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PLANE53 單元說明PLANE53 用于 2 維 (平面和軸對稱) 磁場問題的建模。本單元有 8 個節(jié)點,每個節(jié)點最多 4 個自由度:磁矢量勢的 z 分量 (AZ)、時間積分電標(biāo)量勢 (VOLT)、電流 (CURR) 和電動勢降 (EMF)。PLANE53 是以磁矢量勢理論為基礎(chǔ)的,可以用于以下低頻磁場分析:靜磁、渦流 (AC 時間諧波和瞬態(tài)分析)、電動力磁場 (voltage forced magnetic fields)(靜態(tài), AC時間諧波和瞬態(tài)分析) 以及電磁-電路耦合場 (靜態(tài), AC時間諧波和瞬態(tài)分析)。本單元具有非線性磁能力,可用于 B-H 曲線或永久磁體退磁曲線的建模。關(guān)于本單元的更多細(xì)節(jié)見 ANSYS 公司理論手冊 中的 PLANE53。類似的 4 節(jié)點單元是 PLANE13 (沒有電動力勢和電磁-電流耦合能力)。圖 53.1 PLANE53 單元幾何PLANE53 輸入數(shù)據(jù)在圖 53.1: PLANE53 單元幾何 中給出了本單元的幾何形狀,節(jié)點位置和坐標(biāo)系。單元輸入數(shù)據(jù)包括:8 個節(jié)點和磁材料特性。單位類型 (MKS 或用戶定義) 由 EMUNIT 命令確定。EMUNIT 也規(guī)定 MUZERO 的值。EMUNIT 默認(rèn)為 MKS 單位,而 MUZERO 默認(rèn)等于 4 x 10-7 henries/meter。除MUZERO 外,正交異性相對導(dǎo)磁率由材料特性表中的 MURX 和 MURY 確定。MGXX 和 MGYY 表示永久磁性材料矯頑力的矢量分量。矯頑力的大小等于這些分量平方和的平方根。極化方向由分量 MGXX 和 MGYY 確定。永久磁體極化方向和正交異性材料方向與單元坐標(biāo)系方向一致。單元坐標(biāo)系的方向在 坐標(biāo)系 中說明。未輸入的材料特性其默認(rèn)值與 線性材料特性 中相同。如 數(shù)據(jù)表 隱式分析 中所述,非線性磁性 B-H 特性用 TB 命令輸入??梢詫?B-H 曲線和線性相對導(dǎo)磁率相結(jié)合來確定非線性正交異性磁性能。在相對導(dǎo)磁率為零的地方,在各單元坐標(biāo)方向?qū)⑹褂肂-H 曲線。一種材料只能規(guī)定一條 B-H 曲線。本單元可以使用不同的節(jié)點載荷組合,取決于 KEYOPT(1) 的值。節(jié)點載荷用 D 和 F 命令定義。對 D 命令,Lab 變量為自由度 (VOLT 或 AZ), VALUE 為相應(yīng)的數(shù)值 (時間積分電標(biāo)量勢或磁勢量勢)。對 F 命令,Lab 變量為力 (AMPS 或 CSGZ),VALUE 為相應(yīng)的數(shù)值 (電流或磁通量)。如果有節(jié)點力,對平面問題應(yīng)輸入每單位厚度的值,對軸對稱問題應(yīng)輸入整個 360 圓周的值。單元載荷在 節(jié)點和單元載荷 中說明。在單元邊界上可以用 SF 和 SFE 命令輸入 Maxwell 力標(biāo)記,如 圖53.1 PLANE53 單元幾何 中有圓圈的數(shù)字所示。需要計算磁力的表面可以在面載荷命令中用 MXWF 標(biāo)記來識別 (不要數(shù)值)。在這些表面上將計算一個 應(yīng)力張量以得到磁力。此表面標(biāo)記應(yīng)該施加到與需要計算力的物體相鄰的 空氣 單元上。刪除 MXWF 表示去掉此標(biāo)記。在順序結(jié)構(gòu)分析中,對于兼容的單元,可以使用 Lorentz 和 Maxwell 力 LDREAD。溫度 (僅用于計算材料特性) 和磁虛位移體載荷可以輸入單元節(jié)點的直或單一的單元值 BF, BFE。源流密度和電壓體載荷可以施加到一個面積 (AREA) 上 BFA 或輸入單元值 BFE。一般地,未給出的節(jié)點溫度默認(rèn)為用 BFUNIF 或 TUNIF 命令指定的均勻溫度。在順序結(jié)構(gòu)分析中,對于兼容的單元,可以使用計算得到的焦耳熱 LDREAD。對于需要計算局部 Jacobian 力的空氣單元,可以用帶有 MVDI 標(biāo)記的 BF 命令,將節(jié)點值設(shè)置為 1 和 0 來識別。詳見 ANSYS 電磁場分析指南。在 PLANE53 輸入?yún)R總 中給出了本單元輸入數(shù)據(jù)的一個匯總。在 單元輸入 中給出了本單元輸入數(shù)據(jù)的一般說明。對于軸對稱問題,見 軸對稱單元。PLANE53 輸入?yún)R總節(jié)點 I, J, K, L, M, N, O, P自由度 AZ 如果 KEYOPT(1) = 0VOLT, AZ - 如果 KEYOPT(1) = 1 AZ, CURR 如果 KEYOPT(1) = 2AZ, CURR, EMF 如果 KEYOPT(1) = 3 或 4實常數(shù) CARE, TURN, LENG, DIRZ, FILL, VELOX,VELOY, OMEGAZ, XLOC, YLOC對于實常數(shù)的說明見 表 53.1: PLANE53 實常數(shù)材料性能 MUZERO, MURX, MURY, RSVX, MGXX, MGYY, 加上 BH 數(shù)據(jù)表 (見 數(shù)據(jù)表 隱式分析)面載荷Maxwell 力標(biāo)記 邊 1 (J-I), 邊 2 (K-J), 邊 3 (L-K), 邊 4 (I-L)體載荷溫度 - T(I), T(J), T(K), T(L), T(M), T(N), T(O), T(P)磁虛位移 VD(I), VD(J), VD(K), VD(L), VD(M), VD(N), VD(O), VD(P) - 源流密度, 如果 KEYOPT(1) = 0 或 1:備用, 備用, JSZ(I), PHASE(I), 備用, 備用, JSZ(J), PHASE(J), 備用, 備用, JSZ(K), PHASE(K),備用, 備用, JSZ(L), PHASE(L),備用, 備用, JSZ(M), PHASE(M), 備用, 備用, JSZ(N), PHASE(N),備用, 備用, JSZ(O), PHASE(O), 備用, 備用,JSZ(P), PHASE(P)電壓載荷, 如果 KEYOPT(1) = 2:VLTG(I), PHASE(I), VLTG(J), PHASE(J), VLTG(K), PHASE(K),VLTG(L), PHASE(L), VLTG(M), PHASE(M), VLTG(N), PHASE(N),VLTG(O), PHASE(O), VLTG(P), PHASE(P)求解能力 生死單元、自適應(yīng)下降關(guān)鍵選項KEYOPT(1) 單元自由度0 AZ 自由度:靜態(tài)域,包括渦流域;1 - VOLT, AZ 自由度:電流反饋塊導(dǎo)體;2 - AZ, CURR 自由度:電壓反饋導(dǎo)電線圈;3 - AZ, CURR, EMF 自由度:電流耦合導(dǎo)電線圈;4 - AZ, CURR, EMF自由度:電流耦合塊導(dǎo)體;KEYOPT(2) 單元常規(guī)速度0 忽略速度影響1 - 常規(guī)速度公式 (KEYOPT(1) = 2, 3 或 4 時不能用)KEYOPT(3) 單元行為0 平面1 軸對稱KEYOPT(4) 單元坐標(biāo)系0 - 單元坐標(biāo)系平行于總體坐標(biāo)系1 - 單元坐標(biāo)系基于單元的 I-J 邊KEYOPT(5) 額外的單元輸出0 基本單元輸出1 積分點輸出2 節(jié)點磁場輸出KEYOPT(7) 為耦合單元儲存磁力0 有中間節(jié)點的 (高階) 結(jié)構(gòu)單元1 - 沒有中間節(jié)點的結(jié)構(gòu)單元表 53.1 PLANE53 實常數(shù)序 號名 稱說 明KEYOPT(1) 2 電力勢或電磁-電流耦合分析 (導(dǎo)電線圈或塊導(dǎo)體)1CARE線圈截面積,KEYOPT(1) = 2, 3, 4 時輸入2TURN線圈總匝數(shù) (僅對導(dǎo)線束),默認(rèn)為 1,KEYOPT(1) = 2, 3 時輸入3LENGZ 方向?qū)Ь€束長度(僅對平面問題),默認(rèn)為 1 米;KEYOPT(1) = 2, 3, 44DIRZZ 方向電流;KEYOPT(1) = 2, 3, 45FILL導(dǎo)電線圈填充因子;KEYOPT(1) = 2, 3KEYOPT(2) = 1 (且 KEYOPT(1) = 0 或 1)導(dǎo)體的速度影響6VELOXX 方向的速度分量 (總體直角坐標(biāo)系)7VELOYY方向的速度分量 (總體直角坐標(biāo)系)8OMEGAZ繞支點 Z 軸(總體直角坐標(biāo)系) 的旋轉(zhuǎn)角速度 (Hz, 每秒循環(huán)數(shù))9XLOC支點的 X 坐標(biāo) (總體直角坐標(biāo)系)10YLOC支點的 Y 坐標(biāo) (總體直角坐標(biāo)系)PLANE53 輸出數(shù)據(jù)與單元有關(guān)的結(jié)果輸出有兩種形式: 包括在整個節(jié)點解中的節(jié)點位移。 附加的單元輸出,見表 53.2 PLA

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