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文檔簡介

1、3.3納米材料的光學(xué)性能,3.3.1基本概念 研究納米材料光學(xué)特性的理論基礎(chǔ)是量子 力學(xué),本章不詳述這種具體理論。 但在了解納米材料光學(xué)特性的過程中,經(jīng) 常會(huì)遇到以下幾個(gè)概念,這里先作介紹,激子(Exciton,激子在價(jià)帶自由運(yùn)動(dòng)的空穴和在導(dǎo)帶自由運(yùn)動(dòng)的 電子通過庫侖作用束縛的電子-空穴對,電子和空穴 復(fù)合時(shí)便發(fā)光,以光子的形式釋放能量,激子分類,束縛半徑遠(yuǎn)大于原子半,徑,庫侖相互作用較弱,根據(jù)電子與空穴相互作用的強(qiáng)弱,激子分為: 萬尼爾(Wannier)激子(松束縛); 弗侖克爾(Frenkel)激子(緊束縛)。 格點(diǎn)上原子或分子的激發(fā)態(tài),庫侖相互作用較強(qiáng),在半導(dǎo)體、金屬等納米材料中多是萬尼

2、爾激子, 由固體物理,其能量En與波矢 k的關(guān)系可寫為,Eg為相應(yīng)材料的能隙;m = me*+mh* 是電子和空穴 的有效質(zhì)量之和;R*是激子的等效里德伯能量,n=1,2,3,有什么物理意義? 若k = 0,則激子能量,如:Si 如:InP 允許帶間直接躍遷時(shí),激子的光吸收過程所需光子的能 量比能隙Eg(即本征吸收能量)小,價(jià)帶中的電子吸收小于禁帶寬度的光子能量也能離開價(jià)帶,但因能量不夠還不能躍遷到導(dǎo)帶成為自由電子。這時(shí),電子實(shí)際還與空穴保持著庫侖力的相互作用,形成一個(gè)電中性系統(tǒng),稱為激子。能產(chǎn)生激子的光吸收稱為激子吸收。這種吸收的光譜多密集與本征吸收波長閾值的紅外一側(cè)。 激子在晶體某一部位產(chǎn)

3、生后,并不是停留在該處,可以在整個(gè)晶體中運(yùn)動(dòng),但是作為一個(gè)整體是電中性的,不能形成電流,激子消失: 1、通過熱激發(fā)或其他能量的激發(fā)使激子分離成為自由電子或空穴,參與導(dǎo)電。 2、激子中的電子和空穴復(fù)合,釋放能量,發(fā)射光子或同時(shí)發(fā)射光子和聲子,波長,激子的光吸收峰出現(xiàn)在本征吸收峰的長波一側(cè) 強(qiáng)度,與Eg對應(yīng)的波長,光譜線及移動(dòng) 太陽光譜,400nm 能量越大,波長越短,700nm 能量越小,波長越長,激子受限類型,最小的激子半徑稱為激子波爾半徑 其中 是電子的靜質(zhì)量。在半導(dǎo)體發(fā)光材料中,當(dāng)材料體系的尺寸與激子玻爾半徑相近時(shí),就會(huì)出現(xiàn)量子限域效應(yīng),亦即系統(tǒng)中的能級(jí)出現(xiàn)一系列分立值,電子在能級(jí)出現(xiàn)量子

4、化的系統(tǒng)中的運(yùn)動(dòng)受到了約束限制,按照納米顆粒半徑 與激子玻爾半徑 的關(guān)系,可將激子受限的情況分成3種: 激子弱受限 , ,體系的能量主要由庫侖相互作用決定,此時(shí)量子尺寸限域附加的能量可近似表示為: 從吸收和發(fā)光來看,激子基態(tài)能量向高能方向位移,出現(xiàn)激子能量的藍(lán)移。由于電子的有效質(zhì)量與電子的靜止質(zhì)量以及空穴有效質(zhì)量與電子靜止質(zhì)量之比導(dǎo)致的附加能并不大,所以激子弱受限引起的藍(lán)移量不大,激子受限類型,激子中等受限, 由于電子的有效質(zhì)量小,空穴的有效質(zhì)量大,電子受到的量子尺寸限域作用比空穴的大得多,這種情況下,主要是電子運(yùn)動(dòng)受限,空穴在強(qiáng)受限的電子云中運(yùn)動(dòng),并與電子之間發(fā)生庫侖相互作用,體系的附加能量

5、近似表示為,激子受限類型,激子強(qiáng)受限, ,材料中的電子和空穴運(yùn)動(dòng)都將明顯受到限制,當(dāng)r減小到一定尺寸,量子限域效應(yīng)超過庫侖作用,庫侖作用僅僅作為微擾來處理,根據(jù)計(jì)算,量子尺寸限域產(chǎn)生的附加能量近似表示為,激子受限類型,納米半導(dǎo)體微粒增強(qiáng)的量子限域效應(yīng)使它的光學(xué)性能不同于常規(guī)半導(dǎo)體,不同尺寸的CdS納米微粒的可見光-紫外吸收光譜比較,當(dāng)微粒尺寸變小后出現(xiàn)明顯的激子峰,并產(chǎn)生藍(lán)移現(xiàn)象,14,藍(lán)移 首先,從能帶的角度來看,價(jià)帶,Eg1,Eg2,波長,1,2,Eg1 Eg2,1 2 強(qiáng)度 導(dǎo)帶,除用能帶變化解釋外,還可以從晶體結(jié)構(gòu)來說明藍(lán)移 現(xiàn)象: 大的表面張力 大的晶格畸變 晶格常數(shù)變小,鍵長縮短

6、鍵的本征振動(dòng)頻率增大 光吸收帶移向高波數(shù),如:納米氧化物和氮化物 第一近鄰和第二近鄰的距離變短,紅移 在有些情況下,粒徑減小至納米級(jí)時(shí)可以觀察到 光吸收帶相對粗晶材料向長波方向移動(dòng),這種現(xiàn) 象被稱為紅移 。 如果從能帶的變化來看,紅移意味著能隙? 減小,h,2r,1.8e,+0.248R,納米半導(dǎo)體粒子的吸收帶隙E(r) 是納米粒子半徑 r 的函數(shù),可用下列公式描述,2 2,2,2 40r,E(r) =Eg,為量子限 域能,即 藍(lán)移量,為電子-空 穴對的庫侖 作用能,即 紅移量,Eg為塊體材料的能隙。 常數(shù),是由于電子,空穴相互靠近出現(xiàn) 的空間相關(guān)能,R* 為激子等效里德伯 能量,因此 納米材

7、料的每個(gè)光吸收帶的峰位由藍(lán)移和紅移因 素共同作用而確定,藍(lán)移因素,紅移因素,光吸收帶藍(lán)移 光吸收帶紅移,粒徑大小有一個(gè)分布,使得各顆粒表面張力有差 別,晶格畸變程度不同,引起納米結(jié)構(gòu)材料晶格 中鍵長有一個(gè)分布,導(dǎo)致了紅外吸收帶寬化,吸收帶的寬化,很 難 做 到,納米結(jié)構(gòu)材料在制備過程 中要求顆粒均勻、粒徑分 布窄,納米結(jié)構(gòu)材料的結(jié)構(gòu)特性,如比表面積大、界面 中存在空洞等缺陷、原子配位數(shù)不足、失配鍵較 多等,使界面內(nèi)的鍵長與顆粒內(nèi)的鍵長有差別。 就界面來說,較大比例的界面結(jié)構(gòu)并不是完全一 樣,它們在能量、缺陷密度、原子排列等方面很 可能有差異,也導(dǎo)致界面中的鍵長有一個(gè)很寬的 分布。 原子振動(dòng)頻率

8、的分布 鍵長的分布 導(dǎo)致了吸收帶的寬化,太陽光,23,3.3.2 納米材料的光吸收特性,暗 線,暗線是由于大,氣層中的鈉原 子對太陽光選 擇性吸收的結(jié) 果。 光通過物質(zhì)時(shí),某些波長 的光被物質(zhì)吸收產(chǎn)生的光 譜,稱為吸收光譜,用適當(dāng)波長的光照射固體材料,可將固體材料中的電子從價(jià)帶激發(fā)到導(dǎo)帶,而在價(jià)帶中留下空穴。這種光激發(fā)的電子空穴對可以以不同方式復(fù)合發(fā)射光子,在光譜上產(chǎn)生對應(yīng)的發(fā)射峰,從實(shí)驗(yàn)上得到的光譜細(xì)節(jié)則反映固體材料的信息。 固體材料的光學(xué)性質(zhì)與其內(nèi)部的微結(jié)構(gòu),特別是電子態(tài)、缺陷態(tài)和能級(jí)結(jié)構(gòu)有密切的關(guān)系。傳統(tǒng)的光學(xué)理論大都建立在能帶有平移周期的晶態(tài)基礎(chǔ)上。20世紀(jì)70年代以來,對非晶態(tài)光學(xué)性

9、質(zhì)的研究又建立了描述無序系統(tǒng)光學(xué)現(xiàn)象理論。納米結(jié)構(gòu)材料在結(jié)構(gòu)上與常規(guī)的晶態(tài)和非晶態(tài)有很大的差別,小的量子尺寸顆粒和大的比表面、界面原子排列和鍵組態(tài)的無規(guī)性較大,就使得納米結(jié)構(gòu)材料的光學(xué)性質(zhì)出現(xiàn)一些不同于常規(guī)晶態(tài)和非晶態(tài)的新現(xiàn)象,光吸收簡介 光在固體中傳播時(shí),其強(qiáng)度一般要 發(fā)生衰減,出現(xiàn)光的吸收現(xiàn)象。 光的吸收與光強(qiáng)有關(guān),某物質(zhì)的相對介電常數(shù)r和折射率N的復(fù)數(shù)形式: r =1 +i2 N = n+ik 1、2分別為相對介電常數(shù)r的實(shí)部和虛部; 復(fù)數(shù)折射率N的虛部為消光系數(shù),實(shí)部n為通常 所說的折射率。 26,光吸收簡介,復(fù)數(shù)折射率與相對介電常數(shù)有以下關(guān)系: 因此:,人們通常用n和這對光學(xué)常數(shù)來表

10、征固體的光 學(xué)性質(zhì),實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn),光在固體中傳播時(shí),其強(qiáng)度一般要 發(fā)生衰減,光的吸收與光強(qiáng)有關(guān).強(qiáng)度為I0的入射 光,通過固體內(nèi)位移x后其強(qiáng)度將衰減變?yōu)椋?普遍吸收,很大,與波長無關(guān),選擇吸收 很小,與波長有關(guān) 叫做吸收系數(shù),它表示光在固 體中傳播的指數(shù)衰減規(guī)律,消光系數(shù)k也表示物質(zhì)的吸收 它與吸收系數(shù) 的關(guān)系為,0為真空中光的波長;為入射光的角頻率; c為真空中光速,消光系數(shù)大的介質(zhì),光的穿透深度淺,表明物質(zhì) 的吸收強(qiáng),長波光比短波光的穿透深度大,吸收系數(shù)的倒數(shù)叫光在固體中的穿透深度,以d 表示,則,金屬納米顆粒的光吸收 大塊金屬具有不同顏色的光澤,表明它們對可見 光范圍內(nèi)各種波長光的反射和吸收

11、能力不同。 如:金、銀、銅等,但是 小粒子對可見光具有低反射率、強(qiáng)吸收率。 例如:當(dāng)金(Au)粒子尺寸小于光波波長 時(shí),會(huì)失去原有的光澤而顏色變暗。 金納米粒子的反射率小于10,金屬超微粒對光的反射率很低,一般低于1; 大約幾nm粒度的微粒即可消光,顯示為黑色,尺 寸越小,色彩越黑。 如:銀白色的鉑(白金)變?yōu)殂K黑,鉻變?yōu)殂t黑 等,金屬納米顆粒的一個(gè)特點(diǎn)是它有導(dǎo)電電子的表面 等離子激元,表現(xiàn)為可見光區(qū)的一個(gè)強(qiáng)吸收帶。 金屬納米顆粒吸收系數(shù)的表達(dá)式為,當(dāng)光波(電磁波)入射到金屬與介質(zhì)分界面時(shí),金屬表面的自由電子發(fā)生集體振蕩,電磁波與金屬表面自由電子耦合而形成的一種沿著金屬表面?zhèn)鞑サ慕鼒鲭姶挪?,?/p>

12、果電子的振蕩頻率與入射光波的頻率一致就會(huì)產(chǎn)生共振,在共振狀態(tài)下電磁場的能量被有效地轉(zhuǎn)變?yōu)榻饘俦砻孀杂呻娮拥募w振動(dòng)能,這時(shí)就形成的一種特殊的電磁模式:電磁場被局限在金屬表面很小的范圍內(nèi)并發(fā)生增強(qiáng),這種現(xiàn)象就被稱為表面等離激元現(xiàn)象,納米材料的光發(fā)射特性 光致發(fā)光:指在一定波長光照射下被激發(fā)到高能 級(jí)激發(fā)態(tài)的電子重新躍入低能級(jí)被空穴捕獲而發(fā) 光的微觀過程。 熒光:僅在激發(fā)過程中發(fā)射的光。 磷光:在激發(fā)停止后還繼續(xù)發(fā)射一定時(shí)間的光,從物理機(jī)制來分析,電子躍遷可分為兩類:非輻射 躍遷和輻射躍遷。 當(dāng)能級(jí)間距很小時(shí),電子躍遷可通過非輻射性衰變 過程發(fā)射聲子,這種情況不發(fā)光。 原 子 結(jié) 構(gòu) 簡 圖,E1

13、 E0,E5 E4 E3 E2,非輻射衰變 輻射衰變,激發(fā) 過程,激發(fā)和衰變過程 E6,當(dāng)能級(jí)間距較大時(shí),有可能發(fā)射光子,實(shí)現(xiàn)輻 射躍遷,產(chǎn)生發(fā)光現(xiàn)象。 為什么說是有 可能呢,光譜學(xué)中,用四個(gè)量子數(shù)表示原子所處狀態(tài)的 一種符號(hào)稱為光譜項(xiàng),n2S+1LJ,或 nMLJ,主量子數(shù), 為價(jià)電子所 處電子層數(shù),原子總自旋量子數(shù),為價(jià)電 子自旋角動(dòng)量的矢量和,總角量子數(shù), 為價(jià)電子角動(dòng) 量的矢量和,內(nèi)量子數(shù),為 總自旋量子數(shù) 和總角量子數(shù) 的矢量和,了解,原子中不是任何兩個(gè)能級(jí)之間都能夠發(fā)生躍遷,光譜選擇定則: n為0及整數(shù);主量子數(shù) L=1; 角量子數(shù)之差 S=0; 自旋量子數(shù)之差,J=0、1(J=0

14、 時(shí)J=0除外) 內(nèi)量子數(shù)之差之差 否則,不能躍遷,叫禁戒躍遷,與晶體的對稱性有關(guān) 躍遷是 允許的,了解,不同納米微粒尺寸的透射光密度(吸收率,不同納米微粒尺寸的透射吸收率,能發(fā)現(xiàn)納米結(jié)構(gòu)材料的發(fā)光譜與常規(guī)態(tài)有很大差別,出現(xiàn)了常規(guī)態(tài)從未觀察到新的發(fā)光帶,尺寸減小,透射率減小,吸收率增大,出現(xiàn)激子吸收峰,納米結(jié)構(gòu)材料中由于平移周期性被破壞,選擇定則對納米材料很可能不適用,在光激發(fā)下納米態(tài)所產(chǎn)生的發(fā)光帶是常規(guī)材料中受選擇定則限制而不可能出現(xiàn)的發(fā)光。 1、量子限域效應(yīng)使納米材料激子發(fā)光很容易出現(xiàn),激子發(fā)光帶的強(qiáng)度隨顆粒的減小而增加。 2、在納米微粒的表面存在著許多懸掛鍵、吸附類等。從而形成許多表面缺

15、陷態(tài)。微粒受光激發(fā)后,光生載流子以極快的速度受限于表面缺陷態(tài),產(chǎn)生表面態(tài)發(fā)光。 3、納米晶體材料中所存在的龐大的比表面、有序度很低的界面很可能為過渡族雜質(zhì)偏聚提供了有利的位置,這就導(dǎo)致納米材料能隙中形成雜質(zhì)能級(jí)、產(chǎn)生雜質(zhì)發(fā)光,雜質(zhì)能級(jí):某些過渡族元素(Fe3+、Cr3+、 V3+、Mn3+、Mo3+、Ni3+、Er3+等)在無序系統(tǒng)會(huì) 引起一些發(fā)光,一般來說,雜質(zhì)發(fā)光帶位于較低的能量位置,發(fā)光 帶比較寬,納米晶體材料中龐大 而有序度很低的界面,為過渡族雜質(zhì)偏聚 提供有利的位置,納米材料能隙中 形成雜質(zhì)能級(jí),雜質(zhì)發(fā)光,導(dǎo),致,產(chǎn)生,P D F,c re a te d,w ith,F i,p d

16、a l v e r s i o n,因此,半導(dǎo)體納米微粒受光激發(fā)后產(chǎn)生電子-空穴對,電子與空穴復(fù)合發(fā)光的途徑有三種情況: (1)電子和空穴直接復(fù)合,產(chǎn)生激子態(tài)發(fā)光。由于量子尺寸效應(yīng)的作用,發(fā)射波長隨著微粒尺寸的減小向高能方向移動(dòng)(藍(lán)移,2)通過表面缺陷態(tài)間接復(fù)合發(fā)光。 在納米微粒的表面存在著許多懸掛鍵、吸附類等。從而形成許多表面缺陷態(tài)。微粒受光激發(fā)后,光生載流子以極快的速度受限于表面缺陷態(tài),產(chǎn)生表面態(tài)發(fā)光。微粒表面越完好,表面對載流子的陷獲能力越弱,表面態(tài)發(fā)光就越弱,3)通過雜質(zhì)能級(jí)復(fù)合發(fā)光 上述三種情況相互競爭。如果微粒表面存在著許多缺陷,對電子、空穴的俘獲能力很強(qiáng),一經(jīng)產(chǎn)生就被其俘獲,它們

17、直接復(fù)合的幾率很小,則激子態(tài)發(fā)光很弱,甚至可能觀察不到,而只有表面缺陷態(tài)發(fā)光。要想有效地產(chǎn)生激子態(tài)發(fā)光,就要設(shè)法制備表面完好的納米微粒,或通過表面修飾來減少其表面缺陷,使電子和空穴能夠有效地直接輻射復(fù)合,電子與空穴復(fù)合發(fā)光的三種途徑示意圖,直接復(fù)合發(fā)射,表面缺陷態(tài)間接發(fā)射,雜質(zhì)能級(jí)復(fù)合發(fā)光,納米發(fā)光材料舉例 有些原來不發(fā)光的材料,當(dāng)其粒子小到納米尺寸后 出現(xiàn)發(fā)光現(xiàn)象。 盡管發(fā)光強(qiáng)度不高,卻為設(shè)計(jì)新的發(fā)光體系和發(fā)展 新型發(fā)光材料提供了一條新途徑,特別是納米復(fù)合 材料更顯優(yōu)勢,硅納米材料的發(fā)光 硅是具有良好半導(dǎo)體特性的材料,是微電子領(lǐng)域 的核心材料之一。 但是硅材料不是好的發(fā)光材料。 有什么辦法能

18、讓硅材料發(fā)光呢,1990年,日本佳能公司的Tabagi首次在室溫觀察 到硅顆粒(6nm)在800nm波長附近有強(qiáng)的發(fā)光 帶。 隨著粒徑減小到4nm,發(fā)光強(qiáng)度增大,短波側(cè)已 延伸到可見光范圍。 因此,硅納米材料可能成為有重要應(yīng)用前景的光 電子材料,不同顆粒納米Si室溫下的發(fā)光(粒徑d1d2d3,可以看出,隨粒徑減小,發(fā)射帶強(qiáng)度增強(qiáng)并移向短波方向。當(dāng)粒徑大于6nm時(shí),這種光發(fā)射現(xiàn)象消失,考慮一下: 塊體硅為什么不發(fā) 光,Tabagi認(rèn)為,硅納米微粒的發(fā)光是載流子的量子限域效應(yīng)引起的。Brusl認(rèn)為,大塊硅不發(fā)光是它的結(jié)構(gòu)存在平移對稱性,由平移對稱性產(chǎn)生的選擇定則使得大尺寸硅不可能發(fā)光,當(dāng)硅粒徑小到

19、某一程度(6nm),平移對稱性消失,因此出現(xiàn)發(fā)光現(xiàn)象。類似的現(xiàn)象在許多納米微粒中均被觀察到,這使得納米微粒的光學(xué)性質(zhì)成為納米科學(xué)研究的熱點(diǎn)之一,銀納米微粒的發(fā)光 2000年,北京大學(xué)報(bào)道了埋藏于BaO介質(zhì)中的 Ag納米微粒在可見光波段光致熒光增強(qiáng)現(xiàn)象。 作為比較,Ag薄膜和Ag-BaO薄膜中的Ag含量 相同,兩種薄膜中的Ag微粒平均直徑都是 20nm,在室溫下采用紫外光激發(fā)。 48,埋于BaO介質(zhì)中Ag納米微粒的光致熒光增強(qiáng) 純Ag納米薄膜的光致 發(fā)光: 1.75eV,紅光波段 3.0eV,藍(lán)紫光波段 Ag-BaO薄膜的發(fā)光: 紅光波段增強(qiáng)9倍; 藍(lán)紫光波段增強(qiáng)19倍,因此 當(dāng)Ag納米微粒受到

20、BaO介質(zhì)圍繞后,更有利于對光 子的吸收并轉(zhuǎn)換為熒光發(fā)射。 為什么呢,TiO2納米材料的發(fā)光 TiO2是一種重要的半導(dǎo)體材料,便宜、安全、無 環(huán)境污染且穩(wěn)定,能隙為3.2eV。 常規(guī)TiO2單晶的發(fā)光對溫度極為敏感。 在4.8K時(shí),在紫外到可見光范圍,TiO2存在兩個(gè) 峰: 412nm處很銳的發(fā)光峰、450600nm很寬的 發(fā)光帶,升到12K,412nm處的發(fā)光峰立刻消失 當(dāng)溫度上,可見光范圍的發(fā)光強(qiáng)度迅速下,降為4.8K時(shí)的35 室溫下,從未觀察到發(fā)光現(xiàn)象。 常規(guī)TiO2多晶薄膜,在77K,也有一個(gè)很寬的熒光 帶(約520nm處),但在室溫下發(fā)光現(xiàn)象消失。 52,納米TiO2的發(fā)光與常規(guī)Ti

21、O2粗晶和單晶不同 經(jīng)硬脂酸包敷的納米TiO2粒子在室溫可光致發(fā)光,發(fā)光帶的峰值在540nm。但是,由納米TiO2粒子形成的納米固體在室溫下不發(fā)光,硬脂酸包覆的TiO2超微粒子的1吸收光譜,2激發(fā)光譜,3光致發(fā)光譜,摻雜引起的熒光(簡略) 近年來,通過不同粒子注人獲得納米材料的研 究成果也引起人們的重視。 如:將Zn作為添加劑擴(kuò)散到InP、GaAs、 InGaAs/InGaAsP和GaN中引起格子失調(diào),帶 來一系列的光學(xué)性質(zhì)變化。 54,納米材料的非線性光學(xué)效應(yīng) 光在物質(zhì)中傳播的過程就是光與物質(zhì)相互作用的過程 光與物質(zhì)相互作用的機(jī)理 當(dāng)光照射物質(zhì)時(shí),光波電磁場將對物質(zhì)中的電 子產(chǎn)生作用。 在外

22、電場的作用下,介質(zhì)原子成為電偶極子, 產(chǎn)生電偶極矩。 55,電偶極子將隨光波的電磁場的變化產(chǎn)生振蕩,形成,發(fā)出,電極化強(qiáng)度 極化場,電偶極矩 疊加起來 次級(jí)輻射,線性光學(xué): 物質(zhì)對光場的響應(yīng)與光的場強(qiáng)成線性關(guān)系,即電偶 極矩 P 與外界電磁場 E 成線性關(guān)系。 當(dāng)幾種不同頻率的光波同時(shí)與該物質(zhì)相互作用時(shí),各 種頻率的光都線性獨(dú)立地反射、折射和散射,不會(huì)發(fā) 生新的頻率。 即:光的獨(dú)立性原理和疊加原理都成立。 57,非線性光學(xué): 外界作用的光場較強(qiáng),電偶極子的振蕩不 再具有位移與外電場成線性的關(guān)系,產(chǎn)生 的電磁振蕩是非線性的,在納米晶體中,由于能帶結(jié)構(gòu)的變化,載流子的 遷移、躍遷和復(fù)合過程均呈現(xiàn)與

23、常規(guī)材料不同的 規(guī)律,因而具有不同的非線性光學(xué)效應(yīng)。 納米材料非線性光學(xué)效應(yīng)可分為: 共振非線性光學(xué)效應(yīng) 非共振非線性光學(xué)效應(yīng),非共振非線性光學(xué)效應(yīng):指用高于納米材料的 光吸收邊的光照射樣品后導(dǎo)致的非線性效應(yīng)。 共振非線性光學(xué)效應(yīng):指用低于共振吸收區(qū)的 光照射樣品而導(dǎo)致的光學(xué)非線性效應(yīng),來源于 電子在不同能級(jí)的分布而引起電子結(jié)構(gòu)的非線 性,納米微粒如前所述的光吸收、光反射、光學(xué)非線性等光學(xué)特性,都與納米微粒的尺寸有很強(qiáng)的依賴關(guān)系,利用納米微粒的這些光學(xué)特性制成的各種光學(xué)材料與器件將在日常生活和高技術(shù)領(lǐng)域得到廣泛的應(yīng)用。如金屬超微粒對光的反射率很低(低于1),大約有幾nm的厚度即可消光,利用此特

24、性可制作高效光熱、光電轉(zhuǎn)換材料,可高效地將太陽能轉(zhuǎn)化為熱、電能,此外還可作紅外敏感組件、紅外隱身材料等,納米光學(xué)材料的應(yīng)用,納米光學(xué)材料的應(yīng)用,1、紅外反射材料 法國航宇防務(wù)2005年8月24日報(bào)道 日前,TVI公司宣布贏得美陸軍為期5年的采購合同, 提供用于戰(zhàn)場士兵作戰(zhàn)識(shí)別的近紅外反射材料。并預(yù) 計(jì)到2007年裝備整個(gè)陸軍,納米微粒可制成薄膜和多層膜,用作紅外反射 材料,金屬-電介質(zhì)復(fù)合膜,電介質(zhì)多層膜,導(dǎo)電膜,高折射率,電介質(zhì) 金屬 低折射率 各種膜的構(gòu)造圖,制造方法 真空蒸鍍法 真空蒸鍍法、濺 射法、噴霧法 真空蒸鍍法、 CVD法、浸漬法 真空蒸鍍法、浸 漬法,材料 金屬 金屬、氧化物、

25、其 他化合物 有機(jī)化合物、氧化 物、其他化合物 氧化物、金屬,組成 Au、Ag、Cu SiO2、In2O3 ZnS-MgF2、TiO2- SiO2、Ta2O3-SiO2 TiO2-Ag-TiO2、 TiO2-MgF2,種類 金屬薄膜 透明導(dǎo)電膜 多層干涉膜1 多層干涉膜2,紅外線反射膜的種類、組成及制造方法,紅外線反射膜的特性,在結(jié)構(gòu)上導(dǎo)電膜為單層膜,最簡單且成本低。金屬電介質(zhì) 復(fù)合膜和電介質(zhì)多層膜均屬于多層膜,成本稍高。在性能上, 金屬電介質(zhì)復(fù)合膜紅外反射性能最好,耐熱度在200以下。 電介質(zhì)多層膜紅外反射性良好并且可在很高的溫度下使用 (900)。導(dǎo)電膜雖然有較好的耐熱性能,但其紅外反射性

26、能 稍差,在燈泡工業(yè)中的應(yīng)用 高壓鈉燈以及各種用于攝影的碘弧燈都要求強(qiáng)照明,但是電能的69轉(zhuǎn)化為紅外線,這就表明有相當(dāng)多的電能轉(zhuǎn)化為熱能被消耗掉,僅有一少部分轉(zhuǎn)化為光能來照明,燈管發(fā)熱會(huì)影響燈具的壽命。提高發(fā)光效率,增加照明度一直是急待解決的關(guān)鍵問題,納米微粒的誕生為解決這個(gè)問題提供了一個(gè)新途徑。20世紀(jì)80年代以來,人們用納米SiO2和納米TiO2微粒制成了多層干涉膜,總厚度為微米級(jí),襯在有燈絲的燈泡罩的內(nèi)壁,結(jié)果不但透光率好,而且有很強(qiáng)的紅外線反射能力,納米紅外反射膜提高燈泡的效率,圖為SiO2- TiO2的紅外反射膜透光率與波長的關(guān)系。可以看出,從500800nm波長之間有較好的透光性,

27、這個(gè)波長范圍恰恰屬于可見光,隨著波長的增加,透光率越來越好,波長在750800nm之間達(dá)到80左右透光率,但對波長為1250nm 1800nm的紅外有極強(qiáng)的反射能力,2、光吸收材料 1)紫外吸收 主要利用吸收峰的藍(lán)移現(xiàn)象和吸收帶的寬化現(xiàn)象。 通常將納米微粒分散到樹脂中制成膜; 膜對紫外的吸收能力與納米粒子的尺寸、含量和組分 有關(guān)。 65,對紫外吸收好的材料有三種: 納米TiO2粒子的樹脂膜; Fe2O3納米微粒的聚合物膜; 納米Al2O3粉體。 納米TiO2對400nm波長以下的紫外光有極強(qiáng)的吸 收,吸收率達(dá)90以上,Fe2O3納米膜對600nm以下的光有良好的吸收,可 用作半導(dǎo)體器件的紫外線

28、過濾器; 納米Al2O3粉體對250nm以下的紫外光有很強(qiáng)的吸 收。 納米材料的紫外吸收特性可運(yùn)用到提高日光燈 壽命、防曬油和化妝品、塑料制品的防老化等 方面。 67,日光燈管,利用水銀的紫外譜線(185nm和254nm)來激發(fā)燈管壁 的熒光粉導(dǎo)致高亮度照明。 一般,185nm的紫外光對燈管的壽命有影響,且燈管的 紫外線泄漏對人體有害。困繞日光燈管工業(yè)的主要問題。 幾個(gè)納米的A12O3粉摻合到稀土熒光粉中,利用納米 紫外吸收的藍(lán)移現(xiàn)象將有可能吸收掉這種有害的紫外 光,而且不降低熒光粉的發(fā)光效率,大氣中的紫外線在300400nm波段。在防曬油、化妝品中 加入納米微粒,對這個(gè)波段的紫外光線進(jìn)行強(qiáng)吸

29、收,可減少 進(jìn)入人體的紫外線。最近研究表明,納米TiO2、ZnO、SiO2、A12O3及云母、氧化鐵等納米材料均有在這個(gè)波段吸收紫外光 的特性,可根據(jù)吸收波段對其進(jìn)行利用,塑料制品:在陽光的照射下很容易老化變脆。如果在 塑料表面涂上具有強(qiáng)紫外吸收性能的納米微粒透明涂 層,這種涂層對300400nm范圍有強(qiáng)的紫外吸收 性能,就可以防止塑料老化。 汽車、艦船表面的油漆:主要以氯丁橡膠、雙酚樹脂 或環(huán)氧樹脂為主要原料,在陽光的照射下很容易老化 變脆,致使油漆脫落。如果在面漆中加入能強(qiáng)烈吸收 紫外線的納米微粒,就可起到保護(hù)底漆的作用,2)紅外吸收 紅外吸收材料在日常生活和高科技領(lǐng)域都有重要的 應(yīng)用背景

30、。 人體釋放的紅外線大致在416m的中紅外波段; 在戰(zhàn)爭中,如果不對這個(gè)波段的紅外線進(jìn)行屏蔽, 很容易被非常靈敏的中紅外探測器所發(fā)現(xiàn),尤其是 在夜間,人身安全將受到威脅,因此,研制具有對人體紅外線進(jìn)行屏蔽的衣服 很有必要。 一些發(fā)達(dá)國家已經(jīng)開始用具有紅外吸收功能的纖 維制成軍服武裝部隊(duì),這種纖維對人體釋放的紅 外線有很好的屏蔽作用。 納米TiO2、Al2O3、SiO2和Fe2O3的復(fù)合粉就具有 很強(qiáng)的吸收中紅外波段的特性。 71,納米微粒小,很容易填充到纖維中,在拉制纖維 時(shí)不會(huì)堵噴頭。 納米微粒添加的纖維對人體紅外線的強(qiáng)吸收,可 增加保暖作用; 納米微粒添加的纖維可減輕衣服重量。 有人估計(jì),

31、用添加紅外吸收納米粉的纖維做成的 保暖衣服,其重量可減輕30。 72,3)隱身材料 隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展,各種探測手段越來越先進(jìn)。例 如:用雷達(dá)發(fā)射電磁波可以探測飛機(jī);利用紅外探側(cè) 器可以發(fā)現(xiàn)放射紅外線的物體。 當(dāng)前,世界各國為了適應(yīng)現(xiàn)代化戰(zhàn)爭的需要,提高在 軍事對抗中競爭的實(shí)力,已將隱身技術(shù)作為一個(gè)重要 的研究方向。隱身材料在隱身技術(shù)中占有重要的地位,以1991年的海灣戰(zhàn)爭為例 美國:F117A型戰(zhàn)斗機(jī)表面包覆了多種超微粒子的紅 外與微波隱身材料,對不同波段的電磁波有強(qiáng)烈而優(yōu) 異的寬頻帶微波吸收能力,可以逃避雷達(dá)的監(jiān)視。 伊拉克:沒有防御紅外線探測的隱身材料,所以,很 容易就被美國戰(zhàn)斗機(jī)上靈敏

32、紅外線探測器發(fā)現(xiàn),被先 進(jìn)的激光制導(dǎo)武器擊中。 74,隱身機(jī)理 1. 納米微粒的尺寸遠(yuǎn)小于紅外及雷達(dá)波波長,納 米微粒材料對這種波的透過率比常規(guī)材料要強(qiáng) 得多; 2. 納米微粒材料的比表面積比常規(guī)粗粉大34個(gè)數(shù) 量級(jí),對紅外光和電磁波的吸收率也比常規(guī)材 料大得多,這就大大減少波的反射率,使得紅外探測器和雷達(dá)接 收到的反射信號(hào)變得很微弱,從而達(dá)到隱身的作用,隱身材料雖在很多方面都有廣闊的應(yīng)用前景,但當(dāng)前真正 發(fā)揮作用的隱身材料大多使用在航空航天與軍事有密切關(guān)系 的部件上。對于航空航天上的光學(xué)材料有一個(gè)重量輕的要求, 在這方面納米材料具有優(yōu)勢。 例如納米氧化鋁、氧化鐵、氧化硅和氧化鈦的復(fù)合粉體與 高分子纖維結(jié)合對中紅外波段有很強(qiáng)的吸收性能,這種復(fù) 合體對這個(gè)波段的紅外探測器有很好的屏蔽作用,特別是 由輕元素組成的納米材料在航空隱身材料方面應(yīng)用十分 廣泛,3、光吸收過濾器和調(diào)制器 光過濾是指在一定波長范圍之內(nèi)對光的控制。在光 通信等方面有廣泛的應(yīng)用前景。 納米材料為設(shè)計(jì)高效

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