晶圓制造工藝流程

晶圓制造工藝流程 1 表面清洗 2 初次氧化 3 CVD Chemical Vapor deposition 法沉積一層 Si3N4 Hot CVD 或 LPCVD 1 常壓 CVD Normal Pressure CVD 2 低壓 CVD Low Pressure CVD 3 熱 CVD Hot CVD thermal CVD 4 電漿增強(qiáng) CVD Plasma Enhanced CVD 5 MOCVD Metal Organic CVD 將不要的薄膜去除 何謂電漿 Plasma 答 電漿是物質(zhì)的第四狀態(tài) 帶有正 負(fù)電荷及中性粒子之總和 其中包含電子 正離子 負(fù)離子 中性分子 活性基及發(fā)散光子等 產(chǎn)生電漿的方法可使用高溫或高電壓 何謂干式蝕刻 答 利用 plasma 將不要的薄膜去除 何謂 Under etching 蝕刻不足 答 系指被蝕刻材料 在被蝕刻途中停止造成應(yīng)被去除的薄膜仍有殘留 何謂 Over etching 過(guò)蝕刻 答 蝕刻過(guò)多造成底層被破壞 何謂 Etch rate 蝕刻速率 答 單位時(shí)間內(nèi)可去除的蝕刻材料厚度或深度 何謂 Seasoning 陳化處理 答 是在蝕刻室的清凈或更換零件后 為要穩(wěn)定制程條件 使用仿真 dummy 晶圓 進(jìn)行數(shù)次的蝕刻循環(huán) Asher 的主要用途 答 光阻去除 Wet bench dryer 功用為何 答 將晶圓表面的水份去除 列舉目前 Wet bench dry 方法 答 1 Spin Dryer 2 Marangoni dry 3 IPA Vapor Dry 何謂 Spin Dryer 答 利用離心力將晶圓表面的水份去除 何謂 Maragoni Dryer 答 利用表面張力將晶圓表面的水份去除 何謂 IPA Vapor Dryer 答 利用 IPA 異丙醇 和水共溶原理將晶圓表面的水份去除 測(cè) Particle 時(shí) 使用何種測(cè)量?jī)x器 答 Tencor Surfscan 測(cè)蝕刻速率時(shí) 使用何者量測(cè)儀器 答 膜厚計(jì) 測(cè)量膜厚差值 何謂 AEI 答 After Etching Inspection 蝕刻后的檢查 AEI 目檢 Wafer 須檢查哪些項(xiàng)目 答 1 正面顏色是否異常及刮傷 2 有無(wú)缺角及 Particle 3 刻號(hào)是否正確 金屬蝕刻機(jī)臺(tái)轉(zhuǎn)非金屬蝕刻機(jī)臺(tái)時(shí)應(yīng)如何處理 答 清機(jī)防止金屬污染問(wèn)題 金屬蝕刻機(jī)臺(tái) asher 的功用為何 答 去光阻及防止腐蝕 金屬蝕刻后為何不可使用一般硫酸槽進(jìn)行清洗 答 因?yàn)榻饘倬€(xiàn)會(huì)溶于硫酸中 Hot Plate 機(jī)臺(tái)是什幺用途 答 烘烤 Hot Plate 烘烤溫度為何 答 90 120 度 C 何種氣體為 Poly ETCH 主要使用氣體 答 Cl2 HBr HCl 用于 Al 金屬蝕刻的主要?dú)怏w為 答 Cl2 BCl3 用于 W 金屬蝕刻的主要?dú)怏w為 答 SF6 何種氣體為 oxide vai contact ETCH 主要使用氣體 答 C4F8 C5F8 C4F6 硫酸槽的化學(xué)成份為 答 H2SO4 H2O2 AMP 槽的化學(xué)成份為 答 NH4OH H2O2 H2O UV curing 是什幺用途 答 利用 UV 光對(duì)光阻進(jìn)行預(yù)處理以加強(qiáng)光阻的強(qiáng)度 UV curing 用于何種層次 答 金屬層 何謂 EMO 答 機(jī)臺(tái)緊急開(kāi)關(guān) EMO 作用為何 答 當(dāng)機(jī)臺(tái)有危險(xiǎn)發(fā)生之顧慮或已不可控制 可緊急按下 濕式蝕刻門(mén)上貼有那些警示標(biāo)示 答 1 警告 內(nèi)部有嚴(yán)重危險(xiǎn) 嚴(yán)禁打開(kāi)此門(mén) 2 機(jī)械手臂危險(xiǎn) 嚴(yán)禁打開(kāi)此門(mén) 3 化學(xué)藥劑危險(xiǎn) 嚴(yán)禁打開(kāi)此門(mén) 遇化學(xué)溶液泄漏時(shí)應(yīng)如何處置 答 嚴(yán)禁以手去測(cè)試漏出之液體 應(yīng)以酸堿試紙測(cè)試 并尋找泄漏管路 遇 IPA 槽著火時(shí)應(yīng)如何處置 答 立即關(guān)閉 IPA 輸送管路并以機(jī)臺(tái)之滅火器滅火及通知緊急應(yīng)變小組 BOE 槽之主成份為何 答 HF 氫氟酸 與 NH4F 氟化銨 BOE 為那三個(gè)英文字縮寫(xiě) 答 Buffered Oxide Etcher 有毒氣體之閥柜 VMB 功用為何 答 當(dāng)有毒氣體外泄時(shí)可利用抽氣裝置抽走 并防止有毒氣體漏出 電漿的頻率一般 13 56 MHz 為何不用其它頻率 答 為避免影響通訊品質(zhì) 目前只開(kāi)放特定頻率 作為產(chǎn)生電漿之用 如 380 420KHz 13 56MHz 2 54GHz 等 何謂 ESC electrical static chuck 答 利用靜電吸附的原理 將 Wafer 固定在極板 Substrate 上 Asher 主要?dú)怏w為 答 O2 Asher 機(jī)臺(tái)進(jìn)行蝕刻最關(guān)鍵之參數(shù)為何 答 溫度 簡(jiǎn)述 TURBO PUMP 原理 答 利用渦輪原理 可將壓力抽至 10 6TORR 熱交換器 HEAT EXCHANGER 之功用為何 答 將熱能經(jīng)由介媒傳輸 以達(dá)到溫度控制之目地 簡(jiǎn)述 BACKSIDE HELIUM COOLING 之原理 答 藉由氦氣之良好之熱傳導(dǎo)特性 能將芯片上之溫度均勻化 ORIENTER 之用途為何 答 搜尋 notch 邊 使芯片進(jìn)反應(yīng)腔的位置都固定 可追蹤問(wèn)題 簡(jiǎn)述 EPD 之功用 答 偵測(cè)蝕刻終點(diǎn) End point detector 利用波長(zhǎng)偵測(cè)蝕刻終點(diǎn) 何謂 MFC 答 mass flow controler 氣體流量控制器 用于控制 反應(yīng)氣體的流量 GDP 為何 答 氣體分配盤(pán) gas distribution plate GDP 有何作用 答 均勻地將氣體分布于芯片上方 何謂 isotropic etch 答 等向性蝕刻 側(cè)壁側(cè)向蝕刻的機(jī)率均等 何謂 anisotropic etch 答 非等向性蝕刻 側(cè)壁側(cè)向蝕刻的機(jī)率少 何謂 etch 選擇比 答 不同材質(zhì)之蝕刻率比值 何謂 AEI CD 答 蝕刻后特定圖形尺寸之大小 特征尺寸 Critical Dimension 何謂 CD bias 答 蝕刻 CD 減蝕刻前黃光 CD 簡(jiǎn)述何謂田口式實(shí)驗(yàn)計(jì)劃法 答 利用混合變因安排輔以統(tǒng)計(jì)歸納分析 何謂反射功率 答 蝕刻過(guò)程中 所施予之功率并不會(huì)完全地被反應(yīng)腔內(nèi)接收端所接受 會(huì)有部份值反 射掉 此反射之量 稱(chēng)為反射功率 Load Lock 之功能為何 答 Wafers 經(jīng)由 loadlock 后再進(jìn)出反應(yīng)腔 確保反應(yīng)腔維持在真空下不受粉塵及濕度 的影響 廠(chǎng)務(wù)供氣系統(tǒng)中何謂 Bulk Gas 答 Bulk Gas 為大氣中普遍存在之制程氣體 如 N2 O2 Ar 等 廠(chǎng)務(wù)供氣系統(tǒng)中何謂 Inert Gas 答 Inert Gas 為一些特殊無(wú)強(qiáng)烈毒性的氣體 如 NH3 CF4 CHF3 SF6 等 廠(chǎng)務(wù)供氣系統(tǒng)中何謂 Toxic Gas 答 Toxic Gas 為具有強(qiáng)烈危害人體的毒性氣體 如 SiH4 Cl2 BCl3 等 機(jī)臺(tái)維修時(shí) 異常告示排及機(jī)臺(tái)控制權(quán)應(yīng)如何處理 答 將告示牌切至異常且將機(jī)臺(tái)控制權(quán)移至維修區(qū)以防有人誤動(dòng)作 冷卻器的冷卻液為何功用 答 傳導(dǎo)熱 Etch 之廢氣有經(jīng)何種方式處理 答 利用水循環(huán)將廢氣溶解之后排放至廢酸槽 何謂 RPM 答 即 Remote Power Module 系統(tǒng)總電源箱 火災(zāi)異常處理程序 答 1 立即警告周?chē)藛T 2 嘗試 3 秒鐘滅火 3 按下 EMO 停止機(jī)臺(tái) 4 關(guān) 閉 VMB Valve 并通知廠(chǎng)務(wù) 5 撤離 一氧化碳 CO 偵測(cè)器警報(bào)異常處理程序 答 1 警告周?chē)藛T 2 按 Pause 鍵 暫止 Run 貨 3 立即關(guān)閉 VMB 閥 并通 知廠(chǎng)務(wù) 4 進(jìn)行測(cè)漏 高壓電擊異常處理程序 答 1 確認(rèn)安全無(wú)慮下 按 EMO 鍵 2 確認(rèn)受傷原因 誤觸電源 漏水等 3 處理受 傷人員 T C 傳送 Transfer Chamber 之功能為何 答 提供一個(gè)真空環(huán)境 以利機(jī)器手臂在反應(yīng)腔與晶舟間傳送 Wafer 節(jié)省時(shí)間 機(jī)臺(tái) PM 時(shí)需佩帶面具否 答 是 防毒面具 機(jī)臺(tái)停滯時(shí)間過(guò)久 run 貨前需做何動(dòng)作 答 Seasoning 陳化處理 何謂 Seasoning 陳化處理 答 是在蝕刻室的清凈或更換零件后 為要穩(wěn)定制程條件 使用仿真 dummy 晶圓 進(jìn)行數(shù)次的蝕刻循環(huán) 何謂日常測(cè)機(jī) 答 機(jī)臺(tái)日常檢點(diǎn)項(xiàng)目 以確認(rèn)機(jī)臺(tái)狀況正常 何謂 WAC Waferless Auto Clean 答 無(wú) wafer 自動(dòng)干蝕刻清機(jī) 何謂 Dry Clean 答 干蝕刻清機(jī) 日常測(cè)機(jī)量測(cè) etch rate 之目的何在 答 因?yàn)橐g刻到多少厚度的 film 其中一個(gè)重要參數(shù)就是蝕刻率 操作酸堿溶液時(shí) 應(yīng)如何做好安全措施 答 1 穿戴防酸堿手套圍裙安全眼鏡或護(hù)目鏡 2 操作區(qū)備有清水與水管以備不時(shí) 之需 3 操作區(qū)備有吸酸棉及隔離帶 如何讓 chamber 達(dá)到設(shè)定的溫度 答 使用 heater 和 chiller Chiller 之功能為何 答 用以幫助穩(wěn)定 chamber 溫度 如何在 chamber 建立真空 答 1 首先確立 chamber parts 組裝完整 2 以 dry pump 作第一階段的真空建立 3 當(dāng)圧力到達(dá) 100mT 寺再以 turbo pump 抽真空至 1mT 以下 真空計(jì)的功能為何 答 偵測(cè) chamber 的壓力 確保 wafer 在一定的壓力下 process Transfer module 之 robot 功用為何 答 將 wafer 傳進(jìn) chamber 與傳出 chamber 之用 何謂 MTBC mean time between clean 答 上一次 wet clean 到這次 wet clean 所經(jīng)過(guò)的時(shí)間 RF Generator 是否需要定期檢驗(yàn) 答 是需要定期校驗(yàn) 若未校正功率有可能會(huì)變化 如此將影響電漿的組成 為何需要對(duì) etch chamber 溫度做監(jiān)控 答 因?yàn)闇囟葧?huì)影響制程條件 如 etching rate 均勻度 為何需要注意 dry pump exhaust presure pump 出口端的氣壓 答 因?yàn)闅鈮喝籼髸?huì)造成 pump 負(fù)荷過(guò)大 造成 pump 跳掉 影響 chamber 的壓力 直 接影響到 run 貨品質(zhì) 為何要做漏率測(cè)試 Leak rate 答 1 在 PM 后 PUMP Down 1 2 小時(shí)后 為確保 chamber Run 貨時(shí) 無(wú)大氣進(jìn)入 chambe 影響 chamber GAS 成份 2 在日常測(cè)試時(shí) 為確保 chamber 內(nèi)來(lái)自大氣的泄漏源 故需測(cè)漏 機(jī)臺(tái)發(fā)生 Alarm 時(shí)應(yīng)如何處理 答 1 若為火警 立即圧下 EMO 緊急按鈕 并滅火且通知相關(guān)人員與主管 2 若是 一般異常 請(qǐng)先檢查 alarm 訊息再判定異常原因 進(jìn)而解決問(wèn)題 若未能處理應(yīng)立即通知主 要負(fù)責(zé)人 蝕刻機(jī)臺(tái)廢氣排放分為那幾類(lèi) 答 一般無(wú)毒性廢氣 有毒酸性廢氣排放 蝕刻機(jī)臺(tái)使用的電源為多少伏特 v 答 208V 三相 干式蝕刻機(jī)臺(tái)分為那幾個(gè)部份 答 1 Load Unload 端 2 transfer module 3 Chamber process module 4 真空系統(tǒng) 5 GAS system 6 RF system 在半導(dǎo)體程制中 濕制程 wet processing 分那二大頪 答 1 晶圓洗凈 wafer cleaning 2 濕蝕刻 wet etching 晶圓洗凈 wafer cleaning 的設(shè)備有那幾種 答 1 Batch type immersion type a carrier type b Cassetteless type 2 Single wafer type spray type 晶圓洗凈 wafer cleaning 的目的為何 答 去除金屬雜質(zhì) 有機(jī)物污染及微塵 半導(dǎo)體制程有那些污染源 答 1 微粒子 2 金屬 3 有機(jī)物 4 微粗糙 5 天生的氧化物 RCA 清洗制程目的為何 答 于微影照像后 去除光阻 清洗晶圓 并做到酸堿中和 使晶圓可進(jìn)行下一個(gè)制程 洗凈溶液 APM SC 1 NH4OH H2O2 H2O 的目的為何 答 去除微粒子及有機(jī)物 洗凈溶液 SPM H2SO4 H2O2 H2O 的目的為何 答 去除有機(jī)物 洗凈溶液 HPM SC 2 HCL H2O2 H2O 的目的為何 答 去除金屬 洗凈溶液 DHF HF H2O 1 100 1 500 的目的為何 答 去除自然氧化膜及金屬 洗凈溶液 FPM HF H2O2 H2O 的目的為何 答 去除自然氧化膜及金屬 洗凈溶液 BHF BOE HF NH4F 的目的為何 答 氧化膜濕式蝕刻 洗凈溶液 熱磷酸 H3PO4 的目的為何 答 氮化膜濕式蝕刻 0 25 微米邏輯組件有那五種標(biāo)準(zhǔn)清洗方法 答 1 擴(kuò)散前清洗 2 蝕刻后清洗 3 植入后清洗 4 沉積前洗清 5 CMP 后清洗 超音波刷洗 ultrasonic scrubbing 目的為何 答 去除不溶性的微粒子污染 何謂晶圓盒 POD 清洗 答 利用去離子水和界面活性劑 surfactant 除