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第6講物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì) 三 考綱要求 了解nacl型和cscl型離子晶體的結(jié)構(gòu)特征 能根據(jù)離子化合物的結(jié)構(gòu)特征和晶格能解釋離子化合物的物理性質(zhì) 了解原子晶體的特征 能描述金剛石 二氧化硅等原子晶體的結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系 理解金屬鍵的含義 能用金屬鍵的自由電子理論解釋金屬的一些物理性質(zhì) 知道金屬晶體的基本堆積方式 了解常見金屬晶體的晶胞結(jié)構(gòu) 晶體內(nèi)部空隙的識(shí)別 與晶胞的邊長(zhǎng)等晶體結(jié)構(gòu)參數(shù)相關(guān)的計(jì)算不作要求 分子間作用力與物質(zhì)的性質(zhì)知道分子間作用力的含義 了解化學(xué)鍵和分子間作用力的區(qū)別 知道分子晶體的含義 了解分子間作用力的大小對(duì)物質(zhì)某些物理性質(zhì)的影響 了解氫鍵的存在對(duì)物質(zhì)性質(zhì)的影響 對(duì)氫鍵相對(duì)強(qiáng)弱的比較不作要求 了解分子晶體與原子晶體 離子晶體 金屬晶體的結(jié)構(gòu)微粒 微粒間作用力的區(qū)別 重點(diǎn)考查的知識(shí)點(diǎn) 晶體的結(jié)構(gòu)及性質(zhì)的分析 1 幾種類型的晶體的比較 例1 下列物質(zhì)的熔 沸點(diǎn)高低順序中 正確的是 a 金剛石 晶體硅 二氧化硅 碳化硅b ci4 cbr4 ccl4 ch4c mgo o2 n2 h2od 金剛石 生鐵 純鐵 鈉 b 2 典型離子晶體的結(jié)構(gòu)特征 6 8 例2 人類在使用金屬的歷史進(jìn)程中 經(jīng)歷了銅 鐵 鋁之后 第四種將被廣泛應(yīng)用的金屬則被科學(xué)家預(yù)測(cè)為是鈦 ti 鈦被譽(yù)為 未來(lái)世紀(jì)的金屬 試回答下列問題 1 22ti元素基態(tài)原子的價(jià)電子層排布式為 2 在ti的化合物中 可以呈現(xiàn) 2 3 4三種化合價(jià) 其中以 4價(jià)的ti最為穩(wěn)定 偏鈦酸鋇的熱穩(wěn)定性好 介電常數(shù)高 在小型變壓器 話筒和擴(kuò)音器中都有應(yīng)用 偏鈦酸鋇晶體中晶胞的結(jié)構(gòu)示意圖如右圖 則它的化學(xué)式是 3 現(xiàn)有含ti3 的配合物 化學(xué)式為 ticl h2o 5 cl2 h2o 配離子 ticl h2o 5 2 中含有的化學(xué)鍵類型是 該配合物的配體是 3d24s2 batio3 極性共價(jià)鍵 配位鍵 h2o cl 3 金屬原子在空間的堆積方式 體心立方堆積 鎂 鈦 鋅等 面心立方堆積 81212 每個(gè)si原子周圍結(jié)合個(gè)o原子每個(gè)o原子周圍結(jié)合個(gè)si原子 其中最小的環(huán)上有個(gè)原子 由si原子和o原子按1 2的比例所組成的立體網(wǎng)狀的原子晶體 4 常見的原子晶體 4 12 2 思考 金剛石 晶體硅 碳化硅的熔點(diǎn)由高到低的順序 c c c si si si鍵 鍵長(zhǎng)逐漸增大 鍵能逐漸減小 要破壞它們消耗的能量逐漸減小 熔沸點(diǎn)逐漸降低 5 分子晶體 高 低 大 小 原子晶體 分子晶體 例3 下表列出了鈉的鹵化物和硅的鹵化物的熔點(diǎn) 回答下列問題 1 鈉的鹵化物的熔點(diǎn)比相應(yīng)的硅的鹵化物的熔點(diǎn)高很多 其原因是 2 naf的熔點(diǎn)比nabr的熔點(diǎn)高的原因是 3 sif4的熔點(diǎn)比sibr4的熔點(diǎn)低的原因是 naf和nabr的晶格能的高低順序?yàn)?硬度大小為 鈉的鹵化物是離子晶體 硅的鹵化物是分子晶體 而離子鍵一般比分子間作用力強(qiáng)得多 f 離子半徑比br 小 naf離子鍵鍵能比nabr大 sif4的相對(duì)分子質(zhì)量比sibr4小 sif4的分子間作用力比sibr4小 naf nabr naf nabr 例4 有五種短周期元素 xa yb zc md ne 其中x y z m n 57 已知a元素的氣態(tài)氫化物與其最高價(jià)氧化物的水化物在常溫下能化合成一種化合物 c元素的原子最外層電子數(shù)是其電子層數(shù)的3倍 d元素的最高正化合價(jià)與最低負(fù)化合價(jià)的絕對(duì)值相等 且d與c只能形成一種化合物 e單質(zhì)在空氣中燃燒能生成一種淡黃色固體 試回答 a元素名稱 它在元素周期表中的位置 b元素原子的電子式 e元素的簡(jiǎn)單離子結(jié)構(gòu)示意圖 分別寫出a和b的最高價(jià)氧化物對(duì)應(yīng)水化物的分子式 寫出c和d形成的化合物的化學(xué)式 其晶體類型屬于 寫出a的氣態(tài)氫化物的結(jié)構(gòu)式 其分子的空間構(gòu)型為 屬于分子 第二周期第 a族 氮 三角錐型極性分子 hno3hclo4 sio2 原子晶體 每個(gè)六邊形占有的化學(xué)鍵數(shù)平均為個(gè) 其中每個(gè)正六邊形占有的c原子數(shù)平均為個(gè) 2 層狀結(jié)構(gòu)每一層內(nèi) 碳原子排列成正六邊形 一個(gè)個(gè)正六邊形排列成平面的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu) 層內(nèi)碳原子之間 層與層之間 是一種晶體 共價(jià)鍵 分子間作用力 混合型 3 石墨結(jié)構(gòu) 練習(xí)1 08全國(guó) 卷 下列化合物 按其品體的熔點(diǎn)由高到低排列正確的是 a sio2caclcbr4cf2b sio2csclcf4cbr4c csclsio2cbr4cf4d cf4cbr4csclsio2 a 2 08天津卷 下列敘述正確的是 a 1個(gè)甘氨酸分子中存在9對(duì)共用電子b pcl3和了bcl3分子中所有原子的最外層都達(dá)到8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)c h2s和cs2分子都是含極性鍵的極性d 熔點(diǎn)由高到低的順序是 金剛石 碳化硅 晶體硅 d 3 08四川卷 下列說法中正確的是 a 離子晶體中每個(gè)離子的周圍均吸引著6個(gè)帶相反電荷的離子b 金屬導(dǎo)電的原因是在外加電場(chǎng)的作用下金屬產(chǎn)生自由電子 電子定向運(yùn)動(dòng)c 分子晶體的熔沸點(diǎn)低 常溫下均呈液態(tài)或氣態(tài)d 原子晶體中的各相鄰原子都以共價(jià)鍵相結(jié)合 d 4 08全國(guó) 卷 q r x y z為前20號(hào)元素中的五種 q的低價(jià)氧化物與x單質(zhì)分子的電子總數(shù)相等 r與q同族 1 q的最高價(jià)氧化物 其固體屬于 晶體 俗名叫 2 r的氫化物的分子的空間構(gòu)型是 屬于 分子 填 極性 或 非極性 它與x形成的化合物可作為一種重要陶瓷材料 其化學(xué)式是 3 x的常見氫化物的空間構(gòu)型是 它的另一種氫
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