2019版高考化學(xué)一輪復(fù)習(xí)方案:選修3物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì) 3 第3講 課后達(dá)標(biāo)訓(xùn)練(含解析) .doc_第1頁(yè)
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文檔簡(jiǎn)介

1、課后達(dá)標(biāo)訓(xùn)練一、選擇題1下列晶體分類中正確的一組是()選項(xiàng)離子晶體原子晶體分子晶體ANaOH晶體氬SO2BH2SO4石墨SCCH3COONa水晶DBa(OH)2金剛石玻璃解析:選C。A項(xiàng)中晶體氬為分子晶體;B項(xiàng)中H2SO4為分子晶體,石墨為混合型晶體;D項(xiàng)中玻璃為非晶體。2(2018衡水中學(xué)高三調(diào)研)據(jù)某科學(xué)雜志報(bào)道,國(guó)外有一研究發(fā)現(xiàn)了一種新的球形分子,它的分子式為C60Si60,其分子結(jié)構(gòu)好似中國(guó)傳統(tǒng)工藝品“鏤雕”,經(jīng)測(cè)定其中包含C60,也有Si60結(jié)構(gòu)。下列敘述正確的是()A該物質(zhì)有很高的熔點(diǎn)、很大的硬度B該物質(zhì)形成的晶體屬于分子晶體C該物質(zhì)分子中Si60被包裹在C60里面D該物質(zhì)的相對(duì)分

2、子質(zhì)量為1 200解析:選B。由分子式及信息可知該物質(zhì)為分子晶體,A錯(cuò)誤,B正確;Si的原子半徑大于C,所以Si60的體積大于C60的體積,C錯(cuò)誤;相對(duì)分子質(zhì)量為(1228)602 400,D錯(cuò)誤。3(2015高考上海卷)下列有關(guān)物質(zhì)性質(zhì)的比較,錯(cuò)誤的是()A溶解度:小蘇打水C硬度:晶體硅苯解析:選D。A.小蘇打能溶于水,蘇打易溶于水,因此溶解度:小蘇打1 g/mL,而水的密度等于1 g/mL,因此密度:溴乙烷水,正確。C.晶體硅、金剛石都是原子晶體,原子之間通過(guò)共價(jià)鍵結(jié)合,由于原子半徑:CSiSi,共價(jià)鍵越強(qiáng),原子結(jié)合得就越牢固,物質(zhì)的硬度就越大,所以物質(zhì)的硬度:晶體硅金剛石,正確。D.乙烯

3、分子中碳碳鍵是碳碳雙鍵,而苯分子中的碳碳鍵是一種介于碳碳單鍵和碳碳雙鍵之間的特殊的化學(xué)鍵,所以鍵長(zhǎng):乙烯H2S(3)三角錐形sp3PCl3(4)ZnS4.1(5)4011如圖為CaF2、H3BO3(層狀結(jié)構(gòu),層內(nèi)的H3BO3分子通過(guò)氫鍵結(jié)合)、金屬銅三種晶體的結(jié)構(gòu)示意圖,請(qǐng)回答下列問(wèn)題。(1)圖所示的CaF2晶體中與Ca2最近且等距離的F的個(gè)數(shù)為_(kāi)。圖中未標(biāo)號(hào)的銅原子形成晶體后周圍最緊鄰的銅原子數(shù)為_(kāi)個(gè)。(2)圖所示的物質(zhì)結(jié)構(gòu)中最外層已達(dá)8電子結(jié)構(gòu)的原子是_,H3BO3晶體中B原子個(gè)數(shù)與極性鍵個(gè)數(shù)比為_(kāi)。(3)金屬銅具有很好的延展性、導(dǎo)電性、導(dǎo)熱性,對(duì)此現(xiàn)象最簡(jiǎn)單的解釋是用_理論。(4)三種晶

4、體中熔點(diǎn)最低的是_(填化學(xué)式),其晶體受熱熔化時(shí),克服的微粒之間的相互作用為_(kāi)。(5)已知兩個(gè)距離最近的Ca2核間距為a108 cm,結(jié)合CaF2晶體的晶胞示意圖,CaF2晶體的密度為_(kāi)。解析:(1)CaF2晶體中Ca2的配位數(shù)為8,F(xiàn)的配位數(shù)為4,Ca2和F個(gè)數(shù)比為12;銅晶體中未標(biāo)號(hào)的銅原子周圍最緊鄰的銅原子為上層的1、2、3,同層的4、5、6、7、8、9,下層的10、11、12,共12個(gè)。(2)圖中B原子最外層三個(gè)電子形成三條共價(jià)鍵,最外層共6個(gè)電子,H原子達(dá)到2電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu),只有氧原子形成兩條共價(jià)鍵達(dá)到8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)。H3BO3晶體是分子晶體,相互之間通過(guò)氫鍵相連,每個(gè)B原子形成三條B

5、O極性鍵,每個(gè)O原子形成一條OH極性鍵,共六條極性鍵。(3)電子氣理論把金屬鍵描述為金屬原子脫落下來(lái)的價(jià)電子形成遍布整塊晶體的“電子氣”,被所有原子所共用,從而把所有的金屬原子維系在一起,可以用來(lái)解釋金屬鍵的本質(zhì),金屬的延展性、導(dǎo)電性、導(dǎo)熱性。(4)H3BO3晶體是分子晶體,熔點(diǎn)最低,受熱熔化時(shí)克服分子間作用力。(5)一個(gè)CaF2晶胞中實(shí)際擁有的離子數(shù):Ca2數(shù)為864,而F數(shù)為8,從而確定1個(gè)晶胞實(shí)際擁有4個(gè)“CaF2”,則CaF2晶體的密度為478 gmol1(a108 cm)36.021023 mol1 gcm3。答案:(1)812(2)O16(3)電子氣(4)H3BO3分子間作用力(5

6、) gcm312太陽(yáng)能的開(kāi)發(fā)利用在新能源研究中占據(jù)重要地位。單晶硅太陽(yáng)能電池片在加工時(shí),一般摻雜微量的锎、硼、鎵、硒等?;卮鹣铝袉?wèn)題:(1)二價(jià)銅離子的核外電子排布式為_(kāi)。已知高溫下Cu2O比CuO更穩(wěn)定,試從銅原子核外電子結(jié)構(gòu)變化角度解釋:_。(2)硼元素具有缺電子性,其化合物可與具有孤電子對(duì)的分子或離子形成配合物,如BF3能與NH3反應(yīng)生成BF3NH3。在BF3NH3中B原子的雜化方式為_(kāi),B與N之間形成配位鍵,氮原子提供_。(3)六方氮化硼晶體結(jié)構(gòu)與石墨晶體相似,層間相互作用為_(kāi)。六方氮化硼在高溫高壓下,可以轉(zhuǎn)化為立方氮化硼,其結(jié)構(gòu)(如圖1)和硬度都與金剛石相似,晶胞邊長(zhǎng)為361.5 p

7、m,立方氮化硼的密度是_gcm3。(只要求列算式)。(4)圖2是立方氮化硼晶胞沿z軸的投影圖,請(qǐng)?jiān)趫D中圓球上涂“”和涂“”分別標(biāo)明B與N的相對(duì)位置。解析:(1)Cu是29號(hào)元素,其原子核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d104s1,Cu原子失去一個(gè)4s電子、一個(gè)3d電子生成二價(jià)銅離子,則其核外電子排布式為1s22s22p63s23p63d9;原子軌道中電子處于半充滿、全充滿、全空狀態(tài)時(shí)最穩(wěn)定,二價(jià)銅離子的價(jià)電子排布式為3d9、亞銅離子的價(jià)電子排布式為3d10,亞銅離子核外電子處于穩(wěn)定的全充滿狀態(tài),所以Cu2O比CuO更穩(wěn)定。(2)在BF3NH3中B原子的價(jià)層電子對(duì)數(shù)是4,根據(jù)價(jià)層電子對(duì)互斥理論可知B原子的雜化方式為sp3,B與N之間形成配位鍵,N原子含有孤電子對(duì),所以氮原子提供孤電子對(duì)。(3)六方氮化硼結(jié)構(gòu)與石墨相似,層間相互作用為范德華力;立方氮化硼晶胞的邊長(zhǎng)為361.5 pm361.51010 cm,晶胞體積(361.51010 cm)3,該晶胞中N原子個(gè)數(shù)為4,B原子個(gè)數(shù)為4,立方氮化硼的密度為 gcm3。(4)所給題圖是立方氮化硼晶胞沿z軸的投影圖,每個(gè)N原子被4個(gè)B原子共用,

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