芯片內(nèi)部結(jié)構(gòu)ppt課件

1、電源管理芯片樣品模組結(jié)構(gòu)分析,2017年4月,1,2,正面,底面,激光打標(biāo)AGRG22-191未搜到芯片datasheet,整版鍍錫后再切割,一、電源管理樣片結(jié)構(gòu),1.外觀,3,CT,201205尺寸功率電感,半導(dǎo)體IC,2.內(nèi)部結(jié)構(gòu),4,3.底部焊盤結(jié)構(gòu),只有1層，16um厚，成分為錫；與銅電極界面無其他金屬,工藝可能是電極顯露后直接鍍錫,放大,5,4.內(nèi)部電極電路,電極總厚200um，成分為銅，無層狀分界界面；形貌上有2個弧形，高度分別是130um/70um；推測是整版銅片正反兩次蝕刻形成；,6,5.封裝樹脂,封裝樹脂為硅基，PCB電極平面處未發(fā)現(xiàn)層狀界面，推測為一次封裝成型；,7,模組尺

2、寸3.0*2.5*0.9mm,功率電感尺寸2.0*1.2*0.5mm,半導(dǎo)體IC尺寸（加引腳）1.4*0.9*0.3mm,6.內(nèi)部器件及尺寸,8,7.內(nèi)部功率電感,端留邊0.12mm，側(cè)留邊0.14mm，電極寬0.2mm，電極厚0.02mm，產(chǎn)品高度0.5mm,有效圈數(shù)4.5（推測RDC在75-95m）,從引出端及連接點(diǎn)方式推測，疑似FDK的功率電感MIPSUZ2012GR47，0.47uH,RDC 100m30%，Isat 1.5A;,3層夾層,磁體為鎳銅鋅鐵氧體,9,8.電感端頭及焊盤結(jié)構(gòu),沾銀層,鎳層,錫層,焊接錫,錫-銅層,PCB銅電極,內(nèi)部焊盤結(jié)構(gòu)推測：無專用焊盤，直接在銅電極上點(diǎn)錫

3、焊接電感及半導(dǎo)體芯片；,10,9.半導(dǎo)體IC,半導(dǎo)體IC尺寸（加引腳）1.4*0.9*0.26mm,半導(dǎo)體部分：180um,電極接口部分：15um,電極引出部分：65um,樹脂形貌相同，推測IC未做樹脂封裝，直接焊接在銅電極上,樹脂有層界面，上邊無顆粒層應(yīng)為IC引出電路保護(hù)層；銅柱引出電極應(yīng)是與IC一體；,半裸IC,11,推測芯片焊接方式與電感一致，即將裸芯片放置在錫膏上，過回流焊爐完成焊接；,10.半導(dǎo)體IC電極引出銅柱焊接,Sn-Cu界面層,Sn焊接,樹脂有界面，推測上部無顆粒部分為IC引出電路保護(hù)層,高純度Cu,12,11.半導(dǎo)體IC電極引出封裝結(jié)構(gòu),IC半導(dǎo)體主體,電極引出觸點(diǎn)Al金屬層,微電路W金屬層,隔層Al金屬層,隔層Al金屬層,微電路W金屬層,引出電路保護(hù)碳層,13,1,2,3,4,PCB銅電極層,PCB內(nèi)部焊接點(diǎn),各層磨片尺寸,器件層,底部焊盤,14,一、電源管理樣片結(jié)構(gòu),12.總結(jié),銅片,正反兩面蝕刻,點(diǎn)錫,貼器件,回