畢業(yè)論文-取向生長(zhǎng)bi4ti3o12鐵電薄膜的回線動(dòng)力學(xué)標(biāo)度

本科畢業(yè)論文設(shè)計(jì)題目取向生長(zhǎng)BI4TI3O12鐵電薄膜的回線動(dòng)力學(xué)標(biāo)度學(xué)院物理科學(xué)學(xué)院專業(yè)材料物理姓名指導(dǎo)教師2012年6月12日摘要稀土摻雜層狀鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的BI4TI3O12鐵電薄膜具有居里溫度高，自發(fā)極化大，耐疲勞性好的特點(diǎn)，適用于制作鐵電儲(chǔ)存器。由于BI4TI3O12鐵電薄膜的自發(fā)極化矢量靠近A軸，近A軸生長(zhǎng)的BI4TI3O12鐵電薄膜具有大的剩余極化強(qiáng)度。對(duì)比研究了隨機(jī)取向BI4TI3O12鐵電薄膜和A/B軸擇優(yōu)取向BI4TI3O12鐵電薄膜的回線動(dòng)力學(xué)標(biāo)度。結(jié)果表明A/B軸高擇優(yōu)取向度的BI4TI3O12鐵電薄膜的標(biāo)度關(guān)系為低頻段F0043E008；高頻段F021E008。A/B軸低擇優(yōu)取向度的BI4TI3O12鐵電薄膜的標(biāo)度關(guān)系為F005E00917。隨機(jī)取向BI4TI3O12鐵電薄膜的標(biāo)度關(guān)系在高頻和低頻統(tǒng)一為F007E0131。ABSTRACTTHERAREEARTHDOPEDFERROELECTRICBI4TI3O12OFLAYEREDPEROVSKITEWHICHHASHIGHCURIETEMPERATURE,LARGESPONTANEOUSPOLARIZATIONANDGOODFATIGUERESISTANCE,ISONEOFTHECANDIDATEMATERIALSFORNONVOLATILEFERROELECTRICMEMORYAPPLICATIONDUETOTHESPONTANEOUSPOLARIZATIONOFTHEBI4TI3O12THINFILMSISCLOSETOTHEAAXIS,THEAAXISORNEARAAXISGROWTHBI4TI3O12THINFILMSHASALARGEREMANENTPOLARIZATIONTHESCALINGBEHAVIOROFTHEDYNAMICHYSTERESISONA/BAXESORIENTEDANDRANDOMLYORIENTEDBI4TI3O12THINFILMSWASINVESTIGATEDTHESCALINGRELATIONSOFA/BAXESORIENTEDBI4TI3O12OFHIGHPREFERENTIALORIENTATIONDEGREETHINFILMSWEREF0043E008WHENFF021E008WHENF1/ETHESCALINGRELATIONSOFA/BAXESORIENTEDBI4TI3O12OFLOWPREFERENTIALORIENTATIONDEGREETHINFILMSWEREF005E00917WHILETHESCALINGRELATIONSOFRANDOMLYORIENTEDBI4TI3O12THINFILMSF007E0131目錄第一章鐵電材料綜述111鐵電材料的定義112鐵電薄膜213取向生長(zhǎng)BI4TI3O12鐵電薄膜3第二章動(dòng)力學(xué)標(biāo)度及其意義421電滯回線的產(chǎn)生422回線動(dòng)力學(xué)標(biāo)度423進(jìn)行回線動(dòng)力學(xué)標(biāo)度的意義424鐵電材料動(dòng)力學(xué)標(biāo)度的研究現(xiàn)狀5第三章實(shí)驗(yàn)方法731實(shí)驗(yàn)方案732測(cè)量電滯回線的原理和方法733數(shù)據(jù)處理方法8第四章BI4TI3O12薄膜的回線動(dòng)力學(xué)標(biāo)度1041隨機(jī)取向BI4TI3O12鐵電薄膜（1）的回線動(dòng)力學(xué)標(biāo)度1042A/B軸擇優(yōu)取向BI4TI3O12薄膜（2）的回線動(dòng)力學(xué)標(biāo)度1243A/B軸擇優(yōu)取向BI4TI3O12薄膜（3）的回線動(dòng)力學(xué)標(biāo)度1444BI4TI3O12鐵電薄膜的標(biāo)度關(guān)系的比較及結(jié)論16結(jié)論19致謝20參考文獻(xiàn)21第一章鐵電材料綜述11鐵電材料的定義鐵電材料定義為具有自發(fā)極化且自發(fā)極化方向可隨外電場(chǎng)翻轉(zhuǎn)的電介質(zhì)材料。自發(fā)極化是由于晶胞內(nèi)原子位置變化導(dǎo)致正負(fù)電荷中心不重合而產(chǎn)生的。宏觀表現(xiàn)為極化矢量與外電場(chǎng)之間存在電滯回線關(guān)系1，即具有鐵電性。PSPPRECEEC0PR圖11鐵電體的電滯回線鐵電材料的發(fā)展歷史，大體可分為四個(gè)階段2羅息鹽時(shí)期發(fā)現(xiàn)鐵電性，1920年，VALASEK發(fā)現(xiàn)RS（羅息）鹽在外電場(chǎng)E作用下，其極化強(qiáng)度P有如圖1所示的滯后回線關(guān)系，表現(xiàn)出特殊的非線性介電行為。此發(fā)現(xiàn)奠定了兩個(gè)里程碑第一次表明羅息鹽自身存在持久極化，首次給出了電荷和電場(chǎng)之間的回線。VALASEK是在介電領(lǐng)域使用自發(fā)極化和居里點(diǎn)這兩個(gè)概念的第一人。KDP時(shí)期鐵電熱力學(xué)理論，在RS為唯一的已知的鐵電體的將近20年期間，關(guān)于鐵電性的微觀機(jī)理仍然無(wú)從分析，直到1935年至1938年，BUSCH和SCHERRER發(fā)現(xiàn)磷酸二氫鉀（KDP）及其許多同構(gòu)晶體也具有類似于RS的特殊介電行為。更有意義的是KDP型晶體的結(jié)構(gòu)比RS簡(jiǎn)單得多，每個(gè)晶胞只有16個(gè)原子，因此，SLATER在1941年得以類比于鐵磁體中電子自旋有序化理論提出了KDP的鐵電性的質(zhì)子位置有序化微觀模型。在理論研究方面，MULLER首先將熱力學(xué)理論應(yīng)用于鐵電體，并將這一理論應(yīng)用于更一般的情況。DEVONSHIRE將其進(jìn)行完善，發(fā)展為朗道德文希爾理論。鈣鈦礦時(shí)期鐵電軟膜理論，1925年左右發(fā)現(xiàn)了鈦酸鹽陶瓷具有很高的介電常數(shù)。1945年發(fā)現(xiàn)了室溫相對(duì)介電常數(shù)高達(dá)1000至3000的鈦酸鋇（BARIUMTITANATE，BATIO3，簡(jiǎn)稱為BT）陶瓷，而后在1945年和1946年WUL和GOLDMAN報(bào)道了鈦酸鋇陶瓷的鐵電性。1950年，SLATER提出了鈦離子位移模型，用來(lái)解釋鈦酸鋇的鐵電性。1958年的第二屆電介質(zhì)會(huì)議上ANDERSON提出了軟膜理論，而COCHRAN則獨(dú)立地進(jìn)行了更詳細(xì)的研究。BARKER和TINKHAM運(yùn)用紅外光譜以及隨后的COWLEY利用非彈性中子散射進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。到1970年，關(guān)于鐵電相變晶格動(dòng)力學(xué)的主要思想已經(jīng)闡明。鐵電薄膜及器件時(shí)期小型化。90年代以前，并沒(méi)有器件真正用到鐵電材料的鐵電性，而主要是利用鐵電材料的壓電性和熱釋電性等。隨著80年代中期薄膜制備技術(shù)取得了突破性進(jìn)展，高質(zhì)量鐵電薄膜的應(yīng)用成為可能。12鐵電薄膜具有納米量級(jí)厚度的鐵電性薄膜被稱為鐵電薄膜，它是一種重要的功能材料，具有良好的壓電、介電、鐵電、光電以及熱釋電性。隨著鐵電薄膜制備技術(shù)的迅速發(fā)展，鐵電薄膜的應(yīng)用也日益廣泛。鐵電薄膜以其尺寸小、質(zhì)量輕、集成方便、低工作電壓、翻轉(zhuǎn)速度快等優(yōu)點(diǎn)，在集成光學(xué)、微電子學(xué)、光電子學(xué)等商業(yè)領(lǐng)域有著廣泛應(yīng)用2,3，表1列出了鐵電薄膜不同物理效應(yīng)對(duì)應(yīng)的應(yīng)用。表1鐵電薄膜的主要性能及應(yīng)用物理效應(yīng)對(duì)應(yīng)的應(yīng)用介電性動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器DRAM，薄膜陶瓷電容，微波器件諧振器、探測(cè)器、波導(dǎo)，薄膜傳感器、與硅太陽(yáng)能電池集成的儲(chǔ)能電容器壓電性SAW，微型壓電驅(qū)動(dòng)器，線性位置控制器件熱釋電性熱釋電探測(cè)器及探測(cè)器列陣鐵電性鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器FRAM，鐵電激光光盤電光效應(yīng)全內(nèi)反光開(kāi)關(guān)，光波導(dǎo)，光偏振器，光記憶與顯示器聲光效應(yīng)聲光偏轉(zhuǎn)器光折變效應(yīng)光調(diào)制器，光全息存儲(chǔ)器非線性光學(xué)效應(yīng)光學(xué)倍頻器二次諧波發(fā)生其中鐵電存儲(chǔ)器是鐵電薄膜的最主要應(yīng)用，具有低工作電壓、低能耗、讀寫(xiě)速度快等優(yōu)點(diǎn)，包括鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器FRAM、鐵電效應(yīng)晶體管FEET以及鐵電動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器FDRAM。13取向生長(zhǎng)BI4TI3O12鐵電薄膜BI4TI3O12鐵電薄膜為鉍系層狀鈣鈦礦結(jié)構(gòu)，如圖1所示。具有大的剩余極化強(qiáng)度和良好的抗疲勞特性等優(yōu)點(diǎn)，用其制成的鐵電存儲(chǔ)器具有較高的儲(chǔ)存壽命和極低的漏電流等優(yōu)點(diǎn)，且可以極大的縮小器件體積，有利于器件集成1。AAXISAAXISCAXISPSPSCAXIS45圖12BI4TI3O12晶體結(jié)構(gòu)圖BI4TI3O12鐵電薄膜有很大的各向異性，其自發(fā)極化方向位自發(fā)極化矢量位于AC平面，靠近A軸（與A軸成約45度）。隨機(jī)取向的BI4TI3O12鐵電薄膜的應(yīng)用具有很大的局限性，因?yàn)榫О帕须s亂無(wú)章，分散了其各向異性。而不同應(yīng)用領(lǐng)域的器件對(duì)性能的要求不同，要求利用其不同方向?qū)?yīng)的不同性能，如非揮發(fā)性鐵電存儲(chǔ)器NVFRAM對(duì)極化強(qiáng)度的要求很高13、而MEMS要求好的壓電性能，只有不同均勻取向的薄膜才能滿足這些不同要求。因此對(duì)取向生長(zhǎng)的BI4TI3O12鐵電薄膜進(jìn)行研究有重要意義。第二章動(dòng)力學(xué)標(biāo)度及其意義21電滯回線的產(chǎn)生鐵電體的極化翻轉(zhuǎn)可以用電疇翻轉(zhuǎn)來(lái)描述，晶體的自發(fā)極化會(huì)使晶體兩端產(chǎn)生束縛電荷，從而產(chǎn)生一個(gè)退極化場(chǎng)，結(jié)果會(huì)使靜電能升高。同時(shí)自發(fā)極化的自發(fā)應(yīng)變也使得應(yīng)變能增加，能量升高是一種不穩(wěn)定狀態(tài)的表現(xiàn)，體系不能穩(wěn)定存在。晶體會(huì)分成多個(gè)小區(qū)域，每個(gè)小區(qū)域的自發(fā)極化方向一致，不同區(qū)域間自發(fā)極化方向趨向不同方向，這些自發(fā)極化區(qū)域一致的小區(qū)域就叫做電疇，疇邊界稱為疇壁，電疇的存在分散抵消了靜電荷，降低了靜電能和應(yīng)變能，同時(shí)引入了疇壁能，當(dāng)總能量極小值時(shí)體系既達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài)。當(dāng)引入超過(guò)矯頑場(chǎng)大小的外加電場(chǎng)后，極化方向沿電場(chǎng)方向的疇會(huì)通過(guò)新疇核的形成和疇壁運(yùn)動(dòng)而擴(kuò)展，其他方向的疇則會(huì)縮小甚至消失，宏觀表現(xiàn)出總的極化強(qiáng)度P指向外電場(chǎng)E的方向。由于疇翻轉(zhuǎn)需要消耗能量，該能量即為外電場(chǎng)所做的功，因此極化強(qiáng)度P在交變電場(chǎng)E的作用下其變化表現(xiàn)出落后于電場(chǎng)E的變化，構(gòu)成PE雙值函數(shù)，又稱作電滯回線。22回線動(dòng)力學(xué)標(biāo)度疇結(jié)構(gòu)以及其極化翻轉(zhuǎn)是理解和預(yù)測(cè)鐵電材料結(jié)構(gòu)和性能間關(guān)系的基礎(chǔ)，測(cè)量觀察電滯回線可以得到疇翻轉(zhuǎn)的一些信息。回線的面積隨外電場(chǎng)的幅值E0和頻率F的變化而變化，而回線動(dòng)力學(xué)標(biāo)度就是研究回線面積與外電場(chǎng)幅值E0和頻率F的函數(shù)關(guān)系方法。表示為AB0AEF回線的面積代表一個(gè)周期內(nèi)疇極化翻轉(zhuǎn)消耗的能量，也就是疇翻轉(zhuǎn)的多少，A值表征了面積隨頻率F的變化趨勢(shì)，B值表征了面積隨電場(chǎng)的幅值E0的變化趨勢(shì)，從而通過(guò)動(dòng)力學(xué)標(biāo)度就可以在宏觀上推測(cè)鐵電疇的成核、生長(zhǎng)過(guò)程。23進(jìn)行回線動(dòng)力學(xué)標(biāo)度的意義鐵電材料的重要特征就是極化翻轉(zhuǎn)與外電場(chǎng)間存在電滯回線關(guān)系，因此對(duì)鐵電材料進(jìn)行動(dòng)力學(xué)標(biāo)度對(duì)了解鐵電材料的疇翻轉(zhuǎn)過(guò)程有重要意義。主要的方面有第一，回線的面積代表疇翻轉(zhuǎn)消耗的能量既疇翻轉(zhuǎn)數(shù)量的多少，電滯回線是由于鐵電疇在外電場(chǎng)的驅(qū)動(dòng)下翻轉(zhuǎn)而導(dǎo)致的，翻轉(zhuǎn)包括新疇成核和生長(zhǎng)兩個(gè)過(guò)程。傳統(tǒng)理論是以直流電場(chǎng)為驅(qū)動(dòng)電場(chǎng)，并不完全適用于交變電場(chǎng)。通過(guò)觀察回線的面積和形狀隨交變電場(chǎng)外電場(chǎng)幅值E0和頻率F的變化規(guī)律可以得到新疇成核和長(zhǎng)大的細(xì)節(jié)4。第二，以鐵電儲(chǔ)存器為代表的器件在微電子領(lǐng)域有著廣泛應(yīng)用，對(duì)其鐵電性能的認(rèn)識(shí)需求進(jìn)一步加深，特別是當(dāng)其工作頻率越來(lái)越高達(dá)到幾十兆赫茲時(shí)，在這種超高頻率下，用實(shí)驗(yàn)的方法來(lái)了解其的響應(yīng)情況很難實(shí)現(xiàn)，這時(shí)可以通過(guò)回線面積與電場(chǎng)幅值E0和頻率F在高頻下的關(guān)系來(lái)外推至超高頻率，從而預(yù)測(cè)在該頻率下的響應(yīng)情況和工作狀態(tài)5。第三，可以了解疇翻轉(zhuǎn)過(guò)程中過(guò)程中動(dòng)力學(xué)行為，比如，通過(guò)動(dòng)力學(xué)標(biāo)度，面積隨頻率的變化關(guān)系可以得到極化翻轉(zhuǎn)的特征時(shí)間，從而推測(cè)材料極化翻轉(zhuǎn)充分進(jìn)行所需時(shí)間，進(jìn)而應(yīng)用于指導(dǎo)電子器件的設(shè)計(jì)和應(yīng)用。24鐵電材料動(dòng)力學(xué)標(biāo)度的研究現(xiàn)狀在二十世紀(jì)初，MRAO等人從三維ON對(duì)稱性的22和23模型推導(dǎo)出回線面積在低頻和高頻時(shí)的標(biāo)度關(guān)系，低頻下2/301/AEF高頻下該標(biāo)度關(guān)系最初是應(yīng)用于鐵磁系統(tǒng)，鑒于鐵電體和鐵磁體的回線形成機(jī)制類似，它進(jìn)而被推廣到鐵電系統(tǒng)中，并通過(guò)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了其合理性。43劉俊明等對(duì)PZT陶瓷、SBT、BNDT085薄膜的進(jìn)行了回線動(dòng)力學(xué)標(biāo)度，得出疇翻轉(zhuǎn)特征時(shí)間1與外電場(chǎng)幅值成反比的結(jié)論。YIMNIRUN等得到軟PZT陶瓷和硬PZT陶瓷在高低E0下的標(biāo)度關(guān)系10,12，得出低電場(chǎng)時(shí)氧空位導(dǎo)致的磁疇釘扎使得兩者標(biāo)度關(guān)系的不同，高電場(chǎng)時(shí)標(biāo)度關(guān)系的主要影響因素變?yōu)榭煞D(zhuǎn)疇的多少。表2各種材料的標(biāo)度關(guān)系材料體系標(biāo)度關(guān)系結(jié)論參考文獻(xiàn)22和23模型F0F1/3E02/3FF1E025AVRAMI模型1EXPF1/DE011PBZR,TIO3薄膜低頻下F1/3E02/3高頻下F1/3E03WEA,E06軟PZT陶瓷低E0F1/3E03高E0F1/4E0110硬PZT陶瓷低E0F043E0319高E0FO2空位的引入影響疇壁的運(yùn)動(dòng)難易程度，高電場(chǎng)下電疇形態(tài)成為標(biāo)度關(guān)系的決定因素。9028E0089BNT薄膜低頻F1/3E02/3高頻F2/3E027SBT9薄膜低頻F2/3E02/3高頻F1/3E02813PLT（PB095LA005TIO3）低頻F2/3E02/3高頻F1/3E02存在電疇翻轉(zhuǎn)的特征時(shí)間且特征時(shí)間E反比于外電場(chǎng)幅值E015由上述研究結(jié)果可以知道，由理論模型推導(dǎo)出的標(biāo)度關(guān)系并不能完全適用于各種不同類型的鐵電材料體系，圖表中各種材料的標(biāo)度關(guān)系并都不相同，通過(guò)對(duì)這些材料體系進(jìn)行標(biāo)度得到了許多有指導(dǎo)意義的結(jié)論。而且關(guān)于取向生長(zhǎng)BI4TI3O12鐵電薄膜的標(biāo)度關(guān)系的研究并沒(méi)有完善，因此對(duì)其動(dòng)力學(xué)標(biāo)度關(guān)系進(jìn)行研究，以了解不同取向晶粒極化翻轉(zhuǎn)的差異，是非常必要的。第三章實(shí)驗(yàn)方法31實(shí)驗(yàn)方案分別對(duì)沿A/B軸擇優(yōu)取向和隨機(jī)取向BI4TI3O12鐵電薄膜進(jìn)行標(biāo)度，得到不同擇優(yōu)取向的BI4TI3O12鐵電薄膜的動(dòng)力學(xué)標(biāo)度關(guān)系，對(duì)比研究標(biāo)度關(guān)系的差異，并對(duì)比其電疇翻轉(zhuǎn)過(guò)程的不同。32測(cè)量電滯回線的原理和方法422鐵電體的自發(fā)極化強(qiáng)度并不是整個(gè)晶體為同一個(gè)方向，而是不同極化方向區(qū)域的疊加，既不同電疇的極化強(qiáng)度矢量疊加。由于熱運(yùn)動(dòng)的影響，不加電場(chǎng)狀態(tài)下鐵電體內(nèi)電疇取向雜亂，不同電疇間極化強(qiáng)度矢量疊加抵消，對(duì)外不呈現(xiàn)極化。外加電場(chǎng)超過(guò)矯頑場(chǎng)后，沿電場(chǎng)方向的電疇通過(guò)成核和疇壁運(yùn)動(dòng)體積擴(kuò)大，其他極化方向的電疇體積減小或消失，宏觀表現(xiàn)出總的極化方向沿外電場(chǎng)方向。所以表面電荷Q同外加電場(chǎng)E之間構(gòu)成出電滯回線關(guān)系，表面電荷Q表征極化強(qiáng)度P。422實(shí)驗(yàn)采用美國(guó)RANDIANTTECHNOLOGY公司生產(chǎn)的RTPREMIER型標(biāo)準(zhǔn)鐵電測(cè)試儀，采用虛地模式進(jìn)行鐵電測(cè)量。測(cè)試波形采用三角波，圖3為測(cè)試波形，1SVOLTAGESTEPSIZEVOLTAGESTEPDELAYSIGNALSAMPLEPOINTTIME/MS圖4測(cè)試電滯回線的脈沖波形VOLTAGE/V首先施加一個(gè)預(yù)極化脈沖將樣品極化到負(fù)極化狀態(tài)，以便在加一個(gè)周期測(cè)試波形后測(cè)得一條完整的電滯回線。間隔一秒后開(kāi)始施加一個(gè)周期的測(cè)量三角波來(lái)測(cè)試記錄數(shù)據(jù)，三角波采用臺(tái)階形電壓，隔一定時(shí)間上升一段電壓，記錄一次數(shù)據(jù)，通過(guò)積分感應(yīng)電流計(jì)算出電極表面電荷，單位面積上的電荷即為剩余極化強(qiáng)度值。即2CQVINTERGAOVLTSSENCAPCITORCMAREAMPAR423薄膜樣品處理方法，用粒子濺射法在BI4TI3O12鐵電薄膜樣品的上表面刷上分離點(diǎn)狀電極，下表面為導(dǎo)電基底，測(cè)試時(shí)，在顯微操作臺(tái)上將兩個(gè)測(cè)量探針輕輕壓在其中兩個(gè)點(diǎn)電極上（要防止刺穿薄膜樣品），即構(gòu)成一個(gè)厚度兩倍于薄膜厚度的電容器結(jié)構(gòu)。424操作步驟1）啟動(dòng)鐵電測(cè)試儀，運(yùn)行鐵電測(cè)試軟件。2）將信號(hào)輸出端和接收端連接到待測(cè)材料電容結(jié)構(gòu)的兩個(gè)電極。3）運(yùn)行電滯回線測(cè)量程序，設(shè)定測(cè)試電壓和頻率進(jìn)行測(cè)試。4）執(zhí)行程序得到電滯回線，并導(dǎo)出數(shù)據(jù)。5）改變測(cè)試的電場(chǎng)強(qiáng)度和頻率測(cè)量一系列電滯回線。33數(shù)據(jù)處理方法1）將導(dǎo)出的TEXT格式文件數(shù)據(jù)用作圖軟件（如ORIGIN）打開(kāi)，繪制電滯回線圖。2）測(cè)量電滯回線的面積，方法為用PHOTOSHOP打開(kāi)電滯回線圖，將回線連接成為封閉回路，選取該封閉回線，查看回線的像素面積S，并測(cè)量橫、豎坐標(biāo)軸的像素長(zhǎng)度分別記錄為X、Y。觀察得到坐標(biāo)軸坐標(biāo)長(zhǎng)度X、Y就可以計(jì)算回線的物理面積，SX/XY/Y，記錄數(shù)據(jù)。3）得到不同頻率F和電場(chǎng)幅值E0下對(duì)應(yīng)的面積，就可以繪制某一電場(chǎng)幅值E0下回線面積隨頻率F的變化圖和某一頻率下回線面積隨電場(chǎng)幅值E0的變化圖。（坐標(biāo)軸調(diào)整為L(zhǎng)OG10形式以便于觀察A、B值的變化）4）觀察隨頻率F的變化圖和回線面積隨電場(chǎng)幅值E0的變化圖，判斷A、B值的變化情況，選取合適的頻率F和電場(chǎng)幅值E0值區(qū)間計(jì)算該區(qū)間（高頻低頻、高電場(chǎng)低電場(chǎng)）下的A、B值。5）計(jì)算指數(shù)A、B方法，A值計(jì)算方法為選取電場(chǎng)E0相同頻率F不同的數(shù)據(jù)組，ALOGA1/A2/LOGF1/F2，對(duì)每組A值求均值，再求出總的均值即為指數(shù)A；B值計(jì)算方法類似，選取不同電場(chǎng)幅值E0相同頻率F的數(shù)據(jù)組，BLOGA1/A2/LOGE01/E02，對(duì)每組B值求均值，再求出總的均值即為指數(shù)B。6）得到A、B值后，計(jì)算不同面積對(duì)應(yīng)的FAE0B值，繪制面積隨FAE0B的變化圖，并進(jìn)行擬合得到擬合優(yōu)度R2。第四章BI4TI3O12薄膜的回線動(dòng)力學(xué)標(biāo)度41隨機(jī)取向BI4TI3O12鐵電薄膜（1）的回線動(dòng)力學(xué)標(biāo)度圖41是隨機(jī)取向BI4TI3O12鐵電薄膜樣品（1）的XRD掃面圖譜與標(biāo)準(zhǔn)粉末衍射圖譜的對(duì)比圖，可以看出該樣品的XRD掃描圖譜與標(biāo)準(zhǔn)粉末衍射圖譜十分相似，（117）衍射峰最強(qiáng)約是（200/020/0012）的五倍左右，這可以證明樣品薄膜結(jié)構(gòu)特征類似于粉末樣品，無(wú)取向分布趨勢(shì)，表明該樣品為隨機(jī)取向BI4TI3O12鐵電薄膜。10203040501010203040500406081720/20/014PT1PTCUK2DEGRINTESITYAU10圖41隨機(jī)取向BI4TI3O12薄膜的X射線衍射圖1086042020460810215050510520PR/C/CM2U/V61KV/CM54820/137KVCFHZ102030405607110/CV/CM3E/KVCMF10HZ圖42A電滯回線及B回線面積隨外電場(chǎng)幅值的變化規(guī)律1055254658/CV/CM3F/HZE052KV/CM806040202040608021001020PR/C/CM2U/V50HZ13Z圖43A電滯回線及B回線面積隨外電場(chǎng)頻率的變化規(guī)律圖42AB為外電場(chǎng)頻率F1000HZ情況下的隨機(jī)取向BI4TI3O12鐵電薄膜電滯回線隨外電場(chǎng)幅值E0的變化關(guān)系，頻率幅值E0范圍136643KV/CM。圖中顯示電滯回線的面積、剩余極化強(qiáng)度PR、矯頑場(chǎng)EC值都隨電場(chǎng)幅值E0的增大而增大，并且其增大趨勢(shì)隨E0的值的增加而趨向平緩，回線形狀趨向飽和，說(shuō)明這時(shí)電疇極化翻轉(zhuǎn)已經(jīng)基本完成。最大剩余極化強(qiáng)度PR小于10C/CM2。圖42AB為外電場(chǎng)幅值E0520KV/CM情況下的隨機(jī)取向BI4TI3O12鐵電薄膜電滯回線隨外電場(chǎng)頻率的變化關(guān)系，頻率范圍是5005000HZ。一般情況下，晶體各向異性越強(qiáng)，極化反轉(zhuǎn)時(shí)的離子位移就會(huì)越大，消耗的能量也越高，宏觀就表現(xiàn)出矯頑場(chǎng)越高，回線矩形度越好。電疇極化翻轉(zhuǎn)需要一段時(shí)間來(lái)完成，所以交變電場(chǎng)的頻率也會(huì)影響電疇翻轉(zhuǎn)的多少，宏觀表現(xiàn)出回線形狀也跟隨隨頻率的變化而變化。圖中顯示測(cè)試區(qū)間內(nèi)電滯回線的面積隨外電場(chǎng)頻率F的增大而單調(diào)減小。通常認(rèn)為，外電場(chǎng)頻率F較小時(shí)疇翻轉(zhuǎn)速度能跟上外電場(chǎng)翻轉(zhuǎn)速率，但是由于疇翻轉(zhuǎn)對(duì)外電場(chǎng)的滯后共振效應(yīng)面積達(dá)不到最大值，隨著外電場(chǎng)頻率F的增大回線面積會(huì)增大；外電場(chǎng)頻率F增大到一定程度后，電場(chǎng)翻轉(zhuǎn)速率超過(guò)電疇翻轉(zhuǎn)速率，會(huì)因一部分疇翻轉(zhuǎn)跟不上外電場(chǎng)變化而導(dǎo)致回線面積隨外電場(chǎng)頻率F的增大而減小。圖形并沒(méi)有出現(xiàn)峰值，說(shuō)明特征時(shí)間對(duì)應(yīng)頻率不包括在測(cè)量區(qū)間內(nèi)，而是在區(qū)間左側(cè)。因此，可以由特征頻率小于04HZ推測(cè)其特征時(shí)間應(yīng)大于25MS。用43中的方法求得標(biāo)度關(guān)系指數(shù)為，A007，B131。因此，標(biāo)度關(guān)系表示為F007E0131，圖44為與F007E0131的關(guān)系圖，用直線擬合，擬合優(yōu)度R20997。101502025030234567850HZ1Z20H5Z340HZ5/CV/CM3F07E013R209974圖44隨機(jī)取向BI4TI3O12鐵電薄膜的擬合圖42A/B軸擇優(yōu)取向BI4TI3O12薄膜（2）的回線動(dòng)力學(xué)標(biāo)度圖45擇優(yōu)取向BI4TI3O12薄膜的X射線衍射圖圖45是A/B軸擇優(yōu)取向BI4TI3O12薄膜樣品（2）的XRD圖譜與標(biāo)準(zhǔn)粉末圖譜的對(duì)比圖，可以看到該樣品的XRD圖譜的（117）衍射峰和（200/020/0012）衍射峰的相對(duì)強(qiáng)度與隨機(jī)取向BI4TI3O12薄膜樣品（1）相比存在較大差異，擇優(yōu)取向BI4TI3O12薄膜樣品的（200/020/0012）衍射峰要強(qiáng)于其（117）衍射峰，強(qiáng)度比值為四倍，可以斷定該樣品在（200/020/0012）衍射峰對(duì)應(yīng)的方向即A/B方向具有較強(qiáng)的擇優(yōu)取向度，可以判斷該樣品是沿A/B軸擇優(yōu)取向的BI4TI3O12薄膜。604020204060430210102304PR/C/CMU/V450KV/CM67/FHZ4505050606507075016718920123245/CV/CME/KVCMF20HZ圖46A電滯回線及B回線面積隨外電場(chǎng)幅值的變化規(guī)律10161718E045KV/CM/CV/CM3F/HZ302101023042010120340PR/C/CM2U/V40HZ1圖47A電滯回線及B回線面積隨外電場(chǎng)頻率的變化規(guī)律圖46AB為外電場(chǎng)頻率F2000HZ情況下的A/B軸擇優(yōu)取向BI4TI3O12鐵電薄膜電滯回線隨外電場(chǎng)幅值E0的變化關(guān)系。觀察電滯回線形狀隨幅值E0的變化可知，在電場(chǎng)幅值E0的測(cè)試區(qū)間（450750KV/CM）內(nèi),回線都趨于飽和。圖中顯示電滯回線的面積、剩余極化強(qiáng)度PR、矯頑場(chǎng)EC值都隨電場(chǎng)幅值E0的增大而增大。最大剩余極化強(qiáng)度值PR在20C/CM2左右。圖47AB為外電場(chǎng)幅值E0450KV/CM情況下的隨機(jī)取向BI4TI3O12鐵電薄膜電滯回線隨外電場(chǎng)頻率的變化關(guān)系。頻率區(qū)間為4006000HZ，圖中顯示電滯回線的面積隨外電場(chǎng)頻率F的增大而減小。同樣沒(méi)有出現(xiàn)峰值，說(shuō)明E0450KV/CM對(duì)應(yīng)的特征頻率小于500HZ，所以特征時(shí)間大于2MS。求得標(biāo)度關(guān)系指數(shù)為A005，B0917，標(biāo)度關(guān)系為F005E00917。圖48為圖44為隨F005E00917變化的關(guān)系圖，用直線擬合，擬合優(yōu)度R20967。8101214161820216204283640450KV/CM26/75KVC0/M/CV/CMF05E097R20967圖48擬合圖43A/B軸擇優(yōu)取向BI4TI3O12薄膜（3）的回線動(dòng)力學(xué)標(biāo)度10203040501020304050100406081720/2014PT1TCUK2DEGRINTESITYAU10圖49A/B軸擇優(yōu)取向BI4TI3O12薄膜的X射線衍射圖圖49是A/B軸擇優(yōu)取向BI4TI3O12薄膜樣品（3）的XRD圖譜與標(biāo)準(zhǔn)粉末圖譜的對(duì)比圖，可以看到該樣品的XRD圖譜的（117）衍射峰和（200/020/0012）衍射峰的相對(duì)強(qiáng)度比值更大，擇優(yōu)取向3樣品的（200/020/0012）衍射峰要遠(yuǎn)遠(yuǎn)強(qiáng)于其（117）衍射峰，強(qiáng)度比超過(guò)八倍，可以斷定該樣品在（200/020/0012）衍射峰對(duì)應(yīng)的方向即A/B方向具有很高的擇優(yōu)取向度，并且其擇優(yōu)取向度要高于2樣品。4020020408040480PR/C/CM2U/V13KV/CM967/KVC2040608010201411010/CV/CM3EKV/CMF150HZ圖410A電滯回線及B回線面積隨外電場(chǎng)幅值的變化規(guī)律1010901010120/CV/CM3F/HZE012KV/CM4020020401086042020460810PR/C/CMU/V40HZ820Z圖411A電滯回線及B回線面積隨外電場(chǎng)頻率的變化規(guī)律圖410AB是外電場(chǎng)頻率F1500HZ情況下的A/B軸擇優(yōu)取向BI4TI3O12鐵電薄膜的電滯回線隨外電場(chǎng)幅值E0（區(qū)間為3331333KV/CM）的變化關(guān)系，圖中顯示電滯回線的面積、剩余極化強(qiáng)度PR、矯頑場(chǎng)EC值都隨電場(chǎng)幅值E0的增大而增大，并且其增大趨勢(shì)隨E0的值的增加而趨向平緩，回線形狀趨向飽和。最大剩余極化強(qiáng)度PR值在50C/CM2左右。圖410AB為外電場(chǎng)幅值E01200KV/CM情況下的A/B軸擇優(yōu)取向BI4TI3O12鐵電薄膜電滯回線隨外電場(chǎng)頻率（頻率區(qū)間為3338000HZ）的變化關(guān)系。圖中顯示，低頻階段，電滯回線的面積隨頻率F的增加而增加，這時(shí)電疇翻轉(zhuǎn)速率能跟得上外電場(chǎng)翻轉(zhuǎn)；當(dāng)電場(chǎng)頻率增加到高頻階段后，面積隨頻率F的增加而減小，說(shuō)明這時(shí)電疇翻轉(zhuǎn)的速率跟不上外電場(chǎng)翻轉(zhuǎn)速率了。圖410（B）峰值在1000HZ1500HZ之間，特征時(shí)間E為09MS左右。由圖410B，A值在高頻和低頻不同，分別在高頻和低頻條件下求解。得到的標(biāo)度關(guān)系分別為，低頻下（FF0043E008，高頻F1000HZ下F021E008。圖412和圖413分別為高頻和低頻的擬合圖，擬合優(yōu)度R2分別為098和0982。253035408010120140150HZ240Z5HZ670Z8/CV/CM3F21E08202242610101201303HZ5067Z80H9/CV/CM3F043E08R2098圖412高頻擬合圖圖413低頻擬合圖44BI4TI3O12鐵電薄膜的標(biāo)度關(guān)系的比較及結(jié)論表3各樣品的標(biāo)度關(guān)系的對(duì)比圖樣品（峰值比）取向度標(biāo)度關(guān)系1（5/1）隨機(jī)取向F007E013121/4A/B軸低擇優(yōu)取向度F005E0091731/8）A/B軸高擇優(yōu)取向度低頻下F0043E008高頻下F021E008理論模型F0F1/3E02/3FF1E021三種取向度的BI4TI3O12薄膜的標(biāo)度關(guān)系均與22和23模型不同，這是因?yàn)閷?shí)際薄膜中疇翻轉(zhuǎn)過(guò)程不僅受頻率和和幅值的影響，薄膜中的缺陷引起的疇壁釘扎對(duì)疇翻轉(zhuǎn)過(guò)程也有影響。2指數(shù)A反映了回線面積隨電場(chǎng)頻率F變化的快慢，指數(shù)A為正值時(shí)，回線面積隨電場(chǎng)頻率F的增大而增大；指數(shù)A為負(fù)值時(shí)，回線面積隨電場(chǎng)頻率F的增大而減小。隨機(jī)取向BI4TI3O12薄膜（621）的標(biāo)度關(guān)系中，指數(shù)A在測(cè)試區(qū)間（5005000HZ）內(nèi)為負(fù)值，說(shuō)明測(cè)試區(qū)間內(nèi)，隨外電場(chǎng)頻率增加隨機(jī)取向BI4TI3O12薄膜中有越來(lái)越多的疇翻轉(zhuǎn)速率跟不上外電場(chǎng)的變化。同樣的，在A/B軸低擇優(yōu)取向度BI4TI3O12薄膜（2）的測(cè)試區(qū)間（10006000HZ）內(nèi)，指數(shù)A也是負(fù)值，說(shuō)明隨電場(chǎng)頻率F增加有越來(lái)越多的疇翻轉(zhuǎn)速率跟不上外電場(chǎng)的變化。而在A/B軸高擇優(yōu)取向度BI4TI3O12薄膜（3的標(biāo)度關(guān)系中，指數(shù)A在低頻段為正值，說(shuō)明頻率較低時(shí)回線面積隨電場(chǎng)頻率F的增加而增加（幅度很?。@時(shí)電疇翻轉(zhuǎn)速率能跟得上外電場(chǎng)的變化；頻率增大到高頻段后指數(shù)A變?yōu)樨?fù)值，這時(shí)A/B軸高擇優(yōu)取向度BI4TI3O12薄膜的回線面積隨電場(chǎng)頻率F的增大而減小。對(duì)比同一電場(chǎng)幅值E0下回線面積隨頻率F的變化及A值大小，可以得出同一電場(chǎng)幅值E0下，隨機(jī)取向BI4TI3O12薄膜中疇翻轉(zhuǎn)速率比A/B軸擇優(yōu)取向BI4TI3O12薄膜的要慢。3指數(shù)B的大小反映回線面積隨電場(chǎng)幅值E0變化的快慢。在高電場(chǎng)高頻條件下，B值大小為22和23模型隨機(jī)取向A/B軸低取向度A/B軸高取向度,這說(shuō)明BI4TI3O12薄膜的回線面積受電場(chǎng)幅值的影響比起22和23型要小，而且這種影響隨著沿A/B軸擇優(yōu)取向度的提高而減小。101011010123/CV/CM3E0/KV/CM圖414隨E0變化對(duì)比圖2000HZ圖414是F2000HZ條件下三種薄膜樣品的回線面積隨外電場(chǎng)幅值的變化對(duì)比圖?？梢缘弥?，當(dāng)回線達(dá)到飽和時(shí)，隨機(jī)取向樣品（1），A/B軸低擇優(yōu)取向度樣品（2）和A/B軸高擇優(yōu)取向度樣品（3）三者回線面積相比較，隨機(jī)取向樣品的回線面積要小于A/B軸低擇優(yōu)取向度樣品小于A/B軸高擇優(yōu)取向度樣品，這說(shuō)明隨機(jī)取向BI4TI3O12鐵電薄膜翻轉(zhuǎn)過(guò)程中消耗的能量隨取向度的增大而增大?？梢哉J(rèn)為，鐵電疇翻轉(zhuǎn)消耗能量為，其中COSEVPWSV是晶?；蚓Ш说捏w積，PS電疇自發(fā)極化矢量，E為外電場(chǎng)，是自發(fā)極化矢量PS與外電場(chǎng)E之間的夾角2。翻轉(zhuǎn)過(guò)程中消耗的總能量等于對(duì)應(yīng)不同的電疇消耗能量的積分。隨機(jī)取向BI4TI3O12鐵電薄膜中電疇取向方向分布平均，而沿A/B軸擇優(yōu)取向BI4TI3O12薄膜的電疇取向方向分布與電場(chǎng)方向趨于一致（|0，|COS|1），因此總的積分值會(huì)增大。所以A/B軸擇優(yōu)取向BI4TI3O12薄膜大于隨機(jī)取向BI4TI3O12鐵電薄膜翻轉(zhuǎn)過(guò)程中消耗的能量。BI4TI3O12薄膜中只包含90和180疇及反向疇14。90疇翻轉(zhuǎn)的過(guò)程中伴隨著應(yīng)變能，所以90疇一般發(fā)生在較高的外加電場(chǎng)作用下。在A/B軸擇優(yōu)取向的BI4TI3O12薄膜中，電場(chǎng)幅值E0較低時(shí)，對(duì)應(yīng)于非A/B軸取向晶粒180疇的極化翻轉(zhuǎn)，隨著電場(chǎng)幅值E0的增大，對(duì)應(yīng)于非A/B軸取向晶粒90疇及沿A軸取向的晶粒180疇的極化翻轉(zhuǎn)，最后是沿B軸取向的晶粒90疇的極化翻轉(zhuǎn)。不同取向電疇消耗的能量不同，發(fā)生極化翻轉(zhuǎn)所需的外電場(chǎng)值也不同，與外電場(chǎng)方向越接近平行越易翻轉(zhuǎn)。隨機(jī)取向BI4TI3O12鐵電薄膜中電疇取向方向分布平均，隨著E0值增大，電疇按照對(duì)應(yīng)|COS|值由大到?。O化翻轉(zhuǎn)由難到易）依次翻轉(zhuǎn)，回線面積隨E0變化表現(xiàn)出變化較為平緩。A/B軸擇優(yōu)取向BI4TI3O12薄膜中電疇方向分布不平均，|COS|接近1（易翻轉(zhuǎn)）的電疇多，其他方向分布的電疇（翻轉(zhuǎn)隨|COS|的變小而變得困難）相對(duì)較少，因此其隨E0變化表現(xiàn)出隨電場(chǎng)變大迅速增大，易翻轉(zhuǎn)電疇翻轉(zhuǎn)完成后，難翻轉(zhuǎn)電疇開(kāi)始翻轉(zhuǎn)，但與隨機(jī)取向薄膜相比數(shù)量要少，因此隨E0的增加會(huì)更平緩。如圖414所示，這在標(biāo)度關(guān)系中的表現(xiàn)就是飽和回線的標(biāo)度指數(shù)中B值大小關(guān)系為，隨機(jī)取向大于A/B軸擇優(yōu)取向。結(jié)論1結(jié)果表明，高電場(chǎng)條件下隨機(jī)取向BI4TI3O12薄膜的標(biāo)度關(guān)系為F007E0131。A/B軸低擇優(yōu)取向度的BI4TI3O12鐵電薄膜的標(biāo)度關(guān)系為F005E00917。A/B軸高擇優(yōu)取向度的BI4TI3O12鐵電薄膜的標(biāo)度關(guān)系為低頻段F0043E008；高頻段F021E008。2BI4TI3O12薄膜飽和回線面積，即電疇翻轉(zhuǎn)消耗的總能量，隨A/B軸取向度的增強(qiáng)而增大。3BI4TI3O12薄膜取向度越高，飽和回線對(duì)應(yīng)的疇翻轉(zhuǎn)越充分。致謝本文是在導(dǎo)師盧朝靖教授和張永成老師的悉心指導(dǎo)下完成的。盧老師誨人不倦的高尚情操、勤奮嚴(yán)謹(jǐn)?shù)闹螌W(xué)風(fēng)范和淵博的學(xué)識(shí)將使我終身受益。研究選題體現(xiàn)了導(dǎo)師高瞻遠(yuǎn)矚開(kāi)闊敏銳的思維，實(shí)驗(yàn)工作凝聚了導(dǎo)師大量的心血。在此，謹(jǐn)向盧老師表示誠(chéng)摯的感謝和深深的敬意。特別感謝張永成老師在鐵電性能測(cè)試方面與回線動(dòng)力學(xué)標(biāo)度方面給予我耐心細(xì)致具體的指導(dǎo)。感謝實(shí)驗(yàn)室?guī)熜謳熃愫屯瑢W(xué)對(duì)我的支持、鼓勵(lì)和幫助。最后衷心感謝我的父母，感謝他們給予我無(wú)私的愛(ài)與堅(jiān)強(qiáng)的支持參考文獻(xiàn)1殷之文電介質(zhì)物理學(xué)M北京科學(xué)出版社,20032李超,葉萬(wàn)能,張永成等沿A/B軸擇優(yōu)取向BI4TI3O12鐵電薄膜的回線動(dòng)力學(xué)標(biāo)度青島大學(xué)學(xué)報(bào)自然科學(xué)版,2010,23212163喬燕BI4TI3O12鐵電薄膜及鐵電儲(chǔ)存器江漢大學(xué)學(xué)報(bào)（自然科學(xué)版），200401002034SCOTTJFINTHINFILMFERROELECTRICMATERIALSANDDEVICES,EDITEDBYRRAMESHKLUWERACADEMIC,BOSTON,1997,P1155LISP,CAOWWANDCROSSLETHEEXTRINSICNATUREOFNONLINEARBEHAVIOROBSERVEDINLEADZIRCONATETITANATEFERROELECTRICCERAMICJJAPPLPHYS,1991,69721972246RAOMANDPANDITRMAGNETICANDTHERMALHYSTERESISINTHEONSYMMETRIC23MODELJPHYSREVB,1991,43337333867LIUJM,CHANHL,LCHOYCSCALINGBEHAVIOROFDYNAMICHYSTERESISINMULTIDOMAINSPINSYSTEMSJMATERLETT2002,522132198LIUJM,PANB,YUH,ETALDYNAMICHYSTERESISDISPERSIONSCALINGOFFERROELECTRICNDSUBSTITUTEDBI4TI3O12THINFILMSJJPHYSCONMATT,2004,16118911959LIUJM,YUH,PANB,ETALDYNAMICSCALINGOFHYSTERESISDISPERSIONINFERROELECTRICSJMATERSCIEANDENGIB,2005,1182610YIMNIRUNR,LAOSIRITAWORNY,WONGSAENMAIS,ETALSCALINGBEHAVIOROFDYNAMICHYSTERESISINSOFTLEADZIRCONATETITANATEBULKCERAMICSJAPPLPHYSLETT,2006,8916290111ORIHARAH,HASHIMOTOS,ISHIBASHIYATHEORYOFDEHYSTERESISLOOPBASEDONTHEAVRAMIMODELJJPHYSSOCJPN,1994,631031103512YIMNIRUNR,WONGMANEERUNGR,WONGSAENMAIS,ETALDYNAMICHYSTERESISANDSCALINGBEHAVIOROFHARDLEADZIRCONATETITANATEBULKCERAMICSJAPPLPHYSLETT,2007,9011290813CHAPMANDWSOMETHINFILMPROPERTIESOFANEWFERROELECTRICCOMPOSITIONJJAPPLPHYS,1969,402381238514DINGY,LIUJS,QINHX,ETALWHYLANTHANUMSUBSTITUTEDBISMUTHTITANATEBECOMESFATIGUEFREEINAFERROELECTRICCAPACITORWITHPLATINUMELECTRODESJAPPLPHYSLETT,2001,784175417715LIUJM,YUH,PANB,CHEN,X,Y,ETALDYNAMICSCALINGOFHYSTERESISDISPERSIONINFERROELECTRICSJMATERSCIEANDENGIB,2005,11826A您好，為你提供優(yōu)秀的畢業(yè)論文參考資料，請(qǐng)您刪除以下內(nèi)容，O_O謝謝ANATIONALSURVEYWASRECENTLYLAUNCHEDTOEVALUATETHEEYEHEALTHOFCHINESECHILDRENANDTEENAGERSONJUNE6,CHINASANNUALNATIONALDAYFOREYECARE,THECHINAYOUTHDEVELOPMENTSERVICECENTERANDZHEJIANGMEDICINE,ALEADINGLISTEDCHINESEPHARMACEUTICALCOMPANY,JOINTLYANNOUNCEDTHEKICKOFFOFTHESURVEYINABOUTONEMONTH,AQUESTIONNAIRECOMPILEDBYTOPEYECAREMEDICALEXPERTSINCHINAWILLBEDISTRIBUTEDTHROUGHMULTIPLEONLINEPARTNERS,INCLUDINGHEALTHSOHUCOM,ASWELLASTHROUGHOFFLINESURVEYEVENTSHELDINUNIVERSITIES,MIDDLESCHOOLSANDPRIMARYSCHOOLSACROSSTHECOUNTRYAREPORTWILLBERELEASEDBASEDONTHESURVEYSTATISTICSANDANALYSIS,ANDMOSTIMPORTANTLY,GUIDELINESFORPARENTSANDYOUTHONHOWTOCAREFORTHEEYESANDPREVENTMYOPIAAGROWINGPROBLEMINCHINASDIGITIZEDSOCIETY,WILLALSOBEATTACHEDONTHEREPORT“MYOPIAISNOTONLYADISEASETHATMAKESPEOPLESEETHINGSBLURRILY,BUTALSOLEADSTOSEVERECOMPLICATIONS,SUCHASGLAUCOMAINCREASEDPRESSUREWITHINTHEEYEBALL,ANDCANCAUSEBLINDNESS,“SAIDZHOUYUEHUA,ANESTABLISHEDEYECARESPECIALISTWITHBEIJINGTONGRENHOSPITAL“ITISVERYIMPORTANTFORPARENTSANDCHILDRENTOKNOWABOUTTHERISKANDCAREFORTHEIREYES“THEREAREABOUT450MILLIONMYOPIAPATIENTSINCHINAAMONGCHINESEMYOPIAPATIENTS,30MILLIONARESEVEREPATIENTS,ACCORDINGTOZHOUTHEPREVALENCEOFMYOPIAAMONGHIGHSCHOOLANDCOLLEGESTUDENTSISMORETHAN70PERCENT,ANDTHESITUATIONISCONTINUOUSLYWORSENING,HEADDEDSUNZHU,DIRECTORWITHTHECHINAYOUTHDEVELOPMENTSERVICECENTER,SAIDLONGHOURSOFSTUDY,LACKOFEXERCISE,ESPECIALLYOUTDOORACTIVITIES,ANDATTACHMENTTOELECTRONICSCREENARESOMEOFTHETOPREASONSBEHINDTHEWIDESPREADMYOPIAPROBLEMS,ANDTHEINCREASEOFYOUNGERPATIENTS,ALTHOUGHCHINAHASMADEGREATPROGRESSINIMPROVINGTHEHARDWAREFACILITIESANDLIGHTINGCONDITIONSINSCHOOLSHESAIDHEHOPESTHESURVEYWILLALERTPEOPLEONTHETHREATENINGSITUATION,ANDALSOHELPMEDICALEXPERTSTOBETTERGUIDELINEPARENTSANDCHILDRENSBEHAVIORSTOCAREFOREYES,BASEDONTHETIMELYANDFACTUALSTATISTICSTHESURVEYCOLLECTEDASERIESOFFOLLOWUPEVENTSWILLALSOBEHELDINSIXCITIES,INCLUDINGJINANINSHANDONGPROVINCE,ANDCHANGSHAINHUNANPROVINCE,TOEDUCATEPEOPLEONHOWTOCAREFOREYESAFTERTHESURVEYSTARTEDMOREANDMORECHINESEAREJOGGINGTOGETANDSTAYFITMOSTJOGGERSWILLRUNALONE,BUTSOMEWILLJOGWITHFRIENDSOREVENCOACHESTHEBEIJINGOLYMPICFORESTPARKISONEOFTHEMOSTPOPULARSPOTSITISPACKEDWITHRUNNERSINTHEAFTERNOON,USUALLYAFTERWORK,ANDATWEEKENDSJOGGINGAFTERAWHOLEDAYSWORKCANBEAWAYTOUNWINDITISTRUEFORHEWENJUN,WHOSEWORKPLACEISRIGHTNEARTHEFORESTPARKSHEDISCOVEREDHERATHLETICAPTITUDEATTHEAGEOFSEVEN,WHENSHEBEGANPLAYINGTENNISTHENSHETURNEDTOJOGGING,ANDSHEHASPERSEVEREDWITHITFOR10YEARS“ICOMETOJOGALMOSTEVERYDAYAFTERWORK,WHENEVERIHAVETIMEITHINKJOGGINGISGOODFORMYHEALTHANDFORME,AGIRL,ITHELPSMETOACHIEVETOETERNALGOAL,TOKEEPSLIM,“HESAIDHESAYSSHEPREFERSJOGGINGALONE,SOSHECANFOCUSBETTERSHELOVESJOGGING,EVENDURINGBEIJINGSSMOGGYDAYS“IFTHESMOGISSEVERE,ILLHOLDOFFJOGGINGFORAWHILEBUTIFIREALLYWANTTOGETAWAYFROMWORK,ILLWEARAMASK,ORJUSTIGNORETHESMOGANDGOONJOGGING,“SHESAIDFORTHOSEWHOARENOTSOATHLETIC,JOGGINGALSOHASITSATTRACTIONSWUHOUBINSTARTEDROUGHLYTWOYEARSAGO,WHENHEWASSEVERELYOBESEWITHINTWOMONTHS,HISWEIGHTDROPPEDFROM82KILOGRAMSTO64KILOGRAMSTHESUCCESSHELPEDHIMRECOVERHEALTH,ANDHEHASMADEFRIENDS“JOGGINGDOESNOTREQUIRESPEED,BUTSTAMINAIFYOUWANTTOSTICKTOTHEGAME,YOUNEEDTOTAKEITASAMISSION,AHABIT,ANDTHENEVENTUALLYAHOBBY,“WUSAIDBUTPERSEVERINGWITHJOGGINGISNOTALWAYSEASYJOGGINGISBENEFICIALFORHEARTLUNGFUNCTION,ANDTHESKELETALSYSTEM,BUTDOCTORSSAYIMPROPERTECHNIQUEDAMAGESTHEJOINTS,ESPECIALLYTHEKNEESANDANKLES“EXCESSIVEJOGGINGWEARSDOWNTHEBODY,ANDHARMSONESHEALTHPOORTECHNIQUEHARMSTHEMUSCLESANDSKELETON,ANDCANCAUSESECONDARYINJURESAND,JOGGINGINABADENVIRONMENTCANCAUSECIRCULATIONPROBLEMS,“SAIDLUZHIYONG,ATTENDINGDOCTOR,SPORTSHOSPITAL,GENERALADMINOFSPORTSDRLUHASSOMETIPSFORJOGGERS,ANDTHOSEWHOARETHINKINGOFTAKINGITUPHESAYSPEOPLESHOULDFIRSTEVALUATETHEIRPHYSICALCONDITION,TODECIDETHEAMOUNTANDTYPEOFEXERCISE,ANDJOGGINGINTHEOPENAIRISBETTERRUNNINGONATREADMILLCONRADMACAOWILLRUNSPECIALPROGRAMSFORT