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文檔簡介

ESD防護中的電容選擇一 靜電磁場特性根據(jù)國標(biāo)標(biāo)準(zhǔn)GB/17626.2靜電放電電流的標(biāo)準(zhǔn)波型為：它具有亞納秒的上升前沿, 半高脈寬為30n s, 其峰值從充電電壓為2kV 時的9A 到15kV 時的70A。靜電的輻射場是由靜電電流產(chǎn)生的輻射磁場，接觸放電和空氣放電所產(chǎn)生的磁場是不相同的。根據(jù)測試采用人體-金屬模型，接觸放電時靜電輻射場的波形和頻譜圖如下：其輻射場波形為典型的衰減振鈴信號, 振蕩持續(xù)時間約500n s, 峰值場強為150V /m由上圖可看出, 頻譜包含了0 250MHz 的頻率分量, 中心頻率在40MHz 左右?？諝夥烹姇r靜電輻射場的波形和頻譜圖如下：人體-金屬模型的空氣放電輻射場波形與接觸放電很相似, 都為衰減的振鈴信號波形, 其正峰值場強為200V /m, 頻譜分布在0 130MHz, 中心頻率約28MHz,且有幾個倍頻輻射場存在。二 PCB防護電路中的電容選擇基于PCB設(shè)計的電子產(chǎn)品極易受到靜電干擾（尤其是浮地設(shè)計），以復(fù)位信號的ESD防護為例說明防護電路中電容選擇：某種芯片的復(fù)位信號時序圖如下：從圖中可以看出復(fù)位信號的脈寬最小值（T6.1）為100us，因此只要外部干擾導(dǎo)致nRST引腳低電平時間超過100us，該芯片就會復(fù)位。對于浮地系統(tǒng)當(dāng)電路板受到靜電磁場輻射時，部分磁場能量就會通過微帶線耦合到電路板上，由于沒有有效快速的泄放途徑，電場能量會累積到電路板上，導(dǎo)致地平面或電源平面之間的電平發(fā)生變化，當(dāng)變化持續(xù)時間超過復(fù)位管腳的最小脈寬時就會引起芯片復(fù)位。因此需要為干擾尋求快速的泄放通道從而減小干擾，防護電路如下：考慮到靜電輻射場頻率主要集中在20M50M之間，0.01uF電容的諧振頻率在45M左右，因此選用0.01uF電容，其響應(yīng)曲線如下：由圖二可知靜電輻射場包含正負雙向輻射，因此需要對電源與地均添加退偶電容。實驗證明添

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