電位移有介質(zhì)時的高斯定理第六章靜電場中的導體和電介質(zhì).ppt_第1頁
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1,+ + + + + + + + +,- - - - - - - - -,2,有介質(zhì)時的高斯定理,電位移通量,電位移矢量,3,解題的一般步驟,求電位移D,求電場強度E,求電極化強度P,求極化電荷面密度,求電勢或電勢差U,4,解,例1 一半徑為a的導體球, 被圍在內(nèi)半徑為b、外半徑為c，相對介電系數(shù)為 的介質(zhì)同心球殼內(nèi)，若導體球帶電荷量為Q, 求D(r), E (r)和導體表面的電勢,5,6,7,例2 圖中是由半徑為R1的長直圓柱導體和同軸的半徑為R2的薄導體圓筒組成，其間充以相對電容率為r的電介質(zhì). 設直導體和圓筒單位長度上的電荷分別為+和- . 求(1)電介質(zhì)中的電位移、電場強度和電極化強度； (2)電介質(zhì)表面的極化電荷面密度,8,解 (1,9,2,END,10,11,解： (1)電介質(zhì)中的電位移、 電場強度、電極化強度,+ + + + + + + + +,- - - - - - - - -,方向如圖所示,12,2)電介質(zhì)表面的 極化電荷面密度； (3)兩極板間的電勢差,+ + + + + + + + +,- - - - - - - -

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