年產(chǎn)xx臺中高頻熔煉設(shè)備項目規(guī)劃設(shè)計方案

1、泓域咨詢/年產(chǎn)xx臺中高頻熔煉設(shè)備項目規(guī)劃設(shè)計方案年產(chǎn)xx臺中高頻熔煉設(shè)備項目規(guī)劃設(shè)計方案泓域咨詢/規(guī)劃設(shè)計/投資分析承諾書申請人鄭重承諾如下：“年產(chǎn)xx臺中高頻熔煉設(shè)備項目”已按國家法律和政策的要求辦理相關(guān)手續(xù)，報告內(nèi)容及附件資料準(zhǔn)確、真實、有效，不存在虛假申請、分拆、重復(fù)申請獲得其他財政資金支持的情況。如有弄虛作假、隱瞞真實情況的行為，將愿意承擔(dān)相關(guān)法律法規(guī)的處罰以及由此導(dǎo)致的所有后果。公司法人代表簽字：xxx科技發(fā)展公司（蓋章）xxx年xx月xx日項目概要中國晶圓廠建設(shè)加速。預(yù)估在2017-2020年間，全球?qū)⒂?2座新的晶圓廠投入營運。中國大陸在這段期間將有26座新的晶圓廠投入營運，占

2、新增晶圓廠的比重高達(dá)42%，美國為10座，臺灣為9座，下游產(chǎn)能的擴(kuò)張帶來設(shè)備需求的彈性。據(jù)江蘇省半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會的統(tǒng)計，2016年中國大陸已進(jìn)入連年國產(chǎn)階段的晶圓生產(chǎn)線有近100條，其中12英寸晶圓生產(chǎn)線共有9條，8英寸晶圓生產(chǎn)線共有16條，6英寸晶圓生產(chǎn)線共有40條，5英寸晶圓生產(chǎn)線約有16條。中芯國際在北京的Fab4廠是中國最早量產(chǎn)的12英寸晶圓廠，經(jīng)過幾次技術(shù)改進(jìn)工藝水平達(dá)到65nm。除此之外，中芯國際也分別在北京和上海擁有兩條12英寸產(chǎn)線，技術(shù)節(jié)點達(dá)到了28nm，領(lǐng)先國內(nèi)水平。除了中芯與武漢新芯外，還暫未有國產(chǎn)企業(yè)擁有量產(chǎn)的12英寸廠。然而，英特爾、三星與SK海力士早已在大陸開始布局。S

3、K海力士早在08年就在無錫建設(shè)了8英寸晶圓產(chǎn)線，隨后升級為12英寸。而英特爾大連工廠在2010年完工后用于生產(chǎn)65nm制程CPU，2015年10月與大連市政府合作，投資55億美元轉(zhuǎn)型生產(chǎn)3DNANDFlash。目前國內(nèi)已經(jīng)量產(chǎn)的12英寸晶圓廠僅有9座，合計產(chǎn)能42.9萬片/月。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)與面板產(chǎn)業(yè)相似，都是重資產(chǎn)投入，設(shè)備投資占總投資規(guī)模的比例達(dá)到60%以上，其中一些關(guān)鍵的制程環(huán)節(jié)需要綜合運用光學(xué)、物理、化學(xué)等科學(xué)技術(shù)，具有技術(shù)含量高、制造難度大、設(shè)備價值高等特點。因此下游產(chǎn)業(yè)的發(fā)展衍生出了巨大的設(shè)備投資市場。該中高頻熔煉設(shè)備項目計劃總投資7311.12萬元，其中：固定資產(chǎn)投資5832.07萬

4、元，占項目總投資的79.77%；流動資金1479.05萬元，占項目總投資的20.23%。達(dá)產(chǎn)年營業(yè)收入14241.00萬元，總成本費用10768.41萬元，稅金及附加135.41萬元，利潤總額3472.59萬元，利稅總額4086.98萬元，稅后凈利潤2604.44萬元，達(dá)產(chǎn)年納稅總額1482.54萬元；達(dá)產(chǎn)年投資利潤率47.50%，投資利稅率55.90%，投資回報率35.62%，全部投資回收期4.31年，提供就業(yè)職位272個。重視環(huán)境保護(hù)的原則。使投資項目建設(shè)達(dá)到環(huán)境保護(hù)的要求，同時，嚴(yán)格執(zhí)行國家有關(guān)企業(yè)安全衛(wèi)生的各項法律、法規(guī)，并做到環(huán)境保護(hù)“三廢”治理措施以及工程建設(shè)“三同時”的要求，使企

5、業(yè)達(dá)到安全、整潔、文明生產(chǎn)的目的。報告主要內(nèi)容：項目承擔(dān)單位基本情況、項目技術(shù)工藝特點及優(yōu)勢、項目建設(shè)主要內(nèi)容和規(guī)模、項目建設(shè)地點、工程方案、產(chǎn)品工藝路線與技術(shù)特點、設(shè)備選型、總平面布置與運輸、環(huán)境保護(hù)、職業(yè)安全衛(wèi)生、消防與節(jié)能、項目實施進(jìn)度、項目投資與資金來源、財務(wù)評價等。第一章 項目承辦單位基本情況一、公司概況展望未來，公司將圍繞企業(yè)發(fā)展目標(biāo)的實現(xiàn)，在“夢想、責(zé)任、忠誠、一流”核心價值觀的指引下，圍繞業(yè)務(wù)體系、管控體系和人才隊伍體系重塑，推動體制機(jī)制改革和管理及業(yè)務(wù)模式的創(chuàng)新，加強(qiáng)團(tuán)隊能力建設(shè)，提升核心競爭力，努力把公司打造成為國內(nèi)一流的供應(yīng)鏈管理平臺。公司擁有優(yōu)秀的管理團(tuán)隊和較高的員工素

6、質(zhì)，在職員工約600人，80%以上為技術(shù)及管理人員，85%以上人員有大專以上學(xué)歷。公司根據(jù)市場調(diào)研，結(jié)合國家產(chǎn)業(yè)發(fā)展政策，在大力發(fā)展相關(guān)產(chǎn)業(yè)的同時，積極實施以“節(jié)能降耗、環(huán)境保護(hù)、清潔生產(chǎn)”為重點的技術(shù)改造和產(chǎn)品升級換代，取得了較好的經(jīng)濟(jì)效益和社會效益；企業(yè)將以全國性的銷售網(wǎng)絡(luò)、現(xiàn)代化的物流運作、科學(xué)的管理、良好的經(jīng)濟(jì)效益、與客戶雙贏的經(jīng)營方針，努力把公司發(fā)展成為國內(nèi)綜合實力較強(qiáng)的相關(guān)行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)之一。公司自設(shè)立以來，組建了一批經(jīng)驗豐富、能力優(yōu)秀的管理團(tuán)隊。管理團(tuán)隊人員對行業(yè)有著深刻的認(rèn)識，能夠敏銳地把握行業(yè)內(nèi)的發(fā)展趨勢，抓住業(yè)務(wù)拓展機(jī)會，對公司未來發(fā)展有著科學(xué)的規(guī)劃。相關(guān)管理人員利用自己在行

7、業(yè)內(nèi)深耕積累的經(jīng)驗優(yōu)勢，為公司未來業(yè)績發(fā)展提供了有力保障。 公司堅持精益化、規(guī)?；?、品牌化、國際化的戰(zhàn)略，充分發(fā)揮渠道優(yōu)勢、技術(shù)優(yōu)勢、品牌優(yōu)勢、產(chǎn)品質(zhì)量優(yōu)勢、規(guī)?；a(chǎn)優(yōu)勢，為客戶提供高附加值、高質(zhì)量的產(chǎn)品。公司將不斷改善治理結(jié)構(gòu)，持續(xù)提高公司的自主研發(fā)能力，積極開拓國內(nèi)外市場。 二、所屬行業(yè)基本情況半導(dǎo)體設(shè)備按生產(chǎn)工藝流程可分為前端設(shè)備（晶圓加工設(shè)備、晶圓制造設(shè)備）和后道設(shè)備（封裝及測試設(shè)備），占總體設(shè)備投資的比例分別為70%和30%。我們進(jìn)一步梳理了各環(huán)節(jié)主要設(shè)備的龍頭企業(yè)，其中應(yīng)用材料作為全球最大的半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商，在晶圓制造設(shè)備的幾個核心環(huán)節(jié)熱處理、鍍膜設(shè)備、離子注入設(shè)備等領(lǐng)先全球。日

8、本公司更擅長制造刻蝕設(shè)備、涂膠機(jī)、顯影機(jī)、測試設(shè)備等產(chǎn)品，而以ASML為首的荷蘭公司則在高端光刻機(jī)領(lǐng)域處于領(lǐng)先地位。在泛半導(dǎo)體行業(yè)，國內(nèi)廠商已接近國外先進(jìn)水平。半導(dǎo)體和光伏等行業(yè)均以硅晶圓作為加工原料，只是前者對晶圓純度要求更高，運用于泛半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的晶圓生長設(shè)備適當(dāng)提高精度即可實現(xiàn)一定程度上的互相替代。在泛半導(dǎo)體行業(yè)，單晶硅生長爐技術(shù)水平的指標(biāo)有晶棒尺寸、投料量、自動化程度和單晶硅棒成品品質(zhì)等，其中投料量和尺寸是主要的衡量標(biāo)準(zhǔn)。一般而言，投料量和晶棒尺寸越大，單位生產(chǎn)成本越低，技術(shù)難度也越大。目前國內(nèi)市場單晶硅生長爐的投料量一般在60150kg，尺寸一般在68英寸。當(dāng)前只有少量幾家公司能夠生產(chǎn)

9、150kg和8英寸以上的單晶硅生長爐，如德國的PVATePlaAG公司，美國的Kayex公司等。目前，以晶盛機(jī)電為代表的國內(nèi)廠商，其設(shè)備技術(shù)水平已經(jīng)接近甚至趕超了國外廠商水平，并且擁有明顯的成本優(yōu)勢，占據(jù)了國內(nèi)光伏市場的絕大部分份額。未來，國產(chǎn)晶圓生長設(shè)備有望提高在半導(dǎo)體行業(yè)的滲透率。三、公司經(jīng)濟(jì)效益分析上一年度，xxx有限責(zé)任公司實現(xiàn)營業(yè)收入11303.36萬元，同比增長21.83%（2025.45萬元）。其中，主營業(yè)業(yè)務(wù)中高頻熔煉設(shè)備生產(chǎn)及銷售收入為9874.48萬元，占營業(yè)總收入的87.36%。上年度主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)序號項目第一季度第二季度第三季度第四季度合計1營業(yè)收入2373.713164

10、.942938.872825.8411303.362主營業(yè)務(wù)收入2073.642764.852567.362468.629874.482.1中高頻熔煉設(shè)備(A)684.30912.40847.23814.643258.582.2中高頻熔煉設(shè)備(B)476.94635.92590.49567.782271.132.3中高頻熔煉設(shè)備(C)352.52470.03436.45419.671678.662.4中高頻熔煉設(shè)備(D)248.84331.78308.08296.231184.942.5中高頻熔煉設(shè)備(E)165.89221.19205.39197.49789.962.6中高頻熔煉設(shè)備(F)1

11、03.68138.24128.37123.43493.722.7中高頻熔煉設(shè)備(.)41.4755.3051.3549.37197.493其他業(yè)務(wù)收入300.06400.09371.51357.221428.88根據(jù)初步統(tǒng)計測算，公司實現(xiàn)利潤總額2671.44萬元，較去年同期相比增長549.81萬元，增長率25.91%；實現(xiàn)凈利潤2003.58萬元，較去年同期相比增長350.79萬元，增長率21.22%。上年度主要經(jīng)濟(jì)指標(biāo)項目單位指標(biāo)完成營業(yè)收入萬元11303.36完成主營業(yè)務(wù)收入萬元9874.48主營業(yè)務(wù)收入占比87.36%營業(yè)收入增長率（同比）21.83%營業(yè)收入增長量（同比）萬元2025

12、.45利潤總額萬元2671.44利潤總額增長率25.91%利潤總額增長量萬元549.81凈利潤萬元2003.58凈利潤增長率21.22%凈利潤增長量萬元350.79投資利潤率52.25%投資回報率39.19%財務(wù)內(nèi)部收益率27.95%企業(yè)總資產(chǎn)萬元12786.43流動資產(chǎn)總額占比萬元38.42%流動資產(chǎn)總額萬元4912.13資產(chǎn)負(fù)債率33.80%第二章 項目技術(shù)工藝特點及優(yōu)勢一、技術(shù)方案（一）技術(shù)方案選用方向1、對于生產(chǎn)技術(shù)方案的選用，遵循“自動控制、安全可靠、運行穩(wěn)定、節(jié)省投資、綜合利用資源”的原則，選用當(dāng)前較先進(jìn)的集散型控制系統(tǒng)，由計算機(jī)統(tǒng)一控制整個生產(chǎn)線的各項工藝參數(shù)，使產(chǎn)品質(zhì)量穩(wěn)定在高

13、水平上，同時可降低物料的消耗。嚴(yán)格按行業(yè)規(guī)范要求組織生產(chǎn)經(jīng)營活動，有效控制產(chǎn)品質(zhì)量，為廣大顧客提供優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品和良好的服務(wù)。2、遵循“高起點、優(yōu)質(zhì)量、專業(yè)化、經(jīng)濟(jì)規(guī)?！钡慕ㄔO(shè)原則。積極采用新技術(shù)、新工藝和高效率專用設(shè)備，使用高質(zhì)量的原輔材料，穩(wěn)定和提高產(chǎn)品質(zhì)量，制造高附加值的產(chǎn)品，不斷提高企業(yè)的市場競爭能力。3、在工藝設(shè)備的配置上，依據(jù)節(jié)能的原則，選用新型節(jié)能型設(shè)備，根據(jù)有利于環(huán)境保護(hù)的原則，優(yōu)先選用環(huán)境保護(hù)型設(shè)備，滿足項目所制訂的產(chǎn)品方案要求，優(yōu)選具有國際先進(jìn)水平的生產(chǎn)、試驗及配套等設(shè)備，充分顯現(xiàn)龍頭企業(yè)專業(yè)化水平，選擇高效、合理的生產(chǎn)和物流方式。4、生產(chǎn)工藝設(shè)計要滿足規(guī)模化生產(chǎn)要求，注重生產(chǎn)

14、工藝的總體設(shè)計，工藝布局采用最佳物流模式，最有效的倉儲模式，最短的物流過程，最便捷的物資流向。5、根據(jù)該項目的產(chǎn)品方案，所選用的工藝流程能夠滿足產(chǎn)品制造的要求，同時，加強(qiáng)員工技術(shù)培訓(xùn)，嚴(yán)格質(zhì)量管理，按照工藝流程技術(shù)要求進(jìn)行操作，提高產(chǎn)品合格率，努力追求產(chǎn)品的“零缺陷”，以關(guān)鍵生產(chǎn)工序為質(zhì)量控制點，確保該項目產(chǎn)品質(zhì)量。6、在項目建設(shè)和實施過程中，認(rèn)真貫徹執(zhí)行環(huán)境保護(hù)和安全生產(chǎn)的“三同時”原則，注重環(huán)境保護(hù)、職業(yè)安全衛(wèi)生、消防及節(jié)能等法律法規(guī)和各項措施的貫徹落實。（三）工藝技術(shù)方案選用原則1、在基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)和工業(yè)生產(chǎn)過程中，應(yīng)全面實施清潔生產(chǎn)，盡可能降低總的物耗、水耗和能源消費，通過物料替代、工藝

15、革新、減少有毒有害物質(zhì)的使用和排放，在建筑材料、能源使用、產(chǎn)品和服務(wù)過程中，鼓勵利用可再生資源和可重復(fù)利用資源。2、遵循“高起點、優(yōu)質(zhì)量、專業(yè)化、經(jīng)濟(jì)規(guī)模”的建設(shè)原則，積極采用新技術(shù)、新工藝和高效率專用設(shè)備，使用高質(zhì)量的原輔材料，穩(wěn)定和提高產(chǎn)品質(zhì)量，制造高附加值的產(chǎn)品，不斷提高企業(yè)的市場競爭力。（四）工藝技術(shù)方案要求1、對于生產(chǎn)技術(shù)方案的選用，遵循“自動控制、安全可靠、運行穩(wěn)定、節(jié)省投資、綜合利用資源”的原則，選用當(dāng)前較先進(jìn)的集散型控制系統(tǒng)，控制整個生產(chǎn)線的各項工藝參數(shù)，使產(chǎn)品質(zhì)量穩(wěn)定在高水平上，同時可降低物料的消耗；嚴(yán)格按照電氣機(jī)械和器材制造行業(yè)規(guī)范要求組織生產(chǎn)經(jīng)營活動，有效控制產(chǎn)品質(zhì)量，為

16、廣大顧客提供優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品和良好的服務(wù)。2、建立完善柔性生產(chǎn)模式；本期工程項目產(chǎn)品具有客戶需求多樣化、產(chǎn)品個性差異化的特點，因此，產(chǎn)品規(guī)格品種多樣，單批生產(chǎn)數(shù)量較小，多品種、小批量的制造特點直接影響生產(chǎn)效率、生產(chǎn)成本及交付周期；益而益（集團(tuán)）有限公司將建設(shè)先進(jìn)的柔性制造生產(chǎn)線，并將柔性制造技術(shù)廣泛應(yīng)用到產(chǎn)品制造各個環(huán)節(jié)，可以在照顧到客戶個性化要求的同時不犧牲生產(chǎn)規(guī)模優(yōu)勢和質(zhì)量控制水平，同時，降低故障率、提高性價比，使產(chǎn)品性能和質(zhì)量達(dá)到國內(nèi)領(lǐng)先、國際先進(jìn)水平。二、項目工藝技術(shù)設(shè)計方案（一）技術(shù)來源及先進(jìn)性說明項目技術(shù)來源為公司的自有技術(shù)，該技術(shù)達(dá)到國內(nèi)先進(jìn)水平。（二）項目技術(shù)優(yōu)勢分析本期工程項目采用

17、國內(nèi)先進(jìn)的技術(shù)，該技術(shù)具有資金占用少、生產(chǎn)效率高、資源消耗低、勞動強(qiáng)度小的特點，其技術(shù)特性屬于技術(shù)密集型，該技術(shù)具備以下優(yōu)勢：1、技術(shù)含量和自動化水平較高，處于國內(nèi)先進(jìn)水平，在產(chǎn)品質(zhì)量水平上相對其他生產(chǎn)技術(shù)性能費用比優(yōu)越，結(jié)構(gòu)合理、占地面積小、功能齊全、運行費用低、使用壽命長；在工藝水平上該技術(shù)能夠保證產(chǎn)品質(zhì)量高穩(wěn)定性、提高資源利用率和節(jié)能降耗水平；根據(jù)初步測算，利用該技術(shù)生產(chǎn)產(chǎn)品，可提高原料利用率和用電效率，在裝備水平上，該技術(shù)使用的設(shè)備自動控制程度和性能可靠性相對較高。2、本期工程項目采用的技術(shù)與國內(nèi)資源條件適應(yīng)，具有良好的技術(shù)適應(yīng)性；該技術(shù)工藝路線可以適應(yīng)國內(nèi)主要原材料特性，技術(shù)工藝路線

18、簡潔，有利于流程控制和設(shè)備操作，工藝技術(shù)已經(jīng)被國內(nèi)生產(chǎn)實踐檢驗，證明技術(shù)成熟，技術(shù)支援條件良好，具有較強(qiáng)的可靠性。3、技術(shù)設(shè)備投資和產(chǎn)品生產(chǎn)成本低，具有較強(qiáng)的經(jīng)濟(jì)合理性；本期工程項目采用本技術(shù)方案建設(shè)其主要設(shè)備多數(shù)可按通用標(biāo)準(zhǔn)在國內(nèi)采購。4、節(jié)能設(shè)施先進(jìn)并可進(jìn)行多規(guī)格產(chǎn)品轉(zhuǎn)換，項目運行成本較低，應(yīng)變市場能力很強(qiáng)。第三章 背景及必要性一、中高頻熔煉設(shè)備項目背景分析中國晶圓廠建設(shè)加速。預(yù)估在2017-2020年間，全球?qū)⒂?2座新的晶圓廠投入營運。中國大陸在這段期間將有26座新的晶圓廠投入營運，占新增晶圓廠的比重高達(dá)42%，美國為10座，臺灣為9座，下游產(chǎn)能的擴(kuò)張帶來設(shè)備需求的彈性。據(jù)江蘇省半導(dǎo)體

19、行業(yè)協(xié)會的統(tǒng)計，2016年中國大陸已進(jìn)入連年國產(chǎn)階段的晶圓生產(chǎn)線有近100條，其中12英寸晶圓生產(chǎn)線共有9條，8英寸晶圓生產(chǎn)線共有16條，6英寸晶圓生產(chǎn)線共有40條，5英寸晶圓生產(chǎn)線約有16條。中芯國際在北京的Fab4廠是中國最早量產(chǎn)的12英寸晶圓廠，經(jīng)過幾次技術(shù)改進(jìn)工藝水平達(dá)到65nm。除此之外，中芯國際也分別在北京和上海擁有兩條12英寸產(chǎn)線，技術(shù)節(jié)點達(dá)到了28nm，領(lǐng)先國內(nèi)水平。除了中芯與武漢新芯外，還暫未有國產(chǎn)企業(yè)擁有量產(chǎn)的12英寸廠。然而，英特爾、三星與SK海力士早已在大陸開始布局。SK海力士早在08年就在無錫建設(shè)了8英寸晶圓產(chǎn)線，隨后升級為12英寸。而英特爾大連工廠在2010年完工后

20、用于生產(chǎn)65nm制程CPU，2015年10月與大連市政府合作，投資55億美元轉(zhuǎn)型生產(chǎn)3DNANDFlash。目前國內(nèi)已經(jīng)量產(chǎn)的12英寸晶圓廠僅有9座，合計產(chǎn)能42.9萬片/月。在政策和資本的雙重驅(qū)動下，中國大陸晶圓生產(chǎn)線建設(shè)進(jìn)入了新一輪發(fā)展浪潮。除了已經(jīng)量產(chǎn)的9條12英寸產(chǎn)線外，從2014下半年至2017上半年，中國大陸正在興建或宣布計劃興建的12英寸晶圓生產(chǎn)線共有20條（包括擴(kuò)產(chǎn)升級的產(chǎn)線），大大超越了已有數(shù)量，這在史上也是絕無僅有的集建設(shè)時期。中國大陸正在興建的12英寸晶圓產(chǎn)線，按主流產(chǎn)品和工藝技術(shù)來分，可以分為邏輯（Logic）芯片、存儲器（Memory）芯片和專用芯片生產(chǎn)線3類。目前興

21、建中技術(shù)水平最高的廠商依然是中芯國際，其在北京投資40億美元的B3產(chǎn)線已達(dá)到14nm制程；同時還投資675億元在上海興建新晶圓廠，生產(chǎn)工藝涵蓋28-14nm，并且開始著手研發(fā)10/7nm工藝，預(yù)計2018年正式投產(chǎn)。而作為臺灣地區(qū)晶圓代工龍頭臺積電，也于2017年宣布在南京建設(shè)12英寸晶圓廠，這也意味著16nm制程芯片將在大陸量產(chǎn)。除了新建產(chǎn)線，原有的外資12英寸產(chǎn)線也開始了技術(shù)升級、產(chǎn)能擴(kuò)建的進(jìn)程。其中包括SK海力士（無錫）進(jìn)行第5期擴(kuò)建工程，以及三星（西安）進(jìn)行第二座12英寸晶圓3DNANDFlash工廠建設(shè)。根據(jù)目前的規(guī)劃，若這些晶圓廠全部量產(chǎn)，可達(dá)到的理論產(chǎn)能約為125萬片/月。疊加現(xiàn)

22、有產(chǎn)能，則未來中國12英寸晶圓產(chǎn)能將超過160萬片/月，將大大拉動對半導(dǎo)體設(shè)備的需求。從2016年下半年起，國內(nèi)外8英寸晶圓產(chǎn)能日趨緊張，現(xiàn)有的8英寸產(chǎn)線投片量日益飽滿，因而在大陸新建和擴(kuò)建12英寸產(chǎn)線的同時，8英寸晶圓生產(chǎn)線的新建和擴(kuò)建也隨勢展開。至今，新建的8英寸晶圓生產(chǎn)線主要有大連宇宙半導(dǎo)體和淮安德克瑪?shù)龋瑪U(kuò)建的8英寸產(chǎn)線主要是中芯國際（天津）Fab7。總體來說，國內(nèi)的8英寸產(chǎn)線共計21條，其中量產(chǎn)16條，在建或擴(kuò)建5條，共計產(chǎn)能115萬片/月。中國晶圓廠投資迎來爆發(fā)期。我們統(tǒng)計了國內(nèi)所有8英寸及12英寸產(chǎn)線的投資數(shù)據(jù)，從未來的投資軌跡來看，2017-2020年是晶圓廠投資的高峰期。這四

23、年內(nèi)，將有20條產(chǎn)線12英寸晶圓產(chǎn)線實現(xiàn)量產(chǎn)，其中包括紫光集團(tuán)兩條、中芯國際四條、長江存儲三條，臺積電、三星、美國AOS、聯(lián)華電子、力晶、華力微電子、合肥長鑫、格羅方德、福建晉華、德克瑪、SK海力士各一條，合計投資金額約6827億元（去除紫光成都產(chǎn)線和中芯國際寧波產(chǎn)線，因為其只與政府簽訂合作意向，項目并未實際動工）。全部投產(chǎn)后，中國的12英寸晶圓產(chǎn)能將領(lǐng)先臺灣與韓國。同時，未來國內(nèi)新增的8英寸晶圓產(chǎn)能45.5萬片/月，相比目前的量產(chǎn)規(guī)模增長65%，新增投資247億元。來國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備市場空間測算：根據(jù)我們?nèi)斯そy(tǒng)計的晶圓產(chǎn)線數(shù)據(jù)，按照產(chǎn)線的投資額進(jìn)行4年的平滑，可以計算出未來每年晶圓廠投資數(shù)據(jù)。

24、在過去的十年中，全球半導(dǎo)體設(shè)備資本支出占總體資本支出的比例平均約為67%，即一條晶圓產(chǎn)線的全部資本投資中，2/3的資金用于購買設(shè)備，剩下的1/3用于廠房建設(shè)，包括人員開支、設(shè)計、材料等費用。我們以一條15億美元的產(chǎn)線為例，其中10億美元用于設(shè)備支出，主要的設(shè)備包括以下幾種：i.光刻機(jī)：最高端的ASML光刻機(jī)售價高達(dá)1億美元，整條產(chǎn)線根據(jù)產(chǎn)能大小只需要幾臺光刻機(jī)即可；ii.等離子刻蝕機(jī)：一條產(chǎn)線需要30-50臺，單臺價格在200-250萬美元左右。iii.CVD設(shè)備：一個晶圓廠至少需要30臺，單臺價格200-300萬美元。iv.檢測設(shè)備：最貴的美國檢測機(jī)單價約為100萬-120萬美元，其中前道工

25、序需要50臺，而后道工序則需要上百臺。約70%的市場為前端晶圓制造設(shè)備，而封裝設(shè)備、測試設(shè)備的占比分別為15%和10%。由于光刻、刻蝕、沉積等流程在芯片生產(chǎn)過程中不斷循環(huán)往復(fù)，對于設(shè)備穩(wěn)定性和精度的要求極高，這部分設(shè)備價值體量也最高，其中最核心裝備光刻機(jī)、鍍膜沉積設(shè)備、刻蝕設(shè)備分別占晶圓廠設(shè)備總投資的20%、15%和14%左右。中國晶圓廠設(shè)備未來幾年的投資額將達(dá)到千億級別，對應(yīng)的設(shè)備投資額也為585億-1210億元不等，我們預(yù)計2019年設(shè)備投資額將達(dá)到近期峰值水平，其中晶圓制造的設(shè)備投資額將達(dá)到847億元。由于前道設(shè)備技術(shù)難度極高，同時國外實施技術(shù)封鎖，國產(chǎn)企業(yè)無法掌握核心技術(shù)而較難切入該領(lǐng)

26、域。后道的封裝測試環(huán)節(jié)技術(shù)難度相對較低，尤其是測試設(shè)備，大陸憑借著技術(shù)引進(jìn)和較低的勞動力成本優(yōu)勢已經(jīng)在該領(lǐng)域有所建樹，2017年測試設(shè)備市場規(guī)模有望達(dá)到59億元。持續(xù)的產(chǎn)能轉(zhuǎn)移不僅帶動了國內(nèi)集成電路整體產(chǎn)業(yè)規(guī)模和技術(shù)水平的提高，也為裝備制造業(yè)提供了巨大的市場空間。二、鼓勵中小企業(yè)發(fā)展改革開放以來，我國非公有制經(jīng)濟(jì)發(fā)展迅速，在支撐增長、促進(jìn)就業(yè)、擴(kuò)大創(chuàng)新、增加稅收，推動社會主義市場經(jīng)濟(jì)制度完善等方面發(fā)揮了重要作用，已成為我國經(jīng)濟(jì)社會發(fā)展的重要基礎(chǔ)。但部分民營企業(yè)經(jīng)營管理方式和發(fā)展模式粗放，管理方式、管理理念落后，風(fēng)險防范機(jī)制不健全，先進(jìn)管理模式和管理手段應(yīng)用不夠廣泛，企業(yè)文化和社會責(zé)任缺乏，難以

27、適應(yīng)我國經(jīng)濟(jì)社會發(fā)展的新常態(tài)和新要求。公有制為主體、多種所有制經(jīng)濟(jì)共同發(fā)展,是我國的基本經(jīng)濟(jì)制度；毫不動搖鞏固和發(fā)展公有制經(jīng)濟(jì)，毫不動搖鼓勵、支持和引導(dǎo)非公有制經(jīng)濟(jì)發(fā)展，是黨和國家的大政方針。今天，我們對民營經(jīng)濟(jì)的包容與支持始終如一，人們在市場經(jīng)濟(jì)中創(chuàng)造未來的激情也澎湃如昨。工業(yè)和信息化部近日發(fā)布了促進(jìn)中小企業(yè)發(fā)展規(guī)劃(2016-2020年)，提出了“十三五”期間促進(jìn)中小企業(yè)發(fā)展的總體思路、發(fā)展目標(biāo)、主要任務(wù)和關(guān)鍵工程與專項行動，為促進(jìn)中小企業(yè)發(fā)展提供指引，為中小企業(yè)主管部門履行職責(zé)提供依據(jù)。隨著規(guī)劃的深入貫徹落實，逐步實現(xiàn)“整體水平進(jìn)一步提高、創(chuàng)新能力進(jìn)一步增強(qiáng)、企業(yè)素質(zhì)進(jìn)一步提升、發(fā)展環(huán)境

28、進(jìn)一步優(yōu)化”的發(fā)展目標(biāo)。三、宏觀經(jīng)濟(jì)形勢分析工業(yè)經(jīng)濟(jì)總體保持平穩(wěn)運行、穩(wěn)中向好的基本態(tài)勢，主要表現(xiàn)為：長期趨勢看，工業(yè)生產(chǎn)保持在穩(wěn)定增長的合理區(qū)間，趨穩(wěn)態(tài)勢明顯；工業(yè)產(chǎn)能利用率提高；工業(yè)產(chǎn)品出口由降轉(zhuǎn)增，對工業(yè)穩(wěn)定增長發(fā)揮助推作用；工業(yè)產(chǎn)品價格由降轉(zhuǎn)升，市場供求關(guān)系得到改善；工業(yè)用電增速回升明顯；工業(yè)增值稅增速回升；工業(yè)企業(yè)利潤增速明顯回升；工業(yè)新動能快速成長。四、中高頻熔煉設(shè)備項目建設(shè)必要性分析半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)與面板產(chǎn)業(yè)相似，都是重資產(chǎn)投入，設(shè)備投資占總投資規(guī)模的比例達(dá)到60%以上，其中一些關(guān)鍵的制程環(huán)節(jié)需要綜合運用光學(xué)、物理、化學(xué)等科學(xué)技術(shù)，具有技術(shù)含量高、制造難度大、設(shè)備價值高等特點。因此下游

29、產(chǎn)業(yè)的發(fā)展衍生出了巨大的設(shè)備投資市場。IC產(chǎn)品生產(chǎn)附加值極高，工藝進(jìn)步依托于設(shè)備提升。目前的集成電路技術(shù)大多基于元素硅，并在晶片上構(gòu)建各種復(fù)雜電路。硅元素在地殼中的含量達(dá)到26.4%，是僅次于氧的第二大元素，而單晶硅則可通過富含二氧化硅的砂石經(jīng)提煉獲得。由價格低廉的砂石到性能卓越的芯片，IC的生產(chǎn)過程就是硅元素附加值大量增長的過程。從最初的設(shè)計，到最終的下線檢測，生產(chǎn)過程需經(jīng)過幾十步甚至幾百步的工藝，整個制造過程工藝復(fù)雜，其中任何一步的錯誤都可能是最后導(dǎo)致產(chǎn)品失效的原因，因此對設(shè)備可靠性的要求極高。下游廠商也愿意為高可靠性、高精度設(shè)備支付技術(shù)溢價，這也是半導(dǎo)體投資中設(shè)備投資占比較高的原因之一。

30、從生產(chǎn)工藝來看，半導(dǎo)體制造過程可以分為IC設(shè)計（電路與邏輯設(shè)計）、制造（前道工序）和封裝與測試環(huán)節(jié)（后道工序）。設(shè)備主要針對制造及測封環(huán)節(jié)，設(shè)計部分的占比較少。IC設(shè)計：是一個將系統(tǒng)、邏輯與性能的設(shè)計要求轉(zhuǎn)化為具體的物理版圖的過程，主要包含邏輯設(shè)計、電路設(shè)計和圖形設(shè)計等。將最終設(shè)計出的電路圖制作成光罩，進(jìn)入下一個制造環(huán)節(jié)。由于設(shè)計環(huán)節(jié)主要通過計算機(jī)完成，所需的設(shè)備占比較少。IC制造：制造環(huán)節(jié)又分為晶圓制造和晶圓加工兩部分。前者是指運用二氧化硅原料逐步制得單晶硅晶圓的過程，主要包含硅的純化-多晶硅制造-拉晶-切割、研磨等，對應(yīng)的設(shè)備分別是熔煉爐、CVD設(shè)備、單晶爐和切片機(jī)等；晶圓加工則是指在制備

31、晶圓材料上構(gòu)建完整的集成電路芯片的過程，主要包含鍍膜、光刻、刻蝕、離子注入等幾大工藝。i.鍍膜工藝：通過PECVD、LPCVD等設(shè)備，在晶圓表面增加一層二氧化硅構(gòu)成絕緣層，使CPU不再漏電；ii.光刻工藝：通過光刻機(jī)，對半導(dǎo)體晶片表面的掩蔽物（如二氧化硅）進(jìn)行開孔，以便進(jìn)行雜質(zhì)的定域擴(kuò)散的一種加工技術(shù)，加工的晶體管數(shù)量和密度都會隨著制程工藝的升級而不斷加強(qiáng)；iii.刻蝕工藝：通過刻蝕機(jī)，對半導(dǎo)體襯底表面或表面覆蓋薄膜進(jìn)行選擇性腐蝕或剝離；iv.離子注入：通過離子注入機(jī)或擴(kuò)散爐為材料加入特殊元素，從而優(yōu)化材料表面性能，或獲得某些新的優(yōu)異性能。IC測封：封裝是半導(dǎo)體設(shè)備制造過程中的最后一個環(huán)節(jié)，主

32、要包含減薄/切割、貼裝/互聯(lián)、封裝、測試等過程，分別對應(yīng)切割減薄設(shè)備、引線機(jī)、鍵合機(jī)、分選測試機(jī)等。將半導(dǎo)體材料模塊集中于一個保護(hù)殼內(nèi)，防止物理損壞或化學(xué)腐蝕，最后通過測試的產(chǎn)品將作為最終成品投入到下游的應(yīng)用中去。IC制造是將光罩上的電路圖轉(zhuǎn)移到晶圓上的過程，這段時期硅晶片附加值增長最快。該環(huán)節(jié)的制造難度相較后端的封裝測試要高很多，對于設(shè)備穩(wěn)定性和精度的要求極高，該部分設(shè)備投資體量巨大，占整體設(shè)備投資的70%以上。其核心工藝主要包含晶圓制造、鍍膜、光刻、刻蝕、離子注入5大環(huán)節(jié)。晶圓制造工藝及設(shè)備：硅晶圓的制造可以歸納為三個基本步驟：硅提煉及提純、單晶硅生長、晶圓成型。首先硅提純。將原料放入熔爐

33、中進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)得到冶金級硅，然后通過蒸餾和化學(xué)還原工藝，得到了高純度的多晶硅，其純度高達(dá)99.9999999%（7個9以上），成為電子級硅。然后在單晶爐中使用提拉法得到單晶硅。即先將多晶硅熔化，然后將籽晶浸入其中，并由拉制棒帶著籽晶作反方向旋轉(zhuǎn)，同時緩慢地、垂直地由硅熔化物中向上拉出。熔化的多晶硅會按籽晶晶格排列的方向不斷地生長上去，形成單晶硅棒。硅晶棒再經(jīng)過切段、滾磨、切片、倒角、拋光、激光刻后，成為集成電路工廠的基本原料硅晶圓片。五、中高頻熔煉設(shè)備行業(yè)分析半導(dǎo)體設(shè)備按生產(chǎn)工藝流程可分為前端設(shè)備（晶圓加工設(shè)備、晶圓制造設(shè)備）和后道設(shè)備（封裝及測試設(shè)備），占總體設(shè)備投資的比例分別為70%和30

34、%。我們進(jìn)一步梳理了各環(huán)節(jié)主要設(shè)備的龍頭企業(yè)，其中應(yīng)用材料作為全球最大的半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商，在晶圓制造設(shè)備的幾個核心環(huán)節(jié)熱處理、鍍膜設(shè)備、離子注入設(shè)備等領(lǐng)先全球。日本公司更擅長制造刻蝕設(shè)備、涂膠機(jī)、顯影機(jī)、測試設(shè)備等產(chǎn)品，而以ASML為首的荷蘭公司則在高端光刻機(jī)領(lǐng)域處于領(lǐng)先地位。半導(dǎo)體設(shè)備的上游為電子元器件和機(jī)械加工行業(yè)，原材料包括機(jī)械零件、視覺系統(tǒng)、繼電器、傳感器、計算機(jī)和PCB板等，優(yōu)質(zhì)的上游產(chǎn)品或服務(wù)有助于設(shè)備產(chǎn)品的可靠性和穩(wěn)定性。行業(yè)的下游主要為封裝測試、晶圓制造、芯片設(shè)計。集成電路產(chǎn)品技術(shù)含量高、工藝復(fù)雜，技術(shù)更新和工藝升級依托于裝備的發(fā)展；反之，下游信息產(chǎn)業(yè)不斷開發(fā)的新產(chǎn)品和新工藝，

35、為設(shè)備行業(yè)提供了新需求和市場空間。以晶圓加工為例，8英寸的晶圓制造設(shè)備無法運用于其他尺寸的加工，因此當(dāng)半導(dǎo)體行業(yè)進(jìn)入12英寸時代后，8英寸產(chǎn)品需要全部更新?lián)Q代，由此也帶來了設(shè)備行業(yè)的增量空間，促進(jìn)了其持續(xù)發(fā)展?？傮w設(shè)備市場恢復(fù)性增長，接近歷史最高水平。設(shè)備行業(yè)與半導(dǎo)體行業(yè)整體景氣程度密切相關(guān)，且波動較大。2008、2009年受到金融危機(jī)的影響，同比分別下降31%和46%，2010年強(qiáng)勢回升，并于次年達(dá)到歷史最高點435億美元，隨后受到周期性影響設(shè)備支出有所下降。而2016年全球集成電路設(shè)備市場規(guī)模為412億美元，同比增長13%。由于隨后幾年全球各大廠商加速12英寸晶圓廠建設(shè)，將帶動上游設(shè)備銷售

36、，2017年全球半導(dǎo)體新設(shè)備銷售額將達(dá)494億美元，同比增長19.8%，突破歷史最高水平。分產(chǎn)品來看，SEMI預(yù)計2017年晶圓加工設(shè)備達(dá)到398億美元，同比增長21.7%；光罩等其他前端設(shè)備23億美元，增長25.6%；而封裝測試裝備總計約73億美元。下游企業(yè)競爭日趨激烈，產(chǎn)業(yè)預(yù)期持續(xù)向好。中國設(shè)備占比逐步提升。分地區(qū)來看，全球半導(dǎo)體設(shè)備主要銷售區(qū)域為中國、日本、韓國、北美和臺灣地區(qū)，2016年占比分別為16%、11%、19%、11%和30%。中國大陸在05年僅占4%，近幾年隨著大陸新建晶圓廠的增加，為半導(dǎo)體設(shè)備、服務(wù)、材料等廠商提供了寶貴的機(jī)遇。2016年中國大陸設(shè)備銷售收入64.6億美元，

37、同比增長32%，并首次超過日本，成為全球第三大半導(dǎo)體設(shè)備銷售地區(qū)。同時，SEMI預(yù)計韓國設(shè)備銷售將在2017年達(dá)到129.7億美元，超過臺灣成為全球第一大市場。晶圓產(chǎn)能集中度提高，12英寸是當(dāng)前主流。遵循摩爾定律的半導(dǎo)體行業(yè)曾經(jīng)實現(xiàn)了快速增長，在較低成本的基礎(chǔ)上帶來了強(qiáng)大的計算能力。為了保持成本，既有通過技術(shù)進(jìn)步的小型化之路，也有增大晶圓尺寸的做法。通常，半導(dǎo)體行業(yè)每十年升級fab架構(gòu)來增加晶圓直徑，而同時技術(shù)進(jìn)步則是每兩年一個節(jié)點。隨著納米尺度逼近物理極限，技術(shù)進(jìn)步已經(jīng)放緩，晶圓尺寸的增加變得越來越重要。目前全球12英寸晶圓產(chǎn)能約為每月11.5百萬片，占總體產(chǎn)能的65%左右，未來12英寸產(chǎn)能

38、預(yù)計會繼續(xù)擴(kuò)張。但是，更大晶圓尺寸的資本投入也會大幅增長，這為更弱小的玩家設(shè)置了進(jìn)入壁壘。設(shè)備行業(yè)在12英寸平臺開發(fā)上投入了116億美元，幾乎是開發(fā)8英寸平臺的9倍。由于這樣的尺寸遷移會產(chǎn)生進(jìn)入壁壘，領(lǐng)先的設(shè)備供應(yīng)商的擴(kuò)張速度會遠(yuǎn)優(yōu)于行業(yè)平均水平，促進(jìn)集中度的提升。行業(yè)前十企業(yè)的集中度已由2009年的54%大幅提升至2016年的74%。由于行業(yè)發(fā)展的驅(qū)動力是技術(shù)進(jìn)步和晶圓尺寸增加帶來的多樣化新應(yīng)用和成本降低，這給設(shè)備供應(yīng)商帶來了更大的增量空間。六、中高頻熔煉設(shè)備市場分析預(yù)測在泛半導(dǎo)體行業(yè)，國內(nèi)廠商已接近國外先進(jìn)水平。半導(dǎo)體和光伏等行業(yè)均以硅晶圓作為加工原料，只是前者對晶圓純度要求更高，運用于泛

39、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的晶圓生長設(shè)備適當(dāng)提高精度即可實現(xiàn)一定程度上的互相替代。在泛半導(dǎo)體行業(yè)，單晶硅生長爐技術(shù)水平的指標(biāo)有晶棒尺寸、投料量、自動化程度和單晶硅棒成品品質(zhì)等，其中投料量和尺寸是主要的衡量標(biāo)準(zhǔn)。一般而言，投料量和晶棒尺寸越大，單位生產(chǎn)成本越低，技術(shù)難度也越大。目前國內(nèi)市場單晶硅生長爐的投料量一般在60150kg，尺寸一般在68英寸。當(dāng)前只有少量幾家公司能夠生產(chǎn)150kg和8英寸以上的單晶硅生長爐，如德國的PVATePlaAG公司，美國的Kayex公司等。目前，以晶盛機(jī)電為代表的國內(nèi)廠商，其設(shè)備技術(shù)水平已經(jīng)接近甚至趕超了國外廠商水平，并且擁有明顯的成本優(yōu)勢，占據(jù)了國內(nèi)光伏市場的絕大部分份額。未來

40、，國產(chǎn)晶圓生長設(shè)備有望提高在半導(dǎo)體行業(yè)的滲透率。光刻工藝及設(shè)備：光刻是在一片平整的硅片上構(gòu)建半導(dǎo)體MOS管和電路的基礎(chǔ)，利用光學(xué)-化學(xué)反應(yīng)原理和化學(xué)、物理刻蝕方法，將電路圖形傳遞到單晶表面或介質(zhì)層上，形成有效圖形窗口或功能圖形的精密微細(xì)加工技術(shù)。由于晶圓表面上的電路設(shè)計圖案直接由光刻技術(shù)決定，因此光刻也是IC制造最核心的環(huán)節(jié)。光刻主要步驟是先在硅片上涂上一層耐腐蝕的光刻膠，讓強(qiáng)光通過一塊刻有電路圖案的鏤空掩模板照射在硅片上，使被照射到的部分（如源區(qū)和漏區(qū)）光刻膠發(fā)生變質(zhì)，然后用腐蝕性液體清洗硅片，除去變質(zhì)的光刻膠；而被光刻膠覆蓋住的部分則不會被刻蝕液影響。光刻工藝價值巨大，ASML獨領(lǐng)風(fēng)騷。即

41、使是微米級的光刻工藝，也需要重復(fù)循環(huán)5次以上，而目前的28nm工藝則需要20道以上的光刻步驟，整個光刻成本約為硅片制造工藝的1/3，耗費時間約占40%-60%。而光刻機(jī)則是IC制造中最核心的設(shè)備，價值量占到設(shè)備總投資的比例約為20%。全球半導(dǎo)體設(shè)備龍頭ASML在光刻機(jī)領(lǐng)域優(yōu)勢巨大，其EUV光刻機(jī)工藝水平已經(jīng)達(dá)到10nm的級別，單臺設(shè)備售價超過1億美元。公司的市場份額超過60%，甩開了兩個老對手Nikon和Canon。極紫外光刻EUV是實現(xiàn)10nm以下工藝制程的最經(jīng)濟(jì)手段，并且只有ASML一家供應(yīng)商具備開發(fā)EUV光刻機(jī)的能力。因此半導(dǎo)體三巨頭英特爾、臺積電、三星均爭相投資ASML開發(fā)EUV技術(shù)，

42、助其快速實現(xiàn)量產(chǎn)，以及獲得EUV設(shè)備的優(yōu)先購買權(quán)。雖然我國上海微電子也研發(fā)出光刻機(jī)，但由于中國半導(dǎo)體起步較晚，技術(shù)上與外資品牌差距巨大?？涛g工藝：按照掩模圖形對半導(dǎo)體襯底表面或表面覆蓋薄膜進(jìn)行選擇性腐蝕或剝離的技術(shù)工藝，是與光刻相聯(lián)系的圖形化處理的主要工藝，通常分為干法刻蝕和濕法刻蝕。濕法刻蝕主要是在較為平整的膜面上用稀釋的化學(xué)品等刻出絨面，從而增加光程，減少光的反射。干法刻蝕是用等離子體（氣體）進(jìn)行薄膜刻蝕的技術(shù)工藝，通過電場對等離子體進(jìn)行引導(dǎo)和加速，使其具備一定能量，當(dāng)其轟擊被刻蝕物的表面時，更快地與材料進(jìn)行反應(yīng)，從而利用物理上的能量轉(zhuǎn)移實現(xiàn)刻蝕目的。中微半導(dǎo)體崛起，泛林雄踞榜首。在刻蝕設(shè)

43、備領(lǐng)域，美國的泛林半導(dǎo)體憑借著先發(fā)優(yōu)勢和大量研發(fā)投入保持行業(yè)龍頭地位，但中國廠商中微半導(dǎo)體在近十年迅速崛起，并開始打入國際市場。中微半導(dǎo)體的16nm刻蝕機(jī)實現(xiàn)商業(yè)化量產(chǎn)，目前已經(jīng)進(jìn)入臺積電的5個半導(dǎo)體生產(chǎn)線，7-10nm刻蝕機(jī)設(shè)備可以與世界最前沿技術(shù)比肩。隨著中微的崛起，2015年美國商業(yè)部的工業(yè)安全局特別發(fā)布公告，承認(rèn)中國已經(jīng)擁有制造具備國際競爭力刻蝕機(jī)的能力，且等離子刻蝕機(jī)已經(jīng)進(jìn)入量產(chǎn)階段，因而決定將等離子刻蝕機(jī)從美國對中國控制出口名錄中去除。離子注入工藝及設(shè)備：是人為地將所需雜質(zhì)以一定方式摻入到硅片表面薄層，并使其達(dá)到規(guī)定的數(shù)量和符合要求的分布形式，主要包括兩種方法。高溫?zé)釘U(kuò)散法是將摻雜

44、氣體導(dǎo)入放有硅片的高溫爐，將雜質(zhì)擴(kuò)散到硅片內(nèi)一種方法；離子注入法是通過注入機(jī)的加速和引導(dǎo)，將能量為100keV量級的離子束入射到材料中去，與材料中的原子或分子發(fā)生一系列理化反應(yīng)，入射離子逐漸損失能量，并引起材料表面成分、結(jié)構(gòu)和性能發(fā)生變化，最后停留在材料中，從而優(yōu)化材料表面性能，或獲得某些新的優(yōu)異性能。在離子注入機(jī)領(lǐng)域，美國應(yīng)用材料占據(jù)了70%以上的市場份額。成膜工藝及設(shè)備：主要運用CVD技術(shù)（ChemicalVaporDeposition，化學(xué)氣相沉積），是把含有構(gòu)成薄膜元素的反應(yīng)劑蒸氣引入反應(yīng)室，在襯底表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成薄膜的過程。CVD技術(shù)具有淀積溫度低、薄膜成份易控的特點，膜厚與淀積

45、時間成正比，均勻性和重復(fù)性好，其中應(yīng)用最廣的是PECVD和MOCVD。PECVD（等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積），是借助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離，在局部形成等離子體，利用等離子很強(qiáng)的化學(xué)活性，在基片上沉積出所期望的薄膜；MOCVD（金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉積），是以熱分解反應(yīng)方式在襯底上進(jìn)行氣相外延，生長各種-V族、-族化合物半導(dǎo)體以及它們的多元固溶體的薄層單晶材料。通常MOCVD系統(tǒng)中的晶體生長都是在常壓或低壓下通氫氣的冷壁不銹鋼反應(yīng)室中進(jìn)行，襯底溫度為500-1200，用射頻感應(yīng)加熱石墨基座，氫氣通過溫度可控的液體源鼓泡攜帶金屬有機(jī)物到生長區(qū)。薄膜工藝也是IC制造的一個基礎(chǔ)工藝

46、，加工難度較高。該環(huán)節(jié)設(shè)備投資占整體設(shè)備的14%-15%。在CVD設(shè)備領(lǐng)域，中國與世界先進(jìn)水平差距較大。美國應(yīng)用材料幾乎涵蓋了除光刻機(jī)以外的前制程設(shè)備，并在CVD及PVD設(shè)備領(lǐng)域位居全球市占率第一，而中國企業(yè)近年來在“02”專項的支持下也實現(xiàn)了技術(shù)突破，其中北方華創(chuàng)的CVD設(shè)備已經(jīng)進(jìn)入中芯國際28nm生產(chǎn)線，14nm設(shè)備正處于驗證階段。第四章 項目建設(shè)主要內(nèi)容和規(guī)模（一）用地規(guī)模該項目總征地面積19483.07平方米（折合約29.21畝），其中：凈用地面積19483.07平方米（紅線范圍折合約29.21畝）。項目規(guī)劃總建筑面積27471.13平方米，其中：規(guī)劃建設(shè)主體工程17639.42平方米

47、，計容建筑面積27471.13平方米；預(yù)計建筑工程投資2448.47萬元。（二）設(shè)備購置項目計劃購置設(shè)備共計100臺（套），設(shè)備購置費1901.09萬元。二、產(chǎn)值規(guī)模項目計劃總投資7311.12萬元；預(yù)計年實現(xiàn)營業(yè)收入14241.00萬元。第五章 項目建設(shè)地點一、中高頻熔煉設(shè)備項目建設(shè)選址原則為了更好地發(fā)揮其經(jīng)濟(jì)效益并綜合考慮環(huán)境等多方面的因素，根據(jù)中高頻熔煉設(shè)備項目選址的一般原則和中高頻熔煉設(shè)備項目建設(shè)地的實際情況，“中高頻熔煉設(shè)備項目”選址應(yīng)遵循以下原則：1、布局相對獨立，便于集中開展科研、生產(chǎn)經(jīng)營和管理活動。2、與中高頻熔煉設(shè)備項目建設(shè)地的建成區(qū)有較方便的聯(lián)系。3、地理條件較好，并有足夠

48、的發(fā)展?jié)摿Α?、城市基礎(chǔ)設(shè)施等配套較為完善。5、以城市總體規(guī)劃為依據(jù)，統(tǒng)籌考慮用地與城市發(fā)展的關(guān)系。6、兼顧環(huán)境因素影響，具有可持續(xù)發(fā)展的條件。二、中高頻熔煉設(shè)備項目選址方案及土地權(quán)屬（一）中高頻熔煉設(shè)備項目選址方案1、中高頻熔煉設(shè)備項目建設(shè)單位通過對中高頻熔煉設(shè)備項目擬建場地縝密調(diào)研，充分考慮了中高頻熔煉設(shè)備項目生產(chǎn)所需的內(nèi)部和外部條件：距原料產(chǎn)地的遠(yuǎn)近、企業(yè)勞動力成本、生產(chǎn)成本以及擬建區(qū)域產(chǎn)業(yè)配套情況、基礎(chǔ)設(shè)施條件及土地成本等。2、通過對可供選擇的建設(shè)地區(qū)進(jìn)行比選，綜合考慮后選定的中高頻熔煉設(shè)備項目最佳建設(shè)地點中高頻熔煉設(shè)備項目建設(shè)地，所選區(qū)域完善的基礎(chǔ)設(shè)施和配套的生活設(shè)施為中高頻熔煉設(shè)備

49、項目建設(shè)提供了良好的投資環(huán)境。（二）工程地質(zhì)條件1、根據(jù)建筑抗震設(shè)計規(guī)范（GB50011）標(biāo)準(zhǔn)要求，中高頻熔煉設(shè)備項目建設(shè)地?zé)o活動斷裂性通過，無液化土層及可能震陷的土層分布，地層均勻性密實較好，因此，本期工程中高頻熔煉設(shè)備項目建設(shè)區(qū)處于地質(zhì)構(gòu)造運動相對良好的地帶，地下水為上層滯水，對混凝土無腐蝕性，各土層分布穩(wěn)定、均勻而適宜建筑。2、擬建場地目前尚未進(jìn)行地質(zhì)勘探，參考臨近建筑物的地質(zhì)資料，地基土層由第四系全新統(tǒng)（Q4）雜填土、粉質(zhì)粘土、淤泥質(zhì)粉土、圓礫卵石層組成，圓礫卵石作為建筑物的持力層，Pk=300.00Kpa；建設(shè)區(qū)域地質(zhì)抗風(fēng)化能力較強(qiáng)，地層承載力高，工程地質(zhì)條件較好，不會受到滑坡及泥石

50、流等次生災(zāi)害的影響，無不良地質(zhì)現(xiàn)象，地殼處于穩(wěn)定狀態(tài)，場地地貌簡單適應(yīng)本期工程中高頻熔煉設(shè)備項目建設(shè)。三、中高頻熔煉設(shè)備項目用地總體要求（一）中高頻熔煉設(shè)備項目用地控制指標(biāo)分析1、“中高頻熔煉設(shè)備項目”均按照項目建設(shè)地建設(shè)用地規(guī)劃許可證及建設(shè)用地規(guī)劃設(shè)計要求進(jìn)行設(shè)計，同時，嚴(yán)格按照建設(shè)規(guī)劃部門與國土資源管理部門提供的界址點坐標(biāo)及用地方案圖布置場區(qū)總平面圖。2、建設(shè)中高頻熔煉設(shè)備項目平面布置符合輕工產(chǎn)品制造行業(yè)、重點產(chǎn)品的廠房建設(shè)和單位面積產(chǎn)能設(shè)計規(guī)定標(biāo)準(zhǔn)，達(dá)到工業(yè)中高頻熔煉設(shè)備項目建設(shè)用地控制指標(biāo)（國土資發(fā)【2008】24號）文件規(guī)定的具體要求。（二）中高頻熔煉設(shè)備項目建設(shè)條件比選方案1、中高

51、頻熔煉設(shè)備項目建設(shè)單位通過對可供選擇的建設(shè)地區(qū)進(jìn)行縝密比選后，充分考慮了中高頻熔煉設(shè)備項目擬建區(qū)域的交通條件、土地取得成本及職工交通便利條件，中高頻熔煉設(shè)備項目經(jīng)營期所需的內(nèi)外部條件：距原料產(chǎn)地的遠(yuǎn)近、企業(yè)勞動力成本、生產(chǎn)成本以及擬建區(qū)域產(chǎn)業(yè)配套情況、基礎(chǔ)設(shè)施條件等，通過建設(shè)條件比選最終選定的中高頻熔煉設(shè)備項目最佳建設(shè)地點中高頻熔煉設(shè)備項目建設(shè)地，本期工程中高頻熔煉設(shè)備項目建設(shè)區(qū)域供電、供水、道路、照明、供汽、供氣、通訊網(wǎng)絡(luò)、施工環(huán)境等條件均較好，可保證中高頻熔煉設(shè)備項目的建設(shè)和正常經(jīng)營，所選區(qū)域完善的基礎(chǔ)設(shè)施和配套的生活設(shè)施為中高頻熔煉設(shè)備項目建設(shè)提供了良好的投資環(huán)境。2、由中高頻熔煉設(shè)備項

52、目建設(shè)單位承辦的“中高頻熔煉設(shè)備項目”，擬選址在中高頻熔煉設(shè)備項目建設(shè)地，所選區(qū)域土地資源充裕，而且地理位置優(yōu)越、地形平坦、土地平整、交通運輸條件便利、配套設(shè)施齊全，符合中高頻熔煉設(shè)備項目選址要求。（三）中高頻熔煉設(shè)備項目用地總體規(guī)劃方案本期工程項目建設(shè)規(guī)劃建筑系數(shù)65.45%，建筑容積率1.41，建設(shè)區(qū)域綠化覆蓋率6.76%，固定資產(chǎn)投資強(qiáng)度199.66萬元/畝。（四）中高頻熔煉設(shè)備項目節(jié)約用地措施1、土地既是人類賴以生存的物質(zhì)基礎(chǔ)，也是社會經(jīng)濟(jì)可持續(xù)發(fā)展必不可少的條件，因此，中高頻熔煉設(shè)備項目建設(shè)單位在利用土地資源時，嚴(yán)格執(zhí)行國家有關(guān)行業(yè)規(guī)定的用地指標(biāo)，根據(jù)建設(shè)內(nèi)容、規(guī)模和建設(shè)方案，按照國

53、家有關(guān)節(jié)約土地資源要求，合理利用土地。2、在中高頻熔煉設(shè)備項目建設(shè)過程中，中高頻熔煉設(shè)備項目建設(shè)單位根據(jù)總體規(guī)劃以及項目建設(shè)地期對本期工程中高頻熔煉設(shè)備項目地塊的控制性指標(biāo)，本著“經(jīng)濟(jì)適宜、綜合利用”的原則進(jìn)行科學(xué)規(guī)劃、合理布局，最大限度地提高土地綜合利用率。第六章 工程方案一、工程設(shè)計條件中高頻熔煉設(shè)備項目建設(shè)地屬于建設(shè)用地，其地形地貌類型簡單，巖土工程地質(zhì)條件優(yōu)良，水文地質(zhì)條件良好，適宜本期工程中高頻熔煉設(shè)備項目建設(shè)。二、建筑設(shè)計規(guī)范和標(biāo)準(zhǔn)1、砌體結(jié)構(gòu)設(shè)計規(guī)范（GB50003-2001）。2、建筑地基基礎(chǔ)設(shè)計規(guī)范（GB50007-2002）。3、建筑結(jié)構(gòu)荷載規(guī)范（GB50009-2001）

54、。三、主要材料選用標(biāo)準(zhǔn)要求（一）混凝土要求根據(jù)混凝土結(jié)構(gòu)耐久性設(shè)計規(guī)范（GB/T50476）之規(guī)定，確定構(gòu)筑物結(jié)構(gòu)構(gòu)件最低混凝土強(qiáng)度等級，基礎(chǔ)混凝土結(jié)構(gòu)的環(huán)境類別為一類，本工程上部主體結(jié)構(gòu)采用C30混凝土，上部結(jié)構(gòu)構(gòu)造柱、圈梁、過梁、基礎(chǔ)采用C25混凝土，設(shè)備基礎(chǔ)混凝土強(qiáng)度等級采用C30級，基礎(chǔ)混凝土墊層為C15級，基礎(chǔ)墊層混凝土為C15級。（二）鋼筋及建筑構(gòu)件選用標(biāo)準(zhǔn)要求1、本工程建筑用鋼筋采用國家標(biāo)準(zhǔn)熱軋鋼筋：基礎(chǔ)受力主筋均采用HRB400，箍筋及其他次要構(gòu)件為HPB300。2、HPB300級鋼筋選用E43系列焊條，HRB400級鋼筋選用E50系列焊條。四、土建工程建設(shè)指標(biāo)本期工程項目預(yù)計

55、總建筑面積27471.13平方米，其中：計容建筑面積27471.13平方米，計劃建筑工程投資2448.47萬元，占項目總投資的33.49%。第七章 設(shè)備選型分析一、設(shè)備選型（一）設(shè)備選型的原則1、選用的設(shè)備必須有較高的生產(chǎn)效率，能降低勞動強(qiáng)度，滿足生產(chǎn)規(guī)模的要求，2、為滿足產(chǎn)品生產(chǎn)的質(zhì)量要求，關(guān)鍵設(shè)備為知名廠家生產(chǎn)的品牌產(chǎn)品，3、按經(jīng)濟(jì)規(guī)律辦事，講求投資經(jīng)濟(jì)效益，在充分考慮設(shè)備的先進(jìn)性和適用性的同時，綜合考慮各設(shè)備的性價比和壽命年限。（二）設(shè)備選型方向1、以“比質(zhì)、比價、比先進(jìn)”為原則。選擇設(shè)備時，要著眼高起點、高水平、高質(zhì)量，最大限度地保證產(chǎn)品質(zhì)量的需要，不斷提高產(chǎn)品生產(chǎn)過程中的自動化程度，

56、降低勞動強(qiáng)度提高勞動生產(chǎn)率，節(jié)約能源降低生產(chǎn)成本和檢測成本。2、主要設(shè)備的配置應(yīng)與產(chǎn)品的生產(chǎn)技術(shù)工藝及生產(chǎn)規(guī)模相適應(yīng)，同時應(yīng)具備“先進(jìn)、適用、經(jīng)濟(jì)、配套、平衡”的特性，能夠達(dá)到節(jié)能和清潔生產(chǎn)的各項要求。該項目所選設(shè)備必須技術(shù)先進(jìn)、性能可靠，達(dá)到目前國內(nèi)外先進(jìn)水平，經(jīng)生產(chǎn)廠家使用證明運轉(zhuǎn)穩(wěn)定可靠，能夠滿足生產(chǎn)高質(zhì)量產(chǎn)品的要求。3、設(shè)備性能價格比合理，使投資方能夠以合理的投資獲得生產(chǎn)高質(zhì)量產(chǎn)品的生產(chǎn)設(shè)備。對生產(chǎn)設(shè)備進(jìn)行合理配置，充分發(fā)揮各類設(shè)備的最佳技術(shù)水平。在滿足生產(chǎn)工藝要求的前提下，力求經(jīng)濟(jì)合理。充分考慮設(shè)備的正常運轉(zhuǎn)費用，以保證在生產(chǎn)本行業(yè)相同產(chǎn)品時，能夠保持最低的生產(chǎn)成本。4、以甄選優(yōu)質(zhì)供

57、應(yīng)商為原則。選擇設(shè)備交貨期應(yīng)滿足工程進(jìn)度的需要，售后服務(wù)好、安裝調(diào)試及時、可靠并能及時提供備品備件的設(shè)備生產(chǎn)廠家。根據(jù)生產(chǎn)經(jīng)驗和技術(shù)力量，該項目主要工藝設(shè)備及儀器基本上采用國產(chǎn)設(shè)備，選用生產(chǎn)設(shè)備廠家具有國內(nèi)一流技術(shù)裝備，企業(yè)管理科學(xué)達(dá)到國際認(rèn)證標(biāo)準(zhǔn)要求。（三）設(shè)備配置方案該項目的生產(chǎn)及檢測設(shè)備以工藝需要為依據(jù)，滿足工藝要求為原則，并盡量體現(xiàn)其技術(shù)先進(jìn)性、生產(chǎn)安全性和經(jīng)濟(jì)合理性，以及達(dá)到或超過國家相關(guān)的節(jié)能和環(huán)保要求。先進(jìn)的生產(chǎn)技術(shù)和裝備是保證產(chǎn)品質(zhì)量的關(guān)鍵。因此，關(guān)鍵工藝設(shè)備必須選擇國內(nèi)外著名生產(chǎn)廠商的產(chǎn)品，并且在保證產(chǎn)品質(zhì)量的前提下，優(yōu)先選用國產(chǎn)的名牌節(jié)能環(huán)保型產(chǎn)品。根據(jù)生產(chǎn)規(guī)模和生產(chǎn)工藝的要求，本著“先進(jìn)、合理、科學(xué)、節(jié)能、高效”的原則，該項目對比考察了多個生產(chǎn)設(shè)備制造企業(yè)，優(yōu)選了產(chǎn)品生產(chǎn)專用設(shè)備和檢測儀器等國內(nèi)先進(jìn)的環(huán)保節(jié)能型設(shè)備，確保該項目生產(chǎn)及產(chǎn)品檢驗的需要。項目計劃購置設(shè)備共計100臺（套），設(shè)備購置費1901.09萬元。第