總投資100億元的無錫ODM智慧超級(jí)工廠及研發(fā)中2020年6月20日，以長江存儲(chǔ)二期廠房為施工主體的國家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目二期在武漢開工建設(shè)，二期規(guī)劃產(chǎn)能20萬片/月。2021年1月份日經(jīng)亞洲評(píng)論報(bào)道，公司計(jì)劃今年把產(chǎn)量提高一倍，到下半年將每月的存儲(chǔ)芯片產(chǎn)量提高到10萬片晶圓。截至2020年底，12英寸存儲(chǔ)晶圓專案已達(dá)到月產(chǎn)能4萬片的預(yù)期，并開始啟動(dòng)6萬片產(chǎn)能，在2021年從投產(chǎn)步入量產(chǎn)銷售的階段后，2022年產(chǎn)能可望拉升至12萬片。根據(jù)Gartner的數(shù)據(jù)，清洗設(shè)備在晶圓制造設(shè)備中的占比大概在4%以上。2.5%0.9%27.5%2.9%27.5%3.0%20.8%21.9%薄膜刻蝕光刻量測清洗CMP涂膠顯影離子注入熱處理去膠根據(jù)Gartner數(shù)據(jù)，2018年全球半導(dǎo)體清洗設(shè)備市場規(guī)模為34.2億美元，2019和2020年受全球半導(dǎo)體行業(yè)景氣度下降以及新冠疫情的影響，全球半導(dǎo)體清洗設(shè)備市場規(guī)模有所下降，分別為30.5億美元和25.4億美元。預(yù)計(jì)2021年隨著全球半導(dǎo)體行業(yè)的復(fù)蘇以及全球半導(dǎo)體設(shè)備市場規(guī)模提升的拉動(dòng)，半導(dǎo)體清洗設(shè)備4034.2631.9830.5230.253531.9830.5230.2528.7826.9125.443026.9125.44502021E2022E2023E20202024E201920182021E2022E2023E20202024E2019從結(jié)構(gòu)來看，單片清洗設(shè)備是目前市場的絕對主流，根據(jù)Gartner的數(shù)據(jù)，2019年單片清洗設(shè)備、槽式清洗設(shè)備、批式旋轉(zhuǎn)噴淋清洗設(shè)備和洗刷器等類型清洗設(shè)備的市場份額分別為22.76億美元、5.52億美元、0.13億美元和2.08億美元，占比分別為74.63%、18.10%、0.44%和6.83%。隨著集成電路特征尺寸的進(jìn)一步縮小，單片清洗設(shè)備在40nm以下的制程中的應(yīng)用會(huì)更加廣泛，未來的占比有望逐步上升。根據(jù)東京電子的預(yù)測，單片除了受益于半導(dǎo)體行業(yè)景氣周期上行，半導(dǎo)體工藝升級(jí)也將為清洗設(shè)備帶來新增長機(jī)遇，隨著芯片先進(jìn)制程的進(jìn)步以及芯片結(jié)構(gòu)的復(fù)雜化，清洗設(shè)備市場有望量價(jià)1)隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷進(jìn)步，半導(dǎo)體器件集成度不斷提高，清洗的步驟大幅提高。90nm的芯片清洗工藝約90道，到了20nm清洗工藝達(dá)到215道。隨著芯片進(jìn)入步洗02)另一方面半導(dǎo)體晶圓的尺寸卻不斷擴(kuò)大，主流晶圓尺寸已經(jīng)從4英寸、6英寸，發(fā)展到現(xiàn)階段的8英寸、12英寸。此外，半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)也趨于復(fù)雜。例如存儲(chǔ)器領(lǐng)域的NAND閃存，根據(jù)國際半導(dǎo)體技術(shù)路線圖預(yù)測，當(dāng)工藝尺寸到達(dá)14nm后，目前的Flash存儲(chǔ)技術(shù)將會(huì)達(dá)到尺寸縮小的極限，存儲(chǔ)器技術(shù)將從二維轉(zhuǎn)向三維架構(gòu)，進(jìn)入3D時(shí)代。3DNAND制造工藝中，主要是將原來2DNAND中二維平面橫向排列的串聯(lián)存儲(chǔ)單元改為垂直排列，通過增加立體層數(shù)，解決平面上難以微縮的工藝問題，堆疊層數(shù)也從32層、64層向128層發(fā)展。3D存儲(chǔ)技術(shù)的提升，在提出了更高的要求，即在無損情況下清洗立體內(nèi)部沾污，對清洗設(shè)備提出了更高的要業(yè)的龍頭企業(yè)主要是迪恩士(DainipponScreen)、東京電子(TEL)、韓國SEMES、拉（LamResearch）等等。其中，迪恩士處于絕對領(lǐng)先地位，2020年占據(jù)了全球半導(dǎo)體清洗設(shè)備45.1%的市場份額，東京電子、SEMES和拉姆研究分別占據(jù)約25.3%、14.8%和a)迪恩士（DainipponScreen成立于1943年，總部位于日本東京，是日本半導(dǎo)體專用設(shè)備和LED生產(chǎn)設(shè)備公司，客戶遍及日本、韓國和中國臺(tái)灣地區(qū)。公司產(chǎn)品主要包括半導(dǎo)體設(shè)備、顯示設(shè)備、PCB設(shè)備等。半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)品主要有清洗機(jī)、蝕刻、顯影/涂布等，b)東京電子（TokyoElectron成立于1963年，總部位于日本東京，是日本最大的幾乎覆蓋了半導(dǎo)體制造流程中的所有工序。其主要產(chǎn)品包括涂布/顯像設(shè)備、熱處理成膜設(shè)備、干法刻蝕設(shè)備、CVD、濕法清洗設(shè)備及測試設(shè)備，其清洗設(shè)備2020年全球份額達(dá)到25.3%。c)拉姆研究（LamResearch成立于1980年，總部位于美國加尼福尼亞州弗里蒙特，是向全球半導(dǎo)體提供晶圓制造設(shè)備和服務(wù)的主要供應(yīng)商之一。該公司的主要產(chǎn)品包括用于制造集成電路的刻蝕設(shè)備、氣相沉積設(shè)備、電鍍設(shè)備、清洗設(shè)備等半導(dǎo)體加工設(shè)備。我國半導(dǎo)體清洗領(lǐng)域的重要參與者包括至純科技、盛美半導(dǎo)體、北方華創(chuàng)、芯源微等，國內(nèi)半導(dǎo)體清洗廠商起步比海外雖然較晚，追趕勢頭強(qiáng)勁：（1）至純科技擁有8-12英寸高階單晶圓濕法清洗設(shè)備和槽式濕法清洗設(shè)備的相關(guān)技術(shù)，產(chǎn)品覆蓋晶圓制造、先進(jìn)封裝、太陽能等多個(gè)下游應(yīng)用。公司濕法設(shè)備有槽式和單片式（8~12反應(yīng)腔）兩種，可以提供到28納米節(jié)點(diǎn)全部濕法工藝，已經(jīng)切入中芯國際、華虹集團(tuán)等一線用戶，單片式濕法設(shè)備已獲得國內(nèi)重要用戶多個(gè)訂單。（2）盛美半導(dǎo)體是國內(nèi)半導(dǎo)體清洗設(shè)備的龍頭，在12寸線清洗設(shè)備處于行業(yè)領(lǐng)先地位，產(chǎn)品線豐富，清洗設(shè)備營收體量國內(nèi)最大。公司主要產(chǎn)品為集成電路領(lǐng)域的單片清洗設(shè)備，其中包括單片SAPS兆聲波清洗設(shè)備、單片TEBO兆聲波清洗設(shè)備、單片背單片前道刷洗設(shè)備、槽式清洗設(shè)備、單片槽式組合清洗設(shè)備等。化/擴(kuò)散爐、退火爐、清洗機(jī)，公司通過收購美國半導(dǎo)體設(shè)備生產(chǎn)商AkrionSystemsLLC完善了清洗設(shè)備產(chǎn)線，目前公司主要清洗設(shè)備產(chǎn)品為單片和槽式清洗設(shè)備，可適用于技術(shù)節(jié)（4）芯源微目前產(chǎn)品主要產(chǎn)品包括光刻工序涂膠顯影設(shè)備（涂膠/顯影機(jī)、噴膠機(jī)）和單片），目前已達(dá)到國際先進(jìn)水平，成功實(shí)現(xiàn)進(jìn)口替代，已經(jīng)在中芯國際、上海華力、廈門士蘭集科等多個(gè)客戶處通過工藝驗(yàn)證，并獲得國內(nèi)多家Fab廠商的批量重復(fù)訂單。根據(jù)中國國際招標(biāo)網(wǎng)信息，根從2019年購份額來看，我國半導(dǎo)體清洗設(shè)備的國產(chǎn)化率已經(jīng)維持在10%~20%，突破最快，國產(chǎn)化率超過了其他大部分設(shè)備。但是從整體來看，國內(nèi)企業(yè)規(guī)模和產(chǎn)品技術(shù)實(shí)力、知名度等與國際知名企業(yè)仍然存在較大差距。未來隨著國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展以及國家政策的大力支持，國產(chǎn)替代趨勢正在加速，國內(nèi)清洗設(shè)備企業(yè)有望快速成長。儲(chǔ)備技術(shù)單片及槽式清洗設(shè)備，有65nm、28nm節(jié)點(diǎn)；槽式裝備供不應(yīng)求，單片式設(shè)備（個(gè)位數(shù)）處在認(rèn)證過程中。展望21年單片式認(rèn)證符合預(yù)期，將持續(xù)20年前道SpinScrubber清洗機(jī)設(shè)備已在中芯紹興、上海華力等多個(gè)客戶處通過工藝驗(yàn)證，已獲重復(fù)訂單，達(dá)到國際同等水平。在晶圓正反面清洗技術(shù)方面，顆粒去除能力由原來90nm水平提升至>40nm水平；全球首創(chuàng)的SAPS和TEBO等兩項(xiàng)兆聲波清洗技術(shù)，和Tahoe單片槽式組合清洗技術(shù)，可以做高深寬比硅通孔，先進(jìn)工藝國內(nèi)進(jìn)展最快。28~130nm14~130nm5-7nm2014年9月，國家集成電路產(chǎn)業(yè)基金一期成立，根據(jù)不完全統(tǒng)計(jì)，第一期大基金投資的企業(yè)包括：晶圓制造商中芯國際、長江存儲(chǔ)、士蘭微等，封裝測試廠長電科技、華天科技、通富微電，IC設(shè)計(jì)廠紫光集團(tuán)、納思達(dá)、國科微、中盛科網(wǎng)絡(luò)、興微電子、兆易創(chuàng)新、匯頂科技、景嘉微等；設(shè)備制造商中微半導(dǎo)體、北方華創(chuàng)、長川科技等；材料商鑫華半導(dǎo)體、新昇半導(dǎo)體、安集微電子、雅克科技等。期是一期的延續(xù)，相比于一期的規(guī)模擴(kuò)大了45%。根據(jù)大基金一期的細(xì)分產(chǎn)業(yè)投資占比，可以看得出來，一期主要側(cè)重的是晶圓代工、設(shè)計(jì)和封測等主要的產(chǎn)業(yè)大環(huán)節(jié)布局，而半設(shè)備、測試設(shè)備、清洗設(shè)備、化學(xué)機(jī)械研磨設(shè)備等國產(chǎn)裝備領(lǐng)域，還有光刻膠、靶材、硅根據(jù)國家大基金二期數(shù)據(jù)，大基金二期將從3個(gè)方面重點(diǎn)支持國產(chǎn)設(shè)備與材料發(fā)展1)二期基金將對在刻蝕機(jī)、薄膜設(shè)備、測試設(shè)備和清洗設(shè)備等領(lǐng)域已布局的企業(yè)保持高強(qiáng)度的持續(xù)支持，培育中國大陸“應(yīng)用材料”或“東電電子”的企業(yè)苗子。2)加快開展光刻機(jī)、化學(xué)機(jī)械研磨設(shè)備等核心設(shè)備以及關(guān)鍵零部件的投資布局，填補(bǔ)3)督促制造企業(yè)提高國產(chǎn)裝備驗(yàn)證及采購比例，為更多國產(chǎn)設(shè)備、材料提供工藝驗(yàn)證60.0%60.0%50050.0%40.0%30.0%20.0%0.0%集成電路制造IC設(shè)計(jì)產(chǎn)業(yè)生態(tài)建設(shè)封測業(yè)半導(dǎo)體材料投入規(guī)模（億元）投入比例6005004003002000半導(dǎo)體設(shè)備48.8%從近期大基金二期的動(dòng)作來看，投資了包括中微公司、北方華創(chuàng)、至微科技（至純科技子公司）、長川智能（長川科技子公司）等國內(nèi)的半導(dǎo)體設(shè)備公司，對設(shè)備的投資力度相比一隨著國家大基金二期加大對上游設(shè)備的投資，加速設(shè)備的國產(chǎn)替代趨勢，國內(nèi)設(shè)備廠商將產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)華天科技封測上揚(yáng)軟件MES/CIM工業(yè)軟件至微科技佰維存儲(chǔ)設(shè)計(jì)和封裝材料潤西微電子長川智能睿力集成IDM沛頓存儲(chǔ)封裝與模組4.相關(guān)標(biāo)的至純科技成立于2000年，目前主營業(yè)務(wù)包括高純工藝系統(tǒng)、半導(dǎo)體濕法清洗設(shè)備、光傳感應(yīng)用及光學(xué)元器件，2020年3塊業(yè)務(wù)的占比分別為61.8%、15.6%和22.5%。在高純工藝系統(tǒng)方面，根據(jù)公告，通過20多年深耕，公司在高純工藝系統(tǒng)領(lǐng)域已經(jīng)形成從研發(fā)、設(shè)計(jì)、供應(yīng)鏈到制造一體化，制程方面，覆蓋了28~65nm的設(shè)備，有14nm的技術(shù)儲(chǔ)備。目前公司主要服務(wù)于一線IC晶圓廠，包括三星、海力士、臺(tái)積電、中芯、華虹、長存、長鑫、士蘭微等半導(dǎo)體頭部客戶。在濕法裝備領(lǐng)域，公司于2017年成立獨(dú)立的半導(dǎo)體濕法事業(yè)部，產(chǎn)品腔體、設(shè)備平臺(tái)設(shè)計(jì)與工藝技術(shù)都和國際一線大廠路線一致，采用先進(jìn)二流體產(chǎn)生的納米級(jí)水顆粒技術(shù)，能高效去除微粒子的同時(shí)，還可以避免兆聲波的高成本。根據(jù)公司公告，公司目前的濕法設(shè)備有槽式和單片式（8~12反應(yīng)腔）兩種，可以提供到28納米節(jié)點(diǎn)全部濕法工藝；今年上半年公司在更先進(jìn)的14nm~7nm技術(shù)世代已接到4臺(tái)套機(jī)臺(tái)多個(gè)工藝的正式訂單，將于2022年交付至客戶產(chǎn)線驗(yàn)證。在技術(shù)儲(chǔ)備上，公司將持續(xù)投入資源開發(fā)符合高階工藝應(yīng)用統(tǒng)、傳送系統(tǒng)、自動(dòng)控制系統(tǒng)、通信系統(tǒng)、傳感控制系統(tǒng)、氣體流場設(shè)計(jì)、反應(yīng)藥液回收從客戶來看，公司濕法設(shè)備已經(jīng)切入一線用戶，用戶有中芯國際、華虹集團(tuán)、長鑫存儲(chǔ)、華為、華潤、燕東、臺(tái)灣力晶等等，均為所在下游行業(yè)的領(lǐng)先者。其中公司單片濕法設(shè)備獲得國內(nèi)重要用戶的多個(gè)訂單，高溫硫酸、晶背清洗、后段去膠、長膜前單片機(jī)型入選，進(jìn)一步填補(bǔ)國產(chǎn)裝備在濕法清洗領(lǐng)域的空白。表9：至純科技主要清洗機(jī)的類型減少材料損傷孔洞的清洗能力防止晶片結(jié)構(gòu)損傷金屬、材料及微粒子的交叉污染晶圓可靠性改善金屬、材料及微粒子的交叉污染；高生產(chǎn)率和合理的價(jià)格去膠及去膠后清洗爐管及長膜前清洗氧化層/氮化硅蝕刻銅/鈦金屬蝕刻聚合物去除擦片清洗化學(xué)機(jī)械研磨后清洗去膠及去膠后清洗爐管及長膜前清洗氧化層/氮化硅蝕刻銅/鈦金屬蝕刻槽式清洗設(shè)備類型S-SeriesB-Series從濕法設(shè)備的收入來看，公司相關(guān)收入成長迅速，從2019、2020以及2021H1分別為0.82億元、2.18億元、2.69億元，占營收比例分別為8.32%、15.60%、29.24%。2.692.180.822.692.180.822021H135.00%30.00%25.00%20.00%15.00%10.00%5.00%0.00%2.5 1.5 0.5020202019資料來源：至純科技公告、安信證券研究中心資料來源：至純科技公告、安信證券研究中心從公司的財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)來看，公司總體業(yè)績呈現(xiàn)高速成長趨勢，從2018年的6.7億增長至2021年前三季度，公司實(shí)現(xiàn)營業(yè)總收入為12.83億元，同比增長68.71%。歸母凈利潤1.88億元，同比增長127.96%，扣非歸母凈利潤8052.68萬元在訂單方面，根據(jù)公司互動(dòng)平臺(tái)數(shù)據(jù)，截至2021年三季報(bào)報(bào)告期內(nèi)，公司濕法部門的目前訂單已經(jīng)超過8億，其中新增單片設(shè)備訂單超4億元，前三季度訂單已經(jīng)超越了20202021年10月，公司子公司至微科技通過增資擴(kuò)股引入了包括大基金二期、中芯聚源、裝備材料基金、遠(yuǎn)致星火、芯鑫鼎橡等股東，此次戰(zhàn)投股東名單涵蓋了國內(nèi)優(yōu)秀的半導(dǎo)體投資基金，表明了市場對于公司未來發(fā)展前景的看好。通過此次增資，公司不僅增強(qiáng)了資金實(shí)力，還有利于公司與國內(nèi)頭部半導(dǎo)體公司加強(qiáng)產(chǎn)業(yè)合作，公司半導(dǎo)體清洗設(shè)備發(fā)展有營收（億元）營收（億元）YoY9.9864202018201920202021前三季度90.00%80.00%70.00%60.00%50.00%40.00%30.00%20.00%10.00%0.00%歸母凈利潤（億元）歸母凈利潤（億元）YoY2.6-50.00%201920202021前三季度300.00%250.00%200.00%150.00%100.00%50.00%0.00%2.5 1.5 0.502018盛美成立于2005年，是具備世界領(lǐng)先技術(shù)的半導(dǎo)體設(shè)備制造商，2008年公司的SAPS技術(shù)研發(fā)成功，2009年SAPS清洗設(shè)備進(jìn)入韓國海力士開展產(chǎn)品驗(yàn)證，2011年公司得了長江存儲(chǔ)、中芯國際及華虹集團(tuán)的訂單。2015年及2018年，公司TEBO技術(shù)和Tahoe技術(shù)分別研發(fā)成功，在半導(dǎo)體清洗設(shè)備領(lǐng)域的技術(shù)和產(chǎn)品線更加豐富。目前，公司在半導(dǎo)體清洗設(shè)備領(lǐng)域已經(jīng)成功進(jìn)入了全球一線半導(dǎo)體制造企業(yè)的生產(chǎn)線。公司主要產(chǎn)品包括半導(dǎo)體清洗設(shè)備、半導(dǎo)體電鍍設(shè)備和先進(jìn)封裝濕法設(shè)備等。其中清洗設(shè)備包含單片清洗、槽式清洗以及單片槽式組合清洗等清洗設(shè)備；電鍍設(shè)備包含用于芯片制造的前道銅互連電鍍設(shè)備、后道先進(jìn)封裝電鍍設(shè)備。另外，公司還開發(fā)了用于先進(jìn)封裝的濕法刻蝕設(shè)備、涂膠設(shè)備、顯影設(shè)備、去膠設(shè)備、無應(yīng)力拋光設(shè)備及立式爐管系列設(shè)在清洗設(shè)備領(lǐng)域，公司立足自主創(chuàng)新，通過多年的技術(shù)研發(fā)和工藝積累，成功研發(fā)出全球首創(chuàng)的SAPS、TEBO兆聲波清洗技術(shù)和Tahoe單片槽式組合清洗技術(shù)，可應(yīng)用于45nm及以下技術(shù)節(jié)點(diǎn)的晶圓清洗領(lǐng)域，可有效解決刻蝕后有機(jī)沾污和顆粒的清洗難題，并大幅減少濃硫酸等化學(xué)試劑的使用量，在幫助客戶降低生產(chǎn)成本的同時(shí)，滿足節(jié)能減排的SAPS兆SAPSTEBO兆聲波清洗TEBO）CV&VI）特有專利技術(shù)技術(shù)，通過控制兆聲波清洗裝臵與晶圓的間距隨兆聲波相位的變化，來實(shí)現(xiàn)兆聲波在晶圓表面的均勻分布，以達(dá)到時(shí)序能激氣穴震蕩（TEBO）技術(shù)，使用創(chuàng)新的兆聲波清洗方式來實(shí)現(xiàn)無損傷清洗，可應(yīng)用于現(xiàn)在和未來幾代先片，極小尺寸，高深寬比結(jié)構(gòu)等。TEBO-用于先進(jìn)器件的清洗技術(shù)應(yīng)用lllllllllllllllllll深溝道清洗晶圓回收清洗EPI沉積前清洗ALD沉積前清洗沉積前清洗蝕刻后清洗RCA標(biāo)準(zhǔn)清洗去除BEOL聚合物洗TSV后清洗EPI前清洗ALD前清洗特性和規(guī)格圖片lllllllllllllllllll雙面清洗，最多可配5種清洗藥最多可回收兩種藥液集成式藥液供給模塊具有雙面清洗能力,最多可配至5種清洗藥液，工藝靈活最多可以回收2種藥液使用高溫IPA干燥技術(shù)配備TEBO智能兆聲波組件集成式藥液供給模塊，可供給化碳水等具有雙面清洗的能力，最多可配或配方藥液；集成式藥液供給模塊可選配常溫IPA或者高溫IPA增強(qiáng)型干燥技術(shù)可選配氮?dú)忪F化DIW二流體清洗或氮?dú)忪F化SC1二流體清洗來輔助去除顆粒雜質(zhì)術(shù)進(jìn)行平坦表面或深孔結(jié)構(gòu)中的濕法清洗可選配盛美獨(dú)家TEBO兆聲波技術(shù)對圖形片來進(jìn)行高效無損傷清洗從客戶來看，公司憑借先進(jìn)的技術(shù)和豐富的產(chǎn)品線，產(chǎn)品得到眾多國內(nèi)外主流半導(dǎo)體廠商的認(rèn)可，擁有包括海力士、中芯國際、華虹集團(tuán)、合肥長鑫等國內(nèi)外一流的客戶。海力士、華虹集團(tuán)、長江存儲(chǔ)、中芯國際、合肥長鑫先進(jìn)封裝長電科技、通富微電、中芯長電、Nepes半導(dǎo)體硅片制造及回放上海新昇、金瑞泓、臺(tái)灣合晶科技、臺(tái)灣昇陽科研院所中國科學(xué)院微電子研究所、上海集成電路、華進(jìn)半導(dǎo)體從收入結(jié)構(gòu)來看，半導(dǎo)體清洗設(shè)備占據(jù)公司營收的大部分，2020年收入8.16億元，在總收入中占比81%。另外，先進(jìn)封裝濕法設(shè)備收入增長迅速，2020年收入0.99億元，同86420從公司的財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)來看，公司營收呈現(xiàn)高速成長趨勢，從2018年的5.5億增長至2020年的10.1億元，營收接近翻倍。在盈利能力方面，公司歸母凈利潤從2018年的0.9億元增長至2020年的2億元，歸母凈利潤實(shí)現(xiàn)翻倍以上成長。根據(jù)招股書數(shù)據(jù)，公司今年前三季度實(shí)現(xiàn)營收10.88億元，同比增長78.89%，歸母凈利潤1.49億元，同比增長21.43%，業(yè)績延續(xù)高增長主要原因?yàn)榘雽?dǎo)體設(shè)備市場高景氣以營收（億元）營收（億元）140.00%120.00%100.00%80.00%60.00%40.00%20.00%0.00%201886420201920202021Q1-Q3YoY5.5歸母凈利潤（億元）歸母凈利潤（億元）YoY2018201920202021Q1-Q3800.00%700.00%600.00%500.00%400.00%300.00%200.00%100.00%0.00%2.5 02北方華創(chuàng)成立于2001年，由北京七星華創(chuàng)和北方微電子于2016年戰(zhàn)略重組而成，總部位于北京市；北方華創(chuàng)主營半導(dǎo)體裝備、真空裝備、新能源鋰電裝備及精密元器件業(yè)務(wù)，為半導(dǎo)體、新能源、新材料等領(lǐng)域提供解決方案。北方華創(chuàng)擁有半導(dǎo)體裝備事業(yè)群、真空裝備事業(yè)群、新能源鋰電事業(yè)群和精密元器件事業(yè)群四大核心事業(yè)集群。在半導(dǎo)體裝備方面，公司已建立起豐富而有競爭力的產(chǎn)品體系，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、新材料、新能源等領(lǐng)域?？涛g機(jī)、PVD、CVD、ALD、氧化/擴(kuò)散爐、退火爐、清洗機(jī)等產(chǎn)品在集成電路及泛半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)量產(chǎn)應(yīng)用，形成半導(dǎo)體裝備多品種、跨領(lǐng)域的產(chǎn)品平臺(tái)，成為國內(nèi)先進(jìn)的半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商。在半導(dǎo)體清洗方面，北方華創(chuàng)可提供多種類型的單片清洗設(shè)備和槽式清洗設(shè)備，已廣泛應(yīng)用于集成電路、半導(dǎo)體照明、先進(jìn)封裝、微機(jī)電系統(tǒng)、電力電子、化合物和功率器件等領(lǐng)域。2018年北方華創(chuàng)收購了美國半導(dǎo)體清洗設(shè)備公司Akrion，完善了清洗設(shè)備產(chǎn)線。目前公司主要清洗設(shè)備產(chǎn)品為單片和槽式清洗設(shè)備，可適用于技術(shù)節(jié)點(diǎn)為65nm、SC3000A12英寸單片清SC3000A12清洗機(jī)SC3000A12英寸單片清SC3000A12WC3000A、WC2000A、WC1000AWC3000A、WC2000A、WC1000ABench在集成電路制造工序中，如成膜、CMP和刻蝕等工序前后，晶圓表面存在上一道工序所遺留的超微細(xì)顆粒物、金屬殘留、有機(jī)物殘留，這些顆?；驓埩粑飼?huì)影響芯片的良率。對未來技術(shù)發(fā)展而言，會(huì)出現(xiàn)清洗后干燥時(shí)毛細(xì)管力和表面張力對微細(xì)圖形造成的損傷控制的進(jìn)一步需求。這些需求在保證清洗效果的前提下對清洗干燥技術(shù)提出進(jìn)一步的挑戰(zhàn)。片晶圓旋轉(zhuǎn)濕法清洗技術(shù)，此設(shè)備具有清洗選擇性好、清洗效率高等技術(shù)，包括化學(xué)藥液保護(hù)系統(tǒng)、管路防靜電系統(tǒng)、兆聲波系