單結(jié)晶體管的識(shí)別及檢測

1、WORD 資料可編輯湖 南 省 技 工 學(xué) 校理論教學(xué)教案教師姓名 ：學(xué)變頻日期執(zhí)科調(diào)速行星期檢查記班級(jí)錄簽字節(jié)次課題單結(jié)晶體管的識(shí)別與檢測教學(xué)了解單結(jié)晶體管及觸發(fā)電路的工作原理。目的教學(xué)單結(jié)晶體管的識(shí)別與檢測。重點(diǎn)教學(xué)單結(jié)晶體管及觸發(fā)電路的工作原理。難點(diǎn)主要教學(xué)演示，示范，講授。方法教具BT33、電阻、電容、萬用表、電烙鐵等。掛圖課的類型實(shí)驗(yàn)教學(xué)環(huán)節(jié)時(shí)間分配教學(xué)后記1、組織教學(xué)時(shí)間22、復(fù)習(xí)導(dǎo)入時(shí)間85、作業(yè)布置時(shí)間53、講授新課時(shí)間4、歸納小結(jié)時(shí)間705專業(yè)整理分享WORD 資料可編輯實(shí)驗(yàn)二單結(jié)晶管振蕩電路的制作與調(diào)試任務(wù)一單結(jié)晶體管的識(shí)別與檢測欲使晶閘管導(dǎo)通，它的控制極上必須加上觸發(fā)電壓

2、vG，產(chǎn)生觸發(fā)電壓 vG的電路稱為觸發(fā)電路。觸發(fā)電路種類繁多，各具特色。本節(jié)主要介紹用單結(jié)晶體管組成的觸發(fā)電路。一、單結(jié)晶體管它的外形與普通三極管相似，具有三個(gè)電極，但不是三極管，而是具有三個(gè)電極的二極管，管內(nèi)只有一個(gè)PN結(jié)，所以稱之為單結(jié)晶體管。三個(gè)電極中，一個(gè)是發(fā)射極，兩個(gè)是基極，所以也稱為雙基極二極管。1. 結(jié)構(gòu)與符號(hào)其結(jié)構(gòu)如圖 7-2-1(a) 所示。它有三個(gè)電極，但在結(jié)構(gòu)上只有一個(gè)PN結(jié)。有發(fā)射極 E，第一基極 B1 和第二基極 B2，其符號(hào)見圖 7-2-1(b) 。2. 伏安特性單結(jié)晶體管的等效電路如圖7-2-1(c)所示，兩基極間的電阻為RBB= RB1 + RB2，用 D表示

3、PN結(jié)。 RBB的阻值范圍為 215K之間。如果在Bl 、B2 兩個(gè)基極間加上電壓VBB，則 A 與 Bl 之間即 RB1 兩端得到的電壓為RB1VBBVBBVARB 2RB1(7-2-1)式中 稱為分壓比，它與管子的結(jié)構(gòu)有關(guān)， 一般在 0.3 0.8 之間，是單結(jié)晶體管的主要參數(shù)之一。專業(yè)整理分享WORD 資料可編輯B2PN 結(jié)B1B 2RB2NEDEEAVBBEPVDRB1B2B1B1(a) 結(jié)構(gòu)示意圖(b)符號(hào)(c)結(jié)構(gòu)等效電路圖 7-2-1 單結(jié)晶體管單結(jié)晶體管的伏安特性是指它的發(fā)射極電壓VE 與流入發(fā)射極電流I E 之間的關(guān)系。圖7-2-1(a)是測量伏安特性的實(shí)驗(yàn)電路，在2、 l間

4、B B加上固定電源 EB，獲得正向電壓 VBB并將可調(diào)直流電源EE 通過限流電阻VPPIEBTB2EmAEBREVVEB1VVVEEIVaPIEI截止區(qū)負(fù)阻區(qū)飽和區(qū)RE 接在E和l 之間。B（ a）測試電路(b)伏安特性圖 7-2-2單結(jié)晶體管伏安特性當(dāng)外加電壓VE VBB VD 時(shí)VD為結(jié)正向壓降 ，結(jié)承受反向電+(PN) PN壓而截止，故發(fā)射極回路只有微安級(jí)的反向電流，單結(jié)晶體管子處于截止區(qū)，如圖 7-2-2(b) 的 aP 段所示。在 VE = VBB+VD 時(shí)，對(duì)應(yīng)于圖 7-2-2(b) 中的 P 點(diǎn)，該點(diǎn)的電壓和電流分別稱為峰點(diǎn)電壓 VP 和峰點(diǎn)電流 I P。由于 PN結(jié)承受了正向電

5、壓而導(dǎo)通，此后 RB1 急劇減小， VE 隨之下降， I E 迅速增大，單結(jié)晶體管呈現(xiàn)負(fù)阻特性，負(fù)阻區(qū)如圖 7-2-2 (b) 中的 PV段所示。V 點(diǎn)的電壓和電流分別稱為谷點(diǎn)電壓VV 和谷點(diǎn)電流 I V。過了谷點(diǎn)專業(yè)整理分享WORD 資料可編輯以后， I E 繼續(xù)增大， VE 略有上升，但變化不大，此時(shí)單結(jié)晶體管進(jìn)入飽狀態(tài)，圖中對(duì)應(yīng)于谷點(diǎn)V 以右的特性，稱為飽和區(qū)。當(dāng)發(fā)射極電壓減小到 VEVV 時(shí)，單結(jié)晶體管由導(dǎo)通恢復(fù)到截止?fàn)顟B(tài)。綜上所述，峰點(diǎn)電壓VP 是單結(jié)晶體管由截止轉(zhuǎn)向?qū)ǖ呐R界點(diǎn)。VPVDVAVAVBB（7-2-2 ）所以， VP 由分壓比 和電源電壓決定VBB。谷點(diǎn)電壓 VV 是單

6、結(jié)晶體管由導(dǎo)通轉(zhuǎn)向截止的臨界點(diǎn)。一般 VV = 25V（ VBB = 20V）。國產(chǎn)單結(jié)晶體管的型號(hào)有BT31、BT32、BT33等。BT表示半導(dǎo)體特種管， 3 表示三個(gè)電極，第四個(gè)數(shù)字表示耗散功率分別為100、200、300mW。單結(jié)晶體管的檢測圖 7-2 3 為單結(jié)晶體管 BT33管腳排列、結(jié)構(gòu)圖及電路符號(hào)。好的單結(jié)晶體管 PN結(jié)正向電阻 REB1、REB2均較小，且 REB1稍大于 REB2，PN結(jié)的反向電阻 RB1E、RB2E均應(yīng)很大，根據(jù)所測阻值，即可判斷出各管腳及管子的質(zhì)量優(yōu)劣。用萬用電表 R10檔分別測量 EB1、EB2間正、反向電阻，記入表 72-1表 7-2 1REB1( )

7、REB2( )RB1E(K)RB2E(K )結(jié) 論任務(wù)二單結(jié)晶體管振蕩電路制作與調(diào)試專業(yè)整理分享WORD 資料可編輯利用單結(jié)晶體管的負(fù)阻特性和RC電路的充放電特性， 可組成單結(jié)晶體管振蕩電路，其基本電路如圖7-2-4 所示。S+VE充電放電VPRR2BTVVoB2t1t2tEB1vGCR1vG-ot(a) 電路圖(b)波形圖圖 7-2-4單結(jié)晶體管振蕩電路當(dāng)合上開關(guān) S 接通電源后，將通過電阻 R 向電容 C 充電 ( 設(shè) C 上的起始電壓為零 ) ，電容兩端電壓 vC 按 = RC的指數(shù)曲線逐漸增加。當(dāng)vC 升高至單結(jié)晶體管的峰點(diǎn)電壓VP 時(shí)，單結(jié)晶體管由截止變?yōu)閷?dǎo)通，電容向電阻 R1 放電

8、，由于單結(jié)晶體管的負(fù)阻特性, 且 R1 又是一個(gè)50100 的小電阻，電容C的放電時(shí)間常數(shù)很小，放電速度很快，于是在 R1 上輸出一個(gè)尖脈沖電壓vG。在電容的放電過程中， vE 急劇下降，當(dāng) vEVV( 谷點(diǎn)電壓 ) 時(shí)，單結(jié)晶體管便跳變到截止區(qū)，輸出電壓 vG降到零，即完成一次振蕩。放電一結(jié)束，電容又開始重新充電并重復(fù)上述過程，結(jié)果在 C 上形成鋸齒波電壓，而在 R1 上得到一個(gè)周期性的尖脈沖輸出電壓 vG，如圖 7-2-4 ( b) 所示。調(diào)節(jié) R（或變換 C）以改變充電的速度，從而調(diào)節(jié)圖7-2-4 (b) 中的 t 1 時(shí)刻，如果把 vG接到晶閘管的控制極上，就可以改變控制角的大小。1、電路如圖 7-2-5 所示專業(yè)整理分享WORD 資料可編輯圖 7-2-5單結(jié)晶體管振蕩電路2、儀器儀表雙蹤示波器一臺(tái)MF47 萬用表 1 只3、制作調(diào)試步驟（ 1）將元器件按要求整形，插入通用電路板的相應(yīng)位置 , 并連接好導(dǎo)線。（ 2）閉合開關(guān)，接通電源。分別用示波器觀察電容C 兩端電壓 vc及電路輸出電壓 vo。在圖 7-2-6 相應(yīng)坐標(biāo)中作出vc 、vo 波形。（ 3）調(diào)節(jié)電