國(guó)外集成電路命名方法.doc

國(guó)外集成電路命名方法國(guó)外主要集成電路生產(chǎn)廠家的集成電路命名方法縮寫(xiě)字符：AMD 譯名：先進(jìn)微器件公司（美）器件型號(hào)舉例說(shuō)明AM 29L509 P C B AMD首標(biāo) 器件編號(hào) 封裝形式 溫度范圍 分類 L：低功耗；D：銅焊雙列直插C：商用溫度，沒(méi)有標(biāo)志的S：肖特基；（多層陶瓷）；（0-70）或?yàn)闃?biāo)準(zhǔn)加工LS：低功耗肖特基；L：無(wú)引線芯片載體：（0-75）；產(chǎn)品，標(biāo)有21：MOS存儲(chǔ)器；P：塑料雙列直插；M：軍用溫度，B的為已25：中規(guī)范（MSI）；E：扁平封裝（陶瓷扁平）；（-55-125）；老化產(chǎn)品。26：計(jì)算機(jī)接口；X：管芯；H：商用，27：雙極存儲(chǔ)器或EPROM ；A：塑料球柵陣列；（0-110）；28：MOS存儲(chǔ)器理；B：塑料芯片載體I：工業(yè)用，29：雙極微處理器；C、D：密封雙列；（-4085 ）；54/74：同25；E：薄的小引線封裝；N：工業(yè)用，60、61、66：模擬，雙極；G：陶瓷針柵陳列；（-2585）；79：電信；Z、Y、U、K、H：塑料K：特殊軍用，80：MOS微處理器；四面引線扁平；（-30125）；81、82：MOS和雙極處圍電路；J：塑料芯片載體（PLCC）；L：限制軍用，90：MOS；L：陶瓷芯片載體（LCC）；（-55-85）91：MOS RAM：V、M：薄的四面125。92：MOS；引線扁平；93：雙極邏輯存儲(chǔ)器P、R：塑料雙列；94：MOS；S：塑料小引線封裝；95：MOS外圍電路；W：晶片；1004：ECL存儲(chǔ)器；也用別的廠家的符號(hào)：104：ECL存儲(chǔ)器；P：塑料雙列；PAL：可編程邏輯陳列；NS、N：塑料雙列；98：EEPROM；JS、J：密封雙列；99：CMOS存儲(chǔ)器。W：扁平；R：陶瓷芯片載體；A：陶瓷針柵陳列；NG：塑料四面引線扁平；Q、QS：陶瓷雙列。AD 644 A S H /883B ANA首標(biāo)器件附加說(shuō)明溫度范圍封裝形式篩選水平AD：模擬器件編號(hào)A：第二代產(chǎn)品；I、J、K、L、M：D：陶瓷或金屬氣MIL-STD-HA：混合DI：介質(zhì)隔離產(chǎn)（0-70）；密雙列封裝883B級(jí)。A/D；品；A、B、C：（多層陶瓷）；HD：混合Z：工作在+12V（-25-85）；E：芯片載體；D/A。的產(chǎn)品。（E：ECL）S、T、U：F：陶瓷扁平；（-55-125）。G：PGA封裝（針柵陣列）；H：金屬圓殼氣密封裝；M：金屬殼雙列密封計(jì)算機(jī)部