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文檔簡介
.,第4章位錯的彈性性質(zhì),.,4.1彈性力學(xué)基礎(chǔ)知識,所謂彈性連續(xù)介質(zhì),是對晶體作了簡化假設(shè)之后提出的模型:,(1)晶體是完全彈性體,因此服從胡克定律;(2)晶體是各向同性的,因此其彈性常數(shù)(彈性模量、泊松比等)不隨方向而變化;(3)晶體內(nèi)部由連續(xù)介質(zhì)組成,因此晶體中的應(yīng)力、應(yīng)變、位移可用連續(xù)函數(shù)表示。,1)彈性連續(xù)介質(zhì),.,在m-m截面上P點(diǎn)處定義:,m-m截面上P點(diǎn)的正應(yīng)力,m-m截面上P點(diǎn)的切應(yīng)力(剪應(yīng)力),m-m截面上P點(diǎn)的全應(yīng)力,物體在受力狀態(tài)下,其內(nèi)部不同部分之間互相產(chǎn)生作用力,這種作用力稱為內(nèi)力。作用在某點(diǎn)處的內(nèi)力,在該點(diǎn)的微面積上的集度p,叫該點(diǎn)處的應(yīng)力。,2)應(yīng)力,.,變形體內(nèi)某點(diǎn)處取出的邊長無限小的體積微元,在直角坐標(biāo)系下,單元體為無限小正六面體,單元體的三對表面:,正面:外法向與坐標(biāo)軸同向,負(fù)面:外法向與坐標(biāo)軸反向,單元體是變形體的最基本模型,1單元體的概念,.,為了表達(dá)彈性體內(nèi)部任意一點(diǎn)M的應(yīng)力狀態(tài),利用三個與坐標(biāo)軸方向一致的微分面,通過M點(diǎn)截取一個平行六面體單元,如圖所示,2應(yīng)力分量,.,正面正方向為正,負(fù)面負(fù)方向為正正面負(fù)方向為負(fù),負(fù)面正方向為負(fù),應(yīng)力的正負(fù)號,.,圓柱坐標(biāo):用z軸、方向及角來描述為表示任一點(diǎn)應(yīng)力狀態(tài)也是取一個體積元,其上的應(yīng)力分量也有9個,3個正應(yīng)力,6個切應(yīng)力,.,棱邊長度的改變量與原棱長之比。以線段伸長為正,線段縮短為負(fù)。,正應(yīng)變,切應(yīng)變,原來成直角的兩棱之間角度的改變量。以角度減小為正,以角度增大為負(fù)。,3)應(yīng)變,.,4)泊松比,一般情況下,任意一點(diǎn)存在36個常數(shù)cij值。晶體的對稱性越強(qiáng),獨(dú)立的彈性常數(shù)數(shù)目越少。在彈性連續(xù)介質(zhì)中,只有2個獨(dú)立的cij值,工程上分別用E、G標(biāo)記:,六個應(yīng)力分量與六個應(yīng)變分量之間,均遵循胡克定律:ij=cij。式中cij為彈性模量,是量度材料抵抗彈性變形能力的物理量。,G為切應(yīng)變彈性模量,也叫切變模量:,E為正應(yīng)變彈性模量,也叫楊氏模量:,E和G之間存在如下關(guān)系:E=G/2(1-),其中是表示縱橫變形茉系的參量,稱為泊松比,.,5)應(yīng)變與位移的關(guān)系,該式表明了一點(diǎn)處的位移分量和應(yīng)變分量所應(yīng)滿足的關(guān)系,稱為幾何方程,也稱為柯西(Augustin-LouisCauchy)幾何關(guān)系。,.,4.2位錯的應(yīng)力場,位錯中心部分畸變程度最為嚴(yán)重,超出了彈性應(yīng)變范圍,不討論。僅討論中心區(qū)以外的彈性畸變區(qū),借助彈性連續(xù)介質(zhì)模型。假設(shè):晶體是各向同性的均勻連續(xù)彈性介質(zhì),位錯處在無限大的連續(xù)介質(zhì)中。,優(yōu)點(diǎn),缺點(diǎn),模型簡單,中心區(qū)不適用,忽略晶體結(jié)構(gòu)的影響,.,1)刃位錯的應(yīng)力場,應(yīng)力場模型,在圓柱體中心挖出一個半徑為rO的小洞沿xoz平面從外部切通至中心在切開的兩面上加外力,使其沿x軸作相對位移b;再把切開的面膠合起來撤去外力,這樣的圓柱體與包含一個刃型位錯的晶體相似。,.,應(yīng)力場的特點(diǎn),同時存在著正應(yīng)力與切應(yīng)力;刃型位錯的應(yīng)力場,對稱于多余半原子面;滑移面上無正應(yīng)力,只有切應(yīng)力,且其切應(yīng)力最大。正刃型位錯的滑移面上側(cè),在x方向的正應(yīng)力為壓應(yīng)力;滑移面下側(cè),在x方向上的正應(yīng)力為拉應(yīng)力半原子面上或與滑移面成45的晶面上,無切應(yīng)力。,正應(yīng)力:,切應(yīng)力:,其中:,.,2)螺型位錯的應(yīng)力場,應(yīng)力場模型與函數(shù),沿xz平面剖開使之沿z軸產(chǎn)生相對位移b,然后再粘合。當(dāng)然也要挖去位錯線附近的嚴(yán)重畸變區(qū)域。,.,應(yīng)力場的特點(diǎn),只有切應(yīng)力分量(z、z),而無正應(yīng)力。螺型位錯的應(yīng)力場,是對稱于位錯線的。所產(chǎn)生的切應(yīng)力大小只與r的大小有關(guān),即只與離位錯線的距離成反比,而與無關(guān)。,柱坐標(biāo)表達(dá)式,.,4.3位錯的應(yīng)變能,位錯在周圍晶體中引起畸變,使晶體產(chǎn)生畸變能,這部分能量稱為位錯的應(yīng)變能。,與位錯的畸變相對應(yīng),位錯的能量也可分為兩部分:一是位錯中心畸變能;二是位錯中心以外的能量即彈性應(yīng)變能。,根據(jù)點(diǎn)陣模型對位錯中心能量的估算得:彈性應(yīng)變能占總能量的90%,所以位錯中心畸變能可忽略不計,即通常用彈性畸變能表示位錯的應(yīng)變能。,.,1)刃型位錯的應(yīng)變能,A,B,C,D,形成圖示的位錯的功,可以理解為XZ剖面ABCD兩邊晶體在切應(yīng)力r作用下產(chǎn)生相對位移u=b所做的功。刃型位錯在XZ剖面的應(yīng)力:,在XZ剖面上=0,cos=1,當(dāng)剖面從r到(r+dr)處,產(chǎn)生位移db(r)所做功:,當(dāng)剖面從r0處擴(kuò)展到R處,db從0變到b所功:,單位長度的刃錯線總能量(應(yīng)變能):,R,r,R,.,2)螺型位錯的應(yīng)變能,z,在XZ剖面的應(yīng)力為:,單位長度的螺錯線能量:,.,單位長度的混合位錯能量:,上述公式可簡化為:,R位錯應(yīng)力場最大作用范圍的半徑r0位錯中心區(qū)域的半徑混合位錯的柏氏矢量與位錯線的夾角由位錯的類型、密度(R值)決定,其值0.51.0,3)混合位錯的應(yīng)變能,.,討論,。,1)位錯的能量包括兩部分:Ec和Ee。位錯中心區(qū)的能量Ec一般小于總能量1/10,常可忽略;而位錯的彈性應(yīng)變能ln(R/r0),它隨r緩慢地增加,所以位錯具有長程應(yīng)力場。2)位錯的應(yīng)變能與b2成正比。從能量的觀點(diǎn)來看,晶體中具有最小b的位錯應(yīng)該是最穩(wěn)定的,因此位錯趨向于取b最小的組態(tài)。3)W螺/W刃=1-,常用金屬材料的約為1/3,故螺型位錯的彈性應(yīng)變能約為刃型位錯的2/3。4)位錯的能量是以單位長度的能量來定義的,故位錯能量還與位錯線的形狀有關(guān)。由于兩點(diǎn)間以直線為最短,所以直線位錯的應(yīng)變能小于彎曲位錯的,即更穩(wěn)定,因此位錯線有盡量變直和縮短其長度的趨勢。5)位錯的存在均會使體系的內(nèi)能升高。因此,位錯的存在使晶體處于高能的不穩(wěn)定狀態(tài),可見位錯是熱力學(xué)上不穩(wěn)定的晶體缺陷。,.,1)位錯的線張力,位錯的總能量與位錯線的長度成正比,因此為降低能量,位錯線有縮短變直的傾向,好像沿位錯線有個張力,這個張力叫位錯的線張力。,當(dāng)位錯線的長度增加一無限小量,其能量增加與長度增量的比值等于線張力T,即:T=W/L,所以位錯的線張力在數(shù)值上等于單位長度位錯線的能量,并且與位錯線的具體形狀有關(guān)。,4.4位錯的受力,.,直線位錯的線張力,單位長度位錯的能量為:,當(dāng)rob0(10-8cm),R(相當(dāng)于亞晶粒長度)10-4cm時,直線位錯的線張力為:,.,彎曲位錯的線張力,r區(qū)域:,ry,即位錯2處于,兩個區(qū)間時,F(xiàn)x0,應(yīng)力場斥力使它向距Y軸更遠(yuǎn)方向滑移,使兩位錯分開(3)x0,即指向上;當(dāng)位錯e2在位錯e1的滑移面下邊時,y0,F(xiàn)y0,即指向下。同號位錯沿y軸方向互相排斥;異號位錯沿y軸方向互相吸引(進(jìn)而相接而消失),.,兩垂直刃型位錯間的作用力,兩垂直的刃型位錯,其垂直情況可有幾種、但不管取哪一種,其相互作用力都表現(xiàn)為攀移力。,.,兩刃、螺型位錯間的相互作用力,相互平行,螺型位錯的應(yīng)力場沒有使刃型位錯受力的應(yīng)力分量,刃型位錯的應(yīng)力場也沒有使螺型位錯受力的應(yīng)力分量,所以兩個位錯間沒有相互作用。,相互垂直,刃型位錯線與螺型位錯線垂直時,因其垂直情況不同,其相互作用情況也不同,比較復(fù)雜;,.,結(jié)論:眾多位錯之間即有吸引又有排斥,交互作用的結(jié)果使體系處于較低的能量狀態(tài),或者說位錯將處于低能的排列狀態(tài)。,上面只是討論了簡單的位錯交互作用情況,實際晶體中位錯往往是混合型的,它們的排列也不可能完全平行或垂直的,所以位錯間的交互作用十分復(fù)雜。,.,螺位錯:,這個力相當(dāng)于在自由表面外側(cè)與位錯成鏡面對稱的位置放入一個反號螺位錯(稱映像位錯)對真實位錯的作用力,故這力稱映像力。,對于刃位錯,也近似用此方法計算映像力。在兩個彈性模量不同的介質(zhì)的界面(如相界面),對它附近的位錯也會產(chǎn)生映像力。在薄膜晶體中映像力將起重要作用。,當(dāng)位錯處于自由表面附近時,便有自動移向表面,以降低位錯應(yīng)變能的趨勢。這個現(xiàn)象說明自由表面對位錯具有吸引力,4)晶體表面作用于位錯上的力,.,5)半點(diǎn)陣模型與派納力,半點(diǎn)陣模型及其基本方程,y,刃型位錯芯部構(gòu)造示意圖,a,Peiels和Nabarro提出了半點(diǎn)陣模型,導(dǎo)出了P-N力公式。具有簡單立方點(diǎn)陣的晶體,沿滑移面將晶體切為二部分,相對位移b/2,然后適當(dāng)壓縮上部晶體,拉伸下部晶體,使A、B兩個原子面上的原子,靠原子間的互相作用合并到一起,形成刃位錯。,.,由圖可知:,P-N模型的假設(shè):1)仍將A面以上和B面以下晶體看成是連續(xù)介質(zhì)。2)將A、B面之間的切應(yīng)力認(rèn)為是其面上對應(yīng)原子之間的相對位移(x)的正弦函數(shù),周期為b。,首先求B面對A面的切應(yīng)力xy,當(dāng)(x)很小時,.,二式相等:,當(dāng)(x)很小時,滿足胡克定律:,Eshelby提出一個近似方法,將柏氏矢量為b的位錯分解成位錯強(qiáng)度為無限小的無窮多個彈性位錯,沿滑移面連續(xù)分布。,再求A面以上的彈性體對A面的作用力xy,.,在滑移面上,某彈性位錯在x處產(chǎn)生的切應(yīng)力dxy,整個位錯在x處產(chǎn)生的切應(yīng)力是-,內(nèi)諸位錯積分:,又因為:,,代入上式,單位長度的x軸上的強(qiáng)度分布為,在范圍內(nèi)的強(qiáng)度就應(yīng)該是,在整個x軸上的強(qiáng)度之和等于b,則,.,在平衡狀態(tài)下:,此即PN模型的基本公式,它的方程解:,u(x)即位錯中心上下面原子的位移。,.,得,位錯寬度,位錯中心寬度,一定晶體中,密排面間距越大,面間原子對齊能力越弱,所以位錯寬度越大。原子結(jié)合鍵力方向性越強(qiáng)的晶體,位錯寬度越小。當(dāng)V=1/3時,位錯寬度僅為1.5a,即約1.5個面間距。,定義:原子發(fā)生位移小于極限值一半時的寬度。,.,A、B面的對應(yīng)原子鋪開(x)產(chǎn)生的錯排能。,每對原子列的錯排能:,錯排能的計算采用離散方法計算位錯中心的錯排能。,A面或B面原子的錯排能:,P-N力,.,A、B面上原子列位置可表示為:(0r0),yC0,即位錯附近的點(diǎn)缺陷濃度比遠(yuǎn)處高,溶質(zhì)原子云集于位錯附近的現(xiàn)象稱為溶質(zhì)原子氣團(tuán)。,無位錯時,點(diǎn)缺陷的平衡濃度為:,有位錯時:,2)柯氏氣團(tuán),.,柯氏氣團(tuán)可釘扎位錯,阻滯其運(yùn)動。位錯必須在較大的外應(yīng)力下,才能脫離釘扎,開始滑移。上屈服點(diǎn)。脫釘后位錯只需較小的應(yīng)力便可繼續(xù)運(yùn)動下屈服點(diǎn)。溫度升高時,溶質(zhì)原子的擴(kuò)散速率增大,位錯可以拖著氣團(tuán)一起運(yùn)動,沒有屈服現(xiàn)象。,例:-Fe中的C、N原子集結(jié)在位錯附近受膨脹的區(qū)域,形成碳、氮原子云,稱柯氏氣團(tuán)。,.,例:低碳鋼拉伸實驗,a.拉伸出現(xiàn)上下屈服點(diǎn),b.卸載后立即加載拉伸,c.卸載后存放一段時間或200加熱后再拉伸,再次出現(xiàn)屈服點(diǎn),d.900退火后再拉伸,同a。,.,根據(jù)刃型位錯和各類點(diǎn)缺陷應(yīng)力場的特點(diǎn),為了降低體系自由能,點(diǎn)缺
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