武漢熔煉設(shè)備投資計(jì)劃書范文模板

1、泓域咨詢/武漢熔煉設(shè)備投資計(jì)劃書武漢熔煉設(shè)備投資計(jì)劃書泓域咨詢 MACRO摘要在泛半導(dǎo)體行業(yè)，國內(nèi)廠商已接近國外先進(jìn)水平。半導(dǎo)體和光伏等行業(yè)均以硅晶圓作為加工原料，只是前者對(duì)晶圓純度要求更高，運(yùn)用于泛半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的晶圓生長設(shè)備適當(dāng)提高精度即可實(shí)現(xiàn)一定程度上的互相替代。在泛半導(dǎo)體行業(yè)，單晶硅生長爐技術(shù)水平的指標(biāo)有晶棒尺寸、投料量、自動(dòng)化程度和單晶硅棒成品品質(zhì)等，其中投料量和尺寸是主要的衡量標(biāo)準(zhǔn)。一般而言，投料量和晶棒尺寸越大，單位生產(chǎn)成本越低，技術(shù)難度也越大。目前國內(nèi)市場單晶硅生長爐的投料量一般在60150kg，尺寸一般在68英寸。當(dāng)前只有少量幾家公司能夠生產(chǎn)150kg和8英寸以上的單晶硅生長爐，

2、如德國的PVATePlaAG公司，美國的Kayex公司等。目前，以晶盛機(jī)電為代表的國內(nèi)廠商，其設(shè)備技術(shù)水平已經(jīng)接近甚至趕超了國外廠商水平，并且擁有明顯的成本優(yōu)勢，占據(jù)了國內(nèi)光伏市場的絕大部分份額。未來，國產(chǎn)晶圓生長設(shè)備有望提高在半導(dǎo)體行業(yè)的滲透率。半導(dǎo)體設(shè)備按生產(chǎn)工藝流程可分為前端設(shè)備（晶圓加工設(shè)備、晶圓制造設(shè)備）和后道設(shè)備（封裝及測試設(shè)備），占總體設(shè)備投資的比例分別為70%和30%。我們進(jìn)一步梳理了各環(huán)節(jié)主要設(shè)備的龍頭企業(yè)，其中應(yīng)用材料作為全球最大的半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商，在晶圓制造設(shè)備的幾個(gè)核心環(huán)節(jié)熱處理、鍍膜設(shè)備、離子注入設(shè)備等領(lǐng)先全球。日本公司更擅長制造刻蝕設(shè)備、涂膠機(jī)、顯影機(jī)、測試設(shè)備等產(chǎn)

3、品，而以ASML為首的荷蘭公司則在高端光刻機(jī)領(lǐng)域處于領(lǐng)先地位。該中高頻熔煉設(shè)備項(xiàng)目計(jì)劃總投資13529.98萬元，其中：固定資產(chǎn)投資10303.12萬元，占項(xiàng)目總投資的76.15%；流動(dòng)資金3226.86萬元，占項(xiàng)目總投資的23.85%。本期項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)年?duì)I業(yè)收入31372.00萬元，總成本費(fèi)用24082.11萬元，稅金及附加291.71萬元，利潤總額7289.89萬元，利稅總額8587.10萬元，稅后凈利潤5467.42萬元，達(dá)產(chǎn)年納稅總額3119.68萬元；達(dá)產(chǎn)年投資利潤率53.88%，投資利稅率63.47%，投資回報(bào)率40.41%，全部投資回收期3.97年，提供就業(yè)職位512個(gè)。武漢熔煉設(shè)備

4、投資計(jì)劃書目錄第一章 概論一、項(xiàng)目名稱及建設(shè)性質(zhì)二、項(xiàng)目承辦單位三、戰(zhàn)略合作單位四、項(xiàng)目提出的理由五、項(xiàng)目選址及用地綜述六、土建工程建設(shè)指標(biāo)七、設(shè)備購置八、產(chǎn)品規(guī)劃方案九、原材料供應(yīng)十、項(xiàng)目能耗分析十一、環(huán)境保護(hù)十二、項(xiàng)目建設(shè)符合性十三、項(xiàng)目進(jìn)度規(guī)劃十四、投資估算及經(jīng)濟(jì)效益分析十五、報(bào)告說明十六、項(xiàng)目評(píng)價(jià)十七、主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)第二章 投資背景和必要性分析一、項(xiàng)目承辦單位背景分析二、產(chǎn)業(yè)政策及發(fā)展規(guī)劃三、鼓勵(lì)中小企業(yè)發(fā)展四、宏觀經(jīng)濟(jì)形勢分析五、區(qū)域經(jīng)濟(jì)發(fā)展概況六、項(xiàng)目必要性分析第三章 市場調(diào)研預(yù)測第四章 建設(shè)規(guī)模一、產(chǎn)品規(guī)劃二、建設(shè)規(guī)模第五章 項(xiàng)目選址方案一、項(xiàng)目選址原則二、項(xiàng)目選址三、建設(shè)條件分析

5、四、用地控制指標(biāo)五、用地總體要求六、節(jié)約用地措施七、總圖布置方案八、運(yùn)輸組成九、選址綜合評(píng)價(jià)第六章 土建工程研究一、建筑工程設(shè)計(jì)原則二、項(xiàng)目工程建設(shè)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范三、項(xiàng)目總平面設(shè)計(jì)要求四、建筑設(shè)計(jì)規(guī)范和標(biāo)準(zhǔn)五、土建工程設(shè)計(jì)年限及安全等級(jí)六、建筑工程設(shè)計(jì)總體要求七、土建工程建設(shè)指標(biāo)第七章 工藝先進(jìn)性一、項(xiàng)目建設(shè)期原輔材料供應(yīng)情況二、項(xiàng)目運(yùn)營期原輔材料采購及管理二、技術(shù)管理特點(diǎn)三、項(xiàng)目工藝技術(shù)設(shè)計(jì)方案四、設(shè)備選型方案第八章 環(huán)境影響分析一、建設(shè)區(qū)域環(huán)境質(zhì)量現(xiàn)狀二、建設(shè)期環(huán)境保護(hù)三、運(yùn)營期環(huán)境保護(hù)四、項(xiàng)目建設(shè)對(duì)區(qū)域經(jīng)濟(jì)的影響五、廢棄物處理六、特殊環(huán)境影響分析七、清潔生產(chǎn)八、項(xiàng)目建設(shè)對(duì)區(qū)域經(jīng)濟(jì)的影響九、環(huán)境

6、保護(hù)綜合評(píng)價(jià)第九章 項(xiàng)目生產(chǎn)安全一、消防安全二、防火防爆總圖布置措施三、自然災(zāi)害防范措施四、安全色及安全標(biāo)志使用要求五、電氣安全保障措施六、防塵防毒措施七、防靜電、觸電防護(hù)及防雷措施八、機(jī)械設(shè)備安全保障措施九、勞動(dòng)安全保障措施十、勞動(dòng)安全衛(wèi)生機(jī)構(gòu)設(shè)置及教育制度十一、勞動(dòng)安全預(yù)期效果評(píng)價(jià)第十章 項(xiàng)目風(fēng)險(xiǎn)評(píng)價(jià)一、政策風(fēng)險(xiǎn)分析二、社會(huì)風(fēng)險(xiǎn)分析三、市場風(fēng)險(xiǎn)分析四、資金風(fēng)險(xiǎn)分析五、技術(shù)風(fēng)險(xiǎn)分析六、財(cái)務(wù)風(fēng)險(xiǎn)分析七、管理風(fēng)險(xiǎn)分析八、其它風(fēng)險(xiǎn)分析九、社會(huì)影響評(píng)估第十一章 項(xiàng)目節(jié)能評(píng)價(jià)一、節(jié)能概述二、節(jié)能法規(guī)及標(biāo)準(zhǔn)三、項(xiàng)目所在地能源消費(fèi)及能源供應(yīng)條件四、能源消費(fèi)種類和數(shù)量分析二、項(xiàng)目預(yù)期節(jié)能綜合評(píng)價(jià)三、項(xiàng)目節(jié)能

7、設(shè)計(jì)四、節(jié)能措施第十二章 實(shí)施計(jì)劃一、建設(shè)周期二、建設(shè)進(jìn)度三、進(jìn)度安排注意事項(xiàng)四、人力資源配置五、員工培訓(xùn)六、項(xiàng)目實(shí)施保障第十三章 項(xiàng)目投資估算一、項(xiàng)目估算說明二、項(xiàng)目總投資估算三、資金籌措第十四章 項(xiàng)目經(jīng)營效益一、經(jīng)濟(jì)評(píng)價(jià)綜述二、經(jīng)濟(jì)評(píng)價(jià)財(cái)務(wù)測算二、項(xiàng)目盈利能力分析第十五章 項(xiàng)目招投標(biāo)方案一、招標(biāo)依據(jù)和范圍二、招標(biāo)組織方式三、招標(biāo)委員會(huì)的組織設(shè)立四、項(xiàng)目招投標(biāo)要求五、項(xiàng)目招標(biāo)方式和招標(biāo)程序六、招標(biāo)費(fèi)用及信息發(fā)布第十六章 項(xiàng)目總結(jié)、建議附表1：主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)一覽表附表2：土建工程投資一覽表附表3：節(jié)能分析一覽表附表4：項(xiàng)目建設(shè)進(jìn)度一覽表附表5：人力資源配置一覽表附表6：固定資產(chǎn)投資估算表附表7：

8、流動(dòng)資金投資估算表附表8：總投資構(gòu)成估算表附表9：營業(yè)收入稅金及附加和增值稅估算表附表10：折舊及攤銷一覽表附表11：總成本費(fèi)用估算一覽表附表12：利潤及利潤分配表附表13：盈利能力分析一覽表第一章 概論一、項(xiàng)目名稱及建設(shè)性質(zhì)（一）項(xiàng)目名稱武漢熔煉設(shè)備（二）項(xiàng)目建設(shè)性質(zhì)該項(xiàng)目屬于新建項(xiàng)目，依托某經(jīng)濟(jì)示范區(qū)良好的產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)和創(chuàng)新氛圍，充分發(fā)揮區(qū)位優(yōu)勢，全力打造以中高頻熔煉設(shè)備為核心的綜合性產(chǎn)業(yè)基地，年產(chǎn)值可達(dá)31000.00萬元。二、項(xiàng)目承辦單位xxx科技發(fā)展公司三、戰(zhàn)略合作單位xxx集團(tuán)四、項(xiàng)目提出的理由半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)與面板產(chǎn)業(yè)相似，都是重資產(chǎn)投入，設(shè)備投資占總投資規(guī)模的比例達(dá)到60%以上，其中一些

9、關(guān)鍵的制程環(huán)節(jié)需要綜合運(yùn)用光學(xué)、物理、化學(xué)等科學(xué)技術(shù)，具有技術(shù)含量高、制造難度大、設(shè)備價(jià)值高等特點(diǎn)。因此下游產(chǎn)業(yè)的發(fā)展衍生出了巨大的設(shè)備投資市場。中國晶圓廠建設(shè)加速。預(yù)估在2017-2020年間，全球?qū)⒂?2座新的晶圓廠投入營運(yùn)。中國大陸在這段期間將有26座新的晶圓廠投入營運(yùn)，占新增晶圓廠的比重高達(dá)42%，美國為10座，臺(tái)灣為9座，下游產(chǎn)能的擴(kuò)張帶來設(shè)備需求的彈性。據(jù)江蘇省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)的統(tǒng)計(jì)，2016年中國大陸已進(jìn)入連年國產(chǎn)階段的晶圓生產(chǎn)線有近100條，其中12英寸晶圓生產(chǎn)線共有9條，8英寸晶圓生產(chǎn)線共有16條，6英寸晶圓生產(chǎn)線共有40條，5英寸晶圓生產(chǎn)線約有16條。中芯國際在北京的Fab4

10、廠是中國最早量產(chǎn)的12英寸晶圓廠，經(jīng)過幾次技術(shù)改進(jìn)工藝水平達(dá)到65nm。除此之外，中芯國際也分別在北京和上海擁有兩條12英寸產(chǎn)線，技術(shù)節(jié)點(diǎn)達(dá)到了28nm，領(lǐng)先國內(nèi)水平。除了中芯與武漢新芯外，還暫未有國產(chǎn)企業(yè)擁有量產(chǎn)的12英寸廠。然而，英特爾、三星與SK海力士早已在大陸開始布局。SK海力士早在08年就在無錫建設(shè)了8英寸晶圓產(chǎn)線，隨后升級(jí)為12英寸。而英特爾大連工廠在2010年完工后用于生產(chǎn)65nm制程CPU，2015年10月與大連市政府合作，投資55億美元轉(zhuǎn)型生產(chǎn)3DNANDFlash。目前國內(nèi)已經(jīng)量產(chǎn)的12英寸晶圓廠僅有9座，合計(jì)產(chǎn)能42.9萬片/月。五、項(xiàng)目選址及用地綜述（一）項(xiàng)目選址方案項(xiàng)

11、目選址位于某經(jīng)濟(jì)示范區(qū),地理位置優(yōu)越，交通便利，規(guī)劃電力、給排水、通訊等公用設(shè)施條件完備，建設(shè)條件良好。武漢，簡稱漢，別稱江城，是湖北省省會(huì)，中部六省唯一的副省級(jí)市，特大城市，國務(wù)院批復(fù)確定的中國中部地區(qū)的中心城市，全國重要的工業(yè)基地、科教基地和綜合交通樞紐。截至2019年末，全市下轄13個(gè)區(qū)，總面積8569.15平方千米，建成區(qū)面積812.39平方千米，常住人口1121.2萬人，地區(qū)生產(chǎn)總值1.62萬億元。武漢地處江漢平原東部、長江中游，長江及其最大支流漢江在城中交匯，形成武漢三鎮(zhèn)隔江鼎立的格局，市內(nèi)江河縱橫、湖港交織，水域面積占全市總面積四分之一。作為中國經(jīng)濟(jì)地理中心，武漢素有九省通衢之稱

12、，是中國內(nèi)陸最大的水陸空交通樞紐和長江中游航運(yùn)中心，其高鐵網(wǎng)輻射大半個(gè)中國，是華中地區(qū)唯一可直航全球五大洲的城市。武漢是聯(lián)勤保障部隊(duì)機(jī)關(guān)駐地、長江經(jīng)濟(jì)帶核心城市、中部崛起戰(zhàn)略支點(diǎn)、全面創(chuàng)新改革試驗(yàn)區(qū)，也是全國三大智力密集區(qū)之一，中國光谷致力打造有全球影響力的創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)中心。根據(jù)國家發(fā)改委要求，武漢正加快建成以全國經(jīng)濟(jì)中心、高水平科技創(chuàng)新中心、商貿(mào)物流中心和國際交往中心四大功能為支撐的國家中心城市。武漢是國家歷史文化名城、楚文化的重要發(fā)祥地，境內(nèi)盤龍城遺址有3500年歷史。春秋戰(zhàn)國以來，武漢一直是中國南方的軍事和商業(yè)重鎮(zhèn)，明清時(shí)期成為楚中第一繁盛處、天下四聚之一。清末漢口開埠和洋務(wù)運(yùn)動(dòng)開啟武漢現(xiàn)代

13、化進(jìn)程，使其成為近代中國重要的經(jīng)濟(jì)中心，被譽(yù)為東方芝加哥。武漢是辛亥革命首義之地，近代史上數(shù)度成為全國政治、軍事、文化中心。（二）項(xiàng)目用地規(guī)模項(xiàng)目總用地面積42761.37平方米（折合約64.11畝），土地綜合利用率100.00%；項(xiàng)目建設(shè)遵循“合理和集約用地”的原則，按照中高頻熔煉設(shè)備行業(yè)生產(chǎn)規(guī)范和要求進(jìn)行科學(xué)設(shè)計(jì)、合理布局，符合規(guī)劃建設(shè)要求。六、土建工程建設(shè)指標(biāo)項(xiàng)目凈用地面積42761.37平方米，建筑物基底占地面積31104.62平方米，總建筑面積52168.87平方米，其中：規(guī)劃建設(shè)主體工程34602.03平方米，項(xiàng)目規(guī)劃綠化面積4112.83平方米。七、設(shè)備購置項(xiàng)目計(jì)劃購置設(shè)備共計(jì)1

14、02臺(tái)（套），主要包括：xxx生產(chǎn)線、xx設(shè)備、xx機(jī)、xx機(jī)、xxx儀等，設(shè)備購置費(fèi)5746.73萬元。八、產(chǎn)品規(guī)劃方案根據(jù)項(xiàng)目建設(shè)規(guī)劃，達(dá)產(chǎn)年產(chǎn)品規(guī)劃設(shè)計(jì)方案為：中高頻熔煉設(shè)備xxx單位/年。綜合考xxx科技發(fā)展公司企業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略、產(chǎn)品市場定位、資金籌措能力、產(chǎn)能發(fā)展需要、技術(shù)條件、銷售渠道和策略、管理經(jīng)驗(yàn)以及相應(yīng)配套設(shè)備、人員素質(zhì)以及項(xiàng)目所在地建設(shè)條件與運(yùn)輸條件、xxx科技發(fā)展公司的投資能力和原輔材料的供應(yīng)保障能力等諸多因素，項(xiàng)目按照規(guī)?；?、流水線生產(chǎn)方式布局，本著“循序漸進(jìn)、量入而出”原則提出產(chǎn)能發(fā)展目標(biāo)。九、原材料供應(yīng)項(xiàng)目所需的主要原材料及輔助材料有：xxx、xxx、xx、xxx、xx

15、等，xxx科技發(fā)展公司所選擇的供貨單位完全能夠穩(wěn)定供應(yīng)上述所需原料，供貨商可以完全保障項(xiàng)目正常經(jīng)營所需要的原輔材料供應(yīng)，同時(shí)能夠滿足xxx科技發(fā)展公司今后進(jìn)一步擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模的預(yù)期要求。十、項(xiàng)目能耗分析1、項(xiàng)目年用電量947181.61千瓦時(shí)，折合116.41噸標(biāo)準(zhǔn)煤，滿足武漢熔煉設(shè)備項(xiàng)目生產(chǎn)、辦公和公用設(shè)施等用電需要2、項(xiàng)目年總用水量19055.93立方米，折合1.63噸標(biāo)準(zhǔn)煤,主要是生產(chǎn)補(bǔ)給水和辦公及生活用水。項(xiàng)目用水由某經(jīng)濟(jì)示范區(qū)市政管網(wǎng)供給。3、武漢熔煉設(shè)備項(xiàng)目年用電量947181.61千瓦時(shí)，年總用水量19055.93立方米，項(xiàng)目年綜合總耗能量（當(dāng)量值）118.04噸標(biāo)準(zhǔn)煤/年。達(dá)產(chǎn)年

16、綜合節(jié)能量43.66噸標(biāo)準(zhǔn)煤/年，項(xiàng)目總節(jié)能率25.88%，能源利用效果良好。十一、環(huán)境保護(hù)項(xiàng)目符合某經(jīng)濟(jì)示范區(qū)發(fā)展規(guī)劃，符合某經(jīng)濟(jì)示范區(qū)產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整規(guī)劃和國家的產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策；對(duì)產(chǎn)生的各類污染物都采取了切實(shí)可行的治理措施，嚴(yán)格控制在國家規(guī)定的排放標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)，項(xiàng)目建設(shè)不會(huì)對(duì)區(qū)域生態(tài)環(huán)境產(chǎn)生明顯的影響。項(xiàng)目設(shè)計(jì)中采用了清潔生產(chǎn)工藝，應(yīng)用清潔原材料，生產(chǎn)清潔產(chǎn)品，同時(shí)采取完善和有效的清潔生產(chǎn)措施，能夠切實(shí)起到消除和減少污染的作用。項(xiàng)目建成投產(chǎn)后，各項(xiàng)環(huán)境指標(biāo)均符合國家和地方清潔生產(chǎn)的標(biāo)準(zhǔn)要求。十二、項(xiàng)目建設(shè)符合性（一）產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策符合性由xxx科技發(fā)展公司承辦的“武漢熔煉設(shè)備”主要從事中高頻熔煉設(shè)備項(xiàng)目

17、投資經(jīng)營，其不屬于國家發(fā)展改革委產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整指導(dǎo)目錄（2011年本）（2013年修正）有關(guān)條款限制類及淘汰類項(xiàng)目。（二）項(xiàng)目選址與用地規(guī)劃相容性武漢熔煉設(shè)備選址于某經(jīng)濟(jì)示范區(qū)，項(xiàng)目所占用地為規(guī)劃工業(yè)用地，符合用地規(guī)劃要求，此外，項(xiàng)目建設(shè)前后，未改變項(xiàng)目建設(shè)區(qū)域環(huán)境功能區(qū)劃；在落實(shí)該項(xiàng)目提出的各項(xiàng)污染防治措施后，可確保污染物達(dá)標(biāo)排放，滿足某經(jīng)濟(jì)示范區(qū)環(huán)境保護(hù)規(guī)劃要求。因此，建設(shè)項(xiàng)目符合項(xiàng)目建設(shè)區(qū)域用地規(guī)劃、產(chǎn)業(yè)規(guī)劃、環(huán)境保護(hù)規(guī)劃等規(guī)劃要求。（三）“三線一單”符合性1、生態(tài)保護(hù)紅線：武漢熔煉設(shè)備用地性質(zhì)為建設(shè)用地，不在主導(dǎo)生態(tài)功能區(qū)范圍內(nèi)，且不在當(dāng)?shù)仫嬘盟磪^(qū)、風(fēng)景區(qū)、自然保護(hù)區(qū)等生態(tài)保護(hù)區(qū)內(nèi)，

18、符合生態(tài)保護(hù)紅線要求。2、環(huán)境質(zhì)量底線：該項(xiàng)目建設(shè)區(qū)域環(huán)境質(zhì)量不低于項(xiàng)目所在地環(huán)境功能區(qū)劃要求，有一定的環(huán)境容量，符合環(huán)境質(zhì)量底線要求。3、資源利用上線：項(xiàng)目營運(yùn)過程消耗一定的電能、水，資源消耗量相對(duì)于區(qū)域資源利用總量較少，符合資源利用上線要求。4、環(huán)境準(zhǔn)入負(fù)面清單：該項(xiàng)目所在地?zé)o環(huán)境準(zhǔn)入負(fù)面清單，項(xiàng)目采取環(huán)境保護(hù)措施后，廢氣、廢水、噪聲均可達(dá)標(biāo)排放，固體廢物能夠得到合理處置，不會(huì)產(chǎn)生二次污染。十三、項(xiàng)目進(jìn)度規(guī)劃本期工程項(xiàng)目建設(shè)期限規(guī)劃12個(gè)月。對(duì)于難以預(yù)見的因素導(dǎo)致施工進(jìn)度趕不上計(jì)劃要求時(shí)及時(shí)研究，項(xiàng)目建設(shè)單位要認(rèn)真制定和安排趕工計(jì)劃并及時(shí)付諸實(shí)施?？茖W(xué)組織施工平行流水作業(yè)，交叉施工，使施工

19、機(jī)械等資源發(fā)揮最大的使用效率，做到現(xiàn)場施工有條不紊，忙而不亂。undefined十四、投資估算及經(jīng)濟(jì)效益分析（一）項(xiàng)目總投資及資金構(gòu)成項(xiàng)目預(yù)計(jì)總投資13529.98萬元，其中：固定資產(chǎn)投資10303.12萬元，占項(xiàng)目總投資的76.15%；流動(dòng)資金3226.86萬元，占項(xiàng)目總投資的23.85%。（二）資金籌措該項(xiàng)目現(xiàn)階段投資均由企業(yè)自籌。（三）項(xiàng)目預(yù)期經(jīng)濟(jì)效益規(guī)劃目標(biāo)項(xiàng)目預(yù)期達(dá)產(chǎn)年?duì)I業(yè)收入31372.00萬元，總成本費(fèi)用24082.11萬元，稅金及附加291.71萬元，利潤總額7289.89萬元，利稅總額8587.10萬元，稅后凈利潤5467.42萬元，達(dá)產(chǎn)年納稅總額3119.68萬元；達(dá)產(chǎn)年投

20、資利潤率53.88%，投資利稅率63.47%，投資回報(bào)率40.41%，全部投資回收期3.97年，提供就業(yè)職位512個(gè)。十五、報(bào)告說明報(bào)告通過對(duì)項(xiàng)目的市場需求、資源供應(yīng)、建設(shè)規(guī)模、工藝路線、設(shè)備選型、環(huán)境影響、資金籌措、盈利能力等方面的研究調(diào)查，在行業(yè)專家研究經(jīng)驗(yàn)的基礎(chǔ)上對(duì)項(xiàng)目經(jīng)濟(jì)效益及社會(huì)效益進(jìn)行科學(xué)預(yù)測，從而為客戶提供全面的、客觀的、可靠的項(xiàng)目投資價(jià)值評(píng)估及項(xiàng)目建設(shè)進(jìn)程等咨詢意見。十六、項(xiàng)目評(píng)價(jià)1、本期工程項(xiàng)目符合國家產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策和規(guī)劃要求，符合某經(jīng)濟(jì)示范區(qū)及某經(jīng)濟(jì)示范區(qū)中高頻熔煉設(shè)備行業(yè)布局和結(jié)構(gòu)調(diào)整政策；項(xiàng)目的建設(shè)對(duì)促進(jìn)某經(jīng)濟(jì)示范區(qū)中高頻熔煉設(shè)備產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)、技術(shù)結(jié)構(gòu)、組織結(jié)構(gòu)、產(chǎn)品結(jié)構(gòu)的調(diào)

21、整優(yōu)化有著積極的推動(dòng)意義。2、xxx科技公司為適應(yīng)國內(nèi)外市場需求，擬建“武漢熔煉設(shè)備”，本期工程項(xiàng)目的建設(shè)能夠有力促進(jìn)某經(jīng)濟(jì)示范區(qū)經(jīng)濟(jì)發(fā)展，為社會(huì)提供就業(yè)職位512個(gè)，達(dá)產(chǎn)年納稅總額3119.68萬元，可以促進(jìn)某經(jīng)濟(jì)示范區(qū)區(qū)域經(jīng)濟(jì)的繁榮發(fā)展和社會(huì)穩(wěn)定，為地方財(cái)政收入做出積極的貢獻(xiàn)。3、項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)年投資利潤率53.88%，投資利稅率63.47%，全部投資回報(bào)率40.41%，全部投資回收期3.97年，固定資產(chǎn)投資回收期3.97年（含建設(shè)期），項(xiàng)目具有較強(qiáng)的盈利能力和抗風(fēng)險(xiǎn)能力。4、從經(jīng)濟(jì)的貢獻(xiàn)看，截至2017年底，我國民營企業(yè)的數(shù)量超過2700萬家，個(gè)體工商戶超過了6500萬戶，注冊資本超過165萬

22、億元，民營經(jīng)濟(jì)占GDP的比重超過了60%，撐起了我國經(jīng)濟(jì)的“半壁江山”。作為中國經(jīng)濟(jì)最具活力的部分，民營經(jīng)濟(jì)未來將繼續(xù)穩(wěn)步發(fā)展壯大，為促進(jìn)我國經(jīng)濟(jì)社會(huì)持續(xù)健康發(fā)展發(fā)揮更大作用。引導(dǎo)民營企業(yè)建立品牌管理體系，增強(qiáng)以信譽(yù)為核心的品牌意識(shí)。以民企民資為重點(diǎn)，扶持一批品牌培育和運(yùn)營專業(yè)服務(wù)機(jī)構(gòu)，打造產(chǎn)業(yè)集群區(qū)域品牌和知名品牌示范區(qū)。綜上所述，項(xiàng)目的建設(shè)和實(shí)施無論是經(jīng)濟(jì)效益、社會(huì)效益還是環(huán)境保護(hù)、清潔生產(chǎn)都是積極可行的。十七、主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)一覽表序號(hào)項(xiàng)目單位指標(biāo)備注1占地面積平方米42761.3764.11畝1.1容積率1.221.2建筑系數(shù)72.74%1.3投資強(qiáng)度萬元/畝160.711.4

23、基底面積平方米31104.621.5總建筑面積平方米52168.871.6綠化面積平方米4112.83綠化率7.88%2總投資萬元13529.982.1固定資產(chǎn)投資萬元10303.122.1.1土建工程投資萬元4215.932.1.1.1土建工程投資占比萬元31.16%2.1.2設(shè)備投資萬元5746.732.1.2.1設(shè)備投資占比42.47%2.1.3其它投資萬元340.462.1.3.1其它投資占比2.52%2.1.4固定資產(chǎn)投資占比76.15%2.2流動(dòng)資金萬元3226.862.2.1流動(dòng)資金占比23.85%3收入萬元31372.004總成本萬元24082.115利潤總額萬元7289.89

24、6凈利潤萬元5467.427所得稅萬元1.228增值稅萬元1005.509稅金及附加萬元291.7110納稅總額萬元3119.6811利稅總額萬元8587.1012投資利潤率53.88%13投資利稅率63.47%14投資回報(bào)率40.41%15回收期年3.9716設(shè)備數(shù)量臺(tái)（套）10217年用電量千瓦時(shí)947181.6118年用水量立方米19055.9319總能耗噸標(biāo)準(zhǔn)煤118.0420節(jié)能率25.88%21節(jié)能量噸標(biāo)準(zhǔn)煤43.6622員工數(shù)量人512第二章 投資背景和必要性分析一、項(xiàng)目承辦單位背景分析（一）公司概況公司始終堅(jiān)持 “服務(wù)為先、品質(zhì)為本、創(chuàng)新為魄、共贏為道”的經(jīng)營理念，遵循“以客戶

25、需求為中心，堅(jiān)持高端精品戰(zhàn)略，提高最高的服務(wù)價(jià)值”的服務(wù)理念，奉行“唯才是用，唯德重用”的人才理念，致力于為客戶量身定制出完美解決方案，滿足高端市場高品質(zhì)的需求。公司堅(jiān)持誠信為本、鑄就品牌，優(yōu)質(zhì)服務(wù)、贏得市場的經(jīng)營理念，秉承以人為本，賓客至上服務(wù)理念，將一整套針對(duì)用戶使用過程中完善的服務(wù)方案。公司始終秉承“集領(lǐng)先智造，創(chuàng)美好未來”的企業(yè)使命，發(fā)展先進(jìn)制造，不斷提升自主研發(fā)與生產(chǎn)工藝的核心技術(shù)能力，貼近客戶需求，助力中國智造，持續(xù)為社會(huì)提供先進(jìn)科技，覆蓋上下游業(yè)務(wù)領(lǐng)域的行業(yè)綜合服務(wù)商。公司緊跟市場動(dòng)態(tài)，不斷提升企業(yè)市場競爭力?；诖髷?shù)據(jù)分析考慮用戶多樣化需求，以此為基礎(chǔ)制定相應(yīng)服務(wù)策略的市場及經(jīng)

26、營體系，并綜合考慮用戶端消費(fèi)特征，打造綜合服務(wù)體系。未來，公司計(jì)劃依靠自身實(shí)力，通過引入資本、技術(shù)和人才等擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模，以“高效、智能、環(huán)?！弊鳛楫a(chǎn)品發(fā)展方向，持續(xù)加強(qiáng)新產(chǎn)品研發(fā)力度，實(shí)現(xiàn)行業(yè)關(guān)鍵技術(shù)突破，進(jìn)一步夯實(shí)公司技術(shù)實(shí)力，全面推動(dòng)產(chǎn)品結(jié)構(gòu)升級(jí)，優(yōu)化公司利潤來源，提高核心競爭能力，鞏固和提升公司的行業(yè)地位。為實(shí)現(xiàn)公司的戰(zhàn)略目標(biāo)，公司在未來三年將進(jìn)一步堅(jiān)持技術(shù)創(chuàng)新，加大研發(fā)投入，提升研發(fā)設(shè)計(jì)能力，優(yōu)化工藝制造流程；擴(kuò)大產(chǎn)能，提升自動(dòng)化水平，提高產(chǎn)品品質(zhì)；在鞏固現(xiàn)有業(yè)務(wù)的同時(shí)，積極開拓新客戶，不斷提升產(chǎn)品的市場占有率和公司市場地位；健全人才引進(jìn)和培養(yǎng)體系，完善績效考核機(jī)制和人才激勵(lì)政策，激發(fā)

27、員工潛能；優(yōu)化組織結(jié)構(gòu)，提升管理效率，為公司穩(wěn)定、快速、健康發(fā)展奠定堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。（二）公司經(jīng)濟(jì)效益分析上一年度，xxx科技公司實(shí)現(xiàn)營業(yè)收入15727.68萬元，同比增長12.43%（1739.26萬元）。其中，主營業(yè)業(yè)務(wù)中高頻熔煉設(shè)備生產(chǎn)及銷售收入為14615.77萬元，占營業(yè)總收入的92.93%。上年度主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)序號(hào)項(xiàng)目第一季度第二季度第三季度第四季度合計(jì)1營業(yè)收入3302.814403.754089.203931.9215727.682主營業(yè)務(wù)收入3069.314092.423800.103653.9414615.772.1中高頻熔煉設(shè)備(A)1012.871350.501254.0312

28、05.804823.202.2中高頻熔煉設(shè)備(B)705.94941.26874.02840.413361.632.3中高頻熔煉設(shè)備(C)521.78695.71646.02621.172484.682.4中高頻熔煉設(shè)備(D)368.32491.09456.01438.471753.892.5中高頻熔煉設(shè)備(E)245.54327.39304.01292.321169.262.6中高頻熔煉設(shè)備(F)153.47204.62190.01182.70730.792.7中高頻熔煉設(shè)備(.)61.3981.8576.0073.08292.323其他業(yè)務(wù)收入233.50311.33289.10277.9

29、81111.91根據(jù)初步統(tǒng)計(jì)測算，公司實(shí)現(xiàn)利潤總額4032.80萬元，較去年同期相比增長613.00萬元，增長率17.92%；實(shí)現(xiàn)凈利潤3024.60萬元，較去年同期相比增長515.49萬元，增長率20.54%。上年度主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)項(xiàng)目單位指標(biāo)完成營業(yè)收入萬元15727.68完成主營業(yè)務(wù)收入萬元14615.77主營業(yè)務(wù)收入占比92.93%營業(yè)收入增長率（同比）12.43%營業(yè)收入增長量（同比）萬元1739.26利潤總額萬元4032.80利潤總額增長率17.92%利潤總額增長量萬元613.00凈利潤萬元3024.60凈利潤增長率20.54%凈利潤增長量萬元515.49投資利潤率59.27%投資回報(bào)

30、率44.45%財(cái)務(wù)內(nèi)部收益率22.19%企業(yè)總資產(chǎn)萬元26092.21流動(dòng)資產(chǎn)總額占比萬元36.00%流動(dòng)資產(chǎn)總額萬元9393.08資產(chǎn)負(fù)債率26.06%二、中高頻熔煉設(shè)備項(xiàng)目背景分析半導(dǎo)體設(shè)備按生產(chǎn)工藝流程可分為前端設(shè)備（晶圓加工設(shè)備、晶圓制造設(shè)備）和后道設(shè)備（封裝及測試設(shè)備），占總體設(shè)備投資的比例分別為70%和30%。我們進(jìn)一步梳理了各環(huán)節(jié)主要設(shè)備的龍頭企業(yè)，其中應(yīng)用材料作為全球最大的半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商，在晶圓制造設(shè)備的幾個(gè)核心環(huán)節(jié)熱處理、鍍膜設(shè)備、離子注入設(shè)備等領(lǐng)先全球。日本公司更擅長制造刻蝕設(shè)備、涂膠機(jī)、顯影機(jī)、測試設(shè)備等產(chǎn)品，而以ASML為首的荷蘭公司則在高端光刻機(jī)領(lǐng)域處于領(lǐng)先地位。半

31、導(dǎo)體設(shè)備的上游為電子元器件和機(jī)械加工行業(yè)，原材料包括機(jī)械零件、視覺系統(tǒng)、繼電器、傳感器、計(jì)算機(jī)和PCB板等，優(yōu)質(zhì)的上游產(chǎn)品或服務(wù)有助于設(shè)備產(chǎn)品的可靠性和穩(wěn)定性。行業(yè)的下游主要為封裝測試、晶圓制造、芯片設(shè)計(jì)。集成電路產(chǎn)品技術(shù)含量高、工藝復(fù)雜，技術(shù)更新和工藝升級(jí)依托于裝備的發(fā)展；反之，下游信息產(chǎn)業(yè)不斷開發(fā)的新產(chǎn)品和新工藝，為設(shè)備行業(yè)提供了新需求和市場空間。以晶圓加工為例，8英寸的晶圓制造設(shè)備無法運(yùn)用于其他尺寸的加工，因此當(dāng)半導(dǎo)體行業(yè)進(jìn)入12英寸時(shí)代后，8英寸產(chǎn)品需要全部更新?lián)Q代，由此也帶來了設(shè)備行業(yè)的增量空間，促進(jìn)了其持續(xù)發(fā)展?？傮w設(shè)備市場恢復(fù)性增長，接近歷史最高水平。設(shè)備行業(yè)與半導(dǎo)體行業(yè)整體景氣

32、程度密切相關(guān)，且波動(dòng)較大。2008、2009年受到金融危機(jī)的影響，同比分別下降31%和46%，2010年強(qiáng)勢回升，并于次年達(dá)到歷史最高點(diǎn)435億美元，隨后受到周期性影響設(shè)備支出有所下降。而2016年全球集成電路設(shè)備市場規(guī)模為412億美元，同比增長13%。由于隨后幾年全球各大廠商加速12英寸晶圓廠建設(shè)，將帶動(dòng)上游設(shè)備銷售，2017年全球半導(dǎo)體新設(shè)備銷售額將達(dá)494億美元，同比增長19.8%，突破歷史最高水平。分產(chǎn)品來看，SEMI預(yù)計(jì)2017年晶圓加工設(shè)備達(dá)到398億美元，同比增長21.7%；光罩等其他前端設(shè)備23億美元，增長25.6%；而封裝測試裝備總計(jì)約73億美元。下游企業(yè)競爭日趨激烈，產(chǎn)業(yè)預(yù)

33、期持續(xù)向好。中國設(shè)備占比逐步提升。分地區(qū)來看，全球半導(dǎo)體設(shè)備主要銷售區(qū)域?yàn)橹袊?、日本、韓國、北美和臺(tái)灣地區(qū)，2016年占比分別為16%、11%、19%、11%和30%。中國大陸在05年僅占4%，近幾年隨著大陸新建晶圓廠的增加，為半導(dǎo)體設(shè)備、服務(wù)、材料等廠商提供了寶貴的機(jī)遇。2016年中國大陸設(shè)備銷售收入64.6億美元，同比增長32%，并首次超過日本，成為全球第三大半導(dǎo)體設(shè)備銷售地區(qū)。同時(shí)，SEMI預(yù)計(jì)韓國設(shè)備銷售將在2017年達(dá)到129.7億美元，超過臺(tái)灣成為全球第一大市場。晶圓產(chǎn)能集中度提高，12英寸是當(dāng)前主流。遵循摩爾定律的半導(dǎo)體行業(yè)曾經(jīng)實(shí)現(xiàn)了快速增長，在較低成本的基礎(chǔ)上帶來了強(qiáng)大的計(jì)算能

34、力。為了保持成本，既有通過技術(shù)進(jìn)步的小型化之路，也有增大晶圓尺寸的做法。通常，半導(dǎo)體行業(yè)每十年升級(jí)fab架構(gòu)來增加晶圓直徑，而同時(shí)技術(shù)進(jìn)步則是每兩年一個(gè)節(jié)點(diǎn)。隨著納米尺度逼近物理極限，技術(shù)進(jìn)步已經(jīng)放緩，晶圓尺寸的增加變得越來越重要。目前全球12英寸晶圓產(chǎn)能約為每月11.5百萬片，占總體產(chǎn)能的65%左右，未來12英寸產(chǎn)能預(yù)計(jì)會(huì)繼續(xù)擴(kuò)張。但是，更大晶圓尺寸的資本投入也會(huì)大幅增長，這為更弱小的玩家設(shè)置了進(jìn)入壁壘。設(shè)備行業(yè)在12英寸平臺(tái)開發(fā)上投入了116億美元，幾乎是開發(fā)8英寸平臺(tái)的9倍。由于這樣的尺寸遷移會(huì)產(chǎn)生進(jìn)入壁壘，領(lǐng)先的設(shè)備供應(yīng)商的擴(kuò)張速度會(huì)遠(yuǎn)優(yōu)于行業(yè)平均水平，促進(jìn)集中度的提升。行業(yè)前十企業(yè)的

35、集中度已由2009年的54%大幅提升至2016年的74%。由于行業(yè)發(fā)展的驅(qū)動(dòng)力是技術(shù)進(jìn)步和晶圓尺寸增加帶來的多樣化新應(yīng)用和成本降低，這給設(shè)備供應(yīng)商帶來了更大的增量空間。三、中高頻熔煉設(shè)備項(xiàng)目建設(shè)必要性分析在泛半導(dǎo)體行業(yè)，國內(nèi)廠商已接近國外先進(jìn)水平。半導(dǎo)體和光伏等行業(yè)均以硅晶圓作為加工原料，只是前者對(duì)晶圓純度要求更高，運(yùn)用于泛半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的晶圓生長設(shè)備適當(dāng)提高精度即可實(shí)現(xiàn)一定程度上的互相替代。在泛半導(dǎo)體行業(yè)，單晶硅生長爐技術(shù)水平的指標(biāo)有晶棒尺寸、投料量、自動(dòng)化程度和單晶硅棒成品品質(zhì)等，其中投料量和尺寸是主要的衡量標(biāo)準(zhǔn)。一般而言，投料量和晶棒尺寸越大，單位生產(chǎn)成本越低，技術(shù)難度也越大。目前國內(nèi)市場單

36、晶硅生長爐的投料量一般在60150kg，尺寸一般在68英寸。當(dāng)前只有少量幾家公司能夠生產(chǎn)150kg和8英寸以上的單晶硅生長爐，如德國的PVATePlaAG公司，美國的Kayex公司等。目前，以晶盛機(jī)電為代表的國內(nèi)廠商，其設(shè)備技術(shù)水平已經(jīng)接近甚至趕超了國外廠商水平，并且擁有明顯的成本優(yōu)勢，占據(jù)了國內(nèi)光伏市場的絕大部分份額。未來，國產(chǎn)晶圓生長設(shè)備有望提高在半導(dǎo)體行業(yè)的滲透率。光刻工藝及設(shè)備：光刻是在一片平整的硅片上構(gòu)建半導(dǎo)體MOS管和電路的基礎(chǔ)，利用光學(xué)-化學(xué)反應(yīng)原理和化學(xué)、物理刻蝕方法，將電路圖形傳遞到單晶表面或介質(zhì)層上，形成有效圖形窗口或功能圖形的精密微細(xì)加工技術(shù)。由于晶圓表面上的電路設(shè)計(jì)圖案

37、直接由光刻技術(shù)決定，因此光刻也是IC制造最核心的環(huán)節(jié)。光刻主要步驟是先在硅片上涂上一層耐腐蝕的光刻膠，讓強(qiáng)光通過一塊刻有電路圖案的鏤空掩模板照射在硅片上，使被照射到的部分（如源區(qū)和漏區(qū)）光刻膠發(fā)生變質(zhì)，然后用腐蝕性液體清洗硅片，除去變質(zhì)的光刻膠；而被光刻膠覆蓋住的部分則不會(huì)被刻蝕液影響。光刻工藝價(jià)值巨大，ASML獨(dú)領(lǐng)風(fēng)騷。即使是微米級(jí)的光刻工藝，也需要重復(fù)循環(huán)5次以上，而目前的28nm工藝則需要20道以上的光刻步驟，整個(gè)光刻成本約為硅片制造工藝的1/3，耗費(fèi)時(shí)間約占40%-60%。而光刻機(jī)則是IC制造中最核心的設(shè)備，價(jià)值量占到設(shè)備總投資的比例約為20%。全球半導(dǎo)體設(shè)備龍頭ASML在光刻機(jī)領(lǐng)域優(yōu)

38、勢巨大，其EUV光刻機(jī)工藝水平已經(jīng)達(dá)到10nm的級(jí)別，單臺(tái)設(shè)備售價(jià)超過1億美元。公司的市場份額超過60%，甩開了兩個(gè)老對(duì)手Nikon和Canon。極紫外光刻EUV是實(shí)現(xiàn)10nm以下工藝制程的最經(jīng)濟(jì)手段，并且只有ASML一家供應(yīng)商具備開發(fā)EUV光刻機(jī)的能力。因此半導(dǎo)體三巨頭英特爾、臺(tái)積電、三星均爭相投資ASML開發(fā)EUV技術(shù)，助其快速實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，以及獲得EUV設(shè)備的優(yōu)先購買權(quán)。雖然我國上海微電子也研發(fā)出光刻機(jī)，但由于中國半導(dǎo)體起步較晚，技術(shù)上與外資品牌差距巨大?？涛g工藝：按照掩模圖形對(duì)半導(dǎo)體襯底表面或表面覆蓋薄膜進(jìn)行選擇性腐蝕或剝離的技術(shù)工藝，是與光刻相聯(lián)系的圖形化處理的主要工藝，通常分為干法刻蝕

39、和濕法刻蝕。濕法刻蝕主要是在較為平整的膜面上用稀釋的化學(xué)品等刻出絨面，從而增加光程，減少光的反射。干法刻蝕是用等離子體（氣體）進(jìn)行薄膜刻蝕的技術(shù)工藝，通過電場對(duì)等離子體進(jìn)行引導(dǎo)和加速，使其具備一定能量，當(dāng)其轟擊被刻蝕物的表面時(shí)，更快地與材料進(jìn)行反應(yīng)，從而利用物理上的能量轉(zhuǎn)移實(shí)現(xiàn)刻蝕目的。中微半導(dǎo)體崛起，泛林雄踞榜首。在刻蝕設(shè)備領(lǐng)域，美國的泛林半導(dǎo)體憑借著先發(fā)優(yōu)勢和大量研發(fā)投入保持行業(yè)龍頭地位，但中國廠商中微半導(dǎo)體在近十年迅速崛起，并開始打入國際市場。中微半導(dǎo)體的16nm刻蝕機(jī)實(shí)現(xiàn)商業(yè)化量產(chǎn)，目前已經(jīng)進(jìn)入臺(tái)積電的5個(gè)半導(dǎo)體生產(chǎn)線，7-10nm刻蝕機(jī)設(shè)備可以與世界最前沿技術(shù)比肩。隨著中微的崛起，2

40、015年美國商業(yè)部的工業(yè)安全局特別發(fā)布公告，承認(rèn)中國已經(jīng)擁有制造具備國際競爭力刻蝕機(jī)的能力，且等離子刻蝕機(jī)已經(jīng)進(jìn)入量產(chǎn)階段，因而決定將等離子刻蝕機(jī)從美國對(duì)中國控制出口名錄中去除。離子注入工藝及設(shè)備：是人為地將所需雜質(zhì)以一定方式摻入到硅片表面薄層，并使其達(dá)到規(guī)定的數(shù)量和符合要求的分布形式，主要包括兩種方法。高溫?zé)釘U(kuò)散法是將摻雜氣體導(dǎo)入放有硅片的高溫爐，將雜質(zhì)擴(kuò)散到硅片內(nèi)一種方法；離子注入法是通過注入機(jī)的加速和引導(dǎo)，將能量為100keV量級(jí)的離子束入射到材料中去，與材料中的原子或分子發(fā)生一系列理化反應(yīng)，入射離子逐漸損失能量，并引起材料表面成分、結(jié)構(gòu)和性能發(fā)生變化，最后停留在材料中，從而優(yōu)化材料表面

41、性能，或獲得某些新的優(yōu)異性能。在離子注入機(jī)領(lǐng)域，美國應(yīng)用材料占據(jù)了70%以上的市場份額。成膜工藝及設(shè)備：主要運(yùn)用CVD技術(shù)（ChemicalVaporDeposition，化學(xué)氣相沉積），是把含有構(gòu)成薄膜元素的反應(yīng)劑蒸氣引入反應(yīng)室，在襯底表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成薄膜的過程。CVD技術(shù)具有淀積溫度低、薄膜成份易控的特點(diǎn)，膜厚與淀積時(shí)間成正比，均勻性和重復(fù)性好，其中應(yīng)用最廣的是PECVD和MOCVD。PECVD（等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積），是借助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，利用等離子很強(qiáng)的化學(xué)活性，在基片上沉積出所期望的薄膜；MOCVD（金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉積），

42、是以熱分解反應(yīng)方式在襯底上進(jìn)行氣相外延，生長各種-V族、-族化合物半導(dǎo)體以及它們的多元固溶體的薄層單晶材料。通常MOCVD系統(tǒng)中的晶體生長都是在常壓或低壓下通氫氣的冷壁不銹鋼反應(yīng)室中進(jìn)行，襯底溫度為500-1200，用射頻感應(yīng)加熱石墨基座，氫氣通過溫度可控的液體源鼓泡攜帶金屬有機(jī)物到生長區(qū)。薄膜工藝也是IC制造的一個(gè)基礎(chǔ)工藝，加工難度較高。該環(huán)節(jié)設(shè)備投資占整體設(shè)備的14%-15%。在CVD設(shè)備領(lǐng)域，中國與世界先進(jìn)水平差距較大。美國應(yīng)用材料幾乎涵蓋了除光刻機(jī)以外的前制程設(shè)備，并在CVD及PVD設(shè)備領(lǐng)域位居全球市占率第一，而中國企業(yè)近年來在“02”專項(xiàng)的支持下也實(shí)現(xiàn)了技術(shù)突破，其中北方華創(chuàng)的CVD

43、設(shè)備已經(jīng)進(jìn)入中芯國際28nm生產(chǎn)線，14nm設(shè)備正處于驗(yàn)證階段。第三章 市場調(diào)研預(yù)測一、中高頻熔煉設(shè)備行業(yè)分析半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)與面板產(chǎn)業(yè)相似，都是重資產(chǎn)投入，設(shè)備投資占總投資規(guī)模的比例達(dá)到60%以上，其中一些關(guān)鍵的制程環(huán)節(jié)需要綜合運(yùn)用光學(xué)、物理、化學(xué)等科學(xué)技術(shù)，具有技術(shù)含量高、制造難度大、設(shè)備價(jià)值高等特點(diǎn)。因此下游產(chǎn)業(yè)的發(fā)展衍生出了巨大的設(shè)備投資市場。IC產(chǎn)品生產(chǎn)附加值極高，工藝進(jìn)步依托于設(shè)備提升。目前的集成電路技術(shù)大多基于元素硅，并在晶片上構(gòu)建各種復(fù)雜電路。硅元素在地殼中的含量達(dá)到26.4%，是僅次于氧的第二大元素，而單晶硅則可通過富含二氧化硅的砂石經(jīng)提煉獲得。由價(jià)格低廉的砂石到性能卓越的芯片，I

44、C的生產(chǎn)過程就是硅元素附加值大量增長的過程。從最初的設(shè)計(jì)，到最終的下線檢測，生產(chǎn)過程需經(jīng)過幾十步甚至幾百步的工藝，整個(gè)制造過程工藝復(fù)雜，其中任何一步的錯(cuò)誤都可能是最后導(dǎo)致產(chǎn)品失效的原因，因此對(duì)設(shè)備可靠性的要求極高。下游廠商也愿意為高可靠性、高精度設(shè)備支付技術(shù)溢價(jià)，這也是半導(dǎo)體投資中設(shè)備投資占比較高的原因之一。從生產(chǎn)工藝來看，半導(dǎo)體制造過程可以分為IC設(shè)計(jì)（電路與邏輯設(shè)計(jì)）、制造（前道工序）和封裝與測試環(huán)節(jié)（后道工序）。設(shè)備主要針對(duì)制造及測封環(huán)節(jié)，設(shè)計(jì)部分的占比較少。IC設(shè)計(jì)：是一個(gè)將系統(tǒng)、邏輯與性能的設(shè)計(jì)要求轉(zhuǎn)化為具體的物理版圖的過程，主要包含邏輯設(shè)計(jì)、電路設(shè)計(jì)和圖形設(shè)計(jì)等。將最終設(shè)計(jì)出的電路

45、圖制作成光罩，進(jìn)入下一個(gè)制造環(huán)節(jié)。由于設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)主要通過計(jì)算機(jī)完成，所需的設(shè)備占比較少。IC制造：制造環(huán)節(jié)又分為晶圓制造和晶圓加工兩部分。前者是指運(yùn)用二氧化硅原料逐步制得單晶硅晶圓的過程，主要包含硅的純化-多晶硅制造-拉晶-切割、研磨等，對(duì)應(yīng)的設(shè)備分別是熔煉爐、CVD設(shè)備、單晶爐和切片機(jī)等；晶圓加工則是指在制備晶圓材料上構(gòu)建完整的集成電路芯片的過程，主要包含鍍膜、光刻、刻蝕、離子注入等幾大工藝。i.鍍膜工藝：通過PECVD、LPCVD等設(shè)備，在晶圓表面增加一層二氧化硅構(gòu)成絕緣層，使CPU不再漏電；ii.光刻工藝：通過光刻機(jī)，對(duì)半導(dǎo)體晶片表面的掩蔽物（如二氧化硅）進(jìn)行開孔，以便進(jìn)行雜質(zhì)的定域擴(kuò)散的

46、一種加工技術(shù)，加工的晶體管數(shù)量和密度都會(huì)隨著制程工藝的升級(jí)而不斷加強(qiáng)；iii.刻蝕工藝：通過刻蝕機(jī)，對(duì)半導(dǎo)體襯底表面或表面覆蓋薄膜進(jìn)行選擇性腐蝕或剝離；iv.離子注入：通過離子注入機(jī)或擴(kuò)散爐為材料加入特殊元素，從而優(yōu)化材料表面性能，或獲得某些新的優(yōu)異性能。IC測封：封裝是半導(dǎo)體設(shè)備制造過程中的最后一個(gè)環(huán)節(jié)，主要包含減薄/切割、貼裝/互聯(lián)、封裝、測試等過程，分別對(duì)應(yīng)切割減薄設(shè)備、引線機(jī)、鍵合機(jī)、分選測試機(jī)等。將半導(dǎo)體材料模塊集中于一個(gè)保護(hù)殼內(nèi)，防止物理損壞或化學(xué)腐蝕，最后通過測試的產(chǎn)品將作為最終成品投入到下游的應(yīng)用中去。IC制造是將光罩上的電路圖轉(zhuǎn)移到晶圓上的過程，這段時(shí)期硅晶片附加值增長最快。

47、該環(huán)節(jié)的制造難度相較后端的封裝測試要高很多，對(duì)于設(shè)備穩(wěn)定性和精度的要求極高，該部分設(shè)備投資體量巨大，占整體設(shè)備投資的70%以上。其核心工藝主要包含晶圓制造、鍍膜、光刻、刻蝕、離子注入5大環(huán)節(jié)。晶圓制造工藝及設(shè)備：硅晶圓的制造可以歸納為三個(gè)基本步驟：硅提煉及提純、單晶硅生長、晶圓成型。首先硅提純。將原料放入熔爐中進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)得到冶金級(jí)硅，然后通過蒸餾和化學(xué)還原工藝，得到了高純度的多晶硅，其純度高達(dá)99.9999999%（7個(gè)9以上），成為電子級(jí)硅。然后在單晶爐中使用提拉法得到單晶硅。即先將多晶硅熔化，然后將籽晶浸入其中，并由拉制棒帶著籽晶作反方向旋轉(zhuǎn)，同時(shí)緩慢地、垂直地由硅熔化物中向上拉出。熔化

48、的多晶硅會(huì)按籽晶晶格排列的方向不斷地生長上去，形成單晶硅棒。硅晶棒再經(jīng)過切段、滾磨、切片、倒角、拋光、激光刻后，成為集成電路工廠的基本原料硅晶圓片。二、中高頻熔煉設(shè)備市場分析預(yù)測中國晶圓廠建設(shè)加速。預(yù)估在2017-2020年間，全球?qū)⒂?2座新的晶圓廠投入營運(yùn)。中國大陸在這段期間將有26座新的晶圓廠投入營運(yùn)，占新增晶圓廠的比重高達(dá)42%，美國為10座，臺(tái)灣為9座，下游產(chǎn)能的擴(kuò)張帶來設(shè)備需求的彈性。據(jù)江蘇省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)的統(tǒng)計(jì)，2016年中國大陸已進(jìn)入連年國產(chǎn)階段的晶圓生產(chǎn)線有近100條，其中12英寸晶圓生產(chǎn)線共有9條，8英寸晶圓生產(chǎn)線共有16條，6英寸晶圓生產(chǎn)線共有40條，5英寸晶圓生產(chǎn)線約有

49、16條。中芯國際在北京的Fab4廠是中國最早量產(chǎn)的12英寸晶圓廠，經(jīng)過幾次技術(shù)改進(jìn)工藝水平達(dá)到65nm。除此之外，中芯國際也分別在北京和上海擁有兩條12英寸產(chǎn)線，技術(shù)節(jié)點(diǎn)達(dá)到了28nm，領(lǐng)先國內(nèi)水平。除了中芯與武漢新芯外，還暫未有國產(chǎn)企業(yè)擁有量產(chǎn)的12英寸廠。然而，英特爾、三星與SK海力士早已在大陸開始布局。SK海力士早在08年就在無錫建設(shè)了8英寸晶圓產(chǎn)線，隨后升級(jí)為12英寸。而英特爾大連工廠在2010年完工后用于生產(chǎn)65nm制程CPU，2015年10月與大連市政府合作，投資55億美元轉(zhuǎn)型生產(chǎn)3DNANDFlash。目前國內(nèi)已經(jīng)量產(chǎn)的12英寸晶圓廠僅有9座，合計(jì)產(chǎn)能42.9萬片/月。在政策和資

50、本的雙重驅(qū)動(dòng)下，中國大陸晶圓生產(chǎn)線建設(shè)進(jìn)入了新一輪發(fā)展浪潮。除了已經(jīng)量產(chǎn)的9條12英寸產(chǎn)線外，從2014下半年至2017上半年，中國大陸正在興建或宣布計(jì)劃興建的12英寸晶圓生產(chǎn)線共有20條（包括擴(kuò)產(chǎn)升級(jí)的產(chǎn)線），大大超越了已有數(shù)量，這在史上也是絕無僅有的集建設(shè)時(shí)期。中國大陸正在興建的12英寸晶圓產(chǎn)線，按主流產(chǎn)品和工藝技術(shù)來分，可以分為邏輯（Logic）芯片、存儲(chǔ)器（Memory）芯片和專用芯片生產(chǎn)線3類。目前興建中技術(shù)水平最高的廠商依然是中芯國際，其在北京投資40億美元的B3產(chǎn)線已達(dá)到14nm制程；同時(shí)還投資675億元在上海興建新晶圓廠，生產(chǎn)工藝涵蓋28-14nm，并且開始著手研發(fā)10/7nm

51、工藝，預(yù)計(jì)2018年正式投產(chǎn)。而作為臺(tái)灣地區(qū)晶圓代工龍頭臺(tái)積電，也于2017年宣布在南京建設(shè)12英寸晶圓廠，這也意味著16nm制程芯片將在大陸量產(chǎn)。除了新建產(chǎn)線，原有的外資12英寸產(chǎn)線也開始了技術(shù)升級(jí)、產(chǎn)能擴(kuò)建的進(jìn)程。其中包括SK海力士（無錫）進(jìn)行第5期擴(kuò)建工程，以及三星（西安）進(jìn)行第二座12英寸晶圓3DNANDFlash工廠建設(shè)。根據(jù)目前的規(guī)劃，若這些晶圓廠全部量產(chǎn)，可達(dá)到的理論產(chǎn)能約為125萬片/月。疊加現(xiàn)有產(chǎn)能，則未來中國12英寸晶圓產(chǎn)能將超過160萬片/月，將大大拉動(dòng)對(duì)半導(dǎo)體設(shè)備的需求。從2016年下半年起，國內(nèi)外8英寸晶圓產(chǎn)能日趨緊張，現(xiàn)有的8英寸產(chǎn)線投片量日益飽滿，因而在大陸新建和

52、擴(kuò)建12英寸產(chǎn)線的同時(shí)，8英寸晶圓生產(chǎn)線的新建和擴(kuò)建也隨勢展開。至今，新建的8英寸晶圓生產(chǎn)線主要有大連宇宙半導(dǎo)體和淮安德克瑪?shù)龋瑪U(kuò)建的8英寸產(chǎn)線主要是中芯國際（天津）Fab7。總體來說，國內(nèi)的8英寸產(chǎn)線共計(jì)21條，其中量產(chǎn)16條，在建或擴(kuò)建5條，共計(jì)產(chǎn)能115萬片/月。中國晶圓廠投資迎來爆發(fā)期。我們統(tǒng)計(jì)了國內(nèi)所有8英寸及12英寸產(chǎn)線的投資數(shù)據(jù)，從未來的投資軌跡來看，2017-2020年是晶圓廠投資的高峰期。這四年內(nèi)，將有20條產(chǎn)線12英寸晶圓產(chǎn)線實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，其中包括紫光集團(tuán)兩條、中芯國際四條、長江存儲(chǔ)三條，臺(tái)積電、三星、美國AOS、聯(lián)華電子、力晶、華力微電子、合肥長鑫、格羅方德、福建晉華、德克瑪

53、、SK海力士各一條，合計(jì)投資金額約6827億元（去除紫光成都產(chǎn)線和中芯國際寧波產(chǎn)線，因?yàn)槠渲慌c政府簽訂合作意向，項(xiàng)目并未實(shí)際動(dòng)工）。全部投產(chǎn)后，中國的12英寸晶圓產(chǎn)能將領(lǐng)先臺(tái)灣與韓國。同時(shí)，未來國內(nèi)新增的8英寸晶圓產(chǎn)能45.5萬片/月，相比目前的量產(chǎn)規(guī)模增長65%，新增投資247億元。來國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備市場空間測算：根據(jù)我們?nèi)斯そy(tǒng)計(jì)的晶圓產(chǎn)線數(shù)據(jù)，按照產(chǎn)線的投資額進(jìn)行4年的平滑，可以計(jì)算出未來每年晶圓廠投資數(shù)據(jù)。在過去的十年中，全球半導(dǎo)體設(shè)備資本支出占總體資本支出的比例平均約為67%，即一條晶圓產(chǎn)線的全部資本投資中，2/3的資金用于購買設(shè)備，剩下的1/3用于廠房建設(shè)，包括人員開支、設(shè)計(jì)、材料等費(fèi)

54、用。我們以一條15億美元的產(chǎn)線為例，其中10億美元用于設(shè)備支出，主要的設(shè)備包括以下幾種：i.光刻機(jī)：最高端的ASML光刻機(jī)售價(jià)高達(dá)1億美元，整條產(chǎn)線根據(jù)產(chǎn)能大小只需要幾臺(tái)光刻機(jī)即可；ii.等離子刻蝕機(jī)：一條產(chǎn)線需要30-50臺(tái)，單臺(tái)價(jià)格在200-250萬美元左右。iii.CVD設(shè)備：一個(gè)晶圓廠至少需要30臺(tái)，單臺(tái)價(jià)格200-300萬美元。iv.檢測設(shè)備：最貴的美國檢測機(jī)單價(jià)約為100萬-120萬美元，其中前道工序需要50臺(tái)，而后道工序則需要上百臺(tái)。約70%的市場為前端晶圓制造設(shè)備，而封裝設(shè)備、測試設(shè)備的占比分別為15%和10%。由于光刻、刻蝕、沉積等流程在芯片生產(chǎn)過程中不斷循環(huán)往復(fù)，對(duì)于設(shè)備穩(wěn)

55、定性和精度的要求極高，這部分設(shè)備價(jià)值體量也最高，其中最核心裝備光刻機(jī)、鍍膜沉積設(shè)備、刻蝕設(shè)備分別占晶圓廠設(shè)備總投資的20%、15%和14%左右。中國晶圓廠設(shè)備未來幾年的投資額將達(dá)到千億級(jí)別，對(duì)應(yīng)的設(shè)備投資額也為585億-1210億元不等，我們預(yù)計(jì)2019年設(shè)備投資額將達(dá)到近期峰值水平，其中晶圓制造的設(shè)備投資額將達(dá)到847億元。由于前道設(shè)備技術(shù)難度極高，同時(shí)國外實(shí)施技術(shù)封鎖，國產(chǎn)企業(yè)無法掌握核心技術(shù)而較難切入該領(lǐng)域。后道的封裝測試環(huán)節(jié)技術(shù)難度相對(duì)較低，尤其是測試設(shè)備，大陸憑借著技術(shù)引進(jìn)和較低的勞動(dòng)力成本優(yōu)勢已經(jīng)在該領(lǐng)域有所建樹，2017年測試設(shè)備市場規(guī)模有望達(dá)到59億元。持續(xù)的產(chǎn)能轉(zhuǎn)移不僅帶動(dòng)了國內(nèi)集成電路整體產(chǎn)業(yè)規(guī)模和技術(shù)水平的提高，也為裝備制造業(yè)提供了巨大的市場空間。第四章 建設(shè)規(guī)模一、產(chǎn)品規(guī)劃（一）產(chǎn)品放方案項(xiàng)目產(chǎn)品主要從國家及地方產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策、市場需求狀況、資源供應(yīng)情況、企業(yè)資金籌措能力、生產(chǎn)工藝技術(shù)水平的先進(jìn)程度、項(xiàng)目經(jīng)濟(jì)效益及投資風(fēng)險(xiǎn)性等方面綜合考慮確定。該項(xiàng)目主要產(chǎn)品為中高頻熔煉設(shè)備，具體品種將根據(jù)市場需求狀況進(jìn)行必要的調(diào)整，各年生產(chǎn)綱領(lǐng)是根據(jù)人員及裝備生產(chǎn)能力水平，并參考市場需求預(yù)測情況確定，同時(shí)，把產(chǎn)量和銷量視為一致，本報(bào)告將按照初步產(chǎn)品方案進(jìn)行測算，根據(jù)確定的產(chǎn)品方案和建設(shè)規(guī)模及預(yù)測的中高頻熔煉