2002年模擬1試題

1、2002年模擬電子技術(shù)基礎（1）期末試題A一、填空題（15分）1由PN結(jié)構(gòu)成的半導體二極管具有的主要特性是 性。2、雙極性晶體三極管工作于放大模式的外部條件是 。3從信號的傳輸途徑看，集成運放由 輸入級，中間級、輸出級、偏置電路 這幾個部分組成。4某放大器的下限角頻率，上限角頻率，則帶寬為 Hz。5共發(fā)射極電路中采用恒流源做有源負載是利用其 靜態(tài)電阻小 交流電阻大 的特點以獲得較高增益。6在RC橋式正弦波振蕩電路中，當滿足相位起振條件時，則其中電壓放大電路的放大倍數(shù)要略大于 才能起振。7電壓比較器工作時，在輸入電壓從足夠低逐漸增大到足夠高的過程中，單限比較器的輸出狀態(tài)發(fā)生 次躍變，遲滯比較器的

2、輸出狀態(tài)發(fā)生 次躍變。8直流穩(wěn)壓電源的主要組成部分是 、 、 、 。二、單項選擇題（15分）1當溫度升高時，二極管反向飽和電流將 。 A 增大 B 減小 C 不變 D 等于零2場效應管起放大作用時應工作在漏極特性的 。 A 非飽和區(qū) B 飽和區(qū) C 截止區(qū) D 擊穿區(qū)3直接耦合放大電路存在零點漂移的原因主要是 。 A 電阻阻值有誤差 B 晶體管參數(shù)的分散性 C 晶體管參數(shù)受溫度影響 D 受輸入信號變化的影響4差動放大電路的主要特點是 。 A 有效放大差模信號，有力抑制共模信號；B 既放大差模信號，又放大共模信號C有效放大共模信號，有力抑制差模信號；D 既抑制差模信號，又抑制共模信號。5互補輸出

3、級采用射極輸出方式是為了使 。 A 電壓放大倍數(shù)高 B 輸出電流小C 輸出電阻增大 D 帶負載能力強6集成運放電路采用直接耦合方式是因為 。 A 可獲得較高增益 B 可使溫漂變小C 在集成工藝中難于制造大電容 D 可以增大輸入電阻7放大電路在高頻信號作用下放大倍數(shù)下降的原因是 。 A 耦合電容和旁路電容的影響 B 晶體管極間電容和分布電容的影響C 晶體管的非線性特性 D 放大電路的靜態(tài)工作點設置不合適8當信號頻率等于放大電路的和時，放大倍數(shù)的數(shù)值將下降到中頻時的 。 A 0.5倍 B 0.7倍 C 0.9倍 D 1.2倍 9在輸入量不變的情況下，若引入反饋后 ，則說明引入的是負反饋。 A輸入電

4、阻增大 B輸出量增大 C 凈輸入量增大 D凈輸入量減小AVAV10帶通濾波器所對應的幅頻特性為 。 AVMAXAVMAX A、 B、offoAVAVAVMAXAVMAXC、 D、ofof三、判斷以下電路能否放大交流信號，若不能，請改正其中的錯誤使其能起放大作用。（12分） （A）（B）（C）四、請判斷下列電路中的反饋的類型，并說明哪些元件起反饋作用。（8分） （A） （B）五、綜合題（50分）1 （6分）穩(wěn)壓管穩(wěn)壓電路如圖所示。已知穩(wěn)壓管穩(wěn)壓值為VZ=6V，穩(wěn)定電流范圍為IZ=520mA，額定功率為200mW，限流電阻R=500。試求：（1） 當 （2） 當 2、（14分）單級放大電路如圖：在

5、輸入信號的中頻段C1、C2、C3對交流短路， 已知：VCC=12V、R1=150K 、R2=150K、RC=5.1K、Re=2K、RL=10K、=100、C1=C2=C3=10F、C=5PF(即Cbc) 、 fT=100MHZ、VBE=0.7V 、 rbb=200，試求：（1）放大電路的Q點參數(shù)；（2）畫出交流小信號等效電路，求的值；（3）求電路上限頻率； （4）若C2斷開，將對Q點，產(chǎn)生何種影響？ 3、 （10分）OCL功率放大電路如圖，其中A為理想運放。已知，RL=8。（1）求電路最大輸出功率 （2）求電路電壓放大倍數(shù) =？ （3）簡述D1 、D2的作用4、 （10分）判斷如圖電路中A1、A2各是什么單元電路，簡述整個電路的工作原理，并定性地作出VO1，VO2處的波形。DZ1，DZ2的穩(wěn)壓值均為VZ （注：各運放為理想運放，已加電）.5、（10分）如圖所示電路中,開關(guān)S可以任意閉合、斷開，集成運放是理想的，設T1T2工作在放大區(qū)(忽略其直流偏置)，RC1=RC2=2K，R1=2K，R3=10K，Rb1=Rb2=2K，Re