4、幾類其他聚集狀態(tài)的物質(zhì).ppt

1、知識回顧：三種晶體類型與性質(zhì)的比較,共價鍵,范德華力,金屬鍵,原子,分子,金屬陽離子和自由電子,很高,很低,差別較大,很大,很小,差別較大,無（硅為半導體）,無,導體,氯化鈉晶體,粉末狀氯化鈉晶體,3.4離子晶體,2Na + Cl2 = 2NaCl,氯化鈉的形成過程：,一、離子晶體,1、定義：由陽離子和陰離子通過離 子鍵結(jié)合而成的晶體。 2、成鍵粒子：陰、陽離子 3、相互作用力：離子鍵,4、常見的離子晶體： 強堿、活潑金屬氧化物、大部分的鹽類。,可見：在NaCl晶體中，鈉離子、氯離子按一定的規(guī)律在空間排列成立方體。,5、晶胞類型：,（1）氯化鈉型晶胞,（1）鈉離子和氯離子的位置：,鈉離子和氯離

2、子位于立方體的頂角上，并交錯排列。 鈉離子：體心和棱中點；氯離子：面心和頂點，或者反之。,氯化鈉的晶胞,（3）與Na+等距離且最近的Na+ 、Cl- 各有幾個？,計算方法：均攤法 頂點占1/8；棱占1/4；面心占1/2；體心占1,（2）每個晶胞含鈉離子、氯離子的個數(shù),與Na+等距離且最近的Na+ 有： 12個 與Na+等距離且最近的Cl- 有： 6個,NaCl的晶體結(jié)構(gòu)模型,NaCl晶體中陰、陽離子配位數(shù),（2）氯化銫型晶胞,CsCl的晶體結(jié)構(gòu)及晶胞構(gòu)示意圖,CsCl晶胞,（1）銫離子和氯離子的位置：,銫離子：體心 氯離子：頂點；或者反之。,（2）每個晶胞含銫離子、氯離子的個數(shù),銫離子：1個

3、；氯離子：1個,（3）與銫離子等距離且最近的銫離子、氯離子各有幾個？,銫離子：6個 ；氯離子：8個,(3)CaF2型晶胞,Ca2+的配位數(shù)：,F-的配位數(shù)：,一個CaF2晶胞中含： 個Ca2+和 個F-,8,4,4,8,(4)ZnS型晶胞,陽離子的配位數(shù)：4,陰離子的配位數(shù)：4,一個ZnS晶胞中含：4個陽離子和4個陰離子,科學探究：,找出CsCl、NaCl兩種離子晶體中陽離子和陰離子的配位數(shù)，它們是否相等？,6,6,8,8,科學探究：,你認為是什么因素決定了離子晶體中離子的配位數(shù)？根據(jù)表35、表36分析影響離子晶體中離子配位數(shù)的因素。,決定離子晶體結(jié)構(gòu)的因素,幾何因素 晶體中正負離子的半徑比

4、電荷因素 晶體中正負離子的電荷比 鍵性因素 離子鍵的純粹程度（純粹因素）,科學視野,閱讀思考 碳酸鹽熱分解的實質(zhì)是什么？ 表3-7的有關(guān)數(shù)值說明了什么？,組成碳酸鹽中陽離子的金屬的金屬性越弱，金屬陽離子的半徑越小，碳酸鹽的熱穩(wěn)定性越差，反之越好。,二、晶格能,定義：氣態(tài)離子形成1摩離子晶體時釋放的能量。 晶格能的大小與陰、陽離子所帶電荷的乘積成正比，與陰、陽離子間的距離成反比。 簡言之,晶格能的大小與離子帶電量成正比,與離子半徑成反比. 晶格能越大： 形成的離子晶體越穩(wěn)定；（離子鍵越強） 熔點越高；硬度越大。,仔細閱讀表38，分析晶格能的大小與離子晶體的熔點有什么關(guān)系？離子晶體的晶格能與哪些因

5、素有關(guān)？,總結(jié)一,離子晶體有什么特點？ 無單個分子存在；NaCl不表示分子式。 熔沸點較高，硬度較大，難揮發(fā)難壓縮。且隨著離子電荷的增加，核間距離的縮短，晶格能增大，熔點升高。 一般易溶于水，而難溶于非極性溶劑。 固態(tài)不導電，水溶液或者熔融狀態(tài)下能導電。 哪些物質(zhì)屬于離子晶體？ 強堿、部分金屬氧化物、部分鹽類。,各類型離子晶體晶胞的比較,Na+：,6,Cl-：,6,Cs+：,Cl-：,8,8,Zn2+：,S2-：,4,4,Ca2+：,F-：,4,8,Na+：,Cl-：,Cs+：,Cl-：,Zn2+：,S2-：,Ca2+：,F-：,Na+：,Cl-：,Cs+：,Cl-：,Zn2+：,S2-：,C

6、a2+：,F-：,6,6,8,8,4,4,4,8,4,4,1,1,4,4,8,4,KBr AgCl、MgO、CaS、BaSe,ZnS、AgI、 BeO,CsCl、CsBr、CsI、TlCl,堿土金屬鹵化物、堿金屬氧化物。,【總結(jié)歸納二】 物質(zhì)的熔點與晶體類型的關(guān)系 1、若晶體類型不同，一般情況下：原子晶體離子晶體分子晶體。 2、若晶體類型相同，則有： 離子晶體中，結(jié)構(gòu)相似時，離子半徑越小，離子電荷越高，晶格能越大，離子鍵就越強，熔點就越高。 原子晶體中，結(jié)構(gòu)相似時，原子半徑越小，共價鍵鍵長越短，鍵能越大，熔點越高。 分子晶體中（不含氫鍵時），分子組成和結(jié)構(gòu)相似時，相對分子質(zhì)量越大，范德華力就越

7、強，熔點就越高。 金屬晶體中，離子半徑越小，離子電荷越高，金屬鍵就越強，熔點就越高。合金的熔點比它的各成分金屬的熔點低。,練習,1、下表列出了有關(guān)晶體的知識，其中錯誤的是（） 2、下列物質(zhì)的晶體，按其熔點由低到高的排列順序正確的是（） ANC、SO2、CO2BNC、CO2、SO2 CNC、MO、SO2DNC、SO2、MO 3、用離子的電荷和半徑解釋下列離子晶體熔點高低的順序。 （1）MOKC（2）MOSS （3）NFNCNB,B,C,1,2,3,4,5,6,8,7,8,中學教材上圖示的NaCl晶體結(jié)構(gòu)，它向三維空間延伸得到完美晶體。NiO晶體結(jié)構(gòu)與NaCl相同，Ni2與鄰近的O2-核間距為a1

8、0-8 ，計算NiO晶體密度（已知NiO摩爾質(zhì)量為74.7gmol-1),解：在該晶體中最小正方體中所含的 Ni2+、O2個數(shù)均為:,即晶體中每個小正方體中平均含有1/2個 NiO.其質(zhì)量為:,而此小正方體體積為(a10-8)3,故NiO晶體密度為：,總結(jié),課 堂 練 習 題,(a10-8)3,綜合應用,變式 (1)NiO晶體結(jié)構(gòu)與NaCl相同，設(shè)NiO的摩爾質(zhì)量M g/mol,密度為g/mL,阿伏加德羅常數(shù)為NA,求晶胞中兩個距離最近的氧離子中心間的距離為多少cm?,解題思路：（1）每個晶胞中含NiO的個數(shù)（2）一個晶胞的質(zhì)量（3）一個晶胞的體積（4）晶胞的邊長（5）晶胞中任一個面對角線長度

9、的一半,主頁,綜合應用,(2)天然的和大部分人工制備的晶體都存在各種缺陷，例如在某種NiO晶體中就存在以下缺陷：一個Ni2+空缺，另有兩個Ni2+被兩個Ni3+所取代。其結(jié)果晶體仍呈電中性，但化合物中Ni和O的比值卻發(fā)生了變化。某氧化鎳樣品組成為Ni0.97O,試計算該晶體中Ni3+與Ni2+的離子數(shù)之比。,返回主菜單,參考答案： Ni3+ ：Ni2+6 ：91,分析： 本題命題角度較新穎，實際上難度不大，第（2）題所提供的Ni0.97O信息，實際上是一種“平均化學式”。盡管題給示意圖及題目敘述中提到了有“Ni2+”空缺，但“Ni0.97O”的平均化學式與所述的“空缺”無關(guān)，它只是遵循著電中性原則，即由于摻雜多帶一個電荷的Ni3+代替了部分Ni2+ ，才使“NiO”變成了“Ni0.97O”。,（2）0.97 mol的鎳離子的平均帶電量為2，那么1 mol鎳離子的平均帶電量為2/0.97，這是+2和+3價的鎳離子的共同電量，由此可列方程式。不同于上解的是，這種做法將0.97 mol鎳離子化為1 mol鎳離子來計算。 解法一： 設(shè)1molNi中含Ni2+ x mol，則含Ni3+（1-x）mol，根據(jù)電荷守恒： 2x+3(1-x)=2/0.97 x=91/97 n(Ni3+): n(Ni2+)=(1-91/97)91/97=691,解法二：因為中Nio.97O中既有+2價的離子又有