基于LTCC工藝的設(shè)計規(guī)范總結(jié)

1、基于LTCC工藝的設(shè)計規(guī)范總結(jié) 1材料特性 特性 相關(guān)參數(shù)值 1.相對介電常數(shù)Er： 5.9 .2(1100GH) 2.介質(zhì)損耗角正切： 10 at 100DVC Q 5.層數(shù)： 最多30層 6.每層層厚： 0.1mm 7.導(dǎo)體厚度： 0.01mm 8孔徑： 最小直徑 0.1mm 可選 6mil 8mil 10mil 12mil 9.密度：Density 3.2g/cm3 10.鍍金屬： 銅（Cu）頂層：嵌入其中，中間層：上下各嵌入 50% 過孔鍍銀（Ag） 11.基板尺寸（最大） 105mM 105mm 12.生瓷片精度 橫向平面精度：5um 眾向生瓷精度：0um 精選文庫 2.導(dǎo)體線寬和間

2、距 1 B 丿 A C See Note LTCC CLASS P OD/POC A 5 mils B 7 Hills c 5 niTls A 3 mils* B 4 iinils* C 3 nils* Low Volume 6 0 b 4 5 4 Production 10 10 10 3 3 8 建議尺寸 最小尺寸 A B C 頂層 45um 45um 45um 內(nèi)層 100um 100um 100um Note:可能的情況下推薦更大的間距，密度過大或者焊盤過近將造成潛在的短路 問題 相關(guān)參數(shù)： 直描最小線寬/間距50um/75um 網(wǎng)印最小線寬/間距100um/100um 蝕刻最小線寬/

3、間距45um/45um 9 3.導(dǎo)體到基板邊緣的間距/和腔體間隙 Substrate or cavity edge Dim, A Of B 最小尺寸 推薦尺寸 LTCC CLASS A SURFACE B BURIED RF GROUNDS A SURFACE B BIJRJED RF GROUND PO* POC 1IO mib 11D mb 110 mils 5 mils & mils ToedgT Low Voluine 1D mils 1D mils 110 mils 5i rnik* S mils* mils* Frcxiulqtion 15 mils 15 mils 115 mil

4、s 10 mils 10 mils 10 mils 4電氣過孔 互連通孔最小直徑：0.1mm 5.同層通孔間距 LTCC CLASS A (min,) B minj POO/ POC 2.5 X Via size 2 5 X Via size Low Volume 3 X Via size 3 X Vi5 size Production 3)c Via size 3 X Via size 丨 A 一般取3倍于孔徑尺寸 注意：散熱和RF通孔排除在此標(biāo)準(zhǔn)外 相關(guān)參數(shù)：互連通孔最小節(jié)距：0.3mm 6.過孔托盤 在通孔上面和下面的托盤必須以一定的距離與通孔的所有邊都重疊，除非密集布 線情況時不允許使

5、用此方法（通孔直接與導(dǎo)線相連） CaLchpad LTCC CLASS A (min.) POD/ POC 1 Trills Low Voliime 2 mils Production 4 mils 7.基板邊緣電氣通孔 /Edge of 丿substrate Via it 4 A LTCC CLASS A (minj POE POC 3 Vta dianetera (IB mils minimum) Low Volume 4 Via diameters (25 mils miriiriLim) P rodiJCtjan 4 Via diarnetGrB. (2& mils minimum)

6、A值推薦34倍于通孔直徑，最小為1825mil 8器件安裝處通孔分布 Via 當(dāng)設(shè)計的密度需要長的通孔串時，通孔必須交錯分布以防發(fā)生突然折斷的裂縫。 Dre Pad 12 r -* I I 皺: 畠丸空加仝古 I I - 一 11 二I I c HZ Caleb Bording Pad 層與層直接的電氣通孔之間的交錯連接：通孔采取垂直方向的交錯(Z字型)， 以使傳送通道(routing channels )的圭寸閉(blockage)降到最小,并減小通孔的 “加速效應(yīng)” (posting effect )。以下是交錯通孔技術(shù)的示例： A 2 PkH LTCC 匚LASS A (min J PO

7、D/POC Tangent Low Volume 1 Via diameter Production 1 Via diameter 可接受的z字形推薦的階梯型堆疊通孔 通孔堆棧：說明：電連接建議使用交錯通孔，在特別情況下，在同一通孔處最多 可以通孔15層。 9.地和電源面板 大面積的裸露導(dǎo)體區(qū)域，比如面板，必須是實心的。燒結(jié)板在所有可能的地方應(yīng) 該網(wǎng)格化。鋪地的區(qū)域必須是實心的，以此在需要時提供對傳輸線或其他關(guān)鍵信 號線的保護(hù)。所有鋪地板的邊緣(在基板的周圍和腔體附近)都必須造成城形， 來提升生瓷帶層與層之間的迭片結(jié)構(gòu)的粘合性。相鄰層之間的面板的柵格形狀必 須是可以相互抵消(offset)的，

8、使基板頂層和地層表面較為平整 0 25mrn 。衛(wèi)（knm 注意：接地板的網(wǎng)格應(yīng)盡可能的大來減小多余增量和損耗，對于大面積地面/電 源面，建議使用柵格形式，對于特別情況，局部可以使用面地面/面電源面。 10.空腔 空腔底部導(dǎo)體與空腔壁之間的間隙 Cross seel bn view CondiKlor LTCC CLASS A Minimum * 卩 OD/ POC 2.5 mils Low Volume 5 mils P reduction 10 mils A 如果有必要，底部導(dǎo)體的電氣連接可以穿過空腔壁，但是不能超過壁長的 最大50%,城形的金屬化設(shè)計可以用來滿足該設(shè)計。 25%, 裸露/

9、燒結(jié)導(dǎo)體到腔體壁之間的間隙 Conductor Cross section view n p A! L B LTCC CLASS A Exposed B Burled P ODf POC 5 mils 10 mils Low Volume 5 mils 10 mils Production 15 mils 15 mils 11. 通孔與腔體的間隙 通孔和腔體壁之間的間隙 Cross section vievi- Vias II A LTCC CLASS A POD/POC 2 5 X via Size Liw Volume 2.5 X via Size P rodijction 2 5 5t via Size 連接架 Cavity w 日II height* 注意：在設(shè)計確認(rèn)前應(yīng)該檢查連接架上的空腔壁高度 12. 空腔與空腔的間隔： Coss section view A 最小尺寸 MINIMUM DIMENSIONS LTCC CLASS A-Wall width B C日目 depth C -th ickness POD/ POC 50 rnil& 22 2 mils minimunC Low Volume 50 mils 2廣岸dim. 22 2 mils min