Wet Etch設備及工藝介紹.ppt

Array2016年8月12日 WetEtch設備及工藝介紹 課程內(nèi)容介紹 WetEtch科業(yè)務介紹WetEtch工藝介紹WetEtch設備介紹 課程內(nèi)容介紹 WetEtch科業(yè)務介紹WetEtch工藝介紹WetEtch設備介紹 1 WetEtch業(yè)務介紹 主工藝 Exposure PhotoMask Strip Develop Etch DE WE 鍍膜 Sputter PECVD InitialClean AT AR UVLight Glass ThinFilm PhotoResist PR NextLayer WetStrip Etch DE WE InitialClean Array工藝流程圖 1 WetEtch業(yè)務介紹 擔當設備 WetEtch WetEtcher EMS WetStripper RMS InitialCleaner CSTCleaner Robot Cassette APPlasma 1 WetEtch業(yè)務介紹 崗位職責 設備 工藝 Weare 設備與工藝工程師 穩(wěn)定運行確保 日常PM 運營監(jiān)控 Part管理等 工藝優(yōu)化 不良改善 工藝改進 成本降低等 WetEtch科業(yè)務介紹WetEtch工藝介紹WetEtch設備介紹 WetEtch工藝介紹 WetEtcher說明 分類 原理 表征參數(shù)WetStripper原理InitialCleaner原理 表征 2 WetEtch工藝介紹 WetEtcher WetEtcher說明 利用酸性刻蝕液 Etchant 去除沒有PR膠保護的膜層 主要適用于Al Cu金屬及合金膜層或ITO IGZO等金屬氧化物的刻蝕 針對不同金屬或金屬氧化物 需要使用不同的刻蝕液 刻蝕特性為各向同性 Glass Film Film PR PR PR WetEtcher與DryEtcher差異 WetEtcher 對應金屬及金屬氧化物膜如Mo Al Mo Al Mo Cu Cu Mox Mo ITO IGZO IZO等DryEtcher 對應非金屬膜及少數(shù)特種金屬a Si SiNx SiO2等非金屬膜 Mo金屬膜 2 WetEtch工藝介紹 WetEtcher WetEtcher分類 依據(jù)使用的Etchant 刻蝕液 種類 劃分三種WetEtcher AlWetEtcher CuWetEtcher ITOWetEtcher 主要依據(jù) Etchant腐蝕性 Part選擇 粘度 供給Pump能力 噴淋方式 Nozzle Part 有Al Cu ITO兼容對應PartPump AlEtchant粘度高 Pump配置高 Cu ITOEtchant相近 粘度低Nozzle 高低粘度Nozzle型號不同 基于工藝需求及成本控制 選擇最適合配置方式 2 WetEtch工藝介紹 WetEtcher WetEtch原理 Al刻蝕液 主要成分為HNO3 CH3COOH H3PO4 Additive其中HNO3為氧化劑 CH3COOH為緩沖劑 H3PO4用于溶解Al2O32Al 2HNO3 Al2O3 2NO H2OAl2O3 2H3PO4 2AlPO4 3H2OCu刻蝕液 主要成分為H2O2 Additive其中雙氧水為主反應劑 Cu H2O2 2H Cu2 2H2OAdditive 螯合劑 抑制劑 抗腐蝕劑等ITO刻蝕液 主要成分為HNO3 H2SO4 H2O AdditiveIn2O3 6HNO3 2In3 6 NO3 3H2OIn2O3 6H2SO4 4In3 6 SO4 6H2OAdditive為金屬腐蝕抑制劑 2 WetEtch工藝介紹 WetEtcher WetEtch表征參數(shù) 2 WetEtch工藝介紹 WetEtcher WetEtch表征參數(shù) 刻蝕率 EtchRate 即刻蝕速度 指單位時間內(nèi)刻蝕膜層的速度 單位 Min 1nm 10 工藝參數(shù)不變時 E R越大越好 均一性 UniformityRate 體現(xiàn)刻蝕過程中刻蝕量或者刻蝕完成后的剩余量的差異性 均一性 越小越好 為WetEtch重點管控參數(shù) Uniformity Max Min Max Min or2 Average 100 2 WetEtch工藝介紹 WetEtcher WetEtch表征參數(shù) Profile 一般指刻蝕后的膜層斷面角度 最優(yōu)為50 55 為WetEtch重點管控參數(shù) 以Mo Al Mo為例 OK NG NG Linearity差 Linearity差 NG 輕微MoTip NG Profile高74 NG TopShrinkage 2 WetEtch工藝介紹 WetEtcher WetEtch表征參數(shù) 選擇比 同一Layer不同金屬膜層間刻蝕速率差異 Profile控制關(guān)鍵 WetEtch不對此進行管控 5 CDBias CDBias指Photo工藝后的線寬DICD與最終形成的Pattern線寬FICD的差值 CDBias是WetEtch重點管控工藝參數(shù) CDBias DICD FICD 2 SideBias SideBias 2 WetEtch工藝介紹 WetStripper WetStrip原理 DecomposingbyAmine SwellingbySolvent SolvationbySolvent Substrate Metal Strip就是利用有機腐蝕液經(jīng)過化學反應去除膜表面的光刻膠 化學反應主要是把光刻膠的長鏈結(jié)構(gòu)斷開 使PR膠變成小分子 從而被溶解 沖洗離開Glass表面 確保無PR殘留 2 WetEtch工藝介紹 InitialCleaner InitialClean原理 InitialClean使用Detergent 清洗劑 Brush 毛刷 等組合方式 使用物理方法去除BareGlass 素玻璃 表面的Particle 微粒子 表征參數(shù) Glass表面Particle數(shù)量 300ea 且無聚集性 Glass背面無RollerMark 滾輪車痕 OK NG 輕微 NG WetEtch科業(yè)務介紹WetEtch工藝介紹WetEtch設備介紹 WetEtch設備介紹 WetEtcherWetStripperInitialCleaner 3 WetEtch設備介紹 WetEtcher WetEtcher示意圖 俯視圖 側(cè)視圖A 側(cè)視圖B 設備為2層結(jié)構(gòu) 2層主要為傳送單元 含APPlasma 1層為工藝層 含Etch Rinse AirKnife等 3 WetEtch設備介紹 WetEtcher WetEtcher結(jié)構(gòu) Index InCV APP NormalCV Elevator NT1 Etch 3CHB OutCV Rinse PlateFlow PlateFlow PlateFlow PlateFlow NormalCV NT2 Index 傳送單元 APPClean 有機物去除 升降機構(gòu) AK 2F 1F Index AirKnife 干燥 RinseProcess 水洗 EtchingProcess 刻蝕 3 WetEtch設備介紹 WetEtcher WetEtcher結(jié)構(gòu) APP 通過常壓等離子體對Glass表面有機物進行處理 使有機物降解 提高Glass表面親水性及粘附性 一般應用于DepCleaner WetEtcher Coating等設備前端 提高主設備工藝效果 3 WetEtch設備介紹 WetStripper WetStripper示意圖 Type1 俯視圖 側(cè)視圖A 側(cè)視圖B 設備為2層結(jié)構(gòu) 2層主要為傳送單元 1層為工藝層 含Strip Rinse AirKnife等 3 WetEtch設備介紹 WetStripper WetStripper結(jié)構(gòu) Type1 Index Elevator Strip 3CHB OutCV Rinse PlateFlow PlateFlow PlateFlow PlateFlow Conveyor Index 傳送單元 升降機構(gòu) 剝離 AK 2F 1F Index 傳送單元 干燥 水洗 3 WetEtch設備介紹 WetStripper WetStripper示意圖 Type2 俯視圖 側(cè)視圖 設備為單層結(jié)構(gòu) 3 WetEtch設備介紹 WetStripper WetStripper結(jié)構(gòu) Type2 Index Rinse Strip Rinse PlateFlow PlateFlow PlateFlow PlateFlow Rinse Index 傳送單元 剝離 水洗 AK Index CoolingBuffer Anneal 干燥 Conveyor CoolingBuffer TRF Anneal OutCV Rinse 3 WetEtch設備介紹 InitialCleaner InitialCleaner結(jié)構(gòu) C V Feeder C V PreRinse DET Rinse