無機(jī)材料科學(xué)基礎(chǔ)期末試題.doc_第1頁(yè)
無機(jī)材料科學(xué)基礎(chǔ)期末試題.doc_第2頁(yè)
無機(jī)材料科學(xué)基礎(chǔ)期末試題.doc_第3頁(yè)
無機(jī)材料科學(xué)基礎(chǔ)期末試題.doc_第4頁(yè)
無機(jī)材料科學(xué)基礎(chǔ)期末試題.doc_第5頁(yè)
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一、選擇題1、粘土泥漿膠溶必須使介質(zhì)呈( )。A、酸性 B、 堿性 C、 中性2、依據(jù)等徑球體的堆積原理得出,六方密堆積的堆積系數(shù)( )體心立方堆積的堆積系數(shù)。A、大于 B、小于 C、等于 D、不確定3、某晶體AB,A的電荷數(shù)為1,AB鍵的S=1/6,則A+的配位數(shù)為( )。A、4 B、12 C、8 D、64、在單位晶胞的CaF2晶體中,其八面體空隙和四面體空隙的數(shù)量分別為( )。A、4,8 B、8,4 C、1,2 D、2,45、下列性質(zhì)中( )不是晶體的基本性質(zhì)。A、自限性 B、最小內(nèi)能性 C、有限性 D、各向異性6、可以根據(jù)3T曲線求出熔體的臨界冷卻速率。熔體的臨界冷卻速率越大,就( )形成玻璃。A、越難 B、越容易 C、很快 D、緩慢7、在ABO3(鈣鈦礦)型結(jié)構(gòu)中,B離子占有( )。 A、四面體空隙 B、八面體空隙 C、立方體空隙 D、三方柱空隙晶體8、在單位晶胞的CaF2晶體中,其八面體空隙和四面體空隙的數(shù)量分別為( )。A、4,8 B、8,4 C、1,2 D、2,49、當(dāng)固體表面能為1.2J/m2,液體表面能為0.9 J/m2,液固界面能為1.1 J/m2時(shí),降低固體表面粗糙度,()潤(rùn)濕性能。A、降低B、改善C、不影響10、一種玻璃的組成為32.8%CaO,6.0 Al2O3%,61.2 SiO2%,此玻璃中的Al3+可視為網(wǎng)絡(luò)( ),玻璃結(jié)構(gòu)參數(shù)Y=( )。A、變性離子,3.26 B、形成離子,3.26 C、變性離子,2.34 D、形成離子,2.3411、在硅酸鹽熔體中,當(dāng)R=O/Si減小時(shí),相應(yīng)熔體組成和性質(zhì)發(fā)生變化,熔體析晶能力( ),熔體的黏度( ),低聚物數(shù)量( )。A、增大 B、減小 C、不變 D、不確定12、一種玻璃的組成為Na2O1/3Al2O32SiO2,此玻璃中的Al3+可視為( ),玻璃結(jié)構(gòu)參數(shù) Y= ( )。A、 變性離子;2 B、 形成離子;2 C、 變性離子;3.5 D、形成離子;3.513、金紅石晶體中,所有O2-作稍有變形的立方密堆排列,Ti4+填充了( )。A、全部四面體空隙 B、全部八面體空隙 C、 1/2四面體空隙 D、1/2八面體空隙14、滑石(3MgO4SiO2H2O)和高嶺土(Al2O32SiO22H2O)分別屬于( )層狀結(jié)構(gòu)的硅酸鹽礦物。A、 1:1和2:1 B、 2:1和1:1 C、 3:1 和2:115、 陶瓷經(jīng)燒結(jié)后在宏觀上的變化表述不正確的是( )A.強(qiáng)度增加 B.體積收縮 C.氣孔率降低 D.致密度減少 16、 表面擴(kuò)散系數(shù)Ds,界面擴(kuò)散系數(shù)Dg,晶格擴(kuò)散系Db的關(guān)系是( )A.DsDgDb B. DsDbDgC.DbDsDg D. DbDgDs17、 燒結(jié)中晶界移動(dòng)的推動(dòng)力是( )A.表面能 B.晶界兩側(cè)自由焓差 C.空位濃度差18、 同一種物質(zhì)在晶體中的擴(kuò)散系數(shù)( )在玻璃中的擴(kuò)散系數(shù)。A大于 B等于 C小于 D不確定19、 金斯特林格方程采用的反應(yīng)截面模型為( )A.平板 B.球體 C.球殼 D.圓柱20、 下列過程中,哪一個(gè)能使燒結(jié)體的強(qiáng)度增加而不引起坯體收縮?A.蒸發(fā)-凝聚 B.體積擴(kuò)散 C.流動(dòng)傳質(zhì) D.溶解-沉淀21、純固相反應(yīng),反應(yīng)過程是( )A.放熱過程 B.等溫過程 C.吸熱過程22、 在制造透明Al2O3陶瓷材料時(shí),原料粉末的粒度為2m,在燒結(jié)溫度下保溫30分鐘,測(cè)得晶粒尺寸為10m。若在同一燒結(jié)溫度下保溫4小時(shí),晶粒尺寸為( ), 為抑制晶粒生長(zhǎng)加入0.1MgO,此時(shí)若保溫4小時(shí),晶粒尺寸為( )。A. 16m B. 20m C. 24m D. 28m 答案:1-9 BADAC ABAA 10 B、B 11 B、A、B 12-21 DDBDA BCBAA 22 D、B二、填空1、在玻璃形成過程中,為避免析晶所必須的冷卻速率的確定采用_的方法。2、六方緊密堆積的原子密排面是晶體中的_面,立方緊密堆積的原子密排面是晶體中的_面。3、在AB2O4型尖晶石結(jié)構(gòu)中,若以氧離子作立方緊密堆積排列,在正尖晶石結(jié)構(gòu)中,A離子占有_空隙,B離子占有_空隙。4、硅酸鹽晶體分類的依據(jù)是_。按此分類法可將硅酸鹽礦物分為_結(jié)構(gòu)、_結(jié)構(gòu)、_結(jié)構(gòu)、_結(jié)構(gòu)和_結(jié)構(gòu)。5、陶瓷元件表面被銀,為提高瓷件與銀層間的潤(rùn)濕性,瓷面表面應(yīng)_。6、同價(jià)陽(yáng)離子飽和的黏土膠粒的電位隨陽(yáng)離子半徑的增加而_。7、Ca-黏土泥漿膠溶時(shí),加入NaOH和Na2SiO3電解質(zhì),_效果好。8、黏土帶電荷的主要原因是_、_和_,黏土所帶靜電荷為_。9、為使瘠性料泥漿懸浮,一般常用的兩種方法是_和_。10、 燒結(jié)的主要傳質(zhì)方式有蒸發(fā)-凝聚傳質(zhì)、擴(kuò)散傳質(zhì)、流動(dòng)傳質(zhì)和溶解-沉淀傳質(zhì)四種,產(chǎn)生這四種傳質(zhì)的原因依次為_、_、_和_。11、 固體內(nèi)粒子的主要遷移方式有_、_。12、 合成鎂鋁尖晶石,可選擇的原料為MgCO3 , MgO, -Al2O3, -Al2O3, 從提高反應(yīng)速率的角度出發(fā)選擇_、_原料較好。13、 成核生長(zhǎng)機(jī)理的相變過程需要有一定的過冷或過熱,相變才能發(fā)生,在_情況下需要過冷。14、在制硅磚時(shí),加入氧化鐵和氧化鈣的原因_,能否加入氧化鋁:_。答案:1、繪制3T曲線 2、(0001)、(111) 3、四面體、八面體4、硅氧四面體的連接方式、島狀結(jié)構(gòu)、組群狀結(jié)構(gòu)、鏈狀結(jié)構(gòu)、層狀結(jié)構(gòu)、架狀結(jié)構(gòu)5、拋光 6、降低 7、Na2SiO3 8、黏土晶格內(nèi)離子的同晶置換、黏土邊面斷裂、黏土內(nèi)腐殖質(zhì)離解、負(fù) 9、控制料漿的pH值、有機(jī)表面活性物質(zhì)的吸附10、 壓力差、空位濃度差、應(yīng)力-應(yīng)變、溶解度11. 空位機(jī)構(gòu)、間隙機(jī)構(gòu) 12. MgCO3;-Al2O313. 相變過程放熱 14. 作為礦化劑,產(chǎn)生不同晶型石英溶解度不同的液相;不能三、名詞解釋肖特基缺陷:正常格點(diǎn)上的原子,熱起伏過程中獲得能量離開平衡位置遷移到晶體表面, 晶體內(nèi)正常格點(diǎn)上留下空位弗倫克爾缺陷:晶格熱振動(dòng)時(shí),能量足夠大的原子離開平衡位置,擠到晶格間隙中,形成 間隙原子,原來位置上形成空位二次再結(jié)晶:二次再結(jié)晶也稱為晶粒異常生長(zhǎng)和晶粒不連續(xù)生長(zhǎng),它是坯體中少數(shù)巨大晶粒在細(xì)晶消耗時(shí)成核長(zhǎng)大的過程同質(zhì)多晶:同一化學(xué)組成在不同熱力學(xué)條件下形成結(jié)構(gòu)不同的晶體的現(xiàn)象。晶子假說:蘇聯(lián)學(xué)者列別捷夫提出晶子假說,他認(rèn)為玻璃是高分散晶體(晶子)的結(jié)合體,硅酸鹽玻璃的晶子的化學(xué)性質(zhì)取決于玻璃的化學(xué)組成,玻璃的結(jié)構(gòu)特征為微不均勻性和近程有序性。無規(guī)則網(wǎng)絡(luò)假說:凡是成為玻璃態(tài)的物質(zhì)和相應(yīng)的晶體結(jié)構(gòu)一樣,也是由一個(gè)三度空間網(wǎng)絡(luò)所構(gòu)成。這種網(wǎng)絡(luò)是由離子多面體(三角體或四面體)構(gòu)筑起來的。晶體結(jié)構(gòu)網(wǎng)是由多面體無數(shù)次有規(guī)律重復(fù)構(gòu)成,而玻璃中結(jié)構(gòu)多面體的重復(fù)沒有規(guī)律性。正尖晶石:二價(jià)陽(yáng)離子分布在18四面體空隙中,三價(jià)陽(yáng)離子分布在l2八面體空隙的尖晶石。反型尖晶石:二價(jià)陽(yáng)離子分布在八面體空隙中,三價(jià)陽(yáng)離子一半在四面體空隙中,另一半在八面體空隙中的尖晶石。網(wǎng)絡(luò)變性劑:?jiǎn)捂I強(qiáng)度250KJ/mol。這類氧化物不能形成玻璃,但能改變網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu),從而使玻璃性質(zhì)改變。網(wǎng)絡(luò)形成劑:這類氧化物單鍵強(qiáng)度大于335KJ/mol,其正離子為網(wǎng)絡(luò)形成離子,可單獨(dú)形成玻璃。液相獨(dú)立析晶:是在轉(zhuǎn)熔過程中發(fā)生的,由于冷卻速度較快,被回收的晶相有可能會(huì)被新析出的固相包裹起來,使轉(zhuǎn)熔過程不能繼續(xù)進(jìn)行,從而使液相進(jìn)行另一個(gè)單獨(dú)的析晶過程,就是液相獨(dú)立析晶。本征擴(kuò)散:是指空位來源于晶體結(jié)構(gòu)中本征熱缺陷而引起質(zhì)點(diǎn)的遷移。非本征擴(kuò)散:空位來源于摻雜而引起的質(zhì)點(diǎn)遷移。液相燒結(jié):凡有液相參加的燒結(jié)過程稱為液相燒結(jié)。固相燒結(jié):固態(tài)粉末在適當(dāng)?shù)臏囟取毫?、氣氛和時(shí)間條件下,通過物質(zhì)與氣孔之間的傳質(zhì),變?yōu)閳?jiān)硬、致密燒結(jié)體的過程反螢石結(jié)構(gòu):這種結(jié)構(gòu)與螢石完全相同,只是陰、陽(yáng)離子的個(gè)數(shù)及位置剛好與螢石中的相反,即金屬離子占有螢石結(jié)構(gòu)中F的位置,而02離子或其他負(fù)離子占Ca2+的位置,這種結(jié)構(gòu)稱為反螢石結(jié)構(gòu)。晶胞:從晶體結(jié)構(gòu)中取出來的以反映晶體周期性和對(duì)稱性的最小重復(fù)單元。觸變性:是泥漿從稀釋流動(dòng)狀態(tài)到稠化的凝聚狀態(tài)之間存在的介于兩者之間的中間狀態(tài)。即泥漿靜止不動(dòng)時(shí)似凝固體,一經(jīng)擾動(dòng)或搖動(dòng),凝固的泥漿又重新獲得流動(dòng)。如再靜止又重新凝固,可重復(fù)無數(shù)次。硼反常現(xiàn)象:硼酸鹽玻璃與相同條件下的硅酸鹽玻璃相比,其性質(zhì)隨R2O或RO加入量的變化規(guī)律相反,這種現(xiàn)象稱硼反常現(xiàn)象可塑性:粘土與適當(dāng)比例的水混合均勻制成泥團(tuán),該泥團(tuán)受到高于某一個(gè)數(shù)值剪應(yīng)力作用后,可以塑造成任何形狀,當(dāng)去除應(yīng)力泥團(tuán)能保持其形狀,這種性質(zhì)稱為可塑性。聚合:由分化過程產(chǎn)生的低聚合物,相互作用,形成級(jí)次較高的聚合物,同時(shí)釋放出部分Na2O,這個(gè)過程稱為縮聚,也即聚合。解聚:在熔融SiO2中,O/Si比為2:1,SiO4連接成架狀。若加入Na2O則使O/Si比例升高,隨加入量增加,O/Si比可由原來的2:1逐步升高到4:1,SiO4連接方式可從架狀變?yōu)閷訝睢?、鏈狀、環(huán)狀直至最后斷裂而形成SiO4島狀,這種架狀SiO4斷裂稱為熔融石英的分化過程,也即解聚。不一致熔融化合物:是一種不穩(wěn)定的化合物。加熱這種化合物到某一溫度便發(fā)生分解,分解產(chǎn)物是一種液相和一種晶相,兩者組成與化合物組成皆不相同,故稱不一致熔融化合物。晶粒生長(zhǎng):無應(yīng)變的材料在熱處理時(shí),平均晶粒尺寸在不改變其分布的情況下,連續(xù)增大的過程。泰曼溫度:反應(yīng)物開始呈現(xiàn)顯著擴(kuò)散作用的溫度四、問答題1、試比較楊德爾方程和金斯特林格方程的優(yōu)缺點(diǎn)及其適用條件。(8分)答:楊德爾方程在反應(yīng)初期具有很好的適應(yīng)性,但楊氏模型中假設(shè)球形顆粒反應(yīng)截面積始終不變,因而只適用反應(yīng)初期轉(zhuǎn)化率較低的情況。(4分)而金氏模型中考慮在反應(yīng)進(jìn)程中反應(yīng)截面積隨反應(yīng)進(jìn)程變化這一事實(shí),因而金氏方程適用范圍更廣,可以適合反應(yīng)初、中期。兩個(gè)方程都只適用于穩(wěn)定擴(kuò)散的情況。(4分)2、MoO3和CaCO3反應(yīng)時(shí),反應(yīng)機(jī)理受到CaCO3顆粒大小的影響。當(dāng)MoO3 :CaCO31:1,MoO3的粒徑r1為0.036mm,CaCO3的粒徑r2為0.13mm時(shí),反應(yīng)是擴(kuò)散控制的;而當(dāng)CaCO3 :MoO315:1,r20.03mm時(shí),反應(yīng)由升華控制,試解釋這種現(xiàn)象。(7分)答:當(dāng)MoO3的粒徑r1為0.036mm,CaCO3的粒徑r2為0.13mm時(shí), CaCO3顆粒大于MoO3,由于產(chǎn)物層較厚,擴(kuò)散阻力較大,反應(yīng)由擴(kuò)散控制,反應(yīng)速率隨著CaCO3顆粒度減小而加速,(3.5分)當(dāng)r2r1時(shí)存在過量CaCO3,反應(yīng)由MoO3粒徑升華控制,并隨著MoO3粒徑減小而加劇。(3.5分)3、什么是潤(rùn)濕?改善潤(rùn)濕的方法有那些?(8分)答:潤(rùn)濕:固體與液體接觸后,體系(固體+液體)的吉布斯自由能降低時(shí),就稱潤(rùn)濕。改善潤(rùn)濕的方法有:降低SL S、V 兩相組成盡量接近;(1.5分)降低LV 在液相中加表面活性劑;(1.5分)提高SV 去除固體表面吸附膜;(1.5分)改變粗糙度。(1.5分)4、二次再結(jié)晶與晶粒生長(zhǎng)有何異同?生產(chǎn)中避免二次再結(jié)晶的方法有哪些?(6分)答:相同點(diǎn):(1)兩者推動(dòng)力均為界面兩側(cè)質(zhì)點(diǎn)的吉布斯自由能之差;(2)進(jìn)行方式都是通過界面遷移。(1分) 不同點(diǎn):(1)前者是個(gè)別晶粒異常生長(zhǎng),后者是晶粒尺寸均勻生長(zhǎng);(2)前者氣孔被包裹到晶粒內(nèi)部,后者氣孔維持在晶界交匯處。(2分) 生產(chǎn)中避免二次再結(jié)晶的方法有:(1)合理選擇原料的細(xì)度,提高粉料粒度的均勻性;(2)控制溫度;(3)引入添加劑。(3分)5、說明高嶺石和蒙脫石的結(jié)構(gòu)特點(diǎn),并解釋為什么蒙脫石具有膨脹性和高的陽(yáng)離子交換容量,而高嶺石則不具有膨脹性、陽(yáng)離子交換容量也很低。(10分)答:高嶺石的陽(yáng)離子交換容量較小,而蒙脫石的陽(yáng)離子交換容量較大。因?yàn)楦邘X石是1:1型結(jié)構(gòu),離子的取代很少,單網(wǎng)層與單網(wǎng)層之間以氫鍵相連,氫鍵強(qiáng)于范氏鍵,水化陽(yáng)離子不易進(jìn)入層間,因此陽(yáng)離子交換容量較小。(5分)而蒙脫石是為2:1型結(jié)構(gòu),鋁氧八面體層中大約1/3的Al3+被Mg2+取代,為了平衡多余的負(fù)電價(jià),在結(jié)構(gòu)單位層之間有其它陽(yáng)離子進(jìn)入,而且以水化陽(yáng)離子的形式進(jìn)人結(jié)構(gòu)。水化陽(yáng)離子和硅氧四面體中O2-離子的作用力較弱,因而,這種水化陽(yáng)離子在一定條件下容易被交換出來。C軸可膨脹以及陽(yáng)離子交換容量大,是蒙脫石結(jié)構(gòu)上的特征。(5分)6、在硅酸鹽晶體結(jié)構(gòu)中,SiO4四面體或孤立存在,或共頂連接,而不共棱,更不共面,解釋之。(6分)答:在硅酸鹽晶體結(jié)構(gòu)中, SiO4四面體中的Si4+是高電價(jià)低配位的陽(yáng)離子,以共棱、共面方式存在時(shí),兩個(gè)中心陽(yáng)離子(Si4+)間距離較近、排斥力較大,所以不穩(wěn)定,而孤立存在,或共頂連接。(6分)7、用圖例說明過冷度對(duì)核化、晶化速率和晶粒尺寸等的影響,如無析晶區(qū)又要使其析晶應(yīng)采取什么措施?要使自發(fā)析晶能力大的熔體形成玻璃應(yīng)采取什么措施?(8分)答:過冷度過大或過小對(duì)成核與生長(zhǎng)速率均不利,只有在一定過冷度下才能有最大成核和生長(zhǎng)速率,如下圖。(4分)若T大,控制在成核率較大處析晶,易得晶粒多而尺寸小的細(xì)晶;(1分)若T小,控制在生長(zhǎng)速率較大處析晶則容易獲得晶粒少而尺寸大的粗晶;(1分)如果成核與生長(zhǎng)兩曲線完全分開而不重疊,則無析晶區(qū),該熔體易形成玻璃而不易析晶;若要使其在一定過冷度下析晶,一般采用移動(dòng)成核曲線的位置,使它向生長(zhǎng)曲線靠攏??梢杂眉尤诉m當(dāng)?shù)暮嘶瘎?,使成核位壘降低,用非均勻成核代替均勻成核。使兩曲線重疊而容易析晶。(1分)要使自發(fā)析晶能力大的熔體形成玻璃,采取增加冷卻速度以迅速越過析晶區(qū)的方法,使熔體來不及析晶而玻璃化。(1分)8、試解釋說明為什么在硅酸鹽結(jié)構(gòu)中Al3+經(jīng)常取代SiO4中Si4+,但Si4+一般不會(huì)置換AlO6中的Al3+?(配位數(shù)為6時(shí),S14、A13和O2的離子半徑分別為0.40、0.53和1.40;配位數(shù)為4時(shí),一離子半徑依次為0.26、0.40和1.38)。(8分)答:CN=4, rAl3+/ro2-=0.4/1.38=0.29,Al3+四配位穩(wěn)定,故在硅酸鹽結(jié)構(gòu)中Al3+經(jīng)常取代SiO4中Si4+形成AlO4;(4分)CN=6,rSi4+/ro2-=0.4/1.38=0.29,Si4+四配位穩(wěn)定,六配位不穩(wěn)定,故在硅酸鹽結(jié)構(gòu)中Si4+一般不會(huì)置換AlO6中的Al3+,形成SiO69、網(wǎng)絡(luò)變性體(如Na2O)加到石英玻璃中,使硅氧比增加。實(shí)驗(yàn)觀察到當(dāng)O/Si=2.53時(shí),即達(dá)到形成玻璃的極限,根據(jù)結(jié)構(gòu)解釋為什么在2O/Si2.5的堿和硅石混合物可以形成玻璃,而O/Si=3的堿和硅石混合物結(jié)晶而不形成玻璃? (8分)答:在2O/SiCaCl2 (2)泥漿的觸變性 KCl CaCl2(3)泥漿的可塑性 KCl CaCl2(5)黏土的電位 KCl CaCl2 (6)泥漿的穩(wěn)定性 KCl CaCl213、試解釋說明為什么在硅酸鹽結(jié)硅酸鹽晶體結(jié)構(gòu)分類依據(jù)是什么?可分為哪幾類,每類的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)是什么?(9分)答:硅酸鹽晶體結(jié)構(gòu)分類依據(jù)是:結(jié)構(gòu)中硅氧四面體的連接方式。(1.5分)可分為島狀:硅氧四面體孤立存在;(1.5分)組群狀:硅氧四面體以兩個(gè)、三個(gè)、四個(gè)或六個(gè),通過共用氧相連成硅氧四面體群體,群體之間由其它陽(yáng)離子連接;(1.5分)鏈狀:硅氧四面體通過共用氧相連,在一維方向延伸成鏈狀,鏈與鏈之間由其它陽(yáng)離子連接;(1.5分)層狀:硅氧四面體通過三個(gè)共用氧在兩維平面內(nèi)延伸成硅氧四面體層;(1.5分)架狀:每個(gè)硅氧四面體的四個(gè)頂角都與相鄰的硅氧四面體共頂,形成三維空間結(jié)構(gòu)。(1.5分)14、說明影響擴(kuò)散的因素。答:(1)化學(xué)鍵:共價(jià)鍵方向性限制不利間隙擴(kuò)散,空位擴(kuò)散為主。金屬鍵離子鍵以空位擴(kuò)散為主,間隙離子較小時(shí)以間隙擴(kuò)散為主。(2分)(2)缺陷:缺陷部位會(huì)成為質(zhì)點(diǎn)擴(kuò)散的快速通道,有利擴(kuò)散。(2分)(3)溫度:D=D0exp(-Q/RT)Q不變,溫度升高擴(kuò)散系數(shù)增大有利擴(kuò)散。Q越大溫度變化對(duì)擴(kuò)散系數(shù)越敏感。(2分)(4)雜質(zhì):雜質(zhì)與介質(zhì)形成化合物降低擴(kuò)散速度;雜質(zhì)與空位締合有利擴(kuò)散;雜質(zhì)含量大本征擴(kuò)散和非本征擴(kuò)散的溫度轉(zhuǎn)折點(diǎn)升高。(2分)(5)擴(kuò)散物質(zhì)的性質(zhì)和擴(kuò)散介質(zhì)的結(jié)構(gòu):擴(kuò)散質(zhì)點(diǎn)和介質(zhì)的性質(zhì)差異大利于擴(kuò)散。(2分)15、影響固相反應(yīng)的因素有那些?答:影響固相反應(yīng)的因素有反應(yīng)物化學(xué)組成與結(jié)構(gòu)的影響;顆粒度和分布影響;反應(yīng)溫度、壓力、氣氛影響;礦化劑的影響。16、燒結(jié)的主要傳質(zhì)方式有那些?分析產(chǎn)生的原因是什么? (8分)答:燒結(jié)初期,晶界上氣孔數(shù)目很多,此時(shí)氣孔阻止晶界移動(dòng),Vb=0。(1分)燒結(jié)中、后期,溫度控制適當(dāng),氣孔逐漸減少??梢猿霈F(xiàn)Vb=Vp,此時(shí)晶界

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