模電_模擬_電子技術(shù)基礎(chǔ)課后答案[1]1.doc

第一章自測(cè)題 一、（1） （2） （3） （4） （5） （6） 二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C三、UO11.3V UO20 UO31.3V UO42V UO52.3V UO62V四、UO16V UO25V五、根據(jù)PCM200mW可得：UCE40V時(shí)IC5mA，UCE30V時(shí)IC6.67mA，UCE20V時(shí)IC10mA，UCE10V時(shí)IC20mA，將改點(diǎn)連接成曲線，即為臨界過(guò)損耗線。圖略。六、1、 UOUCE2V。2、臨界飽和時(shí)UCESUBE0.7V，所以 七、T1：恒流區(qū)；T2：夾斷區(qū)；T3：可變電阻區(qū)。習(xí)題1.1（1）A C （2）A （3）C （4）A1.2不能。因?yàn)槎O管的正向電流與其端電壓成指數(shù)關(guān)系，當(dāng)端電壓為1.3V時(shí)管子會(huì)因電流過(guò)大而燒壞。 1.3 ui和uo的波形如圖所示。 1.4 ui和uo的波形如圖所示。 1.5 uo的波形如圖所示。 1.6 ID（VUD）/R2.6mA，rDUT/ID10，IdUi/rD1mA。 1.7 （1）兩只穩(wěn)壓管串聯(lián)時(shí)可得1.4V、6.7V、8.7V和14V等四種穩(wěn)壓值。 （2）兩只穩(wěn)壓管并聯(lián)時(shí)可得0.7V和6V等兩種穩(wěn)壓值。 1.8 IZMPZM/UZ25mA，RUZ/IDZ0.241.2k。 1.9 （1）當(dāng)UI10V時(shí)，若UOUZ6V，則穩(wěn)壓管的電流為4mA，小于其最小穩(wěn)定電流，所以穩(wěn)壓管未擊穿。故 當(dāng)UI15V時(shí)，由于上述同樣的原因，UO5V。 當(dāng)UI35V時(shí)，UOUZ5V。 （2）29mAIZM25mA，穩(wěn)壓管將因功耗過(guò)大而損壞。 1.10 （1）S閉合。 （2） 1.11 波形如圖所示。 1.12 60時(shí)ICBO32A。 1.13 選用100、ICBO10A的管子，其溫度穩(wěn)定性好。 1.14 1.15 晶體管三個(gè)極分別為上、中、下管腳，答案如表管號(hào)T1T2T3T4T5T6上ecebcb中bbbeee下ceccbc管型PNPNPNNPNPNPPNPNPN材料SiSiSiGeGeGe 1.16 當(dāng)VBB0時(shí)，T截止，uO12V。當(dāng)VBB1V時(shí)，T處于放大狀態(tài)。因?yàn)楫?dāng)VBB3V時(shí)，T處于飽和狀態(tài)。因?yàn)?.17 取UCESUBE，若管子飽和，則 1.18 當(dāng)uI0時(shí)，晶體管截止，穩(wěn)壓管擊穿，uOUZ5V。 當(dāng)uI5V時(shí)，晶體管飽和，uO0.1V。因?yàn)?1.19（a）可能 （b）可能 （c）不能 （d）不能，T會(huì)損壞。 （e）可能1.20 根據(jù)方程 逐點(diǎn)求出確定的uGS下的iD，可近似畫出轉(zhuǎn)移特性和輸出特性。在輸出特性中，將各條曲線上uGDUGS（off）的點(diǎn)連接起來(lái)，便為予夾斷線。 1.21 1.22 過(guò)uDS為某一確定值（如15V）作垂線，讀出它與各條輸出特性的交點(diǎn)的iD值；建立iDf（uGS）坐標(biāo)系，根據(jù)前面所得坐標(biāo)值描點(diǎn)連線，便可得轉(zhuǎn)移特性。 1.23 uI4V時(shí)T夾斷，uI8V時(shí)T工作在恒流區(qū)，uI12V時(shí)T工作在可變電阻區(qū)。1.24 （a）可能 （b）不能 （c）不能 （d）可能第二章 基本放大電路自測(cè)題 一、（1） （2） （3） （4） （5） （6） （7） 二、（a）不能。因?yàn)檩斎胄盘?hào)被VBB短路。 （b）可能 （c）不能。因?yàn)檩斎胄盘?hào)作用于基極與地之間，不能馱載在靜態(tài)電壓之上，必然失真。 （d）不能。晶體管將因發(fā)射結(jié)電壓過(guò)大而損壞。（e）不能。因?yàn)檩斎胄盘?hào)被C2短路。 （f）不能。因?yàn)檩敵鲂盘?hào)被VCC短路，恒為零。 （g）可能。 （h）不合理。因?yàn)镚-S間電壓將大于零。 （i）不能。因?yàn)門截止。 三、（1） （2） 四、（1）A （2）C （3）B （4）B 五、（1）C，D E （2）B （3）A C D （4）A B D E （5）C （6）B C E，A D 六、習(xí)題 2.1 e b c 大 大 中 大 c b c 小 大 大 小 b e c 大 小 小 大 2.2（a）將VCC改為VCC 。 （b）在VCC 與基極之間加Rb。 （c）將VBB反接，且加輸入耦合電容。 （d）在VBB支路加Rb，在VCC與集電極之間加Rc。 2.3 圖P2.3所示各電路的交流通路；將電容開(kāi)路即為直流通路，圖略。 2.4空載時(shí)：IBQ20A，ICQ2mA，UCEQ6V；最大不失真輸出電壓峰值約為5.3V。 帶載時(shí)：IBQ20A，ICQ2mA，UCEQ3V；最大不失真輸出電壓峰值約為2.3V。 2.5（1） （2） （3） （4） （5） （6） （7） （8） （9） （10） （11） （12）2.6 （1）6.4V （2）12V （3）0.5V （4）12V （5）12V2.7 2.8（a）飽和失真，增大Rb，減小Rc。 （b）截止失真，減小Rb 。 （c）同時(shí)出現(xiàn)飽和失真和截止失真，增大VCC。2.9 （a）截止失真 （b）飽和失真 （c）同時(shí)出現(xiàn)飽和失真和截止失真2.10 （1） （2） 2.11 空載時(shí)，2.12 2.13（1）靜態(tài)及動(dòng)態(tài)分析： (2) Ri增大，Ri4.1k；減小，1.92。 2.14 2.15 Q點(diǎn)： 動(dòng)態(tài)： 2.16 2.17 圖略。2.18 （1）求解Q點(diǎn)： （2）求解電壓放大倍數(shù)和輸入電阻： （3） 求解輸出電阻： 2.19 (1) (2) 2.20（a）源極加電阻RS。 （b）輸入端加耦合電容，漏極加電阻RD。 （c）輸入端加耦合電容 （d）在Rg支路加VGG，VDD改為VDD 2.21 （1）在轉(zhuǎn)移特性中作直線uGSiDRS，與轉(zhuǎn)移特性的交點(diǎn)即為Q點(diǎn)；讀出坐標(biāo)值，得出IDQ1mA，UGSQ2V。 在輸出特性中作直流負(fù)載線uDSVDDiD（RDRS），與UGSQ2V的那條輸出特性曲線的交點(diǎn)為Q點(diǎn)，UDSQ3V。 （2） 2.22 （1）求Q點(diǎn)：UGSQVGG3V 從轉(zhuǎn)移特性查得，當(dāng)UGSQ3V時(shí)，IDQ1mA，UDSQVDDIDQRD5V （2）求電壓放大倍數(shù)： 2.23 2.24 （a） （b） （c）NPN型管，上-集電極，中-基極，下-發(fā)射極。 （d） （e） （f）PNP型管，上-發(fā)射極，中-基極，下-集電極。 （g）NPN型管，上-集電極，中-基極，下-發(fā)射極。第三章 多級(jí)放大電路自測(cè)題 一、（1） （2） （3） （4） （5） 二、（1）A A （2）D A （3）B A （4）D B （5）C B 三、（1）B D （2）C （3）A （4）A C （5）B （6）C 四、（1）IC3（UZUBEQ3）/ Re30.3mA IE1IE20.15mA（2）減小RC2。當(dāng)uI0時(shí)uO0，ICQ4VEE / RC40.6mA。 習(xí)題3.1 （a）共射，共基 （b）共射，共射 （c）共射，共射 （d）共集，共基（e）共源，共集 （f）共基，共集 3.2 圖（a） 圖（b） 圖（c） 圖（d） 3.3 （1）（d）（e） （2）（c）（e） （3）（e） 3.4 圖（a） 圖（b） 3.5 圖（c） 圖（e） 3.6 3.7 3.8 3.9 （1） （2） uOuOUCQ11.23V 3.10 3.11 AdgmRD40 Ri3.12 Ri 3.13 3.14 （1） （2） 若Ui10mV，則Uo1V（有效值）。若R3開(kāi)路，則uo0V。若R3短路，則uo11.3V（直流）。第四章 集成運(yùn)算放大電路自測(cè)題 一、（1）C （2）B （3）C （4）A （5）A 二、（1） （2） （3） （4） （5） 三、 四、（1）三級(jí)放大電路，第一級(jí)為共集-共基雙端輸入單端輸出差分放大電路，第二級(jí)是共射放大電路，第三級(jí)是互補(bǔ)輸出級(jí)。 （2）第一級(jí)：采用共集-共基形式，增大輸入電阻，改善高頻特性；利用有源負(fù)載（T5、T6）增大差模放大倍數(shù)，使單端輸出電路的差模放大倍數(shù)近似等于雙端輸出電路的差模放大倍數(shù)，同時(shí)減小共模放大倍數(shù)。 第二級(jí)共射放大電路以T7、T8構(gòu)成的復(fù)合管為放大管、以恒流源作集電極負(fù)載，增大放大倍數(shù)。 第三級(jí)加偏置電路，利用D1、D2消除交越失真。 五、（1） （2） （3） （4） （5） （6） （7）習(xí)題 4.1 輸入級(jí)、中間級(jí)、輸出級(jí)和偏置電路。 輸入級(jí)為差分放大電路，中間級(jí)為共射放大電路，輸出級(jí)為互補(bǔ)電路，偏置電路為電流源電路。 對(duì)輸入級(jí)的要求：輸入電阻大，溫漂小，放大倍數(shù)即可能大。 對(duì)中間級(jí)的要求：放大倍數(shù)大。 對(duì)輸出級(jí)的要求：帶負(fù)載能力強(qiáng)，最大不失真輸出電壓即可能大。 4.2 uO 1V 10V 14V 14V -1V -10V -14V -14V 4.3 A1通用型，A2高精度型，A3高阻型，A4高速型。 4.4 4.5 4.6 4.7 在圖（a）（b）所示電路中 圖（a）中： 圖（b）中： 4.8（1）T1和T2、組成的復(fù)合管為放大管，T5和T6為有源負(fù)載，雙端輸入、單端輸出的差分放大電路。 （2）4.9 同題4.8。 4.10（1） （2）當(dāng)有共模輸入電壓時(shí)，uO=0。Rc1rD，uC1uC2，因此uBE30，故uO=0。4.11 （1）C （2）C （3）B （4）A 4.12 因?yàn)閁BE3UCE12UD ，UBE1UD ，UCE1UD，所以UCB0，反向電路為零，因此ICBO對(duì)輸入電流影響很小。 4.13（1）因?yàn)?，所以iC2iC1iI2 。 （2） iB3iI1iC2iI1iI2 （3） 4.14 圖（a）所示電路中，D1、D2使T2、T3微導(dǎo)通，可消除交越失真。R為電流采樣電阻，D2對(duì)T2起過(guò)流保護(hù)。當(dāng)T2導(dǎo)通時(shí)，uD3uBE2iOR uD1，未過(guò)流時(shí)iOR較小， uD3因小于開(kāi)啟電壓而截止；過(guò)流時(shí)uD3因大于開(kāi)啟電壓而導(dǎo)通，為T2基極分流。D4對(duì)T4起過(guò)流保護(hù)，原因與上述相同。 圖（b）所示電路中，T4、T5使T2、T3微導(dǎo)通，可消除交越失真。 R2為電流采樣電阻，T6對(duì)T2起過(guò)流保護(hù)。當(dāng)T2導(dǎo)通時(shí)，uBE6uBE2iOR uBE4，未過(guò)流時(shí)iOR較小，因uBE6小于開(kāi)啟電壓T6截止；過(guò)流時(shí)6因大于開(kāi)啟電壓T6導(dǎo)通，為T2基極分流。T7對(duì)T3起過(guò)流保護(hù)，原因與上述相同。4.15 （1）為T1提供靜態(tài)集電極電流、為T2提供基極電流，并為T1的有源負(fù)載。（2）T4截止。因?yàn)閡B4uC1uOuRuB2uB3，uE4uO，uB4uE4。（3）T3的射極電流，在交流等效電路中等效為阻值非常大的電阻。 （4）保護(hù)電路。uBE5iOR，未過(guò)流時(shí)T5電流很??；過(guò)流時(shí)使iE550A，T5更多地為T5的基極分流。4.16 T1共射電流的放大管，T2和T3互補(bǔ)輸出級(jí)，T4、T5、R2消除交越失失真。 4.17 （1）u11為反相輸入端，u12為同相輸入端。 （2）為T1和T2管的有源負(fù)載，將T1管集電極電路變化量轉(zhuǎn)換到輸出，使單端輸出的放大倍數(shù)近似等于雙端輸出時(shí)的放大倍數(shù)。 （3）為T6設(shè)置靜態(tài)電流，且為T6的集電極有源負(fù)載。 （4）消除交越失真。 4.18 （1）由T10、T11、T9、T8、T12、T13、R5構(gòu)成。 （2）三級(jí)放大電路： T1T4共集-共基差分放大電路，T14T16共集-共射-共集電路，T23、T24互補(bǔ)輸出級(jí)。 （3）消除交越失真。UBE23UBE24UBE20UBE19第五章 放大電路的頻率響應(yīng)自測(cè)題 一、（1）A （2）B A （3）B A （4）C C二、（1）靜態(tài)及動(dòng)態(tài)分析估算： （2）估算： （3） （4），頻率特性曲線略。 三、（1）60 103 （2）10 10 （3）習(xí)題 5.1（1） （2） 5.2 5.3 5.4 （1）直接耦合； （2）三級(jí)； （3）當(dāng)f104Hz時(shí)，135o；當(dāng)f105Hz時(shí)，270o 。 5.5 5.6 （1） （2）圖略。 5.7 圖略。5.8 （1）（a） （2）（c） （3）（c）5.9 5.10（1）C1（RsRi）C2（RcRL），C1 : C25 : 1。 （2） 5.11 減小，因?yàn)樵谕瑯臃档淖饔孟?，將減小，隨之減小，必然減小。 fL減小，因?yàn)樯倭艘粋€(gè)影響低頻特性的電容。 fH減小，因?yàn)闀?huì)因電壓放大倍數(shù)數(shù)值的減小而減小。 5.12 5.13 （1） （2） 圖略。5.14 5.15 圖略。 5.16 （3）折線畫法，低頻段有兩個(gè)拐點(diǎn)，f4Hz時(shí)幅頻特性的斜率為40dB/十倍頻，4Hzf50Hz時(shí)幅頻特性的斜率為20dB/十倍頻；高頻段有一個(gè)拐點(diǎn)，f105Hz時(shí)幅頻特性的斜率為40dB/十倍頻。圖略。 5.17 （1）Ce （2）所在回路的大于所在回路的，第二級(jí)的上限頻率低。 5.18 。在折線化幅頻特性中，頻率小于10Hz時(shí)斜率為40dB/十倍頻，頻率大于105Hz時(shí)斜率為40dB/十倍頻。在折線化相頻特性中，f10Hz時(shí)相移為90o，f105Hz時(shí)相移為90o。第六章 放大電路中的反饋?zhàn)詼y(cè)題 一、（1） （2） （3） （4） 二、（1）B （2）C （3）A （4）D 三、（a）電流串聯(lián)負(fù)反饋。 （b）電壓并聯(lián)負(fù)反饋。 （c）電壓串聯(lián)負(fù)反饋。 （d）正反饋。 四、（1）應(yīng)引入電壓串聯(lián)負(fù)反饋。 （2）五、因?yàn)閒105Hz時(shí)，為使此時(shí)，則需 習(xí)題 6.1 （1）B B （2）D （3）C （4）C （5）A B B A B6.2 （1）A （2）B （3）C （4）D （5）B （6）A6.3 （1） （2） （3） （4） 6.4 （a）直流負(fù)反饋 （b）交、直流正反饋 （c）直流負(fù)反饋 （d）、（e）、（f）、（g）、（h）均引入交、直流負(fù)反饋 6.5 （a）交、直流負(fù)反饋 （b）交、直流負(fù)反饋 （c）RS引入交、直流負(fù)反饋，C2引入交流正反饋。 （d）、（e）、（f）均引入交、直流負(fù)反饋。 （g）R3和R7引入直流負(fù)反饋，R4引入交、直流負(fù)反饋。 6.6 （d）電流并聯(lián)負(fù)反饋 （e）電壓串聯(lián)負(fù)反饋 （f）電壓串聯(lián)負(fù)反饋 （g）電壓串聯(lián)負(fù)反饋 （h）電壓串聯(lián)負(fù)反饋 6.7 （a）電壓并聯(lián)負(fù)反饋 （b）電壓并聯(lián)負(fù)反饋 （e）電流并聯(lián)負(fù)反饋 （f）電壓串聯(lián)負(fù)反饋 （g）電流串聯(lián)負(fù)反饋 6.8 6.9 6.10（d）輸入電阻減小，輸出電阻增大。（e）（h）輸入電阻增大，輸出電阻減小。 6.11（a）輸入電阻減小，輸出電阻增大。 （b）輸入電阻減小，輸出電阻減小。（c）輸入電阻增大，輸出電阻增大。 （e）輸入電阻減小，輸出電阻增大。 （f）輸入電阻增大，輸出電阻減小。 （g）輸入電阻增大，輸出電阻增大。 6.12 電壓串聯(lián)負(fù)反饋 無(wú)窮大 11 11 1 14 14 16.13 若uB1= uB2增大，則產(chǎn)生下列過(guò)程： uB1= uB2uC1= uC2(uB4= uB5)iE4=i