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文檔簡介
1 基因突變及類型2 基因突變的特點(diǎn)3 自發(fā)性的證明 基因突變一 基因突變簡稱突變 指細(xì)胞內(nèi) 或病毒粒內(nèi) 遺傳物質(zhì)的分子結(jié)構(gòu)或數(shù)量突然發(fā)生的可遺傳的變化 一 類型1 根據(jù)表型劃分 突變類型 自發(fā)突變 誘發(fā)突變 低劑量多因素突變 互變異構(gòu)效應(yīng) 物理誘變 化學(xué)誘變 定向培育和馴化 微生物基因突變的特點(diǎn)自發(fā)性 沒有人為誘變因素可自發(fā)產(chǎn)生稀有性 突變率比較低 范圍10 6 10 9獨(dú)立性 某基因突變率不受別的基因影響 多基因同時(shí)突變幾率極低 可誘變性 誘變劑可提高突變率穩(wěn)定性 突變后新性狀是穩(wěn)定的 可遺傳的 規(guī)律性 特定性狀具有較穩(wěn)定的突變率的規(guī)律 可逆性 野生型突變型 正向突變 回復(fù)突變 不對應(yīng)性 突變的性狀與引起突變的原因 環(huán)境 之間無直接的關(guān)系 兩種觀點(diǎn) 抗生素 紫外線或高溫誘變產(chǎn)生相對應(yīng)的突變性狀 非自發(fā)性 認(rèn)為突變是通過生物對某特定環(huán)境 例如化學(xué)藥物 抗生素和高溫等 的適應(yīng)而產(chǎn)生的 這種環(huán)境正是突變的誘因 所產(chǎn)生的抗性性狀是與該環(huán)境因素相對應(yīng)的 并認(rèn)為這就是環(huán)境因素對生物體的 馴化 馴養(yǎng) 蒙導(dǎo) 或 定向變異 抗生素 紫外線或高溫淘汰原有非突變個(gè)體 自發(fā)性 抗性突變是可以自發(fā)產(chǎn)生的 即使誘發(fā)產(chǎn)生 其產(chǎn)生的性狀與誘變因素間也是不對應(yīng)的 即最終適應(yīng)了的化學(xué)藥物等不良因素并非誘變因素 而僅僅是一種用于篩選的環(huán)境而已 基因突變的自發(fā)性和不對應(yīng)性的證明 突變是通過適應(yīng)而產(chǎn)生的 突變的原因與性狀間是相對應(yīng)的 突變是自發(fā)的 與環(huán)境是不相對應(yīng)的 PK 微生物突變的自發(fā)性和不對應(yīng)性證明 取敏感于噬菌體的E coli指數(shù)期的肉湯培養(yǎng)物 用新鮮培養(yǎng)稀釋成濃度為103 mL的細(xì)菌懸液 然后在甲 乙兩試管各裝10mL 1 變量實(shí)驗(yàn) 1 實(shí)驗(yàn)內(nèi)容 E coli對于phageT1的抗性變異波動(dòng)實(shí)驗(yàn) 接著把甲管中的菌液先分裝在50支小試管中 每管0 2mL 保溫24 36h 微生物突變的自發(fā)性和不對應(yīng)性證明 把各小管的菌液分別倒在50個(gè)預(yù)先涂滿噬菌體T1的平板上 經(jīng)培養(yǎng)后分別計(jì)算各皿上所產(chǎn)生的抗噬菌體的菌落數(shù) 微生物突變的自發(fā)性和不對應(yīng)性證明 乙管中的10mL菌不經(jīng)分裝先整管保溫24 36h 然后分成50份分別倒在同樣涂滿T1的平板上 經(jīng)同樣培養(yǎng)后 也分別計(jì)算各皿上所產(chǎn)生的抗噬菌體菌落數(shù) 微生物突變的自發(fā)性和不對應(yīng)性證明 結(jié)果 在來自甲管的50皿中 各皿出現(xiàn)的抗性菌落數(shù)相差極大 而來自乙管的則各皿上抗性菌落數(shù)基本相同 微生物突變的自發(fā)性和不對應(yīng)性證明 結(jié)論 E coli抗噬菌體性狀的產(chǎn)生 并非由所抗的環(huán)境因素 即噬菌體T1 誘導(dǎo)出來的 而是在它接觸T1前 在某次細(xì)胞分裂過程中自發(fā)產(chǎn)生的 微生物突變的自發(fā)性和不對應(yīng)性證明 2 涂布實(shí)驗(yàn) 1 實(shí)驗(yàn)內(nèi)容 2 實(shí)驗(yàn)原理 若抗性是在接觸噬菌體以后產(chǎn)生的 那么噴噬菌體以前的重新涂布無非使細(xì)菌所處的位置發(fā)生改變 而不會(huì)因?yàn)橥坎即蟠蟮馗淖兗?xì)菌對于噬菌體的反應(yīng) 因此兩組培養(yǎng)皿上出現(xiàn)的抗性菌落數(shù)應(yīng)相等 若抗性發(fā)生在接觸噬菌體以前 那么在噴上噬菌體以前某些菌落中的抗性突變型細(xì)菌已經(jīng)分裂若干次 在不經(jīng)重新涂布的培養(yǎng)皿上形成一個(gè)菌落 在重新涂布的培養(yǎng)皿上出現(xiàn)若干菌落 3 結(jié)果 重新涂布的培養(yǎng)皿上出現(xiàn)的抗性菌落多余未經(jīng)重新涂布的 4 結(jié)論 抗性突變的發(fā)生在接觸噬菌體之前 3 影印培養(yǎng)實(shí)驗(yàn) 1 實(shí)驗(yàn)內(nèi)容 2 實(shí)驗(yàn)原理 通過蓋印章的方式 在未接觸抗性因素的條件下篩選出的抗性突變株 由于實(shí)驗(yàn)過程中沒有接觸過抗性因素 所以
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