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第三章 穩(wěn)恒電流3 簡(jiǎn)單電路(P280)1. 設(shè)一半徑為5厘米的圓形平面,放在場(chǎng)強(qiáng)為300牛頓/庫(kù)侖的勻強(qiáng)電場(chǎng)中,試計(jì)算平面法線與場(chǎng)強(qiáng)的夾角取下列數(shù)值時(shí)通過(guò)此平面的電通量:;。解:由可得: 2. 均勻電場(chǎng)與半徑為的半球面的軸線平行,試用面積分計(jì)算通過(guò)此半球面的電通量。解:3. 如附圖所示,在半徑為和的兩個(gè)同心球面上,分別均勻地分布電荷和,求: 、三個(gè)區(qū)域內(nèi)的場(chǎng)強(qiáng)分布; 若,情況如何?畫出此情形的曲線。解: 由高斯定理得:區(qū)域內(nèi),區(qū)域內(nèi),區(qū)域內(nèi), 當(dāng)時(shí),4. 根據(jù)量子理論,氫原子中心是一個(gè)帶正電的原子核(可以看成點(diǎn)電荷),外面是帶負(fù)電的電子云。在正常狀態(tài)(核外電子處在s態(tài))下,電子云的電荷密度分布是球?qū)ΨQ的:式中為一常數(shù)(它相當(dāng)于經(jīng)典原子模型中s電子圓形軌道的半徑,稱為玻爾半徑),求原子內(nèi)的電場(chǎng)分布。解:原子內(nèi)的電荷分布具有球?qū)ΨQ性,因而原子內(nèi)的電場(chǎng)也是球?qū)ΨQ分布的。由高斯定理可得 5. 實(shí)驗(yàn)表明:在靠近地面處有相當(dāng)強(qiáng)的電場(chǎng),垂直于地面向下,大小約為100牛頓/庫(kù)侖;在離地面千米高的地方,也是垂直于地面向下的,大小約為25牛頓/庫(kù)侖。 試計(jì)算從地面到此高度大氣中電荷的平均體密度。 如果地球上的電荷全部均勻分布在表面,求地面上電荷的面密度。解: 設(shè)電荷的平均體密度為,取圓柱形高斯面如圖(1)(側(cè)面垂直底面、底面平行地面),上下底面處的場(chǎng)強(qiáng)分別為和,則通過(guò)高斯面的電場(chǎng)強(qiáng)度通量為高斯面包圍的電荷由高斯定理 設(shè)地面面電荷密度為。由于電荷只分布在地表面,所以電力線終止于地面,取高斯面如圖(2)。由高斯定理6. 半徑為的無(wú)窮長(zhǎng)直圓筒面上均勻分布帶電,沿軸線單位長(zhǎng)度的電量為。求場(chǎng)強(qiáng)分布,并畫曲線。解:電場(chǎng)分布具有軸對(duì)稱性,作與圓筒共軸半徑為、長(zhǎng)為的圓柱形高斯面,由高斯定理可得當(dāng)時(shí),當(dāng)時(shí),7. 一對(duì)無(wú)限長(zhǎng)的共軸直圓筒,半徑分別為和,筒面上都均勻帶電,沿軸線單位長(zhǎng)度的電量分別為和。 求各區(qū)域內(nèi)的場(chǎng)強(qiáng)分布; 若,情況如何?畫出此情形的曲線。解: 由高斯定理可得當(dāng)時(shí), 當(dāng)時(shí),當(dāng)時(shí), 當(dāng)時(shí),代入中可得,8. 半徑為的無(wú)限長(zhǎng)直圓柱體內(nèi)均勻帶電,電荷體密度為。求場(chǎng)強(qiáng)分布,并畫曲線。解:電場(chǎng)分布具有軸對(duì)稱性,作與圓柱體共軸半徑為、長(zhǎng)為的圓柱形高斯面,由高斯定理可得當(dāng)時(shí),當(dāng)時(shí),9. 設(shè)氣體放電形成的等離子體圓柱內(nèi)的體電荷分布可用下式表示:式中是到軸線的距離,是軸線上的值,是個(gè)常數(shù)(它是減少到處的半徑)。求場(chǎng)強(qiáng)分布。解:作與圓柱體共軸半徑為、長(zhǎng)為的圓柱形高斯面,由高斯定理可得10. 兩無(wú)限大的平行平面均勻帶電,電荷的面密度分別為,求各區(qū)域的場(chǎng)強(qiáng)分布。解:電荷面密度為的無(wú)限大均勻帶電平面的場(chǎng)強(qiáng)為由場(chǎng)的疊加原理可得兩帶電平面間的場(chǎng)強(qiáng)為方向垂直帶電平面由正電荷指向負(fù)電荷。兩帶電平面外側(cè)的場(chǎng)強(qiáng)為可以用高斯定理求出同樣的結(jié)果(作垂直于帶電平面的原柱形高斯面)。11. 兩無(wú)限大的平行平面均勻帶電,電荷的面密度都是,求各處的場(chǎng)強(qiáng)分布。解:由場(chǎng)的疊加原理和無(wú)限大均勻帶電平面的場(chǎng)強(qiáng)公式可得兩帶電平面間的場(chǎng)強(qiáng)為兩帶電平面外側(cè)的場(chǎng)強(qiáng)大小為方向垂直帶電平面12. 三個(gè)無(wú)限大的平行平面都均勻帶電,電荷的面密度分別是、。求下列情況各處的場(chǎng)強(qiáng):;,;,;,。解:建立如圖所示坐標(biāo)軸(軸)。每個(gè)帶電平面產(chǎn)生的場(chǎng)強(qiáng)均為(帶電平面的左側(cè)),(帶電平面的右側(cè))則由場(chǎng)強(qiáng)疊加原理,三個(gè)無(wú)限大的均勻帶電平面所分成的4個(gè)區(qū)域的場(chǎng)強(qiáng)分別為區(qū):區(qū):區(qū):區(qū):實(shí)際上無(wú)限大的均勻帶電平面產(chǎn)生的電場(chǎng)是勻強(qiáng)電場(chǎng),并且關(guān)于帶電平面對(duì)稱,因而無(wú)限大均勻帶電平行平面組產(chǎn)生的電場(chǎng)在平行平面組外也是關(guān)于平面對(duì)稱的,所以可以應(yīng)用高斯定理求出無(wú)限大均勻帶電平行平面組的電場(chǎng)分布。上面的結(jié)果也可用高斯定理求出。 當(dāng)時(shí),4個(gè)區(qū)的場(chǎng)強(qiáng)分別為區(qū):;區(qū):;區(qū):;區(qū): 當(dāng)、時(shí),4個(gè)區(qū)的場(chǎng)強(qiáng)分別為區(qū):;區(qū):;區(qū):;區(qū): 當(dāng)、時(shí),4個(gè)區(qū)的場(chǎng)強(qiáng)分別為區(qū):;區(qū):;區(qū):;區(qū): 當(dāng)、時(shí),4個(gè)區(qū)的場(chǎng)強(qiáng)分別為區(qū):;區(qū):;區(qū):;區(qū):13. 一厚度為的無(wú)限大平板,平板體內(nèi)均勻帶電,電荷的體密度為,求板內(nèi)、外場(chǎng)強(qiáng)的分布。解:如圖,建立坐標(biāo)軸。帶電平板產(chǎn)生的場(chǎng)強(qiáng)是關(guān)于平面對(duì)稱的,作底面面積為平行于平板、且關(guān)于坐標(biāo)原點(diǎn)對(duì)稱的圓柱形高斯面。由高斯定理可得在平板內(nèi),即時(shí),則 在平板外,即時(shí),則 考慮到電場(chǎng)的方向,平板外的場(chǎng)強(qiáng)可表示為14. 在半導(dǎo)體結(jié)附近總是堆積著正、負(fù)電荷,在區(qū)內(nèi)有正電荷,區(qū)內(nèi)有負(fù)電荷,兩區(qū)電荷的代數(shù)和為零。我們把結(jié)看成是一對(duì)帶正、負(fù)電荷的無(wú)限大平板,它們相互接觸(見附圖)。取坐標(biāo)的原點(diǎn)在、區(qū)的交界面上,區(qū)的范圍是,區(qū)的范圍是。設(shè)兩區(qū)內(nèi)電荷體分布都是均勻的: (突變結(jié)模型)這里、是常數(shù),且(兩區(qū)電荷數(shù)量相等)。試證明電場(chǎng)的分布為區(qū):區(qū):并畫出和隨變化的曲線來(lái)。證明:因兩區(qū)電荷數(shù)量相等,且可把結(jié)看成是一對(duì)帶正、負(fù)電荷的無(wú)限大平板,由高斯定理可知:結(jié)外的場(chǎng)強(qiáng)為零,電場(chǎng)只存在結(jié)中。對(duì)區(qū)、區(qū)分別作如圖所示底面面積為、一個(gè)底面在結(jié)外及另一個(gè)底面過(guò)處的圓柱形高斯面、。由高斯定理可得區(qū): 區(qū): 和隨變化的曲線如圖:15. 如果在上題中電荷的體分布為 (線性緩變結(jié)模型)這里是常數(shù),(為什么?),統(tǒng)一用表示。試證明電
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