企業(yè)培訓(xùn)_半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)培訓(xùn)課件

第一章半導(dǎo)體器件基礎(chǔ) 1 1半導(dǎo)體的基本知識 1 2半導(dǎo)體二極管 1 3半導(dǎo)體三極管 1 4BJT模型 1 5場效應(yīng)管 1 1半導(dǎo)體的基本知識 在物理學(xué)中 根據(jù)材料的導(dǎo)電能力 可以將他們劃分導(dǎo)體 絕緣體和半導(dǎo)體 典型的半導(dǎo)體是硅Si和鍺Ge 它們都是4價元素 硅原子 鍺原子 硅和鍺最外層軌道上的四個電子稱為價電子 本征半導(dǎo)體的共價鍵結(jié)構(gòu) 束縛電子 在絕對溫度T 0K時 所有的價電子都被共價鍵緊緊束縛在共價鍵中 不會成為自由電子 因此本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力很弱 接近絕緣體 一 本征半導(dǎo)體 本征半導(dǎo)體 化學(xué)成分純凈的半導(dǎo)體晶體 制造半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體材料的純度要達(dá)到99 9999999 常稱為 九個9 這一現(xiàn)象稱為本征激發(fā) 也稱熱激發(fā) 當(dāng)溫度升高或受到光的照射時 束縛電子能量增高 有的電子可以掙脫原子核的束縛 而參與導(dǎo)電 成為自由電子 自由電子 空穴 自由電子產(chǎn)生的同時 在其原來的共價鍵中就出現(xiàn)了一個空位 稱為空穴 可見本征激發(fā)同時產(chǎn)生電子空穴對 外加能量越高 溫度越高 產(chǎn)生的電子空穴對越多 與本征激發(fā)相反的現(xiàn)象 復(fù)合 在一定溫度下 本征激發(fā)和復(fù)合同時進(jìn)行 達(dá)到動態(tài)平衡 電子空穴對的濃度一定 常溫300K時 電子空穴對 自由電子帶負(fù)電荷電子流 總電流 空穴帶正電荷空穴流 本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電性取決于外加能量 溫度變化 導(dǎo)電性變化 光照變化 導(dǎo)電性變化 導(dǎo)電機制 二 雜質(zhì)半導(dǎo)體 在本征半導(dǎo)體中摻入某些微量雜質(zhì)元素后的半導(dǎo)體稱為雜質(zhì)半導(dǎo)體 1 N型半導(dǎo)體 在本征半導(dǎo)體中摻入五價雜質(zhì)元素 例如磷 砷等 稱為N型半導(dǎo)體 N型半導(dǎo)體 多余電子 磷原子 硅原子 多數(shù)載流子 自由電子 少數(shù)載流子 空穴 施主離子 自由電子 電子空穴對 在本征半導(dǎo)體中摻入三價雜質(zhì)元素 如硼 鎵等 空穴 硼原子 硅原子 多數(shù)載流子 空穴 少數(shù)載流子 自由電子 受主離子 空穴 電子空穴對 2 P型半導(dǎo)體 雜質(zhì)半導(dǎo)體的示意圖 多子 電子 少子 空穴 多子 空穴 少子 電子 少子濃度 與溫度有關(guān) 多子濃度 與溫度無關(guān) 因多子濃度差 形成內(nèi)電場 多子的擴散 空間電荷區(qū) 阻止多子擴散 促使少子漂移 PN結(jié)合 空間電荷區(qū) 多子擴散電流 少子漂移電流 耗盡層 三 PN結(jié)及其單向?qū)щ娦?1 PN結(jié)的形成 動畫演示 動態(tài)平衡 擴散電流 漂移電流 總電流 0 2 PN結(jié)的單向?qū)щ娦?1 加正向電壓 正偏 電源正極接P區(qū) 負(fù)極接N區(qū) 外電場的方向與內(nèi)電場方向相反 外電場削弱內(nèi)電場 耗盡層變窄 擴散運動 漂移運動 多子擴散形成正向電流IF 2 加反向電壓 電源正極接N區(qū) 負(fù)極接P區(qū) 外電場的方向與內(nèi)電場方向相同 外電場加強內(nèi)電場 耗盡層變寬 漂移運動 擴散運動 少子漂移形成反向電流IR 在一定的溫度下 由本征激發(fā)產(chǎn)生的少子濃度是一定的 故IR基本上與外加反壓的大小無關(guān) 所以稱為反向飽和電流 但I(xiàn)R與溫度有關(guān) PN結(jié)加正向電壓時 具有較大的正向擴散電流 呈現(xiàn)低電阻 PN結(jié)導(dǎo)通 PN結(jié)加反向電壓時 具有很小的反向漂移電流 呈現(xiàn)高電阻 PN結(jié)截止 由此可以得出結(jié)論 PN結(jié)具有單向?qū)щ娦?3 PN結(jié)的伏安特性曲線及表達(dá)式 根據(jù)理論推導(dǎo) PN結(jié)的伏安特性曲線如圖 正偏 IF 多子擴散 IR 少子漂移 反偏 反向飽和電流 反向擊穿電壓 反向擊穿 熱擊穿 燒壞PN結(jié) 電擊穿 可逆 1 2半導(dǎo)體二極管 二極管 PN結(jié) 管殼 引線 結(jié)構(gòu) 符號 二極管按結(jié)構(gòu)分三大類 1 點接觸型二極管 PN結(jié)面積小 結(jié)電容小 用于檢波和變頻等高頻電路 3 平面型二極管 用于集成電路制造工藝中 PN結(jié)面積可大可小 用于高頻整流和開關(guān)電路中 2 面接觸型二極管 PN結(jié)面積大 用于工頻大電流整流電路 半導(dǎo)體二極管的型號 國家標(biāo)準(zhǔn)對半導(dǎo)體器件型號的命名舉例如下 2AP9 一 半導(dǎo)體二極管的V A特性曲線 硅 0 5V鍺 0 1V 1 正向特性 導(dǎo)通壓降 2 反向特性 死區(qū)電壓 實驗曲線 硅 0 7V鍺 0 3V 二 二極管的模型及近似分析計算 例 二極管的模型 串聯(lián)電壓源模型 UD二極管的導(dǎo)通壓降 硅管0 7V 鍺管0 3V 理想二極管模型 正偏 反偏 二極管的近似分析計算 例 串聯(lián)電壓源模型 測量值9 32mA 相對誤差 理想二極管模型 相對誤差 0 7V 例 二極管構(gòu)成的限幅電路如圖所示 R 1k UREF 2V 輸入信號為ui 1 若ui為4V的直流信號 分別采用理想二極管模型 理想二極管串聯(lián)電壓源模型計算電流I和輸出電壓uo 解 1 采用理想模型分析 采用理想二極管串聯(lián)電壓源模型分析 2 如果ui為幅度 4V的交流三角波 波形如圖 b 所示 分別采用理想二極管模型和理想二極管串聯(lián)電壓源模型分析電路并畫出相應(yīng)的輸出電壓波形 解 采用理想二極管模型分析 波形如圖所示 采用理想二極管串聯(lián)電壓源模型分析 波形如圖所示 三 二極管的主要參數(shù) 1 最大整流電流IF 二極管長期連續(xù)工作時 允許通過二極管的最大整流電流的平均值 2 反向擊穿電壓UBR 二極管反向電流急劇增加時對應(yīng)的反向電壓值稱為反向擊穿電壓UBR 3 反向電流IR 在室溫下 在規(guī)定的反向電壓下的反向電流值 硅二極管的反向電流一般在納安 nA 級 鍺二極管在微安 A 級 當(dāng)穩(wěn)壓二極管工作在反向擊穿狀態(tài)下 工作電流IZ在Izmax和Izmin之間變化時 其兩端電壓近似為常數(shù) 穩(wěn)定電壓 四 穩(wěn)壓二極管 穩(wěn)壓二極管是應(yīng)用在反向擊穿區(qū)的特殊二極管 正向同二極管 反偏電壓 UZ反向擊穿 UZ 穩(wěn)壓二極管的主要參數(shù) 1 穩(wěn)定電壓UZ 2 動態(tài)電阻rZ 在規(guī)定的穩(wěn)壓管反向工作電流IZ下 所對應(yīng)的反向工作電壓 rZ U IrZ愈小 反映穩(wěn)壓管的擊穿特性愈陡 3 最小穩(wěn)定工作電流IZmin 保證穩(wěn)壓管擊穿所對應(yīng)的電流 若IZ IZmin則不能穩(wěn)壓 4 最大穩(wěn)定工作電流IZmax 超過Izmax穩(wěn)壓管會因功耗過大而燒壞 1 3半導(dǎo)體三極管 半導(dǎo)體三極管 也叫晶體三極管 由于工作時 多數(shù)載流子和少數(shù)載流子都參與運行 因此 還被稱為雙極型晶體管 BipolarJunctionTransistor 簡稱BJT BJT是由兩個PN結(jié)組成的 一 BJT的結(jié)構(gòu) NPN型 PNP型 符號 三極管的結(jié)構(gòu)特點 1 發(fā)射區(qū)的摻雜濃度 集電區(qū)摻雜濃度 2 基區(qū)要制造得很薄且濃度很低 二 BJT的內(nèi)部工作原理 NPN管 三極管在工作時要加上適當(dāng)?shù)闹绷髌秒妷?若在放大工作狀態(tài) 發(fā)射結(jié)正偏 UCE UBE UCB 集電結(jié)反偏 由VBB保證 由VCC VBB保證 UCB UCE UBE 0 1 因為發(fā)射結(jié)正偏 所以發(fā)射區(qū)向基區(qū)注入電子 形成了擴散電流IEN 同時從基區(qū)向發(fā)射區(qū)也有空穴的擴散運動 形成的電流為IEP 但其數(shù)量小 可忽略 所以發(fā)射極電流IE IEN 2 發(fā)射區(qū)的電子注入基區(qū)后 變成了少數(shù)載流子 少部分遇到的空穴復(fù)合掉 形成IBN 所以基極電流IB IBN 大部分到達(dá)了集電區(qū)的邊緣 1 BJT內(nèi)部的載流子傳輸過程 3 因為集電結(jié)反偏 收集擴散到集電區(qū)邊緣的電子 形成電流ICN 另外 集電結(jié)區(qū)的少子形成漂移電流ICBO 2 電流分配關(guān)系 三個電極上的電流關(guān)系 IE IC IB 定義 1 IC與IE之間的關(guān)系 所以 其值的大小約為0 9 0 99 2 IC與IB之間的關(guān)系 聯(lián)立以下兩式 得 所以 得 令 三 BJT的特性曲線 共發(fā)射極接法 1 輸入特性曲線iB f uBE uCE const 1 uCE 0V時 相當(dāng)于兩個PN結(jié)并聯(lián) 3 uCE 1V再增加時 曲線右移很不明顯 2 當(dāng)uCE 1V時 集電結(jié)已進(jìn)入反偏狀態(tài) 開始收集電子 所以基區(qū)復(fù)合減少 在同一uBE電壓下 iB減小 特性曲線將向右稍微移動一些 2 輸出特性曲線iC f uCE iB const 現(xiàn)以iB 60uA一條加以說明 1 當(dāng)uCE 0V時 因集電極無收集作用 iC 0 2 uCE Ic 3 當(dāng)uCE 1V后 收集電子的能力足夠強 這時 發(fā)射到基區(qū)的電子都被集電極收集 形成iC 所以uCE再增加 iC基本保持不變 同理 可作出iB 其他值的曲線 輸出特性曲線可以分為三個區(qū)域 飽和區(qū) iC受uCE顯著控制的區(qū)域 該區(qū)域內(nèi)uCE 0 7V 此時發(fā)射結(jié)正偏 集電結(jié)也正偏 截止區(qū) iC接近零的區(qū)域 相當(dāng)iB 0的曲線的下方 此時 發(fā)射結(jié)反偏 集電結(jié)反偏 放大區(qū) 曲線基本平行等距 此時 發(fā)射結(jié)正偏 集電結(jié)反偏 該區(qū)中有 飽和區(qū) 放大區(qū) 截止區(qū) 四 BJT的主要參數(shù) 1 電流放大系數(shù) 2 共基極電流放大系數(shù) 一般取20 200之間 2 3 1 5 1 共發(fā)射極電流放大系數(shù) 2 極間反向電流 2 集電極發(fā)射極間的穿透電流ICEO基極開路時 集電極到發(fā)射極間的電流 穿透電流 其大小與溫度有關(guān) 1 集電極基極間反向飽和電流ICBO發(fā)射極開路時 在其集電結(jié)上加反向電壓 得到反向電流 它實際上就是一個PN結(jié)的反向電流 其大小與溫度有關(guān) 鍺管 ICBO為微安數(shù)量級 硅管 ICBO為納安數(shù)量級 3 極限參數(shù) Ic增加時 要下降 當(dāng) 值下降到線性放大區(qū) 值的70 時 所對應(yīng)的集電極電流稱為集電極最大允許電流ICM 1 集電極最大允許電流ICM 2 集電極最大允許功率損耗PCM集電極電流通過集電結(jié)時所產(chǎn)生的功耗 PC ICUCE PCM PCM 3 反向擊穿電壓 BJT有兩個PN結(jié) 其反向擊穿電壓有以下幾種 U BR EBO 集電極開路時 發(fā)射極與基極之間允許的最大反向電壓 其值一般幾伏 十幾伏 U BR CBO 發(fā)射極開路時 集電極與基極之間允許的最大反向電壓 其值一般為幾十伏 幾百伏 U BR CEO 基極開路時 集電極與發(fā)射極之間允許的最大反向電壓 在實際使用時 還有U BR CER U BR CES等擊穿電壓 半導(dǎo)體三極管的型號 第二位 A鍺PNP管 B鍺NPN管 C硅PNP管 D硅NPN管 第三位 X低頻小功率管 D低頻大功率管 G高頻小功率管 A高頻大功率管 K開關(guān)管 國家標(biāo)準(zhǔn)對半導(dǎo)體器件型號的命名舉例如下 3DG110B 1 5場效應(yīng)管 BJT是一種電流控制元件 iB iC 工作時 多數(shù)載流子和少數(shù)載流子都參與運行 所以被稱為雙極型器件 場效應(yīng)管 FieldEffectTransistor簡稱FET 是一種電壓控制器件 uGS iD 工作時 只有一種載流子參與導(dǎo)電 因此它是單極型器件 FET因其制造工藝簡單 功耗小 溫度特性好 輸入電阻極高等優(yōu)點 得到了廣泛應(yīng)用 一 絕緣柵場效應(yīng)三極管 絕緣柵型場效應(yīng)管 MetalOxideSemiconductorFET 簡稱MOSFET 分為 增強型 N溝道 P溝道耗盡型 N溝道 P溝道 1 N溝道增強型MOS管 1 結(jié)構(gòu)4個電極 漏極D 源極S 柵極G和襯底B 符號 當(dāng)uGS 0V時 縱向電場 將靠近柵極下方的空穴向下排斥 耗盡層 2 工作原理 當(dāng)uGS 0V時 漏源之間相當(dāng)兩個背靠背的二極管 在d s之間加上電壓也不會形成電流 即管子截止 再增加uGS 縱向電場 將P區(qū)少子電子聚集到P區(qū)表面 形成導(dǎo)電溝道 如果此時加有漏源電壓 就可以形成漏極電流id 柵源電壓uGS的控制作用 定義 開啟電壓 UT 剛剛產(chǎn)生溝道所需的柵源電壓UGS N溝道增強型MOS管的基本特性 uGS UT 管子截止 uGS UT 管子導(dǎo)通 uGS越大 溝道越寬 在相同的漏源電壓uDS作用下 漏極電流ID越大 漏源電壓uDS對漏極電流id的控制作用 當(dāng)uGS UT 且固定為某一值時 來分析漏源電壓VDS對漏極電流ID的影響 設(shè)UT 2V uGS 4V a uds 0時 id 0 b uds id 同時溝道靠漏區(qū)變窄 c 當(dāng)uds增加到使ugd UT時 溝道靠漏區(qū)夾斷 稱為預(yù)夾斷 d uds再增加 預(yù)夾斷區(qū)加長 uds增加的部分基本降落在隨之加長的夾斷溝道上 id基本不變 3 特性曲線 四個區(qū) a 可變電阻區(qū) 預(yù)夾斷前 輸出特性曲線 iD f uDS uGS const b 恒流區(qū)也稱飽和區(qū) 預(yù)夾斷后 c 夾斷區(qū) 截止區(qū) d 擊穿區(qū) 可變電阻區(qū) 恒流區(qū) 截止區(qū) 擊穿區(qū) 轉(zhuǎn)移特性曲線 iD f uGS uDS const 可根據(jù)輸出特性曲線作出移特性曲線 例 作uDS 10V的一條轉(zhuǎn)移特性曲線 UT 一個重要參數(shù) 跨導(dǎo)gm gm iD uGS uDS const 單位mS gm的大小反映了柵源電壓對漏極電流的控制作用 在轉(zhuǎn)移特性曲線上 gm為的曲線的斜率 在輸出特性曲線上也可求出gm 2 N溝道耗盡型MOSFET 特點 當(dāng)uGS 0時 就有溝道 加入uDS 就有iD 當(dāng)uGS 0時 溝道增寬 iD進(jìn)一步增加 當(dāng)uGS 0時 溝道變窄 iD減小 在柵極下方的SiO2層中摻入了大量的金屬正離子 所以當(dāng)uGS 0時 這些正離子已經(jīng)感應(yīng)出反型層 形成了溝道 定義 夾斷電壓 UP 溝道剛剛消失所需的柵源電壓uGS N溝道耗盡型MOSFET的特性曲線 輸出特性曲線 轉(zhuǎn)移特性曲線 UP 3 P溝道耗盡型MOSFET P溝道MOSFET的工作原理與N溝道MOSFET完全相同 只不過導(dǎo)電的載流子不同 供電電壓極性不同而已 這如同雙極型三極管有NPN型和PNP型一樣 4 MOS管的主要參數(shù) 1 開啟電壓UT 2 夾斷電壓UP 3 跨導(dǎo)gm gm iD uGS uDS const 4 直流輸入電阻RGS 柵源間的等效電阻 由于MOS管柵源間有sio2絕緣層 輸入電阻可達(dá)109 1015 本章小結(jié) 1 半導(dǎo)體材料中有兩種載流子 電子和空穴 電子帶負(fù)電 空穴帶正電 在純凈半導(dǎo)體中摻入不同的雜質(zhì) 可以得到N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體 2 采用一定的工藝措施 使P型和N型半導(dǎo)體結(jié)合在一起 就形成了PN結(jié) PN結(jié)的基本特點是單向?qū)щ娦?3 二極管是由一個PN結(jié)構(gòu)成的 其特性可以用伏安