器件考試題A卷

系別 班次 學(xué)號(hào) 姓名 密 封 線 以 內(nèi) 答 題 無(wú) 效 第 1 頁(yè) 共 5 頁(yè) 電子科技大學(xué)成都學(xué)院二零一一至二零一二學(xué)年第二學(xué)期電子科技大學(xué)成都學(xué)院二零一一至二零一二學(xué)年第二學(xué)期 微電子器件 A 卷課程考試題 120 分鐘 閉卷 考試時(shí)間 教師姓名 一二三四五六七八九十總 分 評(píng)卷教師 一 填空題 1x 20 分 1 在 N 型半導(dǎo)體中 為多數(shù)載流子 為少數(shù)載流子 2 在 PN 結(jié)的空間電荷區(qū)中 P 區(qū)一側(cè)帶 N 區(qū)一側(cè)帶 電荷 3 勢(shì)壘電容反映的是 PN 結(jié)的勢(shì)壘區(qū)電離雜質(zhì)電荷隨外加電壓的變化率 PN 結(jié)的摻 雜濃度越高 則勢(shì)壘電容就越 外加反向電壓越高 則勢(shì)壘電容就越 4 為了提高晶體管的基區(qū)輸運(yùn)系數(shù) 應(yīng)當(dāng)使基區(qū)寬度 基區(qū)少子擴(kuò)散長(zhǎng)度 5 晶體管的共發(fā)射極直流短路電流放大系數(shù) 是指 發(fā)射結(jié) 偏 集電結(jié) 偏時(shí)的 電流與 電流之比 6 當(dāng) 降到 1 時(shí)的頻率稱為最高振蕩頻率fM 7 對(duì)于頻率不是特別高的一般高頻管 提高特征頻率fT的主要措施是 8 MOSFET 是利用外加電壓產(chǎn)生 來(lái)控制漏極電流大小 因此它是 控制器件 9 跨導(dǎo) gm 反映了場(chǎng)效應(yīng)管 對(duì) 控制能力 其單位 是 10 要提高 N 溝道 MOSFET 的閾電壓VT 應(yīng)使襯底摻雜濃度NA 使柵氧化層 厚度Tox 二 選擇題 10 分 1 當(dāng) PN 結(jié)外加正向偏壓時(shí) 擴(kuò)散電流 漂移電流 當(dāng)外加反向偏壓時(shí) 擴(kuò) 散電流 漂移電流 A 大于 B 小于 C 等于 D 不定 2 當(dāng)對(duì) PN 結(jié)外加反向電壓時(shí) 其勢(shì)壘區(qū)寬度會(huì) 勢(shì)壘區(qū)的勢(shì)壘高度會(huì) A 變寬 B 變窄 C 變高 D 不變 3 P N 結(jié)耗盡層寬度主要取決于 A p 區(qū)濃度 B n 區(qū)的濃度 C P 區(qū)和 n 區(qū)的濃度 4 限制雙極結(jié)型晶體管最高工作電壓的主要因素是 A 雪崩擊穿電壓 B 基區(qū)穿通電壓 C 雪崩擊穿電壓和基區(qū)穿通電壓的較小 者 系別 班次 學(xué)號(hào) 姓名 密 封 線 以 內(nèi) 答 題 無(wú) 效 第 2 頁(yè) 共 5 頁(yè) 5 對(duì)于實(shí)際的增強(qiáng)型 MOSFET 簡(jiǎn)單說(shuō)明閾值電壓 VT 包括哪幾個(gè)部分的電壓分量 多選 A 柵氧化層上的電壓 Vox B 平帶電壓 VFB C 源漏電壓 VDS D 使半導(dǎo)體表面產(chǎn)生強(qiáng)反型層 溝道 所需要的電壓 2 FP 6 晶體管基區(qū)運(yùn)輸系數(shù)主要決定于 A 基區(qū)濃度 B 基區(qū)電阻率和基區(qū)少子壽命 C 基區(qū)寬度和基區(qū)少子擴(kuò)散長(zhǎng)度 三 判斷題 10 分 1 由于 P 型半導(dǎo)體中含有大量空穴載流子 N 型半導(dǎo)體中含有大量電子載流子 所 以 P 型半導(dǎo)體帶正電 N 型半導(dǎo)體帶負(fù)電 2 擴(kuò)散電流是由半導(dǎo)體的雜質(zhì)濃度引起的 即雜質(zhì)濃度大 擴(kuò)散電流大 雜質(zhì)濃度 小 擴(kuò)散電流小 3 溫度升高時(shí) PN 結(jié)的反向飽和電流將減小 4 PN 結(jié)加正向電壓時(shí) 空間電荷區(qū)將變寬 5 處于放大狀態(tài)的晶體管 集電極電流是多子漂移運(yùn)動(dòng)形成的 四 問(wèn)答題 30 分 1 解釋 PN 結(jié)內(nèi)建電場(chǎng) 緩變基區(qū)晶體管內(nèi)建電場(chǎng) 2 降低基區(qū)摻雜濃度會(huì)對(duì)晶體管的各種特性 如 等 TE C EBO BV A V bb r 產(chǎn)生什么影響 系別 班次 學(xué)號(hào) 姓名 密 封 線 以 內(nèi) 答 題 無(wú) 效 第 3 頁(yè) 共 5 頁(yè) 3 什么是雙極晶體管基區(qū)寬度調(diào)變效應(yīng) 什么是基區(qū)穿通效應(yīng) 4 寫出四種類型 MOSFET 的符號(hào) 輸出特性和轉(zhuǎn)移特性曲線 5 簡(jiǎn)述 MOSFET 擊穿電壓的類型和產(chǎn)生的原因 系別 班次 學(xué)號(hào) 姓名 密 封 線 以 內(nèi) 答 題 無(wú) 效 第 4 頁(yè) 共 5 頁(yè) 五 計(jì)算題 30 分 1 某突變 PN 結(jié)的 試求和的值 183163 AD 1 10 cm 1 10 cmNN p0p0n0 pnn n0 p 并求當(dāng)外加 0 5V 正向電壓時(shí)的和的值 nn px pp nx 2 某均勻基區(qū)晶體管的 求該晶體 BBEB1 1 5 m 15 m 20 2000WLRR 口口 管的和 系別 班次 學(xué)號(hào) 姓名 密 封 線 以 內(nèi) 答 題 無(wú) 效 第 5 頁(yè) 共 5 頁(yè) 3 有一個(gè)處于飽和