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文檔簡介

第九章半導體異質結構,9.1 半導體異質結及其能帶圖,9.1 半導體異質結及其能帶圖,1 半導體異質結 兩種不同半導體材料接觸形成的結 反型異質結：由導電類型相反的兩種不同的半導體 單晶材料所形成的異質結 如p-Ge和n-GaAs 記為p-nGe-GaAs 如p-nGe-Si, n-pGe-GaAs 同型異質結：導電類型相同的兩種半導體材料所形 成的異質結 如n-nGe-Si, p-p Ge-GaAs ,p-pSi-GaP 一般把禁帶寬度較小的半導體材料寫在前面。,2. 理想異質結的能帶圖,形成突變pn異質結之前的平衡能帶圖,9.1 半導體異質結及其能帶圖,9.1 半導體異質結及其能帶圖,窄帶隙材料和寬帶隙材料在接觸前的能帶圖,形成突變pn異質結之后的平衡能帶圖,由于p區(qū)和n區(qū)的電子親和勢和禁帶寬度不同，使異質結在界面處的能帶突變，EC和EV的出現(xiàn)將阻礙載流子通過界面，這種對載流子的限制作用是同質結中所沒有的。,p-nGe-GaAs異質結的平衡能帶圖,9.1 半導體異質結及其能帶圖,熱平衡狀態(tài)下的一個典型的np異質結能帶圖,9.1 半導體異質結及其能帶圖,Nn異質結在熱平衡狀態(tài)下的理想能帶圖,9.1 半導體異質結及其能帶圖,n-AlGaAs, n-GaAs異質結的導帶邊緣圖,本章小結,一 重要術語解釋 1異質結：兩種不同的半導體材料接觸形成的結。 2反型異質結： 由導電類型相反的兩種不同的半 導體單晶材料所形成的異質結。 如：p(Ge)-n(GaAs); p(Ge)-n(Si)等。 3同型異質結：由導電類型相同的兩種不同的半導 體單晶材料所形成的異質結。 如：n(Ge)-n(GaAs); p(Ge)-p(Si)等。,二 知識點 學完本章后，讀者應具備如下能力： 1會畫理想突變反型異質結的能帶圖 2

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