CF黃光工藝說明

CF黃光工藝說明（1）

——RGB工藝介紹1.彩膜知識基本介紹

1.1

COLORFILTER的基本原理和結構

1.2COLORFILTER制法分類和工藝流程

1.3

COLORFILTER彩色化原理-標準光源1.4COLORFILTER彩色化原理-色度計算

1.5COLORFILTER色度原理1.6COLORFILTER構成及性能指標1.7COLORFILTER基本特性值2.RGB工程介紹

2.1RGB工程Flow2.2RGB產(chǎn)線基本結構以及設備結構2.3RGB工程管控2.4RGBTroubleShooting2.5RGB異常處理流程CONTENTS3.RGB光阻相關知識

3.1RGBResist成分3.2RGBResist特性

玻璃基板配向膜偏光片玻璃基板偏光片液晶層彩色層薄膜晶體管黑矩陣保護層ITO導電膜1.1COLOR

FILTER的基本原理和結構

◆彩膜的制造工藝一般有染色法、電沉積法、印刷法、噴墨法和顏料分散法。各工藝的簡單流程如下

圖所示：染色法電沉積法印刷法顏料分散法GelatinhνITOResisthν感光性colorResisthν噴墨法1.2COLOR

FILTER制法分類和工藝流程比較項目染色法電沉積法印刷法噴墨法顏料分散法著色劑染料顏料顏料染料/顏料顏料成膜膜厚1.0~2.5?1.5~2.5?1.0~3.0?1.0~2.5?1.5~2.5?分辨率10~20?10~20?50~80?10~20?10~20?色特性非常優(yōu)秀普通優(yōu)秀優(yōu)秀優(yōu)秀耐熱性普通優(yōu)秀優(yōu)秀普通優(yōu)秀耐光性普通非常優(yōu)秀非常優(yōu)秀普通非常優(yōu)秀耐化學性

不好優(yōu)秀優(yōu)秀優(yōu)秀優(yōu)秀平坦性優(yōu)秀非常優(yōu)秀不好普通優(yōu)秀大型化的可能性優(yōu)秀普通不好不好優(yōu)秀

◆各種制法的特點比較見下表。1.2COLOR

FILTER制法分類和工藝流程

◆現(xiàn)在國際上被廣泛使用的是顏料分散法。依據(jù)不同顯示模式顏料分散法的工藝流程也有所區(qū)別，見下表所示：ModeProcessFlowChartTNMVAPVAIPSFFSBMBGRITOPSBMBGRITOPSRibBMBGROCPSITOEtchingBackITOBMBGROCPSBackITOBMBGROCPS1.2COLOR

FILTER制法分類和工藝流程1.2COLOR

FILTER制法分類和工藝流程◆TN模式的制造工藝是最基礎的，下面詳細介紹其工藝流程：曝光PW玻璃清洗顯影R光阻涂布RPR+PRBM光阻涂布顯影G光阻涂布GPR曝光曝光顯影B光阻涂布BPR曝光顯影O/CO/CSputteringITOPS光阻涂布PSPR曝光顯影CF成品1.2COLOR

FILTER制法分類和工藝流程ITEMMainProcessConditionControlItem清洗Type:Brush，CJ，UV；Flow；Pressure；ParticleNumber(粒子數(shù))涂布光刻膠CoatingType:SpinorSpin/SlitorSlit；CoatingSpeed；FilmThickness&Uniformity前烘Temperature；Time；PRStiffness（PR膠固化）曝光Gap；Dose；Temperature；Accuracy,TotalPitch（整體間距）顯影ChemicalType&Concentration:KOH,Na2CO3；

Temperature；Time；PRresidual（PR膠殘留）后烘Temperature；Time；AdhesiveForce（粘合力）BetweenGlassandPR濺射Temperature；Pressure；Power；VacuumlevelFilmThickness;Transmittance（透光率）;Resistance1.2COLOR

FILTER制法分類和工藝流程1.3COLOR

FILTER彩色化原理-標準光源1.4COLOR

FILTER彩色化原理-色度計算LightsourceS(?)R(?)X,Y,Z1.5COLOR

FILTER色度原理RGB的基本排列方式ITOPSOCGLASSGRBBM-區(qū)隔各彩色層、擋光B、G、R-濾光,彩色化ITO-公共電極OC-保護層，平坦化PS-液晶層Spacer高的透過率和色純度高對比度低反射率

高平整度良好的耐受性CF性能要求：1.6COLOR

FILTER構成及性能指標1、CD2、膜厚、段差PS高及Size0.2μm0.4μmTopsizeDxBottomsizeDxPS高BM膜厚度GLASS周邊像素端差ITO膜厚度ITO

(0.15?)BM像素開口部象素厚度角段差外廓

BM

(0.15?)Overlap1.7COLOR

FILTER基本特性值4、BM位置精度及TotalPitch（TP）3、OD值H1H2V1V2OD=-log10(I/I0)I0I?PS位置測定方法

利用ReviewImage

X50

測定目標Y:29.75±3umX:18.75±3umTP原點設定1.7COLOR

FILTER基本特性值1.7COLOR

FILTER基本特性值ResistCoat曝光顯影Oven基板洗浄RGB重復

通過反復Red

,Green,Blue形成RGBPatternBM工程后工程?利用曝光Mask進行曝光?Patterning<ResistCoat><曝光

><顯影?PostBake>ＵＶ?通過SpinlessCoater進行Resist涂布?顯影

去除未曝光部分的Resist?PostBake

促使Resist的徹底固化RedBlueGreenRed2.1RGB工程FlowHPCPUV洗浄Brush洗浄循環(huán)水洗浄HJ洗浄直接純水洗浄AirKnife隔斷水/干燥純水洗浄(完成洗浄)高壓Jet洗浄水洗(去掉洗滌劑)摩擦洗浄（也會有使用洗滌劑的情況)UV照射?除掉有機物?表面雜質上流側下流側洗凈機基本結構2.2RGB產(chǎn)線基本結構以及設備結構CoaterVCDHPCP采用SlitNozzle、

涂布Resist使用減壓Chamber，使Resist溶剤揮發(fā)在HotPlate上加熱使其干燥

※業(yè)內(nèi)某些廠商使用特定PR膠可以不使用HPCP2.2RGB產(chǎn)線基本結構以及設備結構①②③④PhotoMaskResist涂布基板分開4shot(①～④)曝光(Step曝光)遇到光的部分，顯影后形成Pattern。(Nega型Resist的情況下)顯影后PhotoMaskUV光Resist曝光部(Pattern剩余部分)將UV光（紫外線）通過PhotoMask照射在Resist涂布基板上2.2RGB產(chǎn)線基本結構以及設備結構顯影槽1水置換槽循環(huán)水洗槽1AirKnife顯影槽2顯影槽3直水洗浄槽IR乾燥（t3沒有）循環(huán)水洗槽2高壓洗浄槽用Alkali現(xiàn)像液將未曝光部的Resist溶解顯影停止（將顯影液用水置換）除掉溶解后的Resist用高壓二流體，將未曝光部分全部除掉。純水置換風刀干燥加熱干燥顯影機基本結構2.2RGB產(chǎn)線基本結構以及設備結構外部吸氣熱排氣加熱器Filter送風機?????????Glass基板循環(huán)溫風Oven:在使用熱風循環(huán)的爐體，加熱基板，使Resist徹底固化。2.2RGB產(chǎn)線基本結構以及設備結構工程條件設定由Panel設計決定RGB式樣標準工程條件（ProcessParameter）的決定???膜厚、色度、線幅(與BM的OverLap)生產(chǎn)時的調機Coat、曝光、顯影、PostBake共同(Mask)缺陷確認???ResistCoat量、曝光量、顯影時間等生產(chǎn)開始膜厚?色度?線幅測定OK的情況下外觀確認RGB式樣確認NG的情況進行調整位置精度確認2.3RGB工程管控它社高精細品RGB首件流程涂布機投入1片涂布膜厚測定涂布Mura檢測曝光前檢測涂布機追加投1片LRStage與曝光機Mask對位涂布機追加投3片檢查機共同缺陷確認Oven外觀檢測對應調整OverLapOKOKOKNG特性檢測OKNGNG調整對應后涂布投入調整對應后涂布投入工程條件卡規(guī)格Mura畫像確認異物檢出數(shù)確認OKOKOKNGNGNGNGMask對位后Glass剝離再投入檢查機OverLap確認Oven開始生產(chǎn)NGNGOKOK它社（Toppan）針對高精細品的首件流程完善且風險完全可控，值得借鑒。若制程能力可靠，也可考慮做部分簡化以提升產(chǎn)能2.3RGB工程管控快速首件流程（借鑒Toppan，針對CSOTt3）涂布機投入5片第5枚進行膜厚測定及自動Mura檢測調整對應后涂布投入NG第1,2,3,4枚進入曝光機曝光NG工程條件卡OKOK人眼確認涂布狀態(tài)曝光機Lstage進入2枚對位曝光曝光機Rstage進入2枚對位曝光曝光機Lstage第一枚進入Oven曝光機Lstage第2枚進入AOI共缺,Overlay檢查曝光機Rstage第2枚進入AOI曝光機Lstage第1枚進入OvenOven后特性值檢查Oven后特性值檢查共缺,Overlay檢查生產(chǎn)繼續(xù)生產(chǎn)停止，重新制作首件OKNG生產(chǎn)繼續(xù)生產(chǎn)停止，重新制作首件OKNGCoater追加投入NGNG三者都OK,首件完成,生產(chǎn)開始OKOKOK2.3RGB工程管控快速首件益處首件流程并行處理，充分利用統(tǒng)籌學原理，可以節(jié)約70%首件時間。風險點1.并行處理若首件失敗，將會損失1-5枚基板；2.Oven后特性值可能在生產(chǎn)開始后才會出量測結果，若NG，可能造成30-50s基板

損失。風險防范措施1.該快速首件流程應該在Coater,EXPO等設備制程穩(wěn)定后再行實施，保證成功率；2.進行Oven前后特性值對比測試，保證Oven前特性值確認OK的情況下Oven后特

性值一定是OK，即Oven前后的特性值管控標準需要換算對應。2.3RGB工程管控?生產(chǎn)條件?特性值的確認工程條件表進行記錄?裝置狀態(tài)（流量?壓力等）始業(yè)點檢工程管理【Case1】即使Process條件相同也會有色度差

?制造：技術聯(lián)絡?技術（&品保）：對ResistMaker訊問

?

由于PRLot不同造成的不同【Case2】即使Process條件相同也有線幅／形狀變化

?制造：技術聯(lián)絡?技術：裝置狀態(tài)調查

?

由于曝光機照度低下對材料?裝置（或者人?方法）引起的可能性進行調查（重點是變更點調查）即使Process條件相同也會發(fā)生特性值異常生產(chǎn)中的工程管理：2.3RGB工程管控RGB特性色度＜關聯(lián)項目＞?CF色式樣等膜厚＜關聯(lián)項目＞?CF色式樣等線幅＜關聯(lián)項目＞?OverLap等位置精度＜關聯(lián)項目＞?OverLap?泛白、混色等形狀＜關聯(lián)項目＞?OverHang等膜厚2.3RGB工程管控down明度Y

upDown明度Y

upup膜厚downup膜厚

downup明度Y

downdown膜厚up膜厚up膜厚up膜厚up如果膜厚變化的話，色度隨之變化2.3RGB工程管控—色度與膜厚的關系RGB顏色間Slit?BM上相同RGBResist之間的間隔OverLap(OverLay)?BM與RGBResist重合的部分BM③⑤BM②①①:顏色間Slit（上底）③:OverLap量（上底）⑤:Fringe②:顏色間Slit（下底）④④:OverLap量（下底）RGRG＜顏色間Slit和OverLap的定義＞顏色間Slit、OverLap量的定義?一般是包含F(xiàn)ringe管理（即管控②和④）2.3RGB工程管控—Overlap＜顏色間Slit和OverLap的設定＞情況１．發(fā)生漏光BMBMGreen

OverLap和BM

沒有OverLap→泛白因曝光機精度及穩(wěn)定性的影響，有可能發(fā)生錯位OverLap量的設定?需要考慮曝光機精度、RGB角部的蜷曲考慮RGB角部的蜷曲反映在最終產(chǎn)品情況即發(fā)生漏光GRGBMG2.3RGB工程管控—Overlap2.3RGB工程管控—Overlap＜顏色間Slit和OverLap的設定＞情況２．發(fā)生混色?特別是面向Moble的高精細品由于BM線幅很細，需要十分注意混色和泛白。?嚴格管理OverLap量對生產(chǎn)性有影響（調機長期化等）?需要充分考慮工程設備的能力反映在最終產(chǎn)品情況，發(fā)生顏色不純正因曝光機精度及穩(wěn)定性的影響，有可能發(fā)生錯位RGBMRed錯位到Green像素內(nèi)的情況RGBM產(chǎn)生Red和Green混合的領域（混色）＜角段差＞VTFT液晶層CF角段差液晶驅動時發(fā)生漏光OverLap(x)大小角度差(y)大小xyxy為了縮小角段差應盡量減小OverLap量?但同時還要避免泛白現(xiàn)象的發(fā)生。2.3RGB工程管控—Overlap1850mm1500mm基準Corner（裝置原點）iⅱⅲⅳⅴⅵⅶⅷⅸiⅱⅲⅳⅴⅵⅶⅷⅸiⅱⅲⅳⅴⅵⅶⅷⅸiⅱⅲⅳⅴⅵⅶⅷⅸ※左圖是以4shot品為例的記載shot數(shù)（1st、2nd…），以條件卡畫面為準曝光機：L/R各Stage調機時：9Point/shot（左圖ⅰ～ⅸ）

抽檢時：5Point/shot（左圖

ⅰ～ⅴ）Overlap管理Point2.3RGB工程管控—OverlapProcessParameter對特性值的影響（NegaResist）線幅線幅線幅曝光量曝光Gap顯影時間通過對工程條件的調整?？梢詫€幅進行一定程度的調整。在工程條件的無法調整的范圍中，有必要對Mask的設計進行變更。想將Green線幅變粗的情況MaskGreenMask開口寬度變大2.3RGB工程管控—OverlapOverhang(O/H)現(xiàn)象是CF像素的下部被挖去造成的Glass順Taper形狀(良好的形狀)O/H形狀(有問題的形狀)為何Overhang會出問題Glass順Taper形狀（OK）O/H形狀(NG)O/H形狀的情況、以后的涂布工程中會有產(chǎn)生無法涂到的地方，而發(fā)生外觀不良（涂布Mura）。OC層OC涂布MuraGreenGreenOverHang涂布方向涂布方向2.3RGB工程管控—OverHang2.4RGBTroubleShooting—關于缺陷?發(fā)散塵位置的調查?清掃Resist異物異物泛白埋入的異物通過干涉條紋推測工程缺陷?由于異物的詳細分類比較困難、

可以通過發(fā)生Timing?map?設備傾向性調

查（注重變更點調查以及平時的作業(yè)記錄）SujiMuraHalationMura色殘留圓形Mura?Coater、HotPlate、曝光機（Stage上異物確認?清掃）?Coater（Coat膜厚的分布確認）?Coater?顯影機，清洗機?Coater2.4RGBTroubleShooting—關于缺陷2.4RGBTroubleShooting—關于缺陷泛白不良的種類脫落Half泛白氣泡MicroPinHole畫面特征像素完全脫落通過透光看見白塊形狀隨機沒有完全脫落通過透光看見輕微的白形狀為隨機看見像素是白色的漸變色，形狀接近圓形發(fā)生群集狀的情況，形狀是微小的圓形，透光發(fā)白、反射光為圓形的深淵狀呈現(xiàn)發(fā)黑的狀態(tài)。可能原因?由于Coat后的附著異物而出現(xiàn)曝光障礙?由于Coat前的附著異物導致顯影的時候脫落?Glass和Resist貼合不良導致顯影時脫落?由于曝光Mask的Pattern面上有異物而導致曝光障礙?由于有附著異物（透明系列）導致曝光障礙?由于曝光不足導致顯影時發(fā)生表面脫落?由于曝光Mask的Glass面的異物導致曝光障礙?Resist中存在Air、連同Air一起被涂布、局部變成薄膜?減壓干燥時急劇的

壓力變化導致Resist中的溶劑突沸。Red像素的MicroPinHole泛白不良的發(fā)生Mechanism通常的ResistCoat～Patterning①Coat后的附著異物使得曝光障礙②Coat前的附著異物導致在顯影的時候脫落【SPLCoater】【曝光】【顯影】(顯影后Pattern)曝光LampMask顯影nozzleCoat后異物附著由于有異物，所以不能被曝光發(fā)生同異物形狀一致的泛白Coat前（Resist下）有異物附著由于異物在Resist下所以可以被曝光顯影的時候連同異物一起脫落、發(fā)生泛白。2.4RGBTroubleShooting—泛白不良③Glass和Resist的連接密封性差，在顯影的時候導致脫落④Resist中有Air、Coat后有氣泡殘留⑤,⑥曝光Mask原因的泛白（共同缺陷）Glass和Resist的連接貼附性差（底層、Resist等）因為無異物，所以進行曝光顯影的時候，顯影、水洗的Shower壓等原因發(fā)生泛白。Resist送液配管內(nèi)等有氣泡、Resist在伴隨有Air的情況下Coat在Air被Coat的部分、發(fā)生泛白。⑥Mask的Glass面有異物、進行曝光⑤Mask的Pattern面有異物、有異物的部分沒有被曝光⑥由于曝光量不足會發(fā)生Half泛白的情況⑤沒有被曝光，發(fā)生和異物形狀一致的泛白泛白不良的發(fā)和Mechanism2.4RGBTroubleShooting—泛白不良2.4RGBTroubleShooting—HalationMuraHalationMura是在曝光后局部出現(xiàn)白色不明物Mura。HalationMura的Mura部分和正常部分的膜厚、線幅發(fā)生偏差，而出現(xiàn)的使人能看得見Glass基板HalationMura?1sheet發(fā)生的話、第2sheet以后發(fā)生同坐標的傾向CoatMura檢查機畫面HalationMura發(fā)生的Mechanism①②③(A)從搬送Unit(IUT、Robot)搬運來的附著在Glass基板上的異物落在Stage上?；蛘咴?B)Stage附近發(fā)散灰塵的原因使異物附著在Stage上。支撐基板的Pin：PinDown根據(jù)異物的位置不同，異物會在基板的某個地方浮起搬送Unit①②③在SpinlessCoater上涂上Resist涂在基板上的Resist從浮起來的部分開始向四周進行Resist的擴散。由于異物的不同、會發(fā)生基板浮起來的地方的膜厚和周圍的膜厚有差異的情況。StageGlass基板StageSlitNozzleResistGlass基板發(fā)生點１：SpinlessCoater發(fā)生的地方每次都是分開的發(fā)生原因2.4RGBTroubleShooting—HalationMura①②③向HotPlate/CoolPlate、恒溫Plate搬送基板。Plate上進行熱處理。在基板浮起來的部分、局部地方的熱傳遞會發(fā)生變化引起Mura。由于熱傳遞發(fā)生的Mura、Resist中所含成分的反應性會有所不同。①②③將基板搬送至曝光Stage。在曝光時，Mask和基板的距離(曝光Gap)會發(fā)生差異。曝光Gap在基板浮起來的部分比周圍要小。由于曝光Gap有變化所以線幅上也會發(fā)生差異。PlateResistGlass基板發(fā)生點２：HotPlate/CoolPlate、恒溫PlateHalationMura的發(fā)生MechanismStageGlass基板Resist曝光Mask曝光Gap發(fā)生點３：曝光機局部的線幅變粗2.4RGBTroubleShooting—HalationMura泛白不良和HalationMura的對策：泛白和HalationMura，主要是異物（落塵）引起的。作為對策內(nèi)容、要防止附著的異物流向基板以及Mask是很重要的。具體來講、要把防止從Coat開始直到曝光的Unit的發(fā)散灰塵的對策作為主要對策。?通過對發(fā)生塵的成分進行分析找出發(fā)生源。防止發(fā)散塵對策的重點含Mask量產(chǎn)初期防止發(fā)散塵的對策很重要2.4RGBTroubleNGOK1.進行1枚Glass流動EXP/DEVStop解除1.原因調查2.EXP/DEVAdjust3.區(qū)間異常處理CD

RedLineCDNormalflowOKOKNGNG1.EXP/DEVStop2.原因調查加測1枚區(qū)間異常處理CD異常時處理流程（RedLine為例）2.5RGB異常處理流程Overlay異常時處理流程（RedLine為例）1.進行1枚Glass流動EXPStop解除1.原因調查2.EXPAdjust3.區(qū)間異常處理OL

RedLineOLNormalflowOKOKNGNG1.EXPStop2.原因調查加測1枚區(qū)間異常處理OKNG2.5RGB異常處理流程色度異常時處理流程（RedLine為例）1.進行1枚Glass流動CoaterStop解除1.原因調查2.措施實施3.區(qū)間異常處理Chromatic

RedLineChromaticNormalflowOKOKNGNG1.發(fā)送Coater前trfStopsignal2.原因調查加測1枚區(qū)間異常處理OKNG膜厚異常時處理流程（RedLine為例）1.進行1枚Glass流動CoaterStop解除1.原因調查2.措施實施3.區(qū)間異常處理Thickness

RedLineThicknessNormalflowOKOKNGNG1.發(fā)送Coater前trfStopsignal2.原因調查加測1枚區(qū)間異常處理OKNG2.5RGB異常處理流程THKMura異常時處理流程（RedLine為例）GrayNGMuraOKImage再確認

GlassflowNormalflow1.NormalFlow2.Trackingflagtomacro1.向coate前TRFr發(fā)StopSignal2.原因調查加測1枚1.原因調查2.措施實施3.區(qū)間異常處理1.進行1枚Glass流動MuraCoaterstop解除區(qū)間異常處理OKNGOKNGOKNGMacroMura異常時處理流程（RedLine為例）2.5RGB異常處理流程MacroOK

GlassflowNormalflowMacroCoater/Aligner/Developstop解除1.原因調查2.措施實施3.區(qū)間異常處理1.進行1枚Glass流動區(qū)間異常處理1.向coater前trf/Aligner/develop前cv發(fā)StopSignal2.原因調查加測1枚NGOKNGOKNG2.5RGB異常處理流程AOI出發(fā)現(xiàn)異常時處理流程（RedLine為例）NGNormalflow2.Spec基準以上1.CommondefectSpec基準以下OKNormalflow3.假缺陷GlassflowAOI檢查1.發(fā)送Stopsignal2.原因調查、措施實施3.Stopsignal解除Defect大小/數(shù)量AOIWarningNGglass處理

生產(chǎn)中改善(1).AOI設備停機(2).原因調查、措施實施AOIAlarm2.5RGB異常處理流程OverHP時處理流程（RedLine為例）

GlassflowHP停滯發(fā)生未發(fā)生原因調查措施實施Normalflow1.原因調查、措施實施2.Trackingflagtomacro，CD停滯時間NG基準以上NG基準以下OverDevelop時處理流程（RedLine為例）

Glassflowdevelop停滯發(fā)生未發(fā)生原因調查措施實施Normalflow

原因調查、措施實施Trackingflagtomacro,CD確認停滯時間NG基準以上NG基準以下OverOven時處理流程（RedLine為例）

Glassflowoven停滯發(fā)生未發(fā)生原因調查措施實施Normalflow

原因調查、措施實施Trackingflagtomacro確認停滯時間NG基準以上NG基準以下2.5RGB異常處理流程3.RGBResist—成分關于UV硬化的結構（Radical聚合型）由光開始劑產(chǎn)生RadicalＵＶ照射（曝光）Ｒ?＋開始反應－成長反應－停止反應在0.001～1秒進行聚合３次元架橋構造硬化涂膜的形成photoinitiatorhνＲ?（radical）C＝C＝monomerAlkali顯影液顯影的構造：polymer：Monomer：顔料-COOH：Carboxyl基(Alkali可溶性基)：水未曝光部：溶解未曝光部：溶解曝光部：膨潤,不溶ーCOOH＋Na＋→ーCOOーNa＋（溶解）未曝光部：曝光部：架橋→不溶化3.1RGBResist—成分3.1RGBResist—成分顔料（染料）樹脂分散劑溶劑樹脂Monomer光聚合開始劑溶劑添加劑顔料分散Paste顏色特性?顏色純度?Contrast?穿透率?安定性Resist特性?敏感度?剖面形狀?顯影時間?安定性RGBResist決定CF制造工程的安定性和敏感度等Resist特性CF的主機能控制?顏色特性?RGBResist的主要構成成分3.1RGBResist—成分分散顔料（不溶）◆色素分子的集合體◆數(shù)十～數(shù)百nm的粒子（一次粒子）是使穿透光著色的成分顔料FinepigmentCrudepigmentRedpigment3.1RGBResist—成分顔料粒子徑和Contrast、穿透率、著色力的關系Ref.

顔料粒子徑越小，Contrast、穿透率

、著色力越好。3.1RGBResist—成分高穿透率?高Contrast比儲存安定性的良化流動性的良化ThestateofdispersionintheresistinkSurfacetreatmentNon-processingProcessing顔料粒子的分散安定化PigmentPigmentsurfacetreatmentPolymerabsorptionlayer樹脂吸附在顔料粒子表面，形成厚厚的吸著層，以防止其他粒子的接近。3.1RGBResist—成分◆樹脂?分子量20000～40000程度的acrylicpolymer

固定粉體顔料

維持CF的耐久性

通過光（UV）硬化、與Alkali顯影液的反應，形成pattern?根據(jù)機能，靈活使用多種樹脂?在clean的空氣中合成、過濾去除異物樹脂、monomer◆monomer?分子量1000以下的聚合性monomer（pre-polymer）?１分子中有3～10個左右的功能團acrylicmonomerC=C==C=C3.1RGBResist—成分吸收光，產(chǎn)生Radical引發(fā)硬化性成分（monomer、樹脂）的硬化反應對光聚合開始劑的要求③優(yōu)越的安定性④樹脂、monomer、溶劑之間良好的相溶性⑤無硬化膜的著色（黃變性）◆光聚合開始劑①Radical生成效率－少量也能夠有利于硬化反應－②光吸收領域和光源波長一致－CF制造line上使用的UVLamp的波長－abs.Wavelengthhνradicalradicalradicalradical3.1RGBResist—成分◆表面平滑劑（添加劑）溶劑揮發(fā)均一發(fā)生對流性波紋（BenardCell）溶劑揮發(fā)不均一確保涂膜的均一性表面平滑劑3.1RGBResist—成分?控制干燥性、涂工性?控制粘度?溶解開始劑和樹脂、monomer◆溶劑＝Resist

3～8mPa?s在VCD工程可能去除有溶解樹脂的極性3.2RGBResist—特性RGBResist的要求特性色特性＜關聯(lián)項目＞?CF色式樣等膜厚＜關聯(lián)項目＞?CF色式樣等線幅＜關聯(lián)項目＞?OverLap等形狀＜關聯(lián)項目＞?OverHang等色特性Resist特性3.2RGBResist—特性Resist膜厚UP和色度坐標的變位顔料分up樹脂分up顔料分up

樹