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文檔簡介
1、,6 模擬集成電路,6.1 模擬集成電路中的直流偏置技術(shù),6.3 差分式放大電路的傳輸特性,6.4 集成電路運算放大器,6.5 實際集成運算放大器的主要參數(shù)和對應(yīng) 用電路的影響,6.2 差分式放大電路,6.1 模擬集成電路中的直流偏置技術(shù),6.1.1 BJT電流源電路,6.1.2 FET電流源,1. 鏡像電流源,2. 微電流源,3. 高輸出阻抗電流源,4. 組合電流源,1. MOSFET鏡像電流源,2. MOSFET多路電流源,3. JFET電流源,6.1.1 BJT電流源電路,1. 鏡像電流源,T1、T2的參數(shù)全同,即12,ICEO1ICEO2,當BJT的較大時,基極電流IB可以忽略,IoI
2、C2IREF,代表符號,6.1.1 BJT電流源電路,1. 鏡像電流源,動態(tài)電阻,一般ro在幾百千歐以上,6.1.1 BJT電流源電路,2. 微電流源,所以IC2也很小。,rorce2(1 ),(參考射極偏置共射放大電路的輸出電阻 ),A1和A3分別是T1和T3的相對結(jié)面積,動態(tài)輸出電阻ro遠比微電流源的動態(tài)輸出電阻為高,6.1.1 BJT電流源電路,3. 高輸出阻抗電流源,6.1.1 BJT電流源電路,4. 組合電流源,T1、R1 和T4支路產(chǎn)生基準電流IREF,T1和T2、T4和T5構(gòu)成鏡像電流源,T1和T3,T4和T6構(gòu)成了微電流源,6.1.2 FET電流源,1. MOSFET鏡像電流源
3、,當器件具有不同的寬長比時,(=0),ro= rds2,MOSFET基本鏡像電路流,6.1.2 FET電流源,1. MOSFET鏡像電流源,用T3代替R,T1T3特性相同,且工作在放大區(qū),當=0時,輸出電流為,常用的鏡像電流源,6.1.2 FET電流源,2. MOSFET多路電流源,6.1.2 FET電流源,3. JFET電流源,end,(a) 電路 (b) 輸出特性,6.2 差分式放大電路,6.2.1 差分式放大電路的一般結(jié)構(gòu),6.2.2 射極耦合差分式放大電路,6.2.3 源極耦合差分式放大電路,6.2.1 差分式放大電路的一般結(jié)構(gòu),1. 用三端器件組成的差分式放大電路,6.2.1 差分式
4、放大電路的一般結(jié)構(gòu),2. 有關(guān)概念,差模信號,共模信號,差模電壓增益,共模電壓增益,總輸出電壓,共模信號產(chǎn)生的輸出,共模抑制比,反映抑制零漂能力的指標,6.2.1 差分式放大電路的一般結(jié)構(gòu),2. 有關(guān)概念,根據(jù),有,共模信號相當于兩個輸入端信號中相同的部分 差模信號相當于兩個輸入端信號中不同的部分,兩輸入端中的共模信號大小相等,相位相同;差模信號大小相等,相位相反。,6.2.2 射極耦合差分式放大電路,1. 電路組成及工作原理,6.2.2 射極耦合差分式放大電路,1. 電路組成及工作原理,靜態(tài),動態(tài),僅輸入差模信號,,大小相等,相位相反。,大小相等,,信號被放大。,相位相反。,1. 電路組成及
5、工作原理,2. 抑制零點漂移原理,溫度變化和電源電壓波動,都將使集電極電流產(chǎn)生變化。且變化趨勢是相同的,,其效果相當于在兩個輸入端加入了共模信號。,這一過程類似于分壓式射極偏置電路的溫度穩(wěn)定過程。所以,即使電路處于單端輸出方式時,仍有較強的抑制零漂能力。,2. 抑制零點漂移原理,差分式放大電路對共模信號有很強抑制作用,3. 主要指標計算,(1)差模情況,接入負載時, 雙入、雙出,3. 主要指標計算,(1)差模情況, 雙入、單出,接入負載時,3. 主要指標計算,(1)差模情況, 單端輸入,等效于雙端輸入,指標計算與雙端輸入相同。,3. 主要指標計算,(2)共模情況, 雙端輸出,共模信號的輸入使兩
6、管集電極電壓有相同的變化。,所以,共模增益, 單端輸出,抑制零漂能力增強,3. 主要指標計算,(2)共模情況,(3)共模抑制比,雙端輸出,理想情況,單端輸出,抑制零漂能力,越強,單端輸出時的總輸出電壓,(4)頻率響應(yīng),高頻響應(yīng)與共射電路相同,低頻可放大直流信號。,例,(4)當輸出接一個12k負載時的差模電壓增益.,解:,求:,(1)靜態(tài),(2)電壓增益,(3),差分電路的共模增益,共模輸入電壓,不計共模輸出電壓時,(4),4. 帶有源負載的射極耦合差分式放大電路,靜態(tài),IE6 IREF,IO IE5,4. 帶有源負載的射極耦合差分式放大電路,差模電壓增益 (負載開路),則,單端輸出的電壓增益接
7、近于雙端輸出的電壓增益,4. 帶有源負載的射極耦合差分式放大電路,差模輸入電阻 Rid2rbe,輸出電阻,4. 帶有源負載的射極耦合差分式放大電路,共模輸入電阻 Ricrbe2(1)ro5,6.2.3 源極耦合差分式放大電路,1. CMOS差分式放大電路,6.2.3 源極耦合差分式放大電路,1. CMOS差分式放大電路,雙端輸出差模電壓增益,而:,所以:,6.2.3 源極耦合差分式放大電路,1. CMOS差分式放大電路,單端輸出差模電壓增益,vo2(id4-id2)(ro2/ ro4),gm vid(ro2 / ro4),(ro2/ ro4), gm(ro2 / ro4 ),與雙端輸出相同,e
8、nd,6.3 差分式放大電路的傳輸特性,根據(jù),iC1= iE1,iC2= iE2 vBE1= vi1= vid/2 vBE2= vi2 = -vid/2,又 vO1VCCiC1Rc1 vO2VCCiC2Rc2,可得傳輸特性曲線 vO1,vO2f(vid),vO1,vO2f(vid)的傳輸特性曲線,end,6.4 集成電路運算放大器,6.4.1 集成電路運算放大器CMOS MC14573,6.4.2 集成運算放大器741,6.4.1 CMOS MC14573 集成電路運算放大器,1. 電路結(jié)構(gòu)和工作原理,2. 電路技術(shù)指標的分析計算,(1)直流分析,已知VT 和KP5 ,可求出IREF,根據(jù)各管
9、子的寬長比 ,可求出其它支路電流。,(2)小信號分析,設(shè) gm1 = gm2 = gm,則,2. 電路技術(shù)指標的分析計算,輸入級電壓增益,(2)小信號分析,2. 電路技術(shù)指標的分析計算,6.4.2 集成運算放大器741,原理電路,6.4.2 集成運算放大器741,簡化電路,end,6.5 實際集成運算放大器的主要參數(shù)和對應(yīng)用電路的影響,6.5.1 實際集成運放的主要參數(shù),6.5.2 集成運放應(yīng)用中的實際問題,6.5.1 實際集成運放的主要參數(shù),輸入直流誤差特性(輸入失調(diào)特性),1. 輸入失調(diào)電壓VIO,在室溫(25)及標準電源電壓下,輸入電壓為零時,為了使集成運放的輸出電壓為零,在輸入端加的補
10、償電壓叫做失調(diào)電壓VIO。一般約為(110)mV。超低失調(diào)運放為(120)V。高精度運放OP-117 VIO=4V。MOSFET達20 mV。,2. 輸入偏置電流IIB,輸入偏置電流是指集成運放兩個輸入端靜態(tài)電流的平均值,IIB(IBNIBP)/2,BJT為10 nA1A;MOSFET運放IIB在pA數(shù)量級。,6.5.1 實際集成運放的主要參數(shù),輸入直流誤差特性(輸入失調(diào)特性),3. 輸入失調(diào)電流IIO,輸入失調(diào)電流IIO是指當輸入電壓為零時流入放大器兩輸入端的靜態(tài)基極電流之差,即IIO|IBPIBN| 一般約為1 nA0.1A。,4. 溫度漂移,(1)輸入失調(diào)電壓溫漂VIO / T,(2)輸
11、入失調(diào)電流溫漂IIO / T,6.5.1 實際集成運放的主要參數(shù),差模特性,1. 開環(huán)差模電壓增益Avo和帶寬BW,開環(huán)差模電壓增益AvO,開環(huán)帶寬BW (fH),單位增益帶寬 BWG (fT),741型運放AvO的頻率響應(yīng),6.5.1 實際集成運放的主要參數(shù),差模特性,2. 差模輸入電阻rid和輸出電阻ro,BJT輸入級的運放rid一般在幾百千歐到數(shù)兆歐 MOSFET為輸入級的運放rid1012 超高輸入電阻運放rid1013、IIB0.040pA 一般運放的ro200,而超高速AD9610的ro0.05。,3. 最大差模輸入電壓Vidmax,6.5.1 實際集成運放的主要參數(shù),共模特性,1
12、. 共模抑制比KCMR和共模輸入電阻ric,一般通用型運放KCMR為(80120)dB,高精度運放可達140dB,ric100M。,2. 最大共模輸入電壓Vicmax,一般指運放在作電壓跟隨器時,使輸出電壓產(chǎn)生1%跟隨誤差的共模輸入電壓幅值,高質(zhì)量的運放可達 13V。,6.5.1 實際集成運放的主要參數(shù),大信號動態(tài)特性,1. 轉(zhuǎn)換速率SR,放大電路在閉環(huán)狀態(tài)下,輸入為大信號(例如階躍信號)時,輸出電壓對時間的最大變化速率,即,若信號為viVimsin2ft ,則運放的SR必須滿足SR2fmaxVom,6.5.1 實際集成運放的主要參數(shù),大信號動態(tài)特性,2. 全功率帶寬BWP,指運放輸出最大峰值
13、電壓時允許的最高頻率,即,SR和BWP是大信號和高頻信號工作時的重要指標。一般通用型運放SR在nV/s以下,741的SR=0.5V/s而高速運放要求SR30V/s以上。目前超高速的運放如AD9610的SR3500V/s。,電源特性,1. 電源電壓抑制比KSVR,衡量電源電壓波動對輸出電壓的影響,2. 靜態(tài)功耗PV,6.5.1 實際集成運放的主要參數(shù),1. 集成運放的選用,根據(jù)技術(shù)要求應(yīng)首選通用型運放,當通用型運放難以滿足要求時,才考慮專用型運放,這是因為通用型器件的各項參數(shù)比較均衡,做到技術(shù)性與經(jīng)濟性的統(tǒng)一。至于專用型運放,雖然某項技術(shù)參數(shù)很突出,但其他參數(shù)則難以兼顧,例如低噪聲運放的帶寬往往設(shè)計得較窄,而高速型與高精度常常有矛盾,如此等等。,6.5.2 集成運放
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