湖北經(jīng)濟(jì)學(xué)院法商學(xué)院《現(xiàn)代信號(hào)處理技術(shù)及應(yīng)用》2023-2024學(xué)年第二學(xué)期期末試卷_第1頁(yè)
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裝訂線(xiàn)裝訂線(xiàn)PAGE2第1頁(yè),共3頁(yè)湖北經(jīng)濟(jì)學(xué)院法商學(xué)院《現(xiàn)代信號(hào)處理技術(shù)及應(yīng)用》

2023-2024學(xué)年第二學(xué)期期末試卷院(系)_______班級(jí)_______學(xué)號(hào)_______姓名_______題號(hào)一二三四總分得分批閱人一、單選題(本大題共15個(gè)小題,每小題2分,共30分.在每小題給出的四個(gè)選項(xiàng)中,只有一項(xiàng)是符合題目要求的.)1、在集成電路制造工藝中,光刻技術(shù)是關(guān)鍵步驟之一。若要提高光刻的分辨率,以下哪種方法是有效的?()A.縮短曝光波長(zhǎng)B.增加光刻膠厚度C.降低光刻機(jī)的數(shù)值孔徑D.減小掩膜版與硅片的間距2、在數(shù)字電子技術(shù)中,存儲(chǔ)器是一種重要的存儲(chǔ)設(shè)備。存儲(chǔ)器可以分為隨機(jī)存儲(chǔ)器(RAM)和只讀存儲(chǔ)器(ROM)。以下關(guān)于存儲(chǔ)器的說(shuō)法中,錯(cuò)誤的是?()A.RAM可以隨機(jī)讀寫(xiě)數(shù)據(jù),斷電后數(shù)據(jù)會(huì)丟失B.ROM只能讀取數(shù)據(jù),不能寫(xiě)入數(shù)據(jù),斷電后數(shù)據(jù)不會(huì)丟失C.RAM和ROM的存儲(chǔ)容量都是固定的,不能擴(kuò)展D.可以使用閃存(FlashMemory)作為一種可擦寫(xiě)的非易失性存儲(chǔ)器3、在模擬電子技術(shù)中,運(yùn)算放大器是一種常用的器件。理想運(yùn)算放大器的輸入電阻為:()A.0B.有限值C.無(wú)窮大D.不確定4、在數(shù)字通信中,多進(jìn)制調(diào)制(如M進(jìn)制)相比二進(jìn)制調(diào)制可以提高頻帶利用率。但多進(jìn)制調(diào)制也存在一些缺點(diǎn),以下哪一項(xiàng)不屬于多進(jìn)制調(diào)制的缺點(diǎn)?()A.抗噪聲性能下降B.設(shè)備復(fù)雜度增加C.誤碼率增大D.頻譜效率降低5、在嵌入式系統(tǒng)開(kāi)發(fā)中,實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)(RTOS)被廣泛應(yīng)用。以下關(guān)于RTOS特點(diǎn)的描述,錯(cuò)誤的是:()A.響應(yīng)時(shí)間確定B.任務(wù)調(diào)度復(fù)雜C.資源利用率高D.不支持多任務(wù)6、在集成電路設(shè)計(jì)中,以下哪種工藝技術(shù)能夠顯著減小芯片的尺寸并提高性能?()A.互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)工藝B.雙極型晶體管(BJT)工藝C.砷化鎵(GaAs)工藝D.鍺硅(SiGe)工藝7、在通信系統(tǒng)的調(diào)制方式中,QAM(正交幅度調(diào)制)是一種頻譜利用率較高的調(diào)制方式。16QAM每個(gè)符號(hào)可以攜帶多少比特的信息?()A.2B.4C.8D.168、對(duì)于一個(gè)通信系統(tǒng),若要實(shí)現(xiàn)高數(shù)據(jù)傳輸速率和低誤碼率,以下哪個(gè)因素最為關(guān)鍵?()A.信號(hào)功率B.帶寬C.編碼方式D.調(diào)制方式9、在通信系統(tǒng)中,分集接收技術(shù)可以改善接收信號(hào)的質(zhì)量。以下關(guān)于分集接收技術(shù)的描述,哪一項(xiàng)是錯(cuò)誤的?()A.可以采用空間分集、頻率分集和時(shí)間分集等方式B.分集接收能夠降低多徑衰落的影響C.分集接收需要多個(gè)接收天線(xiàn)和復(fù)雜的信號(hào)處理D.分集接收只能用于模擬通信系統(tǒng),不能用于數(shù)字通信系統(tǒng)10、在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器中,SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)和DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)的主要區(qū)別在于?()A.存儲(chǔ)容量B.讀寫(xiě)速度C.存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)D.刷新方式11、在數(shù)字信號(hào)處理中,對(duì)于一個(gè)有限長(zhǎng)序列進(jìn)行離散傅里葉變換(DFT),若序列長(zhǎng)度為N,則其計(jì)算復(fù)雜度約為:()A.O(N)B.O(NlogN)C.O(N^2)D.O(logN)12、在電子信息工程中,以下關(guān)于模擬信號(hào)和數(shù)字信號(hào)的轉(zhuǎn)換,哪一項(xiàng)是正確的?()A.模數(shù)轉(zhuǎn)換(A/D)的過(guò)程包括采樣、量化和編碼B.數(shù)模轉(zhuǎn)換(D/A)的精度取決于轉(zhuǎn)換位數(shù)C.模數(shù)轉(zhuǎn)換和數(shù)模轉(zhuǎn)換都存在量化誤差D.以上都是13、對(duì)于一個(gè)無(wú)線(xiàn)傳感器網(wǎng)絡(luò),以下哪種路由協(xié)議能夠有效延長(zhǎng)網(wǎng)絡(luò)的生命周期?()A.距離矢量路由協(xié)議B.鏈路狀態(tài)路由協(xié)議C.能量感知路由協(xié)議D.以上都不是14、在計(jì)算機(jī)體系結(jié)構(gòu)中,以下哪種存儲(chǔ)層次結(jié)構(gòu)可以有效提高存儲(chǔ)器的訪(fǎng)問(wèn)速度?()A.Cache-主存-輔存B.主存-Cache-輔存C.輔存-主存-CacheD.以上都不是15、在半導(dǎo)體物理中,對(duì)于一個(gè)N型半導(dǎo)體,若施主雜質(zhì)濃度增加,其電導(dǎo)率將會(huì)如何變化?()A.不變B.減小C.增大D.先增大后減小二、簡(jiǎn)答題(本大題共3個(gè)小題,共15分)1、(本題5分)解釋電子信息工程中的數(shù)字信號(hào)處理中的快速傅里葉變換(FFT)的概念及應(yīng)用。2、(本題5分)在集成電路設(shè)計(jì)中,CMOS工藝具有諸多優(yōu)點(diǎn),請(qǐng)?jiān)敿?xì)說(shuō)明CMOS電路低功耗的原因,以及其在速度、集成度和抗干擾能力方面的特點(diǎn)。3、(本題5分)詳細(xì)闡述在數(shù)字邏輯電路中,移位寄存器的工作原理和應(yīng)用。三、設(shè)計(jì)題(本大題共5個(gè)小題,共25分)1、(本題5分)設(shè)計(jì)一個(gè)太陽(yáng)能熱水器控制器智能控制電路,能夠根據(jù)天氣情況和用戶(hù)需求自動(dòng)調(diào)節(jié)熱水器的工作狀態(tài),實(shí)現(xiàn)智能化控制。2、(本題5分)設(shè)計(jì)一個(gè)基于編碼器和控制器的數(shù)控機(jī)床進(jìn)給系統(tǒng),實(shí)現(xiàn)精確的位置控制。3、(本題5分)設(shè)計(jì)一個(gè)基于FPGA的圖像識(shí)別系統(tǒng),能夠識(shí)別簡(jiǎn)單的物體和形狀,給出硬件設(shè)計(jì)和算法流程。4、(本題5分)設(shè)計(jì)一個(gè)簡(jiǎn)單的集成電路放大器,要求具有特定的增益、帶寬和輸入輸出阻抗,分析其性能并優(yōu)化設(shè)計(jì)以滿(mǎn)足特定要求。5、(本題5分)設(shè)計(jì)一個(gè)基于光電傳感器的自動(dòng)化倉(cāng)儲(chǔ)貨架系統(tǒng),能夠自動(dòng)存取貨物并進(jìn)行庫(kù)存管理。四、分析題(本大題共3個(gè)小題,共30分)1、(本題10分)在語(yǔ)音信號(hào)處理中,需要對(duì)語(yǔ)音進(jìn)行編碼壓縮以提高傳輸效率。分析常見(jiàn)的語(yǔ)音編碼算法,如脈沖編碼調(diào)制(PCM)、自適應(yīng)差分脈沖編碼調(diào)制(ADPCM)等,比較它們的壓縮比和語(yǔ)音質(zhì)量,選擇適合的編碼方案。2、(本題10分)研究某電子導(dǎo)航系統(tǒng)的地圖數(shù)據(jù)處理

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