電路電子技術(shù)復(fù)習(xí)題.doc

電路電子技術(shù)復(fù)習(xí)題電路電子技術(shù)復(fù)習(xí)題1、計算圖P1所示各電路，K打開時及閉合時的Ua、Ub及Uab。圖P1圖P22、電路如圖P2所示，求Ux、Ix和電壓源電流、電流源電壓。3、在圖P3所示電路中，試求受控源提供的電流以及功率。4、電路如圖P4所示，若Us=19.5 V，U1=1 V，試求R。 圖P3 圖P45、求圖P5所示各二端網(wǎng)絡(luò)的輸入電阻Ri。圖P56、求圖P6所示電路中的電流I及電壓U1。圖P67、求圖P7所示電路的輸入電阻Ri。圖P78、電路如圖P8所示，用疊加定理求Ix。9、電路如圖P9所示，用疊加定理求Ix。圖P8 圖P910、圖P10所示電路中，各電源均在t=0時開始作用于電路，求uL(t)、iL(t)。已知電容電壓初始值為零。11、電路如圖P11所示，已知uC(0)=0，求uC(t)，t0。 圖P10 圖P1112、圖P12所示電路中，施加于電路的電流源電流為is(t)=8cost11sint A，已知u(t)=sint+2cost V，求iR(t)、iC(t)、iL(t)以及L并繪出相量圖。 13、正弦穩(wěn)態(tài)電路如圖P13所示，已知。(1) 求、和，并繪相量圖；(2) (2) 求uab、ubc和i；(3) (3) 計算uab和ubc間的相位差。圖P12 圖P1314、應(yīng)用疊加定理求圖P14所示電路中電壓。圖P1415、如圖p15所所示，開關(guān)S原在位置1已久，時合向位置2，求和。圖P1516、圖P16電路中穩(wěn)壓管DZ1和DZ2的穩(wěn)壓值分別是8V和6V，正向壓降為07V, ui=3+10Sint(V)，試畫出uz和u0的波形.+R1k-ui+-uoDz1Dz2+R500-ui+-uoDz1Dz2+R10k-ui+-uoDz1Dz2Dz2+R2k-ui+-uoDz1(a) (b) (c) (d) 圖P1617、在某電子電路中，測得三個晶體管各電極電位如表P17所示，請問它們是硅管還是鍺管?是NPN還是PNP 管 ? 1，2，3各是哪一電極(B、C、E) ? 表P17 甲 管 乙 管 丙 管各電極對公 共端電位(V)123123123-433-849.8103.2939B C E 鍺 （硅）管 NPN(PNP) 18、表P18中列出了各晶體管電極對地實(shí)測數(shù)據(jù)，請分析各管： (1) 是鍺管還是硅管 ? (2) 是PNP還是NPN ? (3) 是處于放大、截止、飽和還是倒置狀態(tài)，或是損壞了? 表P18型號3DK2B3AX31C3AG243DG8C3AK203AD6A3DG6B3CK2BUB(V)27303 3018 35123157453UC(V)2350 03060180 15053UE(V)20 0120253512020060鍺或硅 NPN或PNP 工作狀態(tài)19、已知場效應(yīng)管電路和場效應(yīng)管的輸出特性曲線如圖P19所示， 當(dāng)ui電壓為1V、2V、3V、4V四種情況時MOS管的工作狀態(tài)如何?20V25V30V35V04816uDS（V）iD（mA）1234UGS=4V-RD6k12VuIuo 圖19 20、放大電路如圖P20（a）所示。試按照給定參數(shù)，在圖P20（b）中：（1） 畫出直流負(fù)載線；（2） 定出Q點(diǎn)（設(shè)VBEQ=0.7V）；（3） 畫出交流負(fù)載線；（4） 畫出對應(yīng)于iB 由0100A變化時，vCE的變化范圍，并由此計算不失真輸出電壓Vo（正弦電壓有效值）。圖P2021、放大電路如圖21示，電路中的電容器對輸入交流信號可視為短路，根據(jù)構(gòu)成放大電路的原則，試說明下面的各種電路對交流信號有無放大作用， 要說明其理由。RBRC+VCCuiuoTCRBRC+VCCuiuoTVBBRBRC+VCCuiuoTRCRBTC1C2+VCCuiuoRBRBVCCusuoTTC2RCRBuiuoC1C3RLVCCC2Rg1RDVDDusuoTRg2C1RLC2RDVDDusuoTRg2C1RLRL(a)(b)(c)(d)(e)(f)(g)(h) 圖2122、圖P22所示為場效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性曲線。試問：IDSS、VP值為多大？（1）根據(jù)給定曲線，估算當(dāng)iD=1.5mA和iD=3.9mA時，gm約為多少？（2）根據(jù)gm的定義：，計算vGS= -1V和vGS= -3V時相對應(yīng)的gm值。圖圖P2223、求圖p23所示電路中輸出電壓與輸入電壓的運(yùn)算關(guān)系式。圖2324、雙極型晶體管組成的基本放大電路如圖P24（a)、(b)、(c)所示。設(shè)各BJT的rbb200，50，VBE0.7V。(1) 計算各電路的靜態(tài)工作點(diǎn)；(2) 畫出各電路的微變等效電路，指出它們的放大組態(tài)；(3) 求電壓放大倍數(shù)、輸入電阻Ri和輸出電阻Ro。(4) 當(dāng)逐步加大輸入信號時，各放大電路將首先出現(xiàn)哪一種失真（截止失真或飽和失真），其最大不失真輸出電壓幅度為多少？圖P2425、試判斷圖P25所示電路中是否引入了反饋，是直流反饋還是交流反饋，是正反饋還是負(fù)反饋。設(shè)圖中所有電容對交流信號均可視為短路。若有交流負(fù)反饋，判斷是何種組態(tài)，并求在深度負(fù)反饋條件下的電壓放大倍數(shù)。 圖P2526、兩級阻容耦合放大電路如圖P26所示，已知T1為N溝道耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管，gm=2mS，T2為雙極型晶體管，b=50，r be=1K，忽略rce，試求：(1) 第二級電路的靜態(tài)工作點(diǎn)ICQ2和VCEQ2；(2) 畫出整個放大電路簡化的微變等效電路；(3) 該電路在中頻段的電壓放大倍數(shù)；(4) 整個放大電路的輸入電阻Ri=？，輸出電阻Ro=？(5) 當(dāng)加大輸入信號時，該放大電路是先出現(xiàn)飽和失真還是先出現(xiàn)截止失真？其最大不失真輸出電壓幅度為多少？圖P2627、某放大電路電壓放大倍數(shù)的頻率特性表達(dá)式為畫出其波特圖，求其下限截止頻率fL和上限截止頻率fH。28、電路如圖P28所示，晶體管的b100，=100。 （1）求電路的Q點(diǎn)、Ri和Ro；（2）若電容Ce開路，則將引起電路的哪些動態(tài)參數(shù)發(fā)生變化？如何變化？ 圖P2829、FET組成的差分放大電路如圖P29所示。已知JFET的gm=2 mS，rds=20 kW。(1) 求雙端輸出時的差模電壓放大倍數(shù)；(2) 求單端輸出時的差模電壓放大倍數(shù)、共模電壓放大倍數(shù)和共模抑制比KCMR；圖 P2930、三級放大電路如圖P30所示，已知：rbe1 = rbe2 = 4 kW，rbe3 = 1.7 kW，rbe4 = rbe5 = 0.2 kW，各管的b = 50。圖中所有電容在中頻段均可視作短路。試畫出放大電路的交流通路，計算中頻電壓放大倍數(shù)，輸入電阻Ri和輸出電阻Ro。圖P30 31、一雙電源互補(bǔ)對稱電路如圖題P31所示，設(shè)已知VCC=12V，RL=16，vI為正弦波。求：(1)在三極管的飽和壓降VCES可以忽略不計的條件下，負(fù)載上可能得到的最大輸出功率Pom=?；(2)每個管子允許的管耗PCm至少應(yīng)為多少?(3)每個管子的耐壓V(BR)CEO應(yīng)大于多少? 圖P3132、圖P32功放電路中，設(shè)運(yùn)放A的最大輸出電壓幅度為10 V，最大輸出電流為10mA，晶體管T1、T2的VBE=0.7V。問：(1)該電路的電壓放大倍數(shù)Avf=?(2)為了得到盡可能大的不失真輸出功率，T1、T2管的值至少應(yīng)取多少?(3)該電路的最大不失真輸出功率Pom=?(4)當(dāng)達(dá)到上述功率時，輸出級的效率是多少?每個管子的管耗多大? 圖P3233、OTL放大電路如圖P33所示，設(shè)T1、T2特性完全對稱，vi為正弦電壓，VCC=10V，RL=16。試回答下列問題：(1)靜態(tài)時，電容C2兩端的電壓應(yīng)是多少?調(diào)整哪個電阻能滿足這一要求?(2)動態(tài)時，若輸出電壓波形出現(xiàn)交越失真，應(yīng)調(diào)整哪個電阻?如何調(diào)整?(3)若R1=R3=1.2k，T1、T2管的=50,VBE=0.7V,Pcm=200mW,假設(shè)D1、D2、R2中任意一個開路，將會產(chǎn)生什么后果? 圖P3334、在圖P33電路中，已知VCC=35V,RL=35，流過負(fù)載的電流i=0.45cost(A)。求：(1)負(fù)載RL所能得到的信號功率PO；(2)電源供給的功率PE；(3)兩個管子的總管耗PT。35、試寫出圖P35加法器對I1、I2、I3的運(yùn)算結(jié)果：O=f(I1、I2、I3)。 圖題P3536、在圖P36所示的各種放大電路中，試按動態(tài)反饋分析： (1)各電路分別屬于哪種反饋類型?(正/負(fù)反饋；電壓/電流反饋；串聯(lián)/并聯(lián)反饋)(2)各個反饋電路的效果是穩(wěn)定電路中的哪個輸出量?(說明是電流，還是電壓)(4)若要求將圖(f)改接為電壓并聯(lián)負(fù)反饋，試畫出電路圖(不增減元件)。(5)求解在深度負(fù)反饋情況下的電壓放大倍數(shù)。圖P3637、由四個電壓跟隨器組成的電路如圖P37所示，試寫出其輸出電壓的表達(dá)式：O=f(I1，I2，I3)。 圖P3738、積分電路如圖P38(a)所示，其輸入信號I波形如圖P38(b)，并設(shè)t=0時，C(O)=0，試畫出相應(yīng)的輸出電壓O波形。 圖P3839、圖P39電路中，A1、A2為理想運(yùn)放，電容的初始電壓C(O)=0。(1)寫出O與S1、S2和S3之間的關(guān)系式；(2)寫出當(dāng)電路中電阻R1=R2=R3=R4=R5=R6=R7=R時，輸出電壓O的表達(dá)式。 圖P3940、圖P40(a)為加法器電路，R11=R12=R2=R。(1)試求運(yùn)算關(guān)系式：O=f(I1,I2)；(2)若I1、I2分別為三角波和方波，其波形如圖題3.3.11(b)所示，試畫出輸出電壓波形并注明其電壓變化范圍。 圖P4041、橋式整流濾波電路如圖題P41所示。已知v2=20sint(V),在下述不同情況下，說明輸出直流電壓平均值VO(AV)各為多少伏?(1)電容C因虛焊未接上；(2)有電容C，但RL=(負(fù)載RL開路)；(3)整流橋中有一個二極管因虛焊而開路，有電容C，RL=；(4)有電容C，RL。圖P4142 整流穩(wěn)壓電路如圖P42所示。設(shè)V2=18V(有效值)，C =100F，DZ的穩(wěn)壓值為5V，IL在10mA至30mA之間變化。如果考慮到電網(wǎng)電壓變化時，V2變化10%，試問：(1)要使IZ不小于5mA，所需R值應(yīng)不大于多少?(2)按以上選定的R值，計算IZ最大值為多少? 圖P4243、串聯(lián)型穩(wěn)壓電路如圖P43所示。設(shè)A為理想運(yùn)算放大器 ，其最大輸出電流為1mA，最大輸出電壓范圍為020V。(1)在圖中標(biāo)明運(yùn)放A的同相輸入端( +)和反相輸入端(-)；(2)估算在穩(wěn)壓條件下，當(dāng)調(diào)節(jié)Rw時，負(fù)載RL上所能得到的最大輸出電流IO（max）和最高輸出電壓VO（max），以及調(diào)整管T的最大集電極功耗PCM。 圖P43 44、RC橋式正弦振蕩器如圖P44所示，其中二極管在負(fù)反饋支路內(nèi)起穩(wěn)幅作用。（1） 試在放大器框圖A內(nèi)填上同相輸入端（+）和反相輸入端（）的符號，若A為A741型運(yùn)放，試注明這兩個輸入端子的管腳號碼。（2） 如果不用二極管，而改用下列熱敏元件來實(shí)現(xiàn)穩(wěn)幅：（a）具有負(fù)溫度系數(shù)的熱敏電阻器；（b）具有正溫度系數(shù)的鎢絲燈泡。試挑選元件（a）或（b）來替代圖中的負(fù)反饋支路電阻（R1或R3），并畫出相應(yīng)的電路圖。 圖P4445、圖P45所示電路為方波三角波產(chǎn)生電路。（1）試求其振蕩頻率，并畫出vO1、vO2 的波形。（2）若要產(chǎn)生不對稱的方波和鋸齒波時，電路應(yīng)如何改進(jìn)？可用虛線畫在原電路圖上。 圖P4546、試分別畫出圖P46所示各電路的電壓傳輸特性曲線。 圖P4647、采用射極恒流源的差分放大電路如圖P47所示。設(shè)差放管T1、T2特性對稱，b1 = b2 = 50，rbb=300 W，T3管b3 = 50，rce3 = 100 kW，電位器Rw的滑動端置于中心位置，其余元件參數(shù)如圖中所示。(1) 求靜態(tài)電流ICQ1、ICQ2、ICQ3和靜態(tài)電壓UOQ；(2) 計算差模電壓放大倍數(shù)，輸入電阻Rid和輸出電阻Ro；(3) 計算共模電壓放大倍數(shù)和共模抑制比KCMR。圖P4748、試求圖P48所示各電路輸出電壓與輸入電壓的運(yùn)算關(guān)系式。圖P4849、圖P49電路中，假定D都為理想二極管，設(shè)u2=12sint(V)，試分別畫出UD和U0的波形,并標(biāo)明各波形的峰值。 D1R15.0V5.0k+Uo(a)+UID15.0V5.0k+Uo(b)+UIR1R8VUo+D2UID1D6V(c)+ 圖P49 50、 出圖P50所示電路在 0t10ms時的輸出電壓波形，假定二極管為理想二極管。 10 0102030+R25VDR1200500+- -圖P5051、在圖P51所示的放大電路中，三極管的40，rbe0.8k，VBE0.7V，各電容都足夠大。試計算：(1) 電路的靜態(tài)工作點(diǎn)；(2) 求電路的中頻源電壓放大倍數(shù)；(3) 求電路的最大不失真輸出電壓幅值。圖P5152、FET組成的基本放大