光電技術(shù)考試試卷

1、.1、當(dāng)物質(zhì)中的電子吸收足夠高的光子能量，電子將逸出物質(zhì)表面成為真空中的自由電子，這種現(xiàn)象稱為（B） P20 A、內(nèi)光電效應(yīng) B、外光電效應(yīng) C、光磁電效應(yīng) D、光子牽引效應(yīng)2、已知某種光電器件的本征吸收長波限為1.4um，則該材料的禁帶寬度為（A） A、0.886eV B、1eV C、2eV D、1.3eV3、電磁波譜中可見光的波長范圍為 (A) A、0.380.78um B、0.381um C、13um D、812um判斷題(每題10分,共5題)4、光通量的單位是坎德拉 () 正確 不正確 5、黑體的發(fā)射率是一個小于1的常數(shù)。() 正確 不正確 6、當(dāng)熱輻射發(fā)射的總輻通量與黑體的總輻通量相

2、等時，以黑體的溫度標(biāo)度該熱輻射體的溫度，這種溫度稱為色溫。（） P11 正確 不正確 7、發(fā)生本征吸收的條件是光子能量必須大于半導(dǎo)體的禁帶寬度。（A） P19 正確 不正確 8、被光激發(fā)所產(chǎn)生的載流子（自由電子或空穴）仍在物質(zhì)內(nèi)部運(yùn)動，使物質(zhì)的電導(dǎo)率發(fā)生變化或產(chǎn)生光生伏特的現(xiàn)象，稱為內(nèi)光電效應(yīng)。 （A） 正確 不正確 9、光敏電阻的主要作用是（D） A、光電探測 B、紅外探測 C、光電開關(guān) D、光電探測與控制10、以下選項(xiàng)中哪個不是光敏電阻的主要噪聲（D） A、熱噪聲 B、產(chǎn)生復(fù)合噪聲 C、低頻噪聲 D、散粒噪聲11、對于同一種型號的光敏電阻來講，在不同的光照度和不同環(huán)境溫度下，其光電導(dǎo)靈敏度

3、與時間常數(shù)（），如果照度相同而溫度不同時，二者（B） A、相同，不同 B、不同，不同 C、不同，相同 D、相同，相同12、本征光電導(dǎo)器件在越微弱的輻射作用下，時間響應(yīng)越（），靈敏度越（A） A、長，高 B、長，低 C、短，高 D、短，低13、光敏電阻是（）器件，屬于（D） A、光電導(dǎo)器件，外光電效應(yīng) B、光電發(fā)射器件，外光電效應(yīng) C、光生伏特器件，內(nèi)光電效應(yīng) D、光電導(dǎo)器件，內(nèi)光電效應(yīng)判斷題(每題10分,共5題)14、光敏電阻的前列效應(yīng)是由于被光照過后所產(chǎn)生的光生電子與空穴的復(fù)合需要很長的時間，而且，隨著復(fù)合的進(jìn)行，光生電子與空穴的濃度與復(fù)合幾率不斷減小，使得光敏電阻恢復(fù)被照前的阻值需要很長時

4、間這一特性的描述。(B) 正確 不正確 15、光敏電阻的阻值與環(huán)境溫度有關(guān)，溫度升高光敏電阻的阻值也隨之升高。(B) （熱敏電阻也是溫度升高，阻值降低） 正確 不正確 16、光敏電阻的恒壓偏置電路比恒流偏置電路的電壓靈敏度要高一些。 (B) 正確 不正確 17、在測量某光電導(dǎo)器件的 值時，背景光照越強(qiáng)，其 值越小。(A) 正確 不正確 18、光電導(dǎo)器件在方波輻射的作用下，其上升時間大于下降時間。(B) 正確 不正確 19、用光電法測量某高速轉(zhuǎn)軸的轉(zhuǎn)速時，最好選用（D ）為光電接收器件。 A、PMT B、CdS光敏電阻 C、2CR42硅光電池 D、3DU型光電三極管20、（A ）電路的特點(diǎn)是光生

5、伏特器件在自偏置電路中具有輸出功率，且當(dāng)負(fù)載電阻為最佳負(fù)載時具有最大的輸出功率。 A、自偏置 B、恒流 C、零伏偏置 D、反向偏置21、PN結(jié)型硅光電二極管的最高工作頻率小于等于（C ）？ P12 A、1GHz B、100MHz C、10MHz D、1MHz22、（B ）的靈敏度最高。 P72 A、光電二極管 B、光敏電阻 C、光電三極管 D、硅光電池23、硅光電池的主要作用是（ ）。 A、光電探測 B、紅外探測 C、光電開關(guān) D、光電探測與開關(guān)判斷題(每題10分,共5題)24、PIN型光電二極管不僅提高了PN結(jié)光電二極管的時間響應(yīng)，還能提高器件的光電靈敏度。 (B) 正確 不正確 25、硅光

6、電池是一種需要加偏置電壓才能把光能轉(zhuǎn)換成電能的PN結(jié)光電器件。(B) P50 正確 不正確 26、要產(chǎn)生光電效應(yīng)，光電二極管必須工作在0.7V以上。() 正確 不正確 27、以GaAs為材料制造出的光生伏特器件目前應(yīng)用最廣泛。（）P52 正確 不正確 28、越遠(yuǎn)離PSD幾何中心位置的光點(diǎn)，其位置檢測誤差越小。()P66 正確 不正確 29、光電倍增管的主要噪聲有（） A、散粒噪聲，熱噪聲 B、散粒噪聲，產(chǎn)生復(fù)合噪聲 C、熱噪聲，產(chǎn)生復(fù)合噪聲 D、電流噪聲，熱噪聲30、光電倍增管的短波限和長波限由什么因素決定？（） A、光電陰極材料、倍增級材料和窗口材料 B、光電陰極材料和倍增級材料 C、窗口材

7、料和倍增級材料 D、光電陰極材料和窗口材料31、某光電倍增管的陽極靈敏度為10A/lm，為什么還要限制它的陽極輸出電流在50100A？() A、因?yàn)殛枠O電流過大會使測量數(shù)據(jù)不穩(wěn)定 B、陽極輸出電流在50100A時，電子流不能被陽極所吸收，達(dá)到飽和區(qū) C、因?yàn)殛枠O電流過大會加速光電倍增管的疲勞與老化 D、引起光電倍增管的非線性32、光電倍增管按倍增級結(jié)構(gòu)可分為（） A、端窗式和測窗式 B、聚焦型和非聚焦型 C、百葉窗型和盒柵式 D、瓦片靜電聚焦型和圓形屬籠式33、下面說法正確的是：（） A、光電倍增管不應(yīng)在氦氣中使用，因?yàn)樗鼤铀俟怆姳对龉艿钠谂c老化 B、光電倍增管應(yīng)貯存在黑暗中，使用前最好先

8、接通高壓電源，在黑暗中存放幾小時 C、光電倍增管的輸出信號采用運(yùn)算放大器做電流電壓變換，以保證高的轉(zhuǎn)換效率 D、在設(shè)計光電倍增管電路時，總是力圖使散粒噪聲遠(yuǎn)小于負(fù)載電阻的熱噪聲判斷題(每題10分,共5題)34、 為使陰極面各處的靈敏度均勻，受光均勻，常把光電倍增管的光電陰極做成球面。 正確 不正確 35、為得到最穩(wěn)定的相對光譜靈敏度函數(shù)，光電倍增管應(yīng)讓其自然老化數(shù)年。 正確 不正確 36、根據(jù)窗口材料的不同，將直接影響光電倍增管光譜響應(yīng)的長波限。 正確 不正確 37、光電倍增管的暗電流是指在施加規(guī)定電壓后測定的陽極電流。 正確 不正確 38、陰極和第一倍增級之間，以及末級倍增級和陽極之間的級間

9、電壓應(yīng)設(shè)計的與總電壓無關(guān) 正確 不正確 39、下面那個是當(dāng)原子在E1E2兩個能級之間產(chǎn)生躍遷時不會產(chǎn)生的過程？ A、自發(fā)吸收 B、自發(fā)輻射 C、受激輻射 D、受激吸收40、下面哪個不是光電耦合器件的應(yīng)用： A、電平轉(zhuǎn)換 B、光電檢測 C、邏輯門電路 D、隔離方面的應(yīng)用41、下面哪個不是產(chǎn)生激光的必要條件？ A、需要泵浦源 B、要有大量的粒子數(shù)反轉(zhuǎn) C、要有一個諧振腔 D、需要負(fù)載42、下面屬于冷光源的是： A、太陽 B、白熾燈 C、發(fā)光二極管 D、鹵鎢燈43、下面哪一項(xiàng)可以作為光電耦合器件的發(fā)光件： A、光電三極管 B、光電池 C、光敏電阻 D、半導(dǎo)體激光器判斷題(每題10分,共5題)44、由

10、發(fā)光二極管和光電三極管構(gòu)成的光電耦合器件的電流傳輸比不可能大于1. 正確 不正確 45、光電耦合器件既具有耦合特性又具有隔離特性。 正確 不正確 46、光電耦合器件的發(fā)送端與接收端是電、磁絕緣的。 正確 不正確 47、發(fā)光二極管的響應(yīng)時間取決于注入載流子非發(fā)光復(fù)合的壽命和發(fā)光能級上躍遷的幾率 正確 不正確 48、1.發(fā)光光譜與器件的幾何形狀和封裝方式有關(guān)。 正確 不正確 49、下列哪個不屬于比較常用的CCD的驅(qū)動方式（） A、數(shù)字邏輯電路驅(qū)動 B、單片機(jī)驅(qū)動方式 C、可編程邏輯器件驅(qū)動方式 D、電阻電容無源器件驅(qū)動方式50、如果有一個視頻信號的帶寬是3M，那么為了使混疊失真達(dá)到最小，你應(yīng)該采用多大的采樣速率() A、1M/S B、1.5M/S C、3M/S D、6M/S51、我國電視的采用的制視是（A） A、PAL B、NTSC C、SECAM D、VGA1. 色溫是指 2. 光磁效應(yīng)是指 3. 本征型光敏電阻一般在室溫下工作，適用于 可見光波段 探測；非本征型光敏電阻通常在低溫條件下工作，常用于 紅外波段甚至于遠(yuǎn)紅外波段輻射 探測。4. 常見的固體激光器有 （寫出兩種），常見的氣體激光器有 （寫出兩種）。5. 光熱效應(yīng)是指 7. 比較光子探測器和光熱探測器在作用機(jī)理、性能及應(yīng)用特點(diǎn)等方面的差異。（簡答題）8. 如圖所示，設(shè)小面源的面積為DAs