DDR4與DDR3的區(qū)別分析

1、DDR4時(shí)代將來(lái)臨 DDR4與DDR3區(qū)別解析令人期盼已久的DDR4時(shí)代終于來(lái)臨了！那么相比DDR3，都有了哪些比較重要的改進(jìn)呢？星宏偉業(yè)跟大家一起來(lái)看一下：1.DDR4內(nèi)存條外觀(guān)變化明顯，金手指變成彎曲狀2.DDR4內(nèi)存頻率提升明顯，可達(dá)4266MHz3.DDR4內(nèi)存容量提升明顯，可達(dá)128GB4.DDR4功耗明顯降低，電壓達(dá)到1.2V、甚至更低 很多電腦用戶(hù)可能對(duì)于內(nèi)存的內(nèi)在改進(jìn)不會(huì)有太多的關(guān)注，而外在的變化更容易被人發(fā)現(xiàn)，一直一來(lái)，內(nèi)存的金手指都是直線(xiàn)型的，而在DDR4這一代，內(nèi)存的金手指發(fā)生了明顯的改變，那就是變得彎曲了，其實(shí)一直一來(lái)，平直的內(nèi)存金手指插入內(nèi)存插槽后，受到的摩擦力較大，

2、因此內(nèi)存存在難以拔出和難以插入的情況，為了解決這個(gè)問(wèn)題，DDR4將內(nèi)存下部設(shè)計(jì)為中間稍突出、邊緣收矮的形狀。在中央的高點(diǎn)和兩端的低點(diǎn)以平滑曲線(xiàn)過(guò)渡。這樣的設(shè)計(jì)既可以保證DDR4內(nèi)存的金手指和內(nèi)存插槽觸點(diǎn)有足夠的接觸面，信號(hào)傳輸確保信號(hào)穩(wěn)定的同時(shí)，讓中間凸起的部分和內(nèi)存插槽產(chǎn)生足夠的摩擦力穩(wěn)定內(nèi)存。其次，DDR4內(nèi)存的金手指本身設(shè)計(jì)有較明顯變化。金手指中間的“缺口”也就是防呆口的位置相比DDR3更為靠近中央。在金手指觸點(diǎn)數(shù)量方面，普通DDR4內(nèi)存有284個(gè)，而DDR3則是240個(gè)，每一個(gè)觸點(diǎn)的間距從1mm縮減到0.85mm，筆記本電腦內(nèi)存上使用的SO-DIMM DDR4內(nèi)存有256個(gè)觸點(diǎn)，SO-

3、DIMM DDR3有204個(gè)觸點(diǎn)，間距從0.6毫米縮減到了0.5毫米。第三，標(biāo)準(zhǔn)尺寸的DDR4內(nèi)存在PCB、長(zhǎng)度和高度上，也做出了一定調(diào)整。由于DDR4芯片封裝方式的改變以及高密度、大容量的需要，因此DDR4的PCB層數(shù)相比DDR3更多，而整體尺寸也有了不同的變化，如上圖。頻率和帶寬提升巨大 DDR4最重要的使命當(dāng)然是提高頻率和帶寬。DDR4內(nèi)存的每個(gè)針腳都可以提供2Gbps(256MB/s)的帶寬，DDR4-3200那就是51.2GB/s，比之DDR3-1866高出了超過(guò)70。在DDR在發(fā)展的過(guò)程中，一直都以增加數(shù)據(jù)預(yù)取值為主要的性能提升手段。但到了DDR4時(shí)代，數(shù)據(jù)預(yù)取的增加變得更為困難，

4、所以推出了Bank Group的設(shè)計(jì)。Bank Group架構(gòu)又是怎樣的情況？具體來(lái)說(shuō)就是每個(gè)Bank Group可以獨(dú)立讀寫(xiě)數(shù)據(jù)，這樣一來(lái)內(nèi)部的數(shù)據(jù)吞吐量大幅度提升，可以同時(shí)讀取大量的數(shù)據(jù)，內(nèi)存的等效頻率在這種設(shè)置下也得到巨大的提升。DDR4架構(gòu)上采用了8n預(yù)取的Bank Group分組，包括使用兩個(gè)或者四個(gè)可選擇的Bank Group分組，這將使得DDR4內(nèi)存的每個(gè)Bank Group分組都有獨(dú)立的激活、讀取、寫(xiě)入和刷新操作，從而改進(jìn)內(nèi)存的整體效率和帶寬。如此一來(lái)如果內(nèi)存內(nèi)部設(shè)計(jì)了兩個(gè)獨(dú)立的Bank Group，相當(dāng)于每次操作16bit的數(shù)據(jù)，變相地將內(nèi)存預(yù)取值提高到了16n，如果是四個(gè)獨(dú)

5、立的Bank Group，則變相的預(yù)取值提高到了32n。容量劇增 最高可達(dá)128GB、更低功耗 更低電壓也是DDR4特有的產(chǎn)品噱頭。更低的電壓：這是每一代DDR進(jìn)化的必備要素，DDR4已經(jīng)降至1.2V！威剛早些時(shí)候正式宣布了他們的首批DDR4內(nèi)存產(chǎn)品，美光也不甘示弱，宣布其DDR4內(nèi)存已經(jīng)大規(guī)模投產(chǎn)，并在逐步提高產(chǎn)量。美光表示，目前量產(chǎn)的是4Gb DDR4內(nèi)存顆粒，標(biāo)準(zhǔn)頻率為2133MHz，并特別與Intel合作，針對(duì)將在下半年發(fā)布的下一代服務(wù)器平臺(tái)Xeon E5-2600 v3進(jìn)行了優(yōu)化。美光還透露，他們將陸續(xù)推出符合JEDEC DDR4標(biāo)準(zhǔn)的完整產(chǎn)品線(xiàn)，涵蓋RDIMM、LRDIMM、VLP RDIMM、UDIMM