光伏太陽能電池培訓(xùn)手冊年新.doc

第一章 太陽電池的工作原理和基本特性1.1 半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)1.1.1 半導(dǎo)體的性質(zhì)世界上的物體如果以導(dǎo)電的性能來區(qū)分，有的容易導(dǎo)電，有的不容易導(dǎo)電。容易導(dǎo)電的稱為導(dǎo)體，如金、銀、銅、鋁、鉛、錫等各種金屬；不容易導(dǎo)電的物體稱為絕緣體，常見的有玻璃、橡膠、塑料、石英等等；導(dǎo)電性能介于這兩者之間的物體稱為半導(dǎo)體，主要有鍺、硅、砷化鎵、硫化鎘等等。眾所周知，原子是由原子核及其周圍的電子構(gòu)成的，一些電子脫離原子核的束縛，能夠自由運動時，稱為自由電子。金屬之所以容易導(dǎo)電，是因為在金屬體內(nèi)有大量能夠自由運動的電子，在電場的作用下，這些電子有規(guī)則地沿著電場的相反方向流動，形成了電流。自由電子的數(shù)量越多，或者它們在電場的作用下有規(guī)則流動的平均速度越高，電流就越大。電子流動運載的是電量，我們把這種運載電量的粒子，稱為載流子。在常溫下，絕緣體內(nèi)僅有極少量的自由電子，因此對外不呈現(xiàn)導(dǎo)電性。半導(dǎo)體內(nèi)有少量的自由電子，在一些特定條件下才能導(dǎo)電。半導(dǎo)體可以是元素，如硅（Si）和鍺（Ge），也可以是化合物，如硫化鎘（OCLS）和砷化鎵（GaAs），還可以是合金，如GaxAL1-xAs，其中x為0-1之間的任意數(shù)。許多有機(jī)化合物，如蒽也是半導(dǎo)體。半導(dǎo)體的電阻率較大（約10-5107Wm），而金屬的電阻率則很?。s10-810-6Wm），絕緣體的電阻率則很大（約108Wm）。半導(dǎo)體的電阻率對溫度的反應(yīng)靈敏，例如鍺的溫度從200C升高到300C，電阻率就要降低一半左右。金屬的電阻率隨溫度的變化則較小，例如銅的溫度每升高1000C，增加40%左右。電阻率受雜質(zhì)的影響顯著。金屬中含有少量雜質(zhì)時，看不出電阻率有多大的變化，但在半導(dǎo)體里摻入微量的雜質(zhì)時，卻可以引起電阻率很大的變化，例如在純硅中摻入百萬分之一的硼，硅的電阻率就從2.14103Wm減小到0.004Wm左右。金屬的電阻率不受光照影響，但是半導(dǎo)體的電阻率在適當(dāng)?shù)墓饩€照射下可以發(fā)生顯著的變化。1.1.2半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)1.1.2.1能帶結(jié)構(gòu)和導(dǎo)電性半導(dǎo)體的許多電特性可以用一種簡單的模型來解釋。硅是四價元素，每個原子的最外殼層上有4個電子，在硅晶體中每個原子有4個相鄰原子，并和每一個相鄰原子共有兩個價電子，形成穩(wěn)定的8電子殼層。自由空間的電子所能得到的能量值基本上是連續(xù)的，但在晶體中的情況就可能截然不同了，孤立原子中的電子占據(jù)非常固定的一組分立的能線，當(dāng)孤立原子相互靠近，規(guī)則整齊排列的晶體中，由于各原子的核外電子相互作用，本來在孤立原子狀態(tài)是分離的能級擴(kuò)展，根據(jù)情況相互重疊，變成如圖2.1所示的帶狀。電子許可占據(jù)的能帶叫允許帶，允許帶與允許帶間不許可電子存在的范圍叫禁帶。圖2.1 原子間距和電子能級的關(guān)系在低溫時，晶體內(nèi)的電子占有最低的可能能態(tài)。但是晶體的平衡狀態(tài)并不是電子全都處在最低允許能級的一種狀態(tài)?；疚锢矶ɡ砼堇≒auli）不相容原理規(guī)定，每個允許能級最多只能被兩個自旋方向相反的電子所占據(jù)。這意味著，在低溫下，晶體的某一能級以下的所有可能能態(tài)都將被兩個電子占據(jù)，該能級稱為費米能級（EF）。隨著溫度的升高，一些電子得到超過費米能級的能量，考慮到泡利不相容原理的限制，任一給定能量E的一個所允許的電子能態(tài)的占有幾率可以根據(jù)統(tǒng)計規(guī)律計算，其結(jié)果是由下式給出的費米狄拉克分布函數(shù)f(E)，即現(xiàn)在就可用電子能帶結(jié)構(gòu)來描述金屬、絕緣體和半導(dǎo)體之間的差別。電導(dǎo)現(xiàn)象是隨電子填充允許帶的方式不同而不同。被電子完全占據(jù)的允許帶（稱為滿帶）上方，隔著很寬的禁帶，存在完全空的允許帶（稱為導(dǎo)帶），這時滿帶的電子即使加電場也不能移動，所以這種物質(zhì)便成為絕緣體。允許帶不完全占滿的情況下，電子在很小的電場作用下就能移動到離允許帶少許上方的另一個能級，成為自由電子，而使電導(dǎo)率變得很大，這種物質(zhì)稱為導(dǎo)體。所謂半導(dǎo)體，即是天然具有和絕緣體一樣的能帶結(jié)構(gòu)，但禁帶寬度較小的物質(zhì)。在這種情況下，滿帶的電子獲得室溫的熱能，就有可能越過禁帶跳到導(dǎo)帶成為自由電子，它們將有助于物質(zhì)的導(dǎo)電性。參與這種電導(dǎo)現(xiàn)象的滿帶能級在大多數(shù)情況下位于滿帶的最高能級，因此可將能帶結(jié)構(gòu)簡化為圖2.2 。另外，因為這個滿帶的電子處于各原子的最外層，是參與原子間結(jié)合的價電子，所以又把這個滿帶稱為價帶。圖中省略了導(dǎo)帶的上部和價帶的下部。半導(dǎo)體結(jié)晶在相鄰原子間存在著共用價電子的共價鍵。如圖2.2所示，一旦從外部獲得能量，共價鍵被破壞后，電子將從價帶躍造到導(dǎo)帶，同時在價帶中留出電子的一個空位。這個空位可由價帶中鄰鍵上的電子來占據(jù)，而這個電子移動所留下的新的空位又可以由其它電子來填補(bǔ)。這樣，我們可以看成是空位在依次地移動，等效于帶正電荷的粒子朝著與電子運動方向相反的方向移動，稱它為空穴。在半導(dǎo)體中，空穴和導(dǎo)帶中的自由電子一樣成為導(dǎo)電的帶電粒子（即載流子）。電子和空穴在外電場作用下，朝相反方向運動，但是由于電荷符號也相反，因此，作為電流流動方向則相同，對電導(dǎo)率起迭加作用。圖2.2 半導(dǎo)體能帶結(jié)構(gòu)和載流子的移動1.1.2.2本征半導(dǎo)體、摻雜半導(dǎo)體圖2.2 所示的能帶結(jié)構(gòu)中，當(dāng)禁帶寬度Eg比較小的情況下，隨著溫度上升，從價帶躍遷到導(dǎo)帶的電子數(shù)增多，同時在價帶產(chǎn)生同樣數(shù)目的空穴。這個過程叫電子空穴對的產(chǎn)生，把在室溫條件下能進(jìn)行這樣成對的產(chǎn)生并具有一定電導(dǎo)率的半導(dǎo)體叫本征半導(dǎo)體，它只能在極純的材料情況下得到的。而通常情況下，由于半導(dǎo)體內(nèi)含有雜質(zhì)或存在品格缺陷，作為自由載流子的電子或空穴中任意一方增多，就成為摻雜半導(dǎo)體。存在多余電子的稱為n型半導(dǎo)體，存在多余空穴的稱為P型半導(dǎo)體。雜質(zhì)原子可通過兩種方式摻入晶體結(jié)構(gòu)：它們可以擠在基質(zhì)晶體原子間的位置上，這種情況稱它們?yōu)殚g隙雜質(zhì)；另一種方式是，它們可以替換基質(zhì)晶體的原子，保持晶體結(jié)構(gòu)中的有規(guī)律的原子排列，這種情況下，它們被稱為替位雜質(zhì)。周期表中族和V族原子在硅中充當(dāng)替位雜質(zhì)，圖2.3示出一個V族雜質(zhì)（如磷）替換了一個硅原子的部分晶格。四個價電子與周圍的硅原子組成共價鍵，但第五個卻處于不同的情況，它不在共價鍵內(nèi)，因此不在價帶內(nèi)，它被束縛于V族原子，所圖2.3 一個V族原子替代了一個硅原子的部分硅晶格以不能穿過晶格自由運動，因此它也不在導(dǎo)帶內(nèi)?？梢灶A(yù)期，與束縛在共價鍵內(nèi)的自由電子相比，釋放這個多余電子只須較小的能量，比硅的帶隙能量1.1eV小得多。自由電子位于導(dǎo)帶中，因此束縛于V族原子的多余電子位于低于導(dǎo)帶底的能量為E的地方，如圖（格P28圖2.13(a）所示那樣。這就在“禁止的”晶隙中安置了一個允許的能級， 族雜質(zhì)的分析與此類似。例如，把V族元素（Sb,As,P）作為雜質(zhì)摻入單元素半導(dǎo)體硅單晶中時，這圖2.4 （a） V族替位雜質(zhì)在禁帶中引入的允許能級 （b）族雜質(zhì)的對應(yīng)能態(tài)些雜質(zhì)替代硅原子的位置進(jìn)入晶格點。它的5個價電子除與相鄰的硅原子形成共價鍵外，還多余1個價電子，與共價鍵相比，這個剩余價電子極松弛地結(jié)合于雜質(zhì)原子。因此，只要雜質(zhì)原子得到很小的能量，就可以釋放出電子形成自由電子，而本身變成1價正離子，但因受晶格點陣的束縛，它不能運動。這種情況下，形成電子過剩的n型半導(dǎo)體。這類可以向半導(dǎo)體提供自由電子的雜質(zhì)稱為施主雜質(zhì)。其能帶結(jié)構(gòu)如圖2.5所示。在n型半導(dǎo)體中，除存在從這些施主能級產(chǎn)生的電子外，還存在從價帶激發(fā)到導(dǎo)帶的電子。由于這個過程是電子-空穴成對產(chǎn)生的，因此，也存在相同數(shù)目的空穴。我們把數(shù)量多的電子稱為多數(shù)載流子，將數(shù)量少的空穴稱為少數(shù)載流子。圖2.5 n型半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu) 圖2.6 p型半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)把族元素（B、Al、Ga、In）作為雜質(zhì)摻入時，由于形成完整的共價鍵上缺少一個電子。所以，就從相鄰的硅原子中奪取一個價電子來形成完整的共價鍵。被奪走的電子留下一個空位，成為空穴。結(jié)果，雜質(zhì)原子成為1價負(fù)離子的同時，提供了束縛不緊的空穴。這種結(jié)合用很小的能量就可以破壞，而形成自由空穴，使半導(dǎo)體成為空穴過剩的P型半導(dǎo)體，可以接受電子的雜質(zhì)原子稱為受主雜質(zhì)。其能帶結(jié)構(gòu)如圖2.6所示。這種情況下，多數(shù)載流子為空穴，少數(shù)載流子為電子。上述的例子都是由摻雜形成的n型或P型半導(dǎo)體，因此稱為摻雜半導(dǎo)體。但為數(shù)很多的化合物半導(dǎo)體，根據(jù)構(gòu)成元素某種過?；虿蛔?，有時導(dǎo)電類型發(fā)生變化。另外，也有由于構(gòu)成元素蒸氣壓差過大等原因，造成即使摻入雜質(zhì)有時也得不到n、p兩種導(dǎo)電類型的情況。1.1.2.3載流子濃度半導(dǎo)體處于熱平衡狀態(tài)時，多數(shù)載流子和少數(shù)載流子的濃度各自達(dá)到平衡值。因某種原因，少數(shù)載流子一旦超過平衡值，就將發(fā)生與多數(shù)載流子的復(fù)合，企圖恢復(fù)到原來的平衡的狀態(tài)。設(shè)電子濃度為n，空穴濃度為p，則空穴濃度隨時間的變化率由電子-空穴對的產(chǎn)生和復(fù)合之差給出下式： (2.1)電子空穴對的產(chǎn)生幾率g是由價帶中成為激發(fā)對象的電子數(shù)和導(dǎo)帶中可允許占據(jù)的能級數(shù)決定。然而，空穴少于導(dǎo)帶的允許能級時，不依賴于載流子數(shù)而成為定值。復(fù)合率正比于載流子濃度n與p的乘積，比例系數(shù)r表示復(fù)合幾率。平衡狀態(tài)時dp/dt=0,由此可導(dǎo)出 = 常數(shù) (2.2)它意味著多數(shù)載流子濃度和少數(shù)載流子濃度的乘積為確定值。這個關(guān)系式也適用于本征半導(dǎo)體，可得到 (2.3)根據(jù)量子理論和量子統(tǒng)計理論可以得到 (2.4)式中，k玻耳茲曼常數(shù)；h普朗克常數(shù)；m*n電子有效質(zhì)量；mp*空穴有效質(zhì)量；T絕對溫度；EV價帶頂能量；EC導(dǎo)帶底能量；NV價帶頂?shù)挠行B(tài)密度NC導(dǎo)帶底的有效態(tài)密度假如知道半導(dǎo)體的禁帶亮度Eg，就可以很容易地計算出本征載流子濃度。費米能級在描述半導(dǎo)體的能級圖上是重要的參量。所謂費米能級，即為電子占據(jù)幾率為1/2處的能級，可根據(jù)半導(dǎo)體電中性條件求出，即自由空穴濃度+電離施主濃度=自由電子濃度+電離受主濃度 (2.5)費米能級在本征半導(dǎo)體中幾乎位于禁帶中央，而在n型半導(dǎo)體中靠近導(dǎo)帶。在P型半導(dǎo)體中靠近價帶。同時費米能級將根據(jù)摻雜濃度的不同，發(fā)生如圖2.6所示的變化。例如，n型半導(dǎo)體中設(shè)施主濃度為Nd，可給出： (2.6)圖2.6 費米能級與雜質(zhì)濃度的關(guān)系P型半導(dǎo)體中設(shè)受主濃度為Na，則可給出： (2.7)如果知道了雜質(zhì)濃度就可以通過計算求得費米能級。1.1.2.4載流子的傳輸一、漂移在外加電場的影響下，一個隨機(jī)運動的自由電子在與電場相反的方向上有一個加速度a=/m，在此方向上，它的速度隨時間不斷地增加。晶體內(nèi)的電子處于一種不同的情況，它運動時的質(zhì)量不同于自由電子的質(zhì)量，它不會長久持續(xù)地加速，最終將與晶格原子、雜質(zhì)原子或晶體結(jié)構(gòu)內(nèi)的缺陷相碰撞。這種碰撞將造成電子運動的雜亂無章，換句話說，它將降低電子從外加電場得到附加速度，兩次碰撞之間的“平均”時間稱為弛豫時間tr，由電子無規(guī)則熱運動的速度來決定。此速度通常要比電場給與的速度大得多，在兩次碰撞之間由電場所引起的電子平均速度的增量稱為漂移速度。導(dǎo)帶內(nèi)電子的漂移速度由下式得出： (2.8)（如果tr是對所有的電子速度取平均，則去掉系數(shù)2）。電子載流子的遷移率定義為： (2.9)來自導(dǎo)帶電子的相應(yīng)的電流密度將是 (2.10)對于價帶內(nèi)的空穴，其類似公式為 (2.11)總電流就是這兩部分的和。因此半導(dǎo)體的電導(dǎo)率s為 (2.12)其中r是電阻率。對于結(jié)晶質(zhì)量很好的比較純的半導(dǎo)體來說，使載流子速度變得紊亂的碰撞是由晶體的原子引起的。然而，電離了的摻雜劑是有效的散射體，因為它們帶有凈電荷。因此，隨著半導(dǎo)體摻雜的加重，兩次碰撞間的平均時間以及遷移率都將降低。當(dāng)溫度升高時，基體原子的振動更劇烈，它們變?yōu)楦蟮摹鞍小?，從而降低了兩次碰撞間的平均時間及遷移率。重?fù)诫s時，這個影響就得不太顯著，因為此時電離了的摻雜劑是有效的載流子的散射體。電場強(qiáng)度的提高，最終將使載流子的漂移速度增加到可與無規(guī)則熱速度相比。因此，電子的總速度歸根結(jié)底將隨著電場強(qiáng)度的增加而增加。電場的增加使碰撞之間的時間及遷移率減小了。二、擴(kuò)散除了漂移運動以外，半導(dǎo)體中的載流子也可以由于擴(kuò)散而流動。象氣體分子那樣的任何粒子過分集中時，若不受到限制，它們就會自己散開。此現(xiàn)象的基本原因是這些粒子的無規(guī)則的熱速度。粒子流與濃度梯度的負(fù)值成正比。因為電流與荷電粒子流成正比，所以對應(yīng)于電子的一維濃度梯度的電流密度是 (2.13)其中De是擴(kuò)散常數(shù)。同樣對于空穴，有 (2.14)從根本上講，漂移和擴(kuò)散兩個過程是有關(guān)系的，因而，遷移率和擴(kuò)散常數(shù)不是獨立的，它們通過愛因斯坦關(guān)系相互聯(lián)系，即 和 (2.15)kT/q是在與太陽電池有關(guān)的關(guān)系式中經(jīng)常出現(xiàn)的參數(shù)，它具有電壓的量綱，室溫時為26mv。1.1.2.5半導(dǎo)體的吸收系數(shù)半導(dǎo)體晶體的吸光程度由光的頻率n和材料的禁帶寬度所決定。當(dāng)頻率低、光子能量hn比半導(dǎo)體的禁帶寬度 Eg小時，大部分光都能穿透；隨著頻率變高，吸收光的能力急劇增強(qiáng)。吸收某個波長l 的光的能力用吸收系數(shù)a（hn）來定義。半導(dǎo)體的光吸收由各種因素決定，這里僅考慮到在太陽電池上用到的電子能帶間的躍遷。一般禁帶寬度越寬，對某個波長的吸收系數(shù)就越小。除此以外，光的吸收還依賴于導(dǎo)帶、價帶的態(tài)密度。光為價帶電子提供能量，使它躍遷到導(dǎo)帶，在躍遷過程中，能量和動量守恒，對沒有聲子參與的情況，即不伴隨有動量變化的躍遷稱為直接躍遷，其吸收過程的形式示于圖2.7，而伴隨聲子的躍遷稱為間接躍遷，其吸收躍遷過程示于圖2.8。圖2.7 直接帶隙半導(dǎo)體的能量晶體動量圖 圖2.8 間接帶隙半導(dǎo)體的能量晶體動量圖硅屬于間接躍遷類型，其吸收系數(shù)上升非常平緩，所以在太陽光照射下，光可到達(dá)距表面20mm以上相當(dāng)深的地方，在此還能產(chǎn)生電子一空穴對。與此相反，對直接躍遷型材料GaAs，在其禁帶寬度附近吸收系數(shù)急劇增加，對能量大于禁帶寬度的光子的吸收緩慢增加，此時，光吸收和電子一空穴對的產(chǎn)生，大部分是在距表面2mm左右的極薄區(qū)域中發(fā)生。簡言之，制造太陽電池時，用直接躍遷型材料，即使厚度很薄，也能充分的吸收太陽光，而用間接躍遷型材料，沒有一定的厚度，就不能保證光的充分吸收。但是作為太陽電池必要的厚度，并不是僅僅由吸收系數(shù)來決定的，與少數(shù)載流子的壽命也有關(guān)系，當(dāng)半導(dǎo)體摻雜時，吸收系數(shù)將向高能量一側(cè)發(fā)生偏移。由于一部分光在半導(dǎo)體表面被反射掉，因此，進(jìn)入內(nèi)部的光實際上等于扣除反射后所剩部分。為了充分利用太陽光，應(yīng)在半導(dǎo)體表面制備絨面和減反射層，以減少光在其表面的反射損失。1.1.2.6載流子的復(fù)合一 馳豫到平衡適當(dāng)波長的光照射在半導(dǎo)體上會產(chǎn)生電子空穴對。因此，光照射時材料的載流子濃度將超過無光照時的值。如果切斷光源，則載流子濃度就衰減到它們平衡時的值。這個衰減過程通稱為復(fù)合過程。下面將介紹幾種不同的復(fù)合機(jī)構(gòu)。二 輻射復(fù)合輻射復(fù)合就是光吸收過程的逆過程。占據(jù)比熱平衡時更高能態(tài)的電子有可能躍遷到空的低能態(tài)，其全部（或大部分）初末態(tài)間的能量差以光的方式發(fā)射。所有已考慮到的吸收機(jī)構(gòu)都有相反的輻射復(fù)合過程。由于間接帶隙半導(dǎo)體需要包括聲子的兩級過程，所以輻射復(fù)合在直接帶隙半導(dǎo)體中比間接帶隙半導(dǎo)體中進(jìn)行得快?？偟妮椛鋸?fù)合速率RR與導(dǎo)帶中占有態(tài)（電子）的濃度和價帶中未占有態(tài)（空穴）的濃度的乘積成正比，即 (2.16)式中，B對給定的半導(dǎo)體來說是一個常數(shù)。由于光吸收和這種復(fù)合過程之間的關(guān)系，由半導(dǎo)體的吸收系數(shù)能夠計算出B。熱平衡時，即np=ni2時，復(fù)合率由數(shù)目相等但過程相反的產(chǎn)生率所平衡。在不存在由外部激勵源產(chǎn)生載流子對的情況下，與上式相對應(yīng)的凈復(fù)合率UR由總的復(fù)合率減去熱平衡時的產(chǎn)生率得到，即 (2.17)對任何復(fù)合機(jī)構(gòu)，都可定義有關(guān)載流子壽命（對電子）和（對空穴）它們分別為 (2.18)式中，U為凈復(fù)合率, Dn和Dp是相應(yīng)載流子從它們熱平衡時的值n0和p0的擾動。對Dn=Dp的輻射復(fù)合機(jī)構(gòu)而言，由式（2.17）確定的特征壽命是 (2.19)硅的B值約為210-15cm3/s。正如前面所說的直接帶隙材料的復(fù)合壽命比間接帶隙材料的小得多。利用GaAs及其合金為材料的商用半導(dǎo)體激光器和光發(fā)射二極管就是以輻射復(fù)合過程作為基礎(chǔ)的。但對硅來說，其它的復(fù)合機(jī)構(gòu)遠(yuǎn)比這重要得多。三、俄歇復(fù)合在俄歇（Auger）效應(yīng)中，電子與空穴復(fù)合時，將多余的能量傳給第二個電子而不是發(fā)射光。圖2.9示出了這個過程。然后，第二個電子通過發(fā)射聲子弛豫回到它初始所在的能級。俄歇復(fù)合就是更熟悉的碰撞電離效應(yīng)的逆過程。對具有充足的電子和空穴的材料來說，與俄歇過程有關(guān)的特征壽命t分別是 或 (2.20)在每種情況下，右邊的第一項描述少數(shù)載流子能帶的電子激發(fā)，第二項描述多數(shù)載流子能帶的電子激發(fā)。由于第二項的影響，高摻雜材料中俄歇復(fù)合尤其顯著。對于高質(zhì)量硅，摻雜濃度大于1017cm3時，俄歇復(fù)合處于支配地位。圖2.9 俄歇復(fù)合過程（a） 多余的能量傳給導(dǎo)帶中的電子（b） 多余的能量傳給價帶中的電子四、通過陷阱的復(fù)合前面已指出，半導(dǎo)體中的雜質(zhì)和缺陷會在禁帶中產(chǎn)生允許能級。這些缺陷能級引起一種很有效的兩級復(fù)合過程。如圖2.10（a）所示，在此過程中，電子從導(dǎo)帶能級弛豫到缺陷能級，然后再弛豫到價帶，結(jié)果與一個空穴復(fù)合。圖2.10 （a） 通過半導(dǎo)體禁帶中的陷阱能級的兩級復(fù)合過程（b） 在半導(dǎo)體表面位于禁帶中的表面態(tài)對此過程進(jìn)行動力學(xué)分析可得，通過陷阱的凈復(fù)合產(chǎn)生率UT可寫為 (2.21)式中，th0和te0 是壽命參數(shù)，它們的大小取決于陷阱的類型和陷阱缺陷的體密度，n1和p1是分析過程中產(chǎn)生的參數(shù)，此分析過程還引入一個復(fù)合速率與陷阱能Et的關(guān)系式： (2.22) (2.23)式(2.22)在形式上與用費米能級表示電子濃度的公式很相似。如果te0和th0數(shù)量級相同，可知當(dāng)n1p1時，U有其峰值。當(dāng)缺陷能級位于禁帶間中央附近時，就出現(xiàn)這種情況。因此，在帶隙中央引入能級的雜質(zhì)是有效的復(fù)合中心。五、表面復(fù)合表面可以說是晶體結(jié)構(gòu)中有相當(dāng)嚴(yán)重缺陷的地方。如圖2.10（b）所示，在表面處存在許多能量位于禁帶中的允許能態(tài)。因此由上面所敘述的機(jī)構(gòu)，在表面處，復(fù)合很容易發(fā)生。單能級表面態(tài)每單位面積的凈復(fù)合率UA具有與2.21類似的形式，即 (2.24)式中Se0和Sh0是表面復(fù)合速度。位于帶隙中央附近的表面態(tài)能級也是最有效的復(fù)合中心。1.1.2.7半導(dǎo)體器件物理學(xué)基本方程前面幾節(jié)中已經(jīng)概述了半導(dǎo)體的有關(guān)特性，這些內(nèi)容現(xiàn)在將被歸納為一組能描述半導(dǎo)體器件工作的基本方程。這些方程的解使我們能夠確定包括太陽電池在內(nèi)的大部分半導(dǎo)體器件的理想特性。忽略其余兩維空間的變化，方程組將寫成一維的形式。1、 泊松方程它描述了電場散度與空間電荷密度r之間的關(guān)系，在一維情況下，其形式為： (2.25)式中e是介電常數(shù)。r為電荷密度。在半導(dǎo)體中，r值為 (2.26)式中，p和n是空穴和電子的濃度，ND+和NA-分別是已電離的施主和受主的濃度。在正常情況下，大部分施主和受主都被電離，因此 (2.27)式中ND和NA為施主和受主雜質(zhì)的總濃度。2、電流密度方程電子和空穴通過漂移和擴(kuò)散過程可對電流作出貢獻(xiàn)。因此，電子和空穴的總電流密度Je和Jh的表達(dá)式為 (2.28)遷移率和擴(kuò)散系數(shù)的關(guān)系由愛因斯坦關(guān)系式De=(kT/q)me和Dh=(kT/q)mh確定。3、連續(xù)方程圖2.11 推導(dǎo)電子連續(xù)方程用的單元體積參看圖2.11中長為dx、橫截面積為A的單元體積，可以說這個體積中電子的凈增加幾率等于它們進(jìn)入的速率減去它們出去的速率，加上該體積中它們的產(chǎn)生率，減去它們的復(fù)合率，寫成方程為：進(jìn)入速率出去速率 (2.29)產(chǎn)生率復(fù)合率 (2.30)式中G是由于外部作用（如光照）所一引起的凈產(chǎn)生率，U是凈復(fù)合率。在穩(wěn)態(tài)情況下，凈增加率必須為0，這樣就有 (2.31)同樣，對于空穴有 (2.32)4、方程組由上述方程，我們可得到應(yīng)用于半導(dǎo)體器件的基本方程組： (2.33)利用計算機(jī)，通過引入一些考慮周詳?shù)慕铺幚?，可能極簡單地就可求得這些方程的解。1.1.3半導(dǎo)體pn結(jié)1.1.3.1能帶圖在一塊半導(dǎo)體晶體內(nèi)，P型和n型緊接在一起時，將它們交界處稱為pn結(jié)。當(dāng)p型，n型單獨存在時，費米能級如圖2.12（a）所示，分別位于介帶和導(dǎo)帶附近.一旦形成pn結(jié)，由于結(jié)兩邊的電子和空穴的濃度不同，電子就強(qiáng)烈地要從n區(qū)向p區(qū)擴(kuò)散，空穴則要向相反方向擴(kuò)散，其結(jié)果在n型一邊出現(xiàn)正電荷，在p型一邊出現(xiàn)負(fù)電荷，這兩種電荷層在半導(dǎo)體內(nèi)部建立了一個內(nèi)建電場，這個電場反過來又在結(jié)處產(chǎn)生一個內(nèi)部電位降，阻擋了電子和空穴的進(jìn)一步擴(kuò)散，包含這兩種電荷層的空間稱為耗盡區(qū)或空間電荷區(qū)。通過這個空間電荷區(qū)的作用，使費米能級成同一水平，達(dá)到平衡狀態(tài)。圖2.12（b）表示pn結(jié)的能帶圖及從p區(qū)向n區(qū)變化的空間電荷區(qū)。內(nèi)建電場從n區(qū)指向p 區(qū)，形成勢壘。在平衡狀態(tài)下，由于擴(kuò)散，從p區(qū)越過勢壘向n區(qū)移動的空穴數(shù)目等同于空間電荷區(qū)附近n區(qū)中由于熱運動產(chǎn)生的少數(shù)載流子空穴在空間電荷區(qū)內(nèi)建電場的作用下漂移到p區(qū)的數(shù)目，因此沒有電流流過。對于電子也可做同樣的論述。1.1.3.2電流電壓特性在pn結(jié)上加偏置電壓時，由于空間電荷區(qū)內(nèi)沒有載流子（又稱為耗盡區(qū)）形成高阻區(qū)，因此，電壓幾乎全部跨落在空間電荷區(qū)上。當(dāng)外加電壓使得p區(qū)為正時，勢壘高度減小，空穴從p區(qū)向n區(qū)的移動以及電子從n區(qū)向p區(qū)的移動變得容易，在兩個區(qū)內(nèi)有少數(shù)載流子注入，因此電流容易流動（稱為正向）。當(dāng)外加電壓使得n區(qū)為正時，勢壘高度增加，載流子的移動就變得困難，幾乎沒有電流流過（此時稱為反向）。當(dāng)存在外加電壓時，空間電荷區(qū)的n區(qū)邊界和p區(qū)邊界的空穴濃度pn及電子濃度np如下： (2.34)當(dāng)加正向電壓時V0，加反向電壓時VEg，Eg為硅的禁帶寬度）能量的光子照射在太陽電池上時，產(chǎn)生電子空穴對。由于光子的能量比硅的禁帶寬度大，因此電子被激發(fā)到比導(dǎo)帶底還高的能級處。對于p型硅來說，少數(shù)載流子濃度np極小（一般小于105/cm），導(dǎo)帶的能級幾乎都是空的，因此電子又馬上落在導(dǎo)帶底。這時電子及空穴將總的h - Eg（ev）的多余能量以聲子（晶格振動）的形式傳給晶格。落到導(dǎo)帶底的電子有的向表面或結(jié)擴(kuò)散，有的在半導(dǎo)體內(nèi)部或表面復(fù)合而消失了。但有一部分到達(dá)結(jié)的載流子，受結(jié)處的內(nèi)建電場加速而流入n型硅中。在n型硅中，由于電子是多數(shù)載流子，流入的電子按介電馳豫時間的順序傳播，同時為滿足n型硅內(nèi)的載流子電中性條件，與流入的電子相同數(shù)目的電子從連接n型硅的電極流出。這時，電子失去相當(dāng)于空間電荷區(qū)的電位高度及導(dǎo)帶底和費米能級之間電位差的能量。設(shè)負(fù)載電阻上每秒每立方厘米流入N個電子，則加在負(fù)載電阻上的電壓V=QNr=IR表示。由于電路中無電源，電壓V=IR實際加在太陽電池的結(jié)上，即結(jié)處于正向偏置。一旦結(jié)處于正向偏置時，二極管電流Id=I0exp(qV/nkT)-1朝著與光激發(fā)產(chǎn)生的載流子形成的光電流Iph相反的方向流動，因而流入負(fù)載電阻的電流值為 (2.39)在負(fù)載電阻上，一個電子失去一個qV的能量，即等于光子能量h轉(zhuǎn)換成電能qV。流過負(fù)載電阻的電子到達(dá)p型硅表面電極處，在P型硅中成為過剩載流子，于是和被掃出來的空穴復(fù)合，形成光電流1.3太陽電池的基本特性1.3.1短路電流太陽電池的短路電流等于其光生電流。分析短路電流的最方便的方法是將太陽光譜劃分成許多段，每一段只有很窄的波長范圍，并找出每一段光譜所對應(yīng)的電流，電池的總短路電流是全部光譜段貢獻(xiàn)的總和： (2.40)式中 0 本征吸收波長限 R()表面反射率 F()太陽光譜中波長為ll+dl間隔內(nèi)的光子數(shù)。F（l）的值很大的程度上依賴于太陽天頂角。作為表示F（l）分布的參數(shù)是AM（AirMass）。AM表示入射到地球大氣的太陽直射光所通過的路程長度，定義為 (2.41)式中：b0標(biāo)準(zhǔn)大氣壓b測定時的大氣壓Z太陽天頂距離一般情況下，b b0，例如，AM1相當(dāng)于太陽在天頂位置時的情況，AM2相當(dāng)于太陽高度角為30時的情況，AM0則表示在宇宙空間中的分布在實際的半導(dǎo)體表面的反射率與入射光的波長有關(guān)，一般為3050。為防止表面的反射，在半導(dǎo)體表面制備折射率介于半導(dǎo)體和空氣折射率之間的透明薄膜層。這個薄膜層稱為減反射膜（Antireflective coating）。設(shè)半導(dǎo)體、減反射膜、空氣的折射率分別為n2、n1、n0，減反射膜厚度為d1，則反射率R為 (2.42)式中：r1=(n0 - n1)/(n0 + n1)r2=(n1 - n2)/(n1 + n2)=2n1d1/波長顯然，減反射膜的厚度d1為1/4波長時，R為最小。即 時 (） (2.43)一般在太陽光譜的峰值波長處，使得R變?yōu)樽钚?，以此來決定d1的值。以硅電池為例，因為在可見光至紅外光范圍內(nèi)，硅的折射率為n2 = 3.44.0，使式（2.43）為零，則n1的值（， n01）為1.8 n12.0。設(shè)l=4800埃，則600埃d1667埃，滿足這些條件的材料一般可采用一氧化硅，在中心波長處，反射率達(dá)到1%左右。由于制備了減反射膜，短路電流可以增加3040%。此外，采用的減反射膜SiO2（n11.5）、Al2O3(n11.9)、Sb2O3（n11.9）、TiO2、Ta2O5（n12.25）。將具有不同折射率的氧化膜重疊二層，在滿足一定的條件下，就可以在更寬的的波長范圍內(nèi)減少折射率。此外也可以將表面加工成棱錐體狀的方法，來防止表面反射。1.3.2開路電壓當(dāng)太陽電池處于開路狀態(tài)時，對應(yīng)光電流的大小產(chǎn)生電動勢，這就是開路電壓。在式（2.39）中，設(shè)I=0（開路），IphISC，則 (2.44)在可以忽略串聯(lián)、并聯(lián)電阻的影響時，ISC為與入射光強(qiáng)度成正比的值，在很弱的陽光下，ISCI0， (2.46)由此可見，在較弱陽光時，硅太陽電池的開路電壓隨光的強(qiáng)度作近似直線的變化。而當(dāng)有較強(qiáng)的陽光時，VOC則與入射光的強(qiáng)度的對數(shù)成正比。圖2.15表示具有代表性的硅和GaAs太陽電池的ISC與Voc之間的關(guān)系。Si與GaAs比較，因GaAs的禁帶寬度寬，故I0值比Si的小幾個數(shù)量級，GaAs的VOC值比Si的高0.45伏左右。假如結(jié)形成的很好，禁帶寬度愈寬的半導(dǎo)體，VOC也愈大。圖2.15 開路電壓與短路電流的關(guān)系1.3.3太陽電池的輸出特性1.3.3.1等效電路為了描述電池的工作狀態(tài)，往往將電池及負(fù)載系統(tǒng)用一等效電路來模擬。在恒定光照下，一個處于工作狀態(tài)的太陽電池，其光電流不隨工作狀態(tài)而變化，在等效電路中可把它看作是恒流源。光電流一部分流經(jīng)負(fù)載RL，在負(fù)載兩端建立起端電壓V，反過來它又正向偏置于pn結(jié)二極管，引起一股與光電流方向相反的暗電流Ibk，這樣，一個理想的PN同質(zhì)結(jié)太陽電池的等效電路就被繪制成如圖2.16(a)所示。但是，由于前面和背面的電極和接觸，以及材料本身具有一定的電阻率，基區(qū)和頂層都不可避免的要引入附加電阻。流經(jīng)負(fù)載的電流，經(jīng)過它們時，必然引起損耗。在等效電路中，可將它們的總效果用一個串聯(lián)電阻RS來表示。由于電池邊沿的漏電和制作金屬化電極時，在電池的微裂紋、劃痕等處形成的金屬橋漏電等，使一部分本應(yīng)通過負(fù)載的電流短路，這種作用的大小可用一并聯(lián)電阻RSh來等效。其等效電路就繪制成上圖2.16（b）的形式。其中暗電流等于總面積AT與Jbk乘積，而光電流IL為電池的有效受光面積AE與JL的乘積，這時的結(jié)電壓不等于負(fù)載的端電壓，由圖可見 (2.47)圖2.16 pn同質(zhì)結(jié)太陽電池等效電路（a）不考慮串并聯(lián)電阻 （b）考慮串并聯(lián)電阻1.3.3.2輸出特性根據(jù)上圖就可以寫出輸出電流I和輸出電壓V之間的關(guān)系 (2.48)其中暗電流Ibk應(yīng)為結(jié)電壓Vj的函數(shù)，而Vj又是通過式（2.47）與 輸出電壓V相聯(lián)系的。當(dāng)負(fù)載RL從0變化到無窮大時，輸出電壓V則從0變到VOC，同時輸出電流便從ISC變到0，由此得到電池的輸出特性曲線，如圖2.17所示。曲線上任何一點都可以作為工作點, 工作點所對應(yīng)的縱橫坐標(biāo)，即為工作電流和工作電壓,其乘積P=IV為電池的輸出功率圖2.17 太陽電池的輸出特性1.3.4轉(zhuǎn)換效率轉(zhuǎn)換效率表示在外電路連接最佳負(fù)載電阻R時，得到的最大能量轉(zhuǎn)換效率，其定義為即電池的最大功率輸出與入射功率之比，這里我們定義一個填充因子FF為 (2.49)填充因子正好是I-V曲線下最大長方形面積與乘積VocIsc之比，所以轉(zhuǎn)換效率可表示為 (2.50)1.3.5太陽電池的光譜響應(yīng)太陽電池的光譜響應(yīng)是指光電流與入射光波長的關(guān)系，設(shè)單位時間波長為的光入身到單位面積的光子數(shù)為F0（l），表面反射系數(shù)為（l），產(chǎn)生的光電流為JL，則光譜響應(yīng)SR（l）定義為 (2.51)其中JLJL|頂層JL|勢壘JL|基區(qū)。理想吸收材料的光譜響應(yīng)應(yīng)該是：當(dāng)光子能量hEg時，SR1。1.3.6太陽電池的溫度效應(yīng)載流子的擴(kuò)散系數(shù)隨溫度的增高而增大，所以少數(shù)載流子的擴(kuò)散長度也隨溫度的升高稍有增大，因此，光生電流JL也隨溫度的升高有所增加。但是J0隨溫度的升高是指數(shù)增大，因而VOC隨溫度的升高急劇下降。當(dāng)溫度升高時，IV曲線形狀改變，填充因子下降，所以轉(zhuǎn)換效率隨溫度的增加而降低。1.3.7太陽電池的輻照效應(yīng)作為人造衛(wèi)星和宇宙飛船的電源，太陽電池已獲得了廣泛的應(yīng)用。但是在外層空間存在著高能粒子，如電子、質(zhì)子、g粒子等。高能粒子輻照時通過與晶格原子的碰撞，將能量傳給晶格，當(dāng)傳遞的能量大于某一閾值時，便使晶格原子發(fā)生位移，產(chǎn)生晶格缺陷，如填隙原子、空位、缺陷簇、空位一雜質(zhì)復(fù)合體等。這些缺陷將起復(fù)合中心的作用，從而降低少子壽命。大量研究工作表明，壽命參數(shù)對輻照缺陷最為靈敏，也正因為輻照影響了壽命值，從而使太陽電池性能下降。1.4影響太陽電池轉(zhuǎn)換效率的因素一、 禁帶亮度VOC隨Eg的增大而增大，但另一方面，JSC隨Eg的增大而減小。結(jié)果是可期望在某一個確定的Eg隨處出現(xiàn)太陽電池效率的峰值。二、溫度隨溫度的增加，效率下降。ISC對溫度T很敏感，溫度還對VOC起主要作用。對于Si，溫度每增加1C，VOC下降室溫值的0.4%，h也因而降低約同樣的百分?jǐn)?shù)。例如，一個硅電池在20C時的效率為20%，當(dāng)溫度升到120C時，效率僅為12。又如GaAs電池，溫度每升高1C，VOC降低1.7mv 或降低0.2%。三、復(fù)合壽命希望載流子的復(fù)合壽命越長越好，這主要是因為這樣做ISC大。在間接帶隙半導(dǎo)體材料如Si中，離結(jié)100mm處也產(chǎn)生相當(dāng)多的載流子，所以希望它們的壽命能大于1ms。在直接帶隙材料，如GaAs或Gu2S中，只要10ns的復(fù)合壽命就已足夠長了。長壽命也會減小暗電流并增大VOC。達(dá)到長壽命的關(guān)鍵是在材料制備和電池的生產(chǎn)過程中，要避免形成復(fù)合中心。在加工過程中，適當(dāng)而且經(jīng)常進(jìn)行工藝處理，可以使復(fù)合中心移走，因而延長壽命。四、光強(qiáng)將太陽光聚焦于太陽電池，可使一個小小的太陽電池產(chǎn)生出大量的電能。設(shè)想光強(qiáng)被濃縮了X倍，單位電池面積的輸入功率和JSC都將增加X倍，同時VOC也隨著增加(kT/q)lnX倍。因而輸出功率的增加將大大超過X倍，而且聚光的結(jié)果也使轉(zhuǎn)換效率提高了。五、摻雜濃度及剖面分布對VOC有明顯的影響的另一因素是摻雜濃度。雖然Nd和Na出現(xiàn)在Voc定義的對數(shù)項中，它們的數(shù)量級也是很容易改變的。摻雜濃度愈高，Voc愈高。一種稱為重?fù)诫s效應(yīng)的現(xiàn)象近年來已引起較多的關(guān)注，在高摻雜濃度下，由于能帶結(jié)構(gòu)變形及電子統(tǒng)計規(guī)律的變化，所有方程中的Nd和Na都應(yīng)以（Nd）eff和（Na）eff代替。如圖2.18。既然（Nd）eff和（Na）eff顯現(xiàn)出峰值，那么用很高的Nd和Na不會再有好處，特別是在高摻雜濃度下壽命還會減小。上圖（b）說明了這一點。圖2.18 高摻雜效應(yīng)。隨摻雜濃度增加有效摻雜濃度飽和，甚至?xí)陆的壳?，在Si太陽電池中，摻雜濃度大約為1016cm-3，在直接帶隙材料制做的太陽電池中約為1017 cm-3，為了減小串聯(lián)電阻，前擴(kuò)散區(qū)的摻雜濃度經(jīng)常高于1019 cm-3，因此重?fù)诫s效應(yīng)在擴(kuò)散區(qū)是較為重要的。當(dāng)Nd和Na或（Nd）eff和（Na）eff不均勻且朝著結(jié)的方向降低時，就會建立起一個電場，其方向能有助于光生載流子的收集，因而也改善了ISC。這種不均勻摻雜的剖面分布，在電池基區(qū)中通常是做不到的；而在擴(kuò)散區(qū)中是很自然的。六、表面復(fù)合速率低的表面復(fù)合速率有助于提高ISC，并由于I0的減小而使VOC改善。前表面的復(fù)合速率測量起來很困難，經(jīng)常被假設(shè)為無窮大。一種稱為背表面場（BSF）電池設(shè)計為，在沉積金屬接觸之前，電池的背面先擴(kuò)散一層P附加層。圖2.19表示了這種結(jié)構(gòu)，在P/P界面圖2.19 背表面場電池。在P/P+結(jié)處的電場妨礙電子朝背表面流動存在一個電子勢壘，它容易做到歐姆接觸，在這里電子也被復(fù)合，在P/P界面處的復(fù)合速率可表示為 (2.52)其中N+a，Dn和Ln+分別是P區(qū)中的摻雜濃度、擴(kuò)散系數(shù)和擴(kuò)散長度。如果Wp+=0，則Sn=，正如前面提到的。如果Wp+與Ln+能比擬，且N+aNa，則Sn可以估計零，Sn對JSC、VOC和的影響見圖2.20。當(dāng)Sn很小時，JSC和都呈現(xiàn)出一個峰。圖2.20 背表面復(fù)合速率對電場參數(shù)的影響。注意，Sn較小時，在某個電池厚度出現(xiàn)峰七、串聯(lián)電阻在任何一個實際的太陽電池中，都存在著串聯(lián)電阻，其來源可以是引線、金屬接觸柵或電池體電阻。不過通常情況下，串聯(lián)電阻主要來自薄擴(kuò)散層。PN結(jié)收集的電流必須經(jīng)過表面薄層再流入最靠近的金屬導(dǎo)線，這就是一條存在電阻的路線，顯然通過金屬線的密布可以使串聯(lián)電阻減小。一定的串聯(lián)電阻RS的影響是改變IV曲線的位置。八、金屬柵和光反射在前表面上的金屬柵線不能透過陽光。為了使ISC最大，金屬柵占有的面積應(yīng)最小。為了使RS小，一般是使金屬柵做成又密又細(xì)的形狀。因為有太陽光反射的存在，不是全部光線都能進(jìn)入Si中。裸Si表面的反射率約為40%。使用減反射膜可降低反射率。對于垂直地投射到電池上的單波長的光，用一種厚為1/4波長、折射率等于 （n為Si的折射率）的涂層能使反射率降為零。對太陽光，采用多層涂層能得到更好的效果。1.5小結(jié)許多結(jié)構(gòu)，如PN結(jié)和金屬半導(dǎo)體結(jié)，具有明顯的單向?qū)щ姷腎-V特性。在照明條件下，它們的I-V曲線沿電流軸平移，接上負(fù)載后，該器件在正電壓和正電流象限工作，給負(fù)載提供功率。一個太陽電池的轉(zhuǎn)換效率是其輸出功率與輸入功率之比。為獲取高效率，希望有大的短路電流，高的開路電壓和大的填充因子，如果太陽電池用禁帶寬度（Eg）小的材料做成，則短路電流較大。好的制造工藝及好的電池設(shè)計因載流子復(fù)合最小，也能使短路電流提高。太陽電池若用Eg大的材料做成，則具有較高的開路電壓。填充因子是IV曲線拐點處陡度的量度，串聯(lián)電阻可使它變小。通常開路電壓較高時，F(xiàn)F也較大。轉(zhuǎn)換效率隨光強(qiáng)增大而增大，隨溫度降低也增大。用Eg值介于1.21.6eV的材料做成太陽電池，可望達(dá)到最高效率。薄膜電池用直接帶隙半導(dǎo)體更為可取，因為它能在表面附近吸收光子。第二章 硅太陽電池常規(guī)工藝自年研制出具有一定光電轉(zhuǎn)換效率的硅太陽電池后，便被主要應(yīng)用于空間飛行器的能源系統(tǒng)。最早在尖兵一號衛(wèi)星上裝備了太陽電池，從此，太陽電池在空間的應(yīng)用不斷擴(kuò)大。相應(yīng)地，研制了生產(chǎn)滿足空間電池的標(biāo)準(zhǔn)電池工藝流程。該工藝在六十年代和七十年代初期一直被沿用。到七十年代中期，由于石油危機(jī)，人們將注意力投到新能源上。一些企業(yè)開始生產(chǎn)專門用于地面的電池，生產(chǎn)電池的工藝有了某些重大的改變。其基本工藝可以歸納為下列步驟：、砂子還原成治金級硅、治金級硅提純?yōu)榘雽?dǎo)體級硅、半導(dǎo)體級硅轉(zhuǎn)變?yōu)楣杵?、硅片制成太陽電池、太陽電池封裝成電池組件2.1 硅材料的制備與選取硅是地球外殼第二位最豐富的元素，提煉硅的原料是iO。在目前工業(yè)提煉工藝中，一般采用i的結(jié)晶態(tài)，即石英砂在電弧爐中（如圖3.）用碳還原的方法治煉得反應(yīng)方程為圖3.1 生產(chǎn)冶金級硅的電弧爐的斷面圖1. 碳和石英巖；2.內(nèi)腔；3.電極；4.硅；5.碳化硅；6.爐床；7.電極膏；8.銅電極；9.出料噴口；10.鑄鐵壁；11.陶瓷；12.石墨蓋工業(yè)硅的純度一般為，所含的雜質(zhì)主要為、g等。由工業(yè)硅制成硅的鹵化物（如三氯硅烷，四氯化硅）通過還原劑還原成為元素硅，最后長成棒狀（或針狀、塊狀）多晶硅。習(xí)慣上把這種還原沉積出的高純硅棒叫作多晶硅。多晶硅經(jīng)過區(qū)熔法（）和坩堝直拉法（）制成單晶硅棒。隨著太陽電池的應(yīng)用從空間擴(kuò)展到地面，電池生產(chǎn)成本成為推廣應(yīng)用的最大障礙。硅片質(zhì)量直接影響成品電池的性能，它的價格在很大程度上決定了成品電池的成本。質(zhì)量和價格是必須要重點考慮的因素。降低太陽電池的成本決定于硅材料成本的降低。而硅