電磁屏蔽效能.ppt

1、，5.7電磁屏蔽效能，電磁屏蔽，屏蔽原理及分析方法，原理組成：表面反射(R-反射損耗)，屏蔽材料的吸收衰減(A-吸收損耗)，多次反射(B-多次反射修正)，分析方法：電磁感應(yīng)原理，分析渦流對屏蔽體的屏蔽效果，計算屏蔽效能。用平面波理論計算反射和衰減。等效傳輸線理論用于計算反射和衰減。接下來，詳細(xì)分析和討論了平面波垂直入射條件下單層屏蔽的屏蔽效能。屏蔽的平面波模型特別適用于屏蔽結(jié)構(gòu)的尺寸遠(yuǎn)大于擾動場的波長以及擾動源與屏蔽體之間的距離較大的情況?？紤]厚度為t的屏蔽，其兩側(cè)是自由空間Z1=Z2。屏蔽效能的計算可以根據(jù)單層屏蔽的屏蔽效能得到，其中屏蔽效能對應(yīng)于吸收損耗、反射損耗和多次反射損耗之和。對于好

2、的導(dǎo)體，有：反射損耗：吸收損耗：多次反射修正：注：吸收損耗和多次反射損耗、反射損耗之間有以下關(guān)系：電場源-，磁場源-，屏蔽效能：吸收損耗：平面波源-，多次反射修正：反射損耗，介質(zhì)界面處的電磁波。對于特定的介質(zhì)，有兩個與其自身物理特性相關(guān)的物理量：固有阻抗和傳播常數(shù)。從理論上看，這兩個物理量是內(nèi)在聯(lián)系的，從一定程度上反映了道路與場的聯(lián)系中介質(zhì)的物理電磁參數(shù)(介電常數(shù)、磁導(dǎo)率)的內(nèi)在聯(lián)系。介質(zhì)的固有阻抗：傳播常數(shù)：良導(dǎo)體：波阻抗：遠(yuǎn)場：近場(主要是電場):近場(主要是磁場):一般來說，自由空間的波阻抗比金屬屏蔽的波阻抗大得多。當(dāng)電磁波穿過金屬層時，感應(yīng)渦流產(chǎn)生歐姆損耗，該損耗被轉(zhuǎn)換成熱能并消散。-

3、相對于銅的電導(dǎo)率，銅：-厚度(mm)。-相對磁導(dǎo)率，其中：有：在工程中，在具體應(yīng)用中，由于以前的吸收損耗關(guān)系將損耗值與金屬層厚度聯(lián)系起來，因此可以為金屬厚度的確定提供指導(dǎo)。如果A=100dB分貝，r=1，r=1，當(dāng)頻率為1兆赫時，屏蔽殼的厚度為t=0.76mm毫米。隨著頻率的增加，獲得一定屏蔽效能所需的金屬層厚度會減小。如果考慮其他損耗因素，所需的厚度可能會更小。因此，在高頻的情況下，在選擇屏蔽殼的厚度時，一般沒有必要考慮電磁屏蔽效果，而只考慮工藝結(jié)構(gòu)和機械性能。屏蔽材料越厚，吸收損耗越大。滲透性越高，吸收損失越大。電導(dǎo)率越高，吸收損耗越大。頻率越高，吸收損耗越大。在工程中，當(dāng)需要考慮如何應(yīng)用吸收特性時，可以考慮以下原則：材料特性。屏蔽材料的電導(dǎo)率越高，磁導(dǎo)率越低，反射損耗越大。場源特性。對于相