【創(chuàng)新設(shè)計(jì)】高中化學(xué) 4.1.2 硅酸鹽的硅單質(zhì)隨堂練習(xí) 新人教版必修1(1).doc

【創(chuàng)新設(shè)計(jì)】2014高中化學(xué) 4.1.2 硅酸鹽的硅單質(zhì)隨堂練習(xí) 新人教版必修11(對應(yīng)考點(diǎn)一)下列說法正確的是()a硅是良好的半導(dǎo)體材料，能與鹽酸或氫氧化鈉溶液反應(yīng)b二氧化硅不導(dǎo)電，能與鹽酸或氫氧化鈉溶液反應(yīng)c硅酸具有多孔性結(jié)構(gòu)，可用作吸附劑或催化劑載體d二氧化硅是酸性氧化物，能與氫氟酸反應(yīng)，也能與氫氧化鈉溶液反應(yīng)解析：硅與鹽酸不反應(yīng)，a不正確；二氧化硅與鹽酸也不反應(yīng)，b不正確；具有多孔結(jié)構(gòu)，用作吸附劑或催化劑載體的是硅膠，而不是硅酸，c不正確；d項(xiàng)正確，sio24hf=sif42h2o,2naohsio2=na2sio3h2o。答案：d2(對應(yīng)考點(diǎn)一)由下列實(shí)驗(yàn)事實(shí)得出的結(jié)論正確的是()a由sio2不能與水反應(yīng)生成h2sio3，可知sio2不是酸性氧化物b由sio22csi2co，可知碳的非金屬性大于硅cco2通入na2sio3溶液產(chǎn)生白色沉淀，可知酸性h2co3h2sio3dsio2可與naoh溶液反應(yīng)，也可與氫氟酸反應(yīng)，可知sio2為兩性氧化物解析：sio2是酸性氧化物，a項(xiàng)錯(cuò)誤；反應(yīng)sio22csi2co不能說明碳的非金屬性比硅強(qiáng)，該反應(yīng)能發(fā)生是因?yàn)樯蒫o氣體，它的放出促進(jìn)了反應(yīng)進(jìn)行，b項(xiàng)錯(cuò)誤；co2通入na2sio3溶液中生成h2sio3膠體，符合強(qiáng)酸制弱酸的規(guī)律，證明酸性h2co3h2sio3，c項(xiàng)正確；d項(xiàng)中sio2除氫氟酸外不能與其他的酸反應(yīng)，sio2為酸性氧化物，不具有兩性，d項(xiàng)錯(cuò)誤。答案：c3(對應(yīng)考點(diǎn)二)下列關(guān)于硅的說法不正確的是()a硅是非金屬元素，它的單質(zhì)是灰黑色有金屬光澤的固體b硅的導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體和絕緣體之間，是良好的半導(dǎo)體材料c硅的化學(xué)性質(zhì)不活潑，常溫下不與任何物質(zhì)發(fā)生反應(yīng)d加熱到一定溫度時(shí)，硅能與氯氣、氧氣等非金屬反應(yīng)解析：硅的導(dǎo)電性介于導(dǎo)體和絕緣體之間，是良好的半導(dǎo)體材料；硅的化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定、常溫下可與f2、hf、強(qiáng)堿溶液反應(yīng)，加熱或高溫下可與o2、cl2等一些非金屬發(fā)生反應(yīng)。答案：c4(對應(yīng)考點(diǎn)二)單晶硅是制作電子集成電路的基礎(chǔ)材料?？茖W(xué)家預(yù)計(jì)，到2011年一個(gè)電腦芯片上將會(huì)集成10億個(gè)晶體管，其功能遠(yuǎn)比我們想象的要大得多，這對硅的純度要求很高。用化學(xué)方法可制得高純度硅，其化學(xué)方程式為：sio22csi2cosi2cl2sicl4sicl42h2si4hcl。下列對上述三個(gè)反應(yīng)的敘述中，不正確的是()a為置換反應(yīng)b為化合反應(yīng)c均為氧化還原反應(yīng)d三個(gè)反應(yīng)的反應(yīng)物中硅元素均被還原解析：反應(yīng)中硅元素被還原，反應(yīng)中硅元素被氧化，d錯(cuò)誤。答案：d5(熱點(diǎn)題)氮化硅高溫陶瓷材料是現(xiàn)代重要的結(jié)構(gòu)陶瓷，因其有硬度大、熔點(diǎn)高、化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定等特點(diǎn)而受到廣泛關(guān)注。工業(yè)上普遍用下列流程進(jìn)行生產(chǎn)：(1)sio2和c反應(yīng)除了得到粗硅外，還有可能得到一種硬度也很大的物質(zhì)，是生成粗硅還是生成該物質(zhì)主要是由_決定的。(2)反應(yīng)的條件是_。(3)寫出反應(yīng)的化學(xué)方程式_。(4)a中可能的雜質(zhì)有_。(5)現(xiàn)在是用四氯化硅、氮?dú)?、氫氣在稀有氣體保護(hù)下加強(qiáng)熱，得到純度較高的氮化硅，其反應(yīng)方程式為_。解析：sio2與c在高溫下反應(yīng)，會(huì)因c的用量不同而使產(chǎn)物不同：sio22csi2co或sio23csic2co；反應(yīng)的條件是：高溫和隔絕空氣；反應(yīng)的化學(xué)方程式：3cuo2nh33cun23h2o；a中可能的雜質(zhì)有：nh3和h2o；得到純度較高的氮化硅的反應(yīng)方程式為：3sicl42n26h2si3n412hcl。答