標(biāo)準(zhǔn)解讀

《T/CIE 144-2022 半導(dǎo)體器件可靠性強(qiáng)化試驗(yàn)方法》這一標(biāo)準(zhǔn)詳細(xì)規(guī)定了半導(dǎo)體器件在進(jìn)行可靠性強(qiáng)化測試時(shí)應(yīng)遵循的方法與步驟。該標(biāo)準(zhǔn)旨在通過一系列嚴(yán)苛的試驗(yàn)條件，對(duì)半導(dǎo)體器件潛在的設(shè)計(jì)、制造缺陷或材料問題進(jìn)行早期暴露，從而提高產(chǎn)品最終的質(zhì)量和可靠性。

標(biāo)準(zhǔn)中首先定義了適用范圍，明確指出適用于各類半導(dǎo)體集成電路及其他相關(guān)電子元器件。接著，對(duì)于試驗(yàn)前準(zhǔn)備工作的說明包括但不限于樣品選擇原則、環(huán)境條件設(shè)定等基礎(chǔ)要求。此外，還特別強(qiáng)調(diào)了試驗(yàn)過程中需記錄的數(shù)據(jù)類型及其重要性，以便后續(xù)分析使用。

針對(duì)具體的試驗(yàn)方法，《T/CIE 144-2022》列舉了幾種常見的強(qiáng)化試驗(yàn)項(xiàng)目，如溫度循環(huán)、高加速應(yīng)力篩選（HASS）、振動(dòng)測試等，并為每種試驗(yàn)提供了詳細(xì)的執(zhí)行指南。這些指南不僅涵蓋了操作流程，還包括了推薦使用的設(shè)備參數(shù)設(shè)置以及安全注意事項(xiàng)等內(nèi)容。

在數(shù)據(jù)處理與結(jié)果評(píng)價(jià)部分，標(biāo)準(zhǔn)提出了一套科學(xué)合理的方法來評(píng)估試驗(yàn)后產(chǎn)品的性能變化情況。這涉及到失效模式識(shí)別、故障率計(jì)算等方面的專業(yè)知識(shí)。同時(shí)，也指出了如何根據(jù)試驗(yàn)結(jié)果采取相應(yīng)措施以改進(jìn)產(chǎn)品質(zhì)量。


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....

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  • 現(xiàn)行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 2022-12-31 頒布
  • 2023-01-31 實(shí)施
?正版授權(quán)
T/CIE 144-2022半導(dǎo)體器件可靠性強(qiáng)化試驗(yàn)方法_第1頁
T/CIE 144-2022半導(dǎo)體器件可靠性強(qiáng)化試驗(yàn)方法_第2頁
T/CIE 144-2022半導(dǎo)體器件可靠性強(qiáng)化試驗(yàn)方法_第3頁
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文檔簡介

ICS31020

CCSL.05

團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)

T/CIE144—2022

半導(dǎo)體器件可靠性強(qiáng)化試驗(yàn)方法

Reliabilityenhancementtestofsemiconductordevices

2022-12-31發(fā)布2023-01-31實(shí)施

中國電子學(xué)會(huì)發(fā)布

中國標(biāo)準(zhǔn)出版社出版

T/CIE144—2022

目次

前言

…………………………Ⅰ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語和定義

3………………1

一般要求

4…………………3

試驗(yàn)樣品

4.1……………3

儀器與設(shè)備

4.2…………………………3

試驗(yàn)環(huán)境

4.3……………3

參數(shù)監(jiān)測

4.4……………3

試驗(yàn)方法

5…………………3

試驗(yàn)程序

5.1……………3

試驗(yàn)項(xiàng)目

5.2……………4

試驗(yàn)步驟

5.3……………6

試驗(yàn)報(bào)告

6…………………13

參考文獻(xiàn)

……………………14

T/CIE144—2022

前言

本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別專利的責(zé)任

。。

本文件由中國電子學(xué)會(huì)可靠性分會(huì)提出并歸口

。

本文件起草單位工業(yè)和信息化部電子第五研究所航空工業(yè)第一飛機(jī)設(shè)計(jì)研究院

:、。

本文件主要起草人楊少華顏佳輝薛海紅牛皓劉昌王鐵羊呂宏峰來萍許少輝賴燦雄

:、、、、、、、、、、

陳希宇廖文淵柳月波

、、。

Ⅰ

T/CIE144—2022

半導(dǎo)體器件可靠性強(qiáng)化試驗(yàn)方法

1范圍

本文件規(guī)定了半導(dǎo)體器件可靠性強(qiáng)化試驗(yàn)方法并規(guī)定了半導(dǎo)體器件強(qiáng)化試驗(yàn)的一般步驟相關(guān)要

,、

求方法及參數(shù)監(jiān)測等

、。

本文件適用于半導(dǎo)體分立器件集成電路微波器件的可靠性強(qiáng)化試驗(yàn)指導(dǎo)

、、。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對(duì)應(yīng)的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

半導(dǎo)體器件第部分分立器件和集成電路總規(guī)范

GB/T4589.110:

實(shí)驗(yàn)室儀器設(shè)備管理指南

GB/Z27427

半導(dǎo)體分立器件總規(guī)范

GJB33B

半導(dǎo)體分立器件試驗(yàn)方法

GJB128B—2021

電子產(chǎn)品防靜電放電控制大綱

GJB1649

3術(shù)語和定義

界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件

GB/T4589.1。

31

.

可靠性強(qiáng)化試驗(yàn)reliabilityenhancementtest

一種采用逐步增強(qiáng)應(yīng)力如溫度振動(dòng)快速溫變及振動(dòng)綜合應(yīng)力等的可靠性試驗(yàn)方法通過步進(jìn)

(、、),

的方式對(duì)器件施加應(yīng)力來激發(fā)器件中的潛在缺陷所施加的應(yīng)力量級(jí)會(huì)超出器件的設(shè)計(jì)水平直至器件

,,

的破壞極限

。

32

.

規(guī)格極限specificlimit

規(guī)格書所規(guī)定的器件可正常使用的最高應(yīng)力水平

。

33

.

工作極限operatinglimit

當(dāng)施加的應(yīng)力達(dá)到一定水平后器件不能正常工作但當(dāng)應(yīng)力強(qiáng)度降低后器件恢復(fù)正常工作則器

,;,,

件能夠恢復(fù)正常工作的最高應(yīng)力水平值

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