德宏師范高等??茖W(xué)?!毒酆衔锕不旄男栽怼?023-2024學(xué)年第二學(xué)期期末試卷_第1頁
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2023-2024學(xué)年第二學(xué)期期末試卷題號一二三四總分得分一、單選題(本大題共15個小題,每小題1分,共15分.在每小題給出的四個選項中,只有一項是符合題目要求的.)1、在研究材料的電磁性能時,發(fā)現(xiàn)一種材料具有良好的磁屏蔽性能。以下哪種微觀結(jié)構(gòu)特征對其磁屏蔽性能起關(guān)鍵作用?()A.高磁導(dǎo)率B.低電導(dǎo)率C.均勻的微觀組織D.大量的缺陷2、對于一種壓電陶瓷材料,要提高其壓電系數(shù),以下哪種摻雜元素可能有效?()A.鉛B.鈦C.鑭D.鈮3、在分析一種用于電子線路板的聚合物基板材料時,需要考慮其介電性能。以下哪種因素對介電常數(shù)的影響最大?()A.分子極性B.結(jié)晶度C.孔隙率D.分子量4、對于一種納米晶材料,其強度遠高于傳統(tǒng)粗晶材料。以下哪種強化機制在納米晶材料中起到了主要作用?()A.細晶強化B.固溶強化C.彌散強化D.加工硬化5、在研究材料的光學(xué)性能時,發(fā)現(xiàn)某些材料具有選擇性吸收和透過光線的特性。以下哪種材料常用于制造太陽能電池板?()A.單晶硅B.多晶硅C.非晶硅D.砷化鎵6、高分子材料的老化是指材料在使用過程中性能逐漸下降的現(xiàn)象,那么高分子材料老化的主要原因有哪些?()A.光氧化、熱氧化、化學(xué)腐蝕B.機械應(yīng)力、輻射、微生物作用C.濕度、溫度、氧氣D.以上都是7、材料的光學(xué)性能對于其在光學(xué)器件中的應(yīng)用至關(guān)重要。對于透明玻璃材料,其透光率主要取決于什么因素?()A.化學(xué)成分、表面粗糙度、內(nèi)部缺陷B.密度、硬度、彈性模量C.熔點、沸點、熱膨脹系數(shù)D.電阻率、電導(dǎo)率、介電常數(shù)8、在研究材料的光學(xué)透明性時,以下關(guān)于影響材料透明性的因素的描述,錯誤的是()A.材料中的雜質(zhì)和缺陷會降低透明性B.材料的結(jié)晶度越高,透明性越好C.光的波長對材料透明性有影響D.材料的表面粗糙度會影響透明性9、對于一種用于航空發(fā)動機渦輪葉片的單晶高溫合金,以下哪種晶體取向的高溫性能最優(yōu)?()A.B.C.D.隨機取向10、在研究聚合物的降解行為時,發(fā)現(xiàn)其在光照下性能迅速下降。以下哪種添加劑可以有效地提高其光穩(wěn)定性?()A.抗氧化劑B.光穩(wěn)定劑C.增塑劑D.填充劑11、材料的摩擦磨損性能在機械工程中具有重要意義。以下關(guān)于摩擦磨損機制和影響因素的描述,正確的是()A.粘著磨損是由于材料表面的分子間作用力引起B(yǎng).材料的硬度越高,越容易發(fā)生磨損C.潤滑可以完全消除材料的磨損D.摩擦系數(shù)與接觸面積無關(guān)12、對于一種功能陶瓷材料,需要其具有高介電常數(shù)和低介電損耗。以下哪種陶瓷材料最有可能滿足這些要求?()A.鈦酸鍶陶瓷B.鈮酸鋰陶瓷C.氧化鋅陶瓷D.鉭酸鋰陶瓷13、在材料的腐蝕過程中,電化學(xué)腐蝕是一種常見的形式。以下關(guān)于電化學(xué)腐蝕的條件和特點的描述,正確的是()A.電化學(xué)腐蝕只有在電解質(zhì)溶液存在時才會發(fā)生B.金屬在干燥空氣中不會發(fā)生電化學(xué)腐蝕C.電化學(xué)腐蝕的速度與金屬的電極電位無關(guān)D.電化學(xué)腐蝕是一種均勻的腐蝕過程14、在材料的拉伸試驗中,真應(yīng)力和工程應(yīng)力的計算方法不同。在材料發(fā)生頸縮后,真應(yīng)力()A.小于工程應(yīng)力B.等于工程應(yīng)力C.大于工程應(yīng)力D.與工程應(yīng)力無關(guān)15、高分子材料的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度是指材料從玻璃態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)楦邚棏B(tài)的溫度,那么影響高分子材料玻璃化轉(zhuǎn)變溫度的主要因素有哪些?()A.分子結(jié)構(gòu)、分子量、交聯(lián)度B.添加劑、共混比例、結(jié)晶度C.測試方法、升溫速率、冷卻方式D.以上都是二、簡答題(本大題共4個小題,共20分)1、(本題5分)解釋材料的超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度的調(diào)控方法,分析影響超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度的因素。2、(本題5分)闡述復(fù)合材料的定義、組成和分類。以纖維增強復(fù)合材料為例,說明其性能特點以及在航空航天領(lǐng)域的應(yīng)用優(yōu)勢和面臨的挑戰(zhàn)。3、(本題5分)論述在研究材料的光學(xué)性能時,材料對光的吸收、反射和透射的基本原理,以及影響這些性能的主要因素。4、(本題5分)論述材料的電學(xué)性能測試中的電阻測量方法,如四探針法和電橋法,解釋測量原理和誤差來源,以及在材料導(dǎo)電性研究中的應(yīng)用。三、論述題(本大題共5個小題,共25分)1、(本題5分)分析材料的電磁屏蔽性能及其影響因素,包括材料的導(dǎo)電性、磁導(dǎo)率和厚度等方面。2、(本題5分)深入探討納米復(fù)合材料的性能優(yōu)勢和制備方法,分析納米粒子的分散和界面結(jié)合,論述納米復(fù)合材料在增強、增韌和功能化方面的應(yīng)用和發(fā)展前景。3、(本題5分)全面論述材料的磁電阻效應(yīng)在磁存儲密度提高和新型磁傳感器研發(fā)中的應(yīng)用挑戰(zhàn)和解決方案。4、(本題5分)詳細闡述材料的磁性能在信息存儲、傳感器和磁性器件等領(lǐng)域的應(yīng)用,以及對磁性能的特殊要求和實現(xiàn)方法。5、(本題5分)全面論述材料的光學(xué)晶體的生長技術(shù)和性能特點,分析晶體的光學(xué)性能和缺陷對應(yīng)用的影響,并探討在激光技術(shù)和光學(xué)通信中的應(yīng)用。四、計算題(本大題共4個小題,共40分)1、(本題10分)一塊長方形的硅片,長為25cm,寬為15cm,厚度為0.3mm,硅的密度為2.33g/cm3,計算硅片的質(zhì)量。若要在硅片上制作晶體管,每個晶體管占用面積為0.01mm2,計算可制作的晶體管數(shù)量。2、(本題10分)有一金屬電阻絲,在0℃時電阻為8Ω,溫度系數(shù)為0.004/℃,當溫度升高到80℃時

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