重慶幼兒師范高等?？茖W(xué)校《高分子科學(xué)基礎(chǔ)》2023-2024學(xué)年第二學(xué)期期末試卷

自覺遵守考場紀(jì)律如考試作弊此答卷無效密自覺遵守考場紀(jì)律如考試作弊此答卷無效密封線第1頁，共3頁重慶幼兒師范高等?？茖W(xué)校

《高分子科學(xué)基礎(chǔ)》2023-2024學(xué)年第二學(xué)期期末試卷院(系)_______班級_______學(xué)號_______姓名_______題號一二三四總分得分批閱人一、單選題（本大題共25個小題，每小題1分，共25分．在每小題給出的四個選項(xiàng)中，只有一項(xiàng)是符合題目要求的．）1、對于一種壓電材料，其能夠?qū)C(jī)械能轉(zhuǎn)化為電能，反之亦然。以下哪種壓電材料在實(shí)際應(yīng)用中最為常見？（）A.石英B.鈦酸鋇C.鋯鈦酸鉛D.硫化鎘2、在研究一種用于高溫絕熱的陶瓷纖維材料時，發(fā)現(xiàn)其熱導(dǎo)率較高。以下哪種方法可以有效地降低熱導(dǎo)率？（）A.增加氣孔率B.引入納米孔隙C.降低纖維直徑D.以上都是3、在金屬的塑性變形過程中，會產(chǎn)生位錯等缺陷。隨著變形程度的增加，位錯密度也會增加。下列關(guān)于位錯對金屬性能影響的描述，錯誤的是（）A.位錯密度增加會提高金屬的強(qiáng)度B.位錯運(yùn)動是金屬塑性變形的主要機(jī)制C.位錯會降低金屬的導(dǎo)電性和導(dǎo)熱性D.位錯密度越高，金屬的韌性越好4、在分析材料的熱導(dǎo)率時，發(fā)現(xiàn)以下哪種晶體結(jié)構(gòu)的材料熱導(dǎo)率通常較高？（）A.面心立方B.體心立方C.密排六方D.簡單立方5、對于一種用于污水處理的吸附材料，要提高其吸附容量和選擇性，以下哪種改性方法可能最為有效？（）A.表面官能團(tuán)化B.構(gòu)建多孔結(jié)構(gòu)C.負(fù)載金屬離子D.以上都是6、在研究一種用于激光焊接的金屬材料時，發(fā)現(xiàn)焊縫處存在氣孔和裂紋等缺陷。以下哪種焊接工藝參數(shù)的調(diào)整可能有助于減少這些缺陷？（）A.降低焊接速度B.增加激光功率C.優(yōu)化保護(hù)氣體流量D.以上都是7、材料的電磁性能包括導(dǎo)電性、磁性等，那么影響材料電磁性能的主要因素有哪些？（）A.材料的化學(xué)成分、晶體結(jié)構(gòu)B.溫度、磁場強(qiáng)度、電場強(qiáng)度C.材料的制備工藝、微觀結(jié)構(gòu)D.以上都是8、在磁性材料的分類中，軟磁材料和硬磁材料的性能差異較大。以下哪種性能是軟磁材料所側(cè)重的？（）A.高矯頑力B.高剩磁C.高磁導(dǎo)率D.高磁能積9、在研究材料的導(dǎo)熱性能時，發(fā)現(xiàn)一種材料的熱導(dǎo)率較高。以下哪種因素對材料的熱導(dǎo)率貢獻(xiàn)最大？（）A.自由電子的運(yùn)動B.晶格振動C.聲子散射D.雜質(zhì)和缺陷10、在研究材料的輻射損傷時，發(fā)現(xiàn)一種材料在高能粒子輻照下性能下降。以下哪種微觀缺陷的產(chǎn)生是導(dǎo)致性能下降的主要原因？（）A.空位B.位錯環(huán)C.間隙原子D.空洞11、在研究材料的光學(xué)透明性時，以下關(guān)于影響材料透明性的因素的描述，錯誤的是（）A.材料中的雜質(zhì)和缺陷會降低透明性B.材料的結(jié)晶度越高，透明性越好C.光的波長對材料透明性有影響D.材料的表面粗糙度會影響透明性12、材料的熱膨脹系數(shù)是指材料在溫度變化時尺寸的變化率，那么影響材料熱膨脹系數(shù)的主要因素有哪些？（）A.材料的化學(xué)成分、晶體結(jié)構(gòu)B.溫度范圍、加熱速率C.材料的制備工藝、微觀結(jié)構(gòu)D.以上都是13、金屬材料的焊接是一種重要的連接方法，那么常見的金屬焊接方法有哪些？（）A.電弧焊、氣焊、電阻焊B.激光焊、電子束焊、釬焊C.摩擦焊、擴(kuò)散焊、爆炸焊D.以上都是14、材料的導(dǎo)熱性能對于熱管理和散熱應(yīng)用非常重要。以下關(guān)于材料導(dǎo)熱系數(shù)的影響因素的描述，錯誤的是（）A.材料的晶體結(jié)構(gòu)對導(dǎo)熱系數(shù)有顯著影響B(tài).材料中的雜質(zhì)會降低導(dǎo)熱系數(shù)C.溫度升高，材料的導(dǎo)熱系數(shù)總是增大D.孔隙率增加，材料的導(dǎo)熱系數(shù)減小15、對于半導(dǎo)體材料，其導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體和絕緣體之間。以下哪種半導(dǎo)體材料常用于集成電路制造？（）A.硅B.鍺C.砷化鎵D.磷化銦16、在高分子材料的聚合反應(yīng)中，逐步聚合和鏈?zhǔn)骄酆系姆磻?yīng)機(jī)理不同。逐步聚合通常（）A.反應(yīng)速度快B.分子量分布窄C.單體轉(zhuǎn)化率高D.以上都是17、對于高分子材料，其玻璃化轉(zhuǎn)變溫度（Tg）是一個重要的性能指標(biāo)。已知某種聚合物在較低溫度下呈現(xiàn)脆性，隨著溫度升高逐漸變得柔韌。當(dāng)溫度升高到一定值時，材料的性能發(fā)生顯著變化，這個轉(zhuǎn)變溫度通常被稱為玻璃化轉(zhuǎn)變溫度。在以下哪種測試方法中最容易準(zhǔn)確測定該聚合物的Tg？（）A.熱重分析（TGA）B.差示掃描量熱法（DSC）C.動態(tài)力學(xué)分析（DMA）D.紅外光譜分析（IR）18、對于一種用于電動汽車電池的隔膜材料，要提高其離子透過性和安全性，以下哪種材料特性的優(yōu)化最為關(guān)鍵？（）A.孔隙率和孔徑分布B.化學(xué)穩(wěn)定性C.熱關(guān)閉性能D.以上都是19、在材料的無損檢測技術(shù)中，超聲波檢測具有廣泛的應(yīng)用。以下關(guān)于超聲波檢測原理和適用范圍的描述，正確的是（）A.超聲波檢測可以檢測材料內(nèi)部的微小缺陷B.超聲波在材料中的傳播速度與材料的密度無關(guān)C.超聲波檢測只能用于金屬材料D.超聲波檢測對操作人員的技術(shù)要求不高20、超導(dǎo)材料在低溫下具有零電阻和完全抗磁性等奇特性能。對于高溫超導(dǎo)材料，其臨界溫度通常在什么范圍內(nèi)？（）A.液氮溫度以下B.液氦溫度以下C.室溫以上D.0-100K之間21、在陶瓷材料的微波燒結(jié)技術(shù)中，以下關(guān)于微波燒結(jié)特點(diǎn)和優(yōu)勢的描述，正確的是（）A.微波燒結(jié)可以實(shí)現(xiàn)均勻加熱，但燒結(jié)速度慢B.微波燒結(jié)適用于所有類型的陶瓷材料C.微波燒結(jié)能夠降低能耗和提高產(chǎn)品質(zhì)量D.微波燒結(jié)對設(shè)備要求不高22、對于一種用于鋰離子電池的負(fù)極材料，要提高其充放電循環(huán)性能，以下哪種策略可能最為有效？（）A.構(gòu)建納米結(jié)構(gòu)B.表面改性C.優(yōu)化材料的孔隙率D.以上都是23、在研究一種用于航空航天領(lǐng)域的高強(qiáng)度鈦合金時，發(fā)現(xiàn)經(jīng)過特定的熱處理工藝后，其強(qiáng)度得到顯著提升，但韌性略有下降。以下哪種熱處理過程中的相變最可能是導(dǎo)致這種現(xiàn)象的原因？（）A.馬氏體相變B.貝氏體相變C.珠光體相變D.奧氏體相變24、在考察一種用于儲氫的金屬材料時，發(fā)現(xiàn)其儲氫容量較低。以下哪種方法可以有效地提高儲氫容量？（）A.形成合金B(yǎng).納米化處理C.引入催化活性位點(diǎn)D.以上都是25、在研究陶瓷材料的壓電性能時，以下哪種陶瓷材料具有優(yōu)異的壓電性能？（）A.鈦酸鋇B.氧化鎂C.氧化鋁D.氧化硅二、簡答題（本大題共4個小題，共20分)1、（本題5分）論述材料的斷裂韌性測試方法，如三點(diǎn)彎曲法和緊湊拉伸法等，比較它們的優(yōu)缺點(diǎn)和適用范圍。2、（本題5分）解釋形狀記憶聚合物的工作原理和性能特點(diǎn)，以及與形狀記憶合金的比較。3、（本題5分）詳細(xì)分析材料在沖擊載荷下的響應(yīng)和性能評價，解釋沖擊韌性的概念和測試方法，并討論如何提高材料的抗沖擊性能。4、（本題5分）論述高分子材料的老化原因和老化機(jī)制，如熱老化、光老化和化學(xué)老化等，分析老化對材料性能的影響，并介紹常見的抗老化方法。三、計(jì)算題（本大題共5個小題，共25分)1、（本題5分）一塊塑料板，長60cm，寬40cm，厚8mm，材料的密度為1.2g/cm3，比熱容為1800J/(kg·K)，從30℃加熱到100℃，計(jì)算所需熱量。2、（本題5分）某材料的熱擴(kuò)散率為0.008cm2/s，比熱容為400J/(kg·K)，密度為1.5g/cm3，計(jì)算其導(dǎo)熱系數(shù)。3、（本題5分）一圓柱形的塑料棒，直徑為8mm，長度為60cm，塑料的密度為1.05g/cm3，計(jì)算其質(zhì)量。4、（本題5分）一圓柱形的鈦合金棒，直徑為60mm，長度為1.2m，承受軸向拉力為1500kN，鈦合金的屈服強(qiáng)度為1200MPa，計(jì)算棒的伸長量。5、（本題5分）一塊長方形的不銹鋼板，長1.5m，寬0.8m，厚度為2mm，不銹鋼的密度為7.93g/cm3，計(jì)算其質(zhì)量。四、論述題（本大題共3個小題，共30分)