全球半導體材料行業(yè)報告：晶圓材料、光刻膠及配套材料、電子氣體、濕電子化學品、高純?yōu)R射靶材、CMP 材料

1、行業(yè)深度研究報告 目 錄 一、半導體市場規(guī)模超四千億美金，帶動上游半導體材料快速發(fā)展.- 6 - 1.1、半導體行業(yè)短期逢波動，中國成為全球最大半導體消費市場.- 6 - 1.1.1、半導體市場規(guī)模超四千億美金，短期逢波動.- 6 - 1.1.2、中國已成為全球最大的半導體市場 .- 7 - 1.2、半導體行業(yè)發(fā)展帶動上游設備和材料市場快速增長.- 7 - 1.3、海外企業(yè)主導半導體材料產(chǎn)業(yè)，國內進口替代空間巨大.- 9 - 1.3.1、半導體材料具有子行業(yè)多、資金密集、技術密集等特點.- 9 - 1.3.2、中國大陸是 2019 年全球半導體材料市場規(guī)模唯一保持增長的市場.- 10 - 1.

2、3.3、國內企業(yè)前期多承擔半導體封裝的步驟 .- 10 - 1.3.4、國內半導體材料對外依存度高 .- 12 - 二、大基金二期布局在即，國內半導體材料行業(yè)發(fā)展有望迎來黃金期.- 15 - 2.1、政策、資金、貿易紛爭等多因素催化半導體產(chǎn)業(yè)鏈歷經(jīng)兩次轉移.- 15 - 2.1.1、全球半導體行業(yè)歷經(jīng)重心從西到東的轉移.- 15 - 2.1.2、半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展離不開政策、資金的大力支持.- 16 - 2.1.3、地區(qū)經(jīng)濟繁榮程度、人才儲備均為半導體行業(yè)發(fā)展的條件.- 17 - 2.2、半導體行業(yè)有望迎來第三次產(chǎn)業(yè)鏈轉移.- 17 - 2.2.1、國內行業(yè)政策于 2014 年后頻出，半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)

3、展提速.- 17 - 2.2.2、大基金二期布局在即，半導體材料是重點投資領域.- 19 - 2.2.3、半導體設備國產(chǎn)化和半導體材料國產(chǎn)化相輔相成.- 20 - 2.2.4、國內晶圓進入密集建設期，催化半導體材料進口替代.- 21 - 三、半導體材料之一：晶圓材料 .- 22 - 3.1、晶圓材料全球市場規(guī)模超 120 億美元，國內 12 英寸晶圓將進入產(chǎn)能釋放 期，推動大硅片需求 .- 22 - 3.2、晶圓材料資金、技術密集，大尺寸硅片為國外巨頭壟斷.- 25 - 3.3、國內硅片需求有望大幅增長，為國內硅片企業(yè)創(chuàng)造發(fā)展空間.- 26 - 四、半導體材料之二：光刻膠及配套材料 .- 27

4、 - 4.1、全球半導體光刻膠及配套材料市場規(guī)模近 40 億美元.- 27 - 4.2、高端光刻膠行業(yè)為海外企業(yè)壟斷，國產(chǎn)化進程將面臨競爭激烈.- 28 - 4.3、國內企業(yè)在半導體光刻膠行業(yè)嶄露頭角.- 31 - 五、半導體材料之三：電子氣體 .- 33 - 5.1、半導體行業(yè)是電子氣體最大的消費市場，也是對電子氣體要求最高的市場 .- 33 - 5.2、三大海外氣體巨頭占據(jù)全球半導體電子氣體市場超 8 成份額.- 34 - 5.3、國內企業(yè)占據(jù)運輸?shù)认忍靸?yōu)勢，電子氣體目前是國內企業(yè)進口替代程度最 高的半導體材料 .- 36 - 六、半導體材料之四：濕電子化學品 .- 37 - 6.1、濕電

5、子化學品需求未來 4 年復合增速有望達 5.7% .- 37 - 6.2、濕電子化學品技術門檻高、種類繁多 .- 38 - 6.3、國內企業(yè)在濕電子化學品領域取得突破，部分企業(yè)成為半導體頭部公司供 應商.- 39 - 七、半導體材料之五：高純?yōu)R射靶材 .- 40 - 7.1、全球半導體用靶材市場規(guī)模站穩(wěn) 10 億美元上方.- 40 - 7.2、國內半導體濺射靶材進口依存度仍然高于 90% .- 43 - 7.3、國內濺射靶材企業(yè)尚處于開拓初期 .- 44 - 八、半導體材料之六：CMP 材料.- 45 - 8.1、CMP 材料主要包括 CMP 拋光墊和 CMP 拋光液兩類 .- 45 - 8.

6、2、陶氏化學在半導體 CMP 拋光墊市場一家獨大.- 47 - 請務必閱讀正文之后的信息披露和重要聲明 - 2 - 行業(yè)深度研究報告 8.3、國內企業(yè)在半導體 CMP 拋光液市場有所突破，缺席半導體 CMP 拋光墊市 場.- 48 - 九、投資建議 .- 48 - 9.1、伴隨半導體產(chǎn)業(yè)下游應用的不斷增加，半導體材料市場規(guī)模必將進一步擴 大.- 48 - 9.2、國內有望誕生一批行業(yè)領軍的半導體材料公司.- 49 - 9.2.1、雅克科技：并購 LGC 彩色光刻膠等業(yè)務，建設電子材料平臺級公司穩(wěn)步 推進.- 51 - 9.2.2、華特氣體：電子氣體國產(chǎn)化進程領先，產(chǎn)品結構進一步優(yōu)化.- 51

7、- 9.2.3、江化微：顯示面板、半導體芯片、太陽能電池三大應用齊頭并進，新產(chǎn) 能放量在即未來成長可期 .- 52 - 9.2.4、新宙邦：有機氟化學品與海外電解液業(yè)務增長強勁，進軍濕電子化學品 領域.- 52 - 十、風險提示 .- 53 - 圖 1、 半導體產(chǎn)業(yè)鏈 .- 6 - 圖 2、 全球半導體行業(yè)產(chǎn)值站穩(wěn) 4000 億美元上方.- 7 - 圖 3、 全球半導體行業(yè)產(chǎn)值結構（地區(qū)） .- 7 - 圖 4、 國內半導體行業(yè)產(chǎn)值 .- 7 - 圖 5、 全球半導體行業(yè)市場結構（地區(qū)） .- 8 - 圖 6、 全球半導體設備行業(yè)規(guī)模 .- 8 - 圖 7、 全球半導體材料行業(yè)格局（2019

8、年）.- 8 - 圖 8、 半導體材料分為晶圓制造材料和封裝材料.- 8 - 圖 9、 半導體材料主要包括前端晶圓制造材料和后端封裝材料.- 9 - 圖 10、 全球半導體材料市場結構（2018 年）.- 10 - 圖 11、 中國大陸半導體材料規(guī)模保持增長 .- 10 - 圖 12、 全球半導體材料市場規(guī)模短期波動 .- 10 - 圖 13、 半導體行業(yè)行業(yè)全球產(chǎn)業(yè)鏈布局 .- 11 - 圖 14、 半導體行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈特征 .- 11 - 圖 15、 美國集成電路及電子元件出口額 .- 12 - 圖 16、 日本集成電路及電子元件出口額 .- 12 - 圖 17、 中國大陸與日本電子材料貿易逆

9、差 .- 12 - 圖 18、 中國大陸與韓國電子材料貿易逆差 .- 12 - 圖 19、 中國大陸與美國電子材料貿易逆差 .- 12 - 圖 20、 中國大陸集成電路進口超 3000 億美元.- 12 - 圖 21、 高端半導體材料多為前端晶圓制造材料.- 13 - 圖 22、 全球半導體行業(yè)不同國家（地區(qū)）產(chǎn)值比重變遷.- 15 - 圖 23、 韓國、中國臺灣 1980s GDP 增速高于日本.- 17 - 圖 24、 國內過去 10 年從事研究與實驗發(fā)展的投入增幅較大.- 17 - 圖 25、 大基金二期注冊資金大幅高于一期 .- 19 - 圖 26、 大基金一期投資領域分布 .- 19

10、 - 圖 27、 大基金一期布局半導體材料企業(yè) .- 20 - 圖 28、 全球半導體設備出口國主要為日本、美國、荷蘭等（2014-2018） .- 21 - 圖 29、 國內 12 英寸晶圓投資有望在 2020 年前后迎來峰值.- 21 - 圖 30、 晶圓市場規(guī)模超過 120 億美元 .- 23 - 圖 31、 晶圓下游終端應用結構 .- 23 - 圖 32、 硅片尺寸發(fā)展歷史 .- 24 - 圖 33、 12 英寸晶圓下游應用結構 .- 24 - 請務必閱讀正文之后的信息披露和重要聲明 - 3 - 行業(yè)深度研究報告 圖 34、 硅晶圓生產(chǎn)工藝流程 .- 25 - 圖 35、 硅晶圓市場占

11、有率（企業(yè)） .- 26 - 圖 36、 硅晶圓產(chǎn)能布局（地理位置） .- 26 - 圖 37、 光刻膠工藝原理 .- 27 - 圖 38、 全球半導體光刻膠需求結構 .- 28 - 圖 39、 全球光刻膠產(chǎn)品結構 .- 28 - 圖 40、 半導體光刻膠市場規(guī)模 .- 28 - 圖 41、 半導體光刻膠配套材料市場規(guī)模 .- 28 - 圖 42、 全球光刻機市場格局 .- 29 - 圖 43、 光刻膠合成工藝路線 .- 29 - 圖 44、 當前主要半導體光刻膠產(chǎn)品結構 .- 30 - 圖 45、 ArF/ArF-i 光刻膠為海外企業(yè)主導.- 30 - 圖 46、 KrF 光刻膠為海外企業(yè)主

12、導.- 30 - 圖 47、 G/I-line 光刻膠為海外企業(yè)主導.- 30 - 圖 48、 光刻膠產(chǎn)品結構 .- 31 - 圖 49、 光刻機光源波長從 100nm 下降至 10nm .- 31 - 圖 50、 光刻膠及配套試材料產(chǎn)品規(guī)模不斷擴大.- 31 - 圖 51、 光刻膠規(guī)模 2020 年起有望不斷擴大.- 31 - 圖 52、 電子氣體終端市場結構 .- 33 - 圖 53、 電子氣體應用結構 .- 33 - 圖 54、 國內電子氣體市場規(guī)模 .- 34 - 圖 55、 電子氣體市場結構 .- 34 - 圖 56、 電子氣體純化工藝流程 .- 35 - 圖 57、 全球半導體用電

13、子氣體市場份額 .- 35 - 圖 58、 國內半導體用電子氣體市場份額 .- 35 - 圖 59、 電子氣體充裝工藝流程 .- 36 - 圖 60、 常見濕電子化學品種類 .- 38 - 圖 61、 全球濕電子化學品市場規(guī)模 .- 38 - 圖 62、 濕電子化學品純化工藝流程 .- 38 - 圖 63、 全球濕電子化學品市場份額 .- 39 - 圖 64、 濕電子化學品清洗工藝應用結構 .- 39 - 圖 65、 全球靶材市場下游應用結構 .- 40 - 圖 66、 國內靶材市場下游應用結構 .- 40 - 圖 67、 濺射靶材工作原理 .- 41 - 圖 68、 半導體用濺射靶材全球規(guī)模

14、 .- 42 - 圖 69、 我國半導體用靶材市場規(guī)模 .- 42 - 圖 70、 全球半導體用靶材市場結構 .- 42 - 圖 71、 靶材工藝流程 .- 43 - 圖 72、 全球靶材市場企業(yè)占有率 .- 44 - 圖 73、 全球靶材市場結構（地域） .- 44 - 圖 74、 CMP 工藝流程.- 45 - 圖 75、 CMP 拋光墊市場規(guī)模.- 46 - 圖 76、 CMP 拋光液市場規(guī)模.- 46 - 圖 77、 未使用 CMP 拋光的芯片有不平整的截面.- 47 - 圖 78、 使用 CMP 拋光的芯片橫截面平整.- 47 - 圖 79、 CMP 拋光漿料市場份額.- 47 -

15、圖 80、 CMP 拋光墊市場份額.- 47 - 圖 81、 終端市場保持增長 .- 49 - 圖 82、 預計不同半導體材料國產(chǎn)化突破進程存在一定差異.- 49 - 圖 83、 雅克科技營業(yè)收入 .- 51 - 請務必閱讀正文之后的信息披露和重要聲明 - 4 - 行業(yè)深度研究報告 圖 84、 雅克科技凈利潤 .- 51 - 圖 85、 華特氣體營業(yè)收入 .- 51 - 圖 86、 華特氣體凈利潤 .- 51 - 圖 87、 江化微營業(yè)收入 .- 52 - 圖 88、 江化微凈利潤 .- 52 - 圖 89、 新宙邦營業(yè)收入 .- 53 - 圖 90、 新宙邦凈利潤 .- 53 - 表 1 表

16、 2 表 3 表 4 表 5 表 6 表 7 表 8 半導體材料梳理 .- 13 - 半導體材料行業(yè)格局 .- 14 - 美國、日本、韓國、中國臺灣扶持半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的政策法規(guī).- 16 - 半導體材料梳理 .- 18 - 國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進綱要內容.- 18 - 地方扶持基金 .- 18 - 二期大基金注冊資金高于一期大基金 .- 20 - 全球半導體設備巨頭與國內半導體設備廠商營收比較.- 20 - 中國大陸 12 英寸晶圓廠統(tǒng)計 .- 22 - 硅片是目前最主要的晶圓材料 .- 23 - 12 英寸晶圓和 8 英寸晶圓比較 .- 24 - 國內 12 英寸晶圓企業(yè)建成后將大幅拉動硅

17、片需求.- 24 - 國內部分硅片生產(chǎn)商產(chǎn)能及未來規(guī)劃 .- 26 - 光刻膠按應用分類為 LCD 光刻膠、PCB 光刻膠、半導體光刻膠等 - 27 - 半導體光刻膠分類 .- 29 - 國內半導體光刻膠生產(chǎn)商及未來產(chǎn)品規(guī)劃.- 32 - EUV 光刻膠相關專利數(shù)量 .- 32 - 常見的電子氣體 .- 33 - 國內部分電子氣體生產(chǎn)商及未來產(chǎn)品規(guī)劃.- 37 - SEMI 提出的工藝化學品的國際標準等級.- 37 - 國內光刻膠生產(chǎn)商及未來產(chǎn)品規(guī)劃 .- 40 - 集成電路產(chǎn)業(yè)中高純金屬靶材及其應用.- 42 - 濺射靶材主要工序及技術難點 .- 43 - 國內高純?yōu)R射靶材生產(chǎn)商及未來規(guī)劃

18、.- 44 - 主要拋光墊種類、成分與特點 .- 45 - 拋光液成分及作用 .- 46 - 國內 CMP 拋光材料產(chǎn)能及未來規(guī)劃.- 48 - 國內半導體材料上市公司 .- 50 - 表 9 表 10 表 11 表 12 表 13 表 14 表 15 表 16 表 17 表 18 表 19 表 20 表 21 表 22 表 23 表 24 表 25 表 26 表 27 表 28 請務必閱讀正文之后的信息披露和重要聲明 - 5 - 行業(yè)深度研究報告 報告正文 本篇報告是興證化工“新材料系列深度報告”的開篇之作。半導體產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值超 4000 億美元，半導體產(chǎn)業(yè)下游應用市場規(guī)模超 16800 億美元

19、。半導體材料作為半導體 行業(yè)的上游，市場規(guī)模超 500 億美元。我國半導體材料行業(yè)主要起步于 20 世紀 90 年代后，發(fā)展起步較晚，整體的產(chǎn)業(yè)水平、規(guī)模明顯滯后于下游產(chǎn)業(yè)的需求， 產(chǎn)品自給率很低。當前，國內加速布局半導體產(chǎn)業(yè)，政策、資金、國際事件等多 因素將加速半導體材料進口替代的進程，這個過程中有望誕生一批領先的半導體 材料公司。中短期主要關注國產(chǎn)化進程較快的電子氣體、濕電子化學品、靶材、 CMP 拋光液等，中長期值得關注品種包括高端光刻膠、晶圓材料（主要為大硅片）、 CMP 拋光墊等。 一、半導體市場規(guī)模超四千億美金，帶動上游半導體材料快 速發(fā)展 1.1、半導體行業(yè)短期逢波動，中國成為全

20、球最大半導體消費市場 1.1.1、半導體市場規(guī)模超四千億美金，短期逢波動 半導體作為現(xiàn)代電子產(chǎn)品的“大腦”，促進了通信、電腦、醫(yī)療、交通、新能源 等各行業(yè)的發(fā)展；半導體產(chǎn)業(yè)是支撐經(jīng)濟社會發(fā)展和保障國家安全的戰(zhàn)略性、基 礎性和先導性產(chǎn)業(yè)。半導體行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈上游包括半導體材料、半導體設備等，半 導體主要用于制造光電子器件、分立器件、集成電路、傳感器等，下游應用主要 在通信、醫(yī)療、電腦等。截至 2019 年，半導體產(chǎn)業(yè)下游應用市場規(guī)模已超 16800 億美元。 圖 1、 半導體產(chǎn)業(yè)鏈 通信及智能手機PC/平板電腦 16800億美元 工業(yè)醫(yī)療 下 游 應 用 消費電子其他 傳感器集成電路光電子分立器件

21、中 游 制 造 4000億美元 半導體 材料 半導體 設備 上 游 支 撐 500億美元 數(shù)據(jù)來源：SEMI，Bloomberg，WSTS，公司公告，Wind，興業(yè)證券經(jīng)濟與金融研究院整理 半導體行業(yè)短期逢波動，2019 年規(guī)模較 2018 年出現(xiàn)下滑，但仍然站穩(wěn) 4000 億美 元上方。伴隨半導體技術的革新、下游應用的推廣，半導體行業(yè)規(guī)模大幅擴張， 請務必閱讀正文之后的信息披露和重要聲明 - 6 - 行業(yè)深度研究報告 對經(jīng)濟、國家安全等領域的影響力日益增強。根據(jù) IMF 測算，每 1 美元半導體芯 片的產(chǎn)值可帶動相關電子信息產(chǎn)業(yè) 10 美元產(chǎn)值，帶來 100 美元的 GDP。2019 年 全

22、球半導體行業(yè)收入約為 4130 億美金，較 2015 年、2010 年分別增長 22%、 40%， 較 2018 年同比下滑。伴隨智能汽車、智能電網(wǎng)、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、5G 等領域 興起，全球半導體市場規(guī)模將進一步擴大。 圖 2、 全球半導體行業(yè)產(chǎn)值站穩(wěn) 4000 億美元上方 500 450 400 350 300 250 200 150 100 50 140% 120% 100% 80% 60% 40% 20% 0% 十億美元 -20% -40%0 規(guī)模YoY 資料來源：SEMI，Bloomberg，WSTS，科技新報，前瞻經(jīng)濟學人，興業(yè)證券經(jīng)濟與金融研究 院整理 1.1.2、中國已成為全球

23、最大的半導體市場 國內半導體行業(yè)保持迅猛發(fā)展，中國為全球最大的半導體市場。截至 2019 年， 國內半導體行業(yè)銷售額占到全球的 35%。 2019 年，中國半導體行業(yè)銷售額約 1437 億美元，短期因行業(yè)周期原因同比下滑 9%（同期全球下滑 12%），但較 2016 年 提高 36%。伴隨國內半導體行業(yè)的持續(xù)發(fā)展，中國半導體行業(yè)的規(guī)模和占全球比 重將進一步提高。 圖 3、 全球半導體行業(yè)產(chǎn)值結構（地區(qū)）圖 4、 國內半導體行業(yè)產(chǎn)值 180 160 140 120 100 80 十億美元 25% 20% 15% 10% 5% 19% 27% 10% 0% 60 9% -5% -10% -15%

24、40 35%20 0 201620172018 YoY 2019 美國歐洲日本中國亞太及其他地區(qū)規(guī)模 資料來源：SEMI，WSTS，科技新報，前瞻經(jīng)濟學人，興 業(yè)證券經(jīng)濟與金融研究院整理 資料來源：SEMI，WSTS，科技新報，前瞻經(jīng)濟學人，興 業(yè)證券經(jīng)濟與金融研究院整理 1.2、半導體行業(yè)發(fā)展帶動上游設備和材料市場快速增長 半導體設備和半導體材料是半導體的上游。半導體行業(yè)產(chǎn)品主要為集成電路、光 請務必閱讀正文之后的信息披露和重要聲明 - 7 - 行業(yè)深度研究報告 電子器件、分立器件和傳感器，占全球市場的比重分別約為 84%、 8%、 5%和 3%。 生產(chǎn)這些產(chǎn)品需要上游半導體設備和半導體材料

25、的支撐： （1）半導體設備主要有硅片加工設備、晶圓制造設備、晶圓過程控制設備、芯片 封裝測試設備等，是生產(chǎn)晶體管、集成電路、光電子器件的關鍵設備。近年來半 導體設備行業(yè)市場規(guī)模保持快速發(fā)展，全球新一輪半導體資本開支啟動，全球半 導體設備銷售額在經(jīng)歷了 2019 年約 11%的下滑后，2020 年將恢復成長，預計 2021 年達到歷史新高 670 億美金。 圖 5、 全球半導體行業(yè)市場結構（地區(qū)）圖 6、 全球半導體設備行業(yè)規(guī)模 3% 70 60 50 40 30 20 10 0 十億美元 40% 30% 20% 10% 0% 5% 8% -10% -20%84% 201520162017201

26、82019E 集成電路光電子器件分立器件傳感器市場規(guī)模YoY 資料來源：SEMI，WSTS，科技新報，前瞻經(jīng)濟學人，興 業(yè)證券經(jīng)濟與金融研究院整理 資料來源：SEMI，WSTS，中國電子網(wǎng)，前瞻經(jīng)濟學人， 興業(yè)證券經(jīng)濟與金融研究院整理 （2）半導體材料是生產(chǎn)集成電路、光電子器件等的重要材料。半導體材料主要包 括前端晶圓制造材料和后端芯片封裝材料。2019 年，全球半導體材料銷售額約 521.4 億美元（晶圓制造材料為 328 億美元、封裝材料為 192 億美元）。中國臺灣、 韓國、中國大陸、日本、美國是全球最大的半導體材料市場，合計占全球市場比 重超 80%。前端材料近幾年需求增速高于后端材料

27、。2016 至 2018 年，全球晶圓 制造材料銷售金額增速分別為 3%、13%、14%，封裝材料為- 4%、5%、3%。 圖 7、 全球半導體材料行業(yè)格局（2019 年）圖 8、 半導體材料分為晶圓制造材料和封裝材料 22% 11% 7% 37% 11% 63% 17% 15% 17% 中國臺灣韓國中國大陸日本北美歐洲其他晶圓制造材料封裝材料 資料來源：SEMI，CEMIA，TECHCET，興業(yè)證券經(jīng)濟與 金融研究院整理 資料來源：SEMI，CEMIA，TECHCET，興業(yè)證券經(jīng)濟與 金融研究院整理 請務必閱讀正文之后的信息披露和重要聲明 - 8 - 行業(yè)深度研究報告 1.3、海外企業(yè)主導半

28、導體材料產(chǎn)業(yè)，國內進口替代空間巨大 1.3.1、半導體材料具有子行業(yè)多、資金密集、技術密集等特點 半導體材料具有細分子行業(yè)多、資金密集、技術密集、產(chǎn)品技術更新快等特點， 是支撐半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關鍵： （1）細分子行業(yè)多：半導體材料主要用于前端晶圓制造和后端芯片封裝，晶圓制 造材料包括硅片、光刻膠、濕電子化學品、電子特氣、靶材、CMP（拋光液和拋 光墊）等，封裝材料包括引線框架、封裝基板、陶瓷基板、鍵合絲、包封材料、 芯片粘結材料等。上述大類材料又可細分為幾十種甚至上百種具體產(chǎn)品。企業(yè)需 要提供一系列產(chǎn)品滿足客戶需求。 （2）技術密集：半導體材料生產(chǎn)涉及切割、研磨、刻蝕、激光打碼、化學機械拋 光

29、、光刻、顯影、濺射、沉積、純化等諸多先進工藝，對先進工藝有很高要求。 （3）資金密集：行業(yè)強者恒強，企業(yè)需要充足的現(xiàn)金流及資產(chǎn)來實現(xiàn)持續(xù)的資本 開支保障成長和應對行業(yè)的周期波動。 （4）下游客戶認證壁壘高：下游客戶多為行業(yè)半導體巨頭，客戶對技術保密、品 質要求、供貨穩(wěn)定等各方面要求嚴格，不會輕易更換供應商。 （5）行業(yè)集中度高：各細分子行業(yè)均有巨頭企業(yè)占有主要市場份額，新進入者很 難在短時間內具備規(guī)模生產(chǎn)、低成本等優(yōu)勢。 （6）技術變革快：半導體行業(yè)遵循摩爾定律，對半導體材料的需求變化快，企業(yè) 需要相應的技術來滿足市場需求。 圖 9、 半導體材料主要包括前端晶圓制造材料和后端封裝材料 硅原料

30、IC設計光掩模版制造 晶 圓 材 料 制 造 拉單晶 切割 半 導 體 產(chǎn) 品 制 作 流 程 IC制造 光掩膜版 硅 片 晶圓 清洗 WAT測試 IC測試 封裝打線切割 晶片針測 老化IC測試 IC封裝 資料來源：SEMI，Bloomberg，WSTS，科技新報，前瞻經(jīng)濟學人，興業(yè)證券經(jīng)濟與金融研究 院整理 在半導體材料市場構成方面，晶圓材料（主要為硅片）、電子氣體、光掩膜版、光 刻膠及其配套試劑占比前四，分別為 38%、13%、13%、12%；CMP 拋光材料、 請務必閱讀正文之后的信息披露和重要聲明 - 9 - 行業(yè)深度研究報告 靶材市場份額分別為 7%、3%。 圖 10、 全球半導體材

31、料市場結構（2018 年） 14% 3% 38% 7% 13% 7% 5% 13% 晶圓材料（主要為硅片） 光刻膠配套試劑 靶材 掩膜版 電子氣體 其他 光刻膠 CMP拋光材料 資料來源：SEMI，公司公告，TECHCET，興業(yè)證券經(jīng)濟與金融研究院整理 1.3.2、中國大陸是 2019 年全球半導體材料市場規(guī)模唯一保持增長的市 場 據(jù) SEMI，中國大陸是全球半導體材料市場唯一實現(xiàn)同比增長的市場，2019 年半 導體材料行業(yè)規(guī)模同比增加 1.9%至 86.9 億美元。全球其他地區(qū)的材料營收均持平 或呈個位數(shù)下跌。中國臺灣因在晶圓代工、先進封裝的優(yōu)勢，半導體材料消費規(guī) 模達 113.4 億美元，

32、連續(xù)第 10 年成為全球最大半導體材料市場。 圖 11、 中國大陸半導體材料規(guī)模保持增長圖 12、 全球半導體材料市場規(guī)模短期波動 10 9 8 7 6 5 4 3 2 1 0 十億美元 18% 16% 14% 12% 10% 8% 60 50 40 30 20 10 0 十億美元 20% 15% 10% 5% 0% -5% 6% -10% -15% -20% 4% 2% 0% 201120122013201420152016201720182019 201120122013201420152016201720182019 半導體材料規(guī)模YoY 半導體材料規(guī)模YoY 資料來源：SEMI，前瞻經(jīng)

33、濟學人，興業(yè)證券經(jīng)濟與金融研 究院整理 資料來源：SEMI，科技新報，前瞻經(jīng)濟學人，興業(yè)證券經(jīng) 濟與金融研究院整理 1.3.3、國內企業(yè)前期多承擔半導體封裝的步驟 前期全球半導體產(chǎn)業(yè)分工下，國內企業(yè)前期多承擔半導體后端封裝的步驟，屬于 附加值較低的環(huán)節(jié)。目前半導體行業(yè) IC 設計、大尺寸硅片的生產(chǎn)、半導體設備和 材料制造等附加值高的環(huán)節(jié)均為海外或中國臺灣地區(qū)企業(yè)主導。由于半導體材料 多用于前端晶圓制造，國內相關產(chǎn)業(yè)發(fā)展較晚，限制了國內半導體材料（以及半 導體設備）的發(fā)展。 請務必閱讀正文之后的信息披露和重要聲明 - 10 - 行業(yè)深度研究報告 圖 13、 半導體行業(yè)行業(yè)全球產(chǎn)業(yè)鏈布局 資料來源

34、：SEMI，Bloomberg，WSTS，科技新報，前瞻經(jīng)濟學人，興業(yè)證券經(jīng)濟與金融研究 院整理 反觀美國、日本等國家或地區(qū)，產(chǎn)業(yè)主要集中于半導體產(chǎn)業(yè)鏈高附加值的環(huán)節(jié)， 如 IC 設計、半導體前端制造等。美國半導體行業(yè)產(chǎn)值高達 2090 億美金（2018 年 ） ， 半導體產(chǎn)業(yè)也是美國第四大出口產(chǎn)業(yè)（排在飛機、石油產(chǎn)品、原油之后）。日本則 是全球最大的半導體設備出口國，2014-2018 累計出口了約 930 億美元的半導體設 備。 圖 14、 半導體行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈特征 資料來源：SIA，TECHCET，WSTS，興業(yè)證券經(jīng)濟與金融研究院整理 請務必閱讀正文之后的信息披露和重要聲明 - 11 -

35、行業(yè)深度研究報告 圖 15、 美國集成電路及電子元件出口額圖 16、 日本集成電路及電子元件出口額 60 50 40 30 20 10 0 十億美元 30% 20% 10% 0% 50 45 40 35 30 25 20 15 10 5 十億美元 40% 30% 20% 10% 0% -10% -20% -30% -10% -20% -30%0 2009 2010 2011 2012 2013 2014 2015 2016 2017 20182009 2010 2011 2012 2013 2014 2015 2016 2017 2018 出口金額:美國:集成電路及電子元件YoY出口金額:日本

36、:集成電路及電子元件 YoY 資料來源：SEMI，Wind，興業(yè)證券經(jīng)濟與金融研究院整理資料來源：SEMI，Wind，興業(yè)證券經(jīng)濟與金融研究院整理 1.3.4、國內半導體材料對外依存度高 美國、日本、韓國等跨國企業(yè)仍主導全球半導體材料產(chǎn)業(yè)，國內半導體材料對外 依存度高。因中國大陸企業(yè)在高端半導體材料領域長期研發(fā)和投入不足，中國大 陸半導體材料主要集中在技術壁壘較低的封裝材料，大部分高端晶圓制造材料需 要依靠進口。國內半導體產(chǎn)業(yè)從上游的設備、材料，再到集成電路等產(chǎn)品，對外 依存度整體保持較高水平。 圖 17、 中國大陸與日本電子材料貿易逆差圖 18、 中國大陸與韓國電子材料貿易逆差 30 25

37、20 15 10 5 億美元 25 20 15 10 5 億美元 00 200820092010201120122013201420152016200820092010201120122013201420152016 出口金額:電子材料:日本進口金額:電子材料:日本貿易逆差出口金額:電子材料:韓國進口金額:電子材料:韓國貿易逆差 資料來源：CNKI，Wind，SEMI，興業(yè)證券經(jīng)濟與金融研 究院整理 資料來源： CNKI，Wind，SEMI，興業(yè)證券經(jīng)濟與金融研 究院整理 圖 19、 中國大陸與美國電子材料貿易逆差圖 20、 中國大陸集成電路進口超 3000 億美元 18 16 14 12 1

38、0 8 億美元 350 300 250 200 150 100 50 十億美元 6 4 2 00 200820092010201120122013201420152016 出口金額:電子材料:美國進口金額:電子材料:美國貿易逆差集成電路進口金額集成電路出口金額 資料來源： CNKI，Wind，SEMI，興業(yè)證券經(jīng)濟與金融研資料來源： CNKI，Wind，SEMI，興業(yè)證券經(jīng)濟與金融研 請務必閱讀正文之后的信息披露和重要聲明 - 12 - 行業(yè)深度研究報告 究院整理究院整理 過去 10 年，中國大陸與日本、韓國、美國等國家或地區(qū)的電子材料貿易均為逆差。 中國大陸與韓國、日本電子材料的貿易逆差常年

39、維持在 10 億美元上方，與美國電 子材料的貿易逆差逐年下滑，也仍有近 4 億美元的規(guī)模。且自 2016 年來集成電路 產(chǎn)品成為我國單一最大宗進口商品，2018、2019 年進口金額分別為 3120、3055 億美元，貿易逆差均超過 2000 億美元，存在巨大的進口替代空間。 圖 21、 高端半導體材料多為前端晶圓制造材料 硅片切割表面清洗氧化涂光刻膠曝光顯影 單 晶 硅 棒 硅 拋 光 片 硅 外 延 片 濕 電 子 化 學 品 電 子 氣 體 配 光 套 刻 試 膠 劑 掩 模 版 顯 影 液 刻蝕化學品 電子氣體 刻蝕 工藝半導體材料 去膠劑光刻膠 去除 C M P 拋 光 液 C M

40、P 拋 光 墊 電電 子 氣 體 電 子 氣 體 子 氣 體 靶 材 金屬濺射化學機械拋光原子層堆積 氣相沉積 離子注入 資料來源：SEMI，Bloomberg，WSTS，興證電子，前瞻經(jīng)濟學人，興業(yè)證券經(jīng)濟與金融研究 院整理 國內企業(yè)目前在電子氣體、硅片、濕電子化學品、CMP 拋光液等領域有所突破， 但在高端光刻膠、CMP 拋光墊等領域進展較慢。半導體材料行業(yè)細分產(chǎn)品門類 多，且不同的產(chǎn)品門類在技術上存在較大差異，因此半導體材料行業(yè)各個子行業(yè) 的競爭格局相差較大，國內企業(yè)所面臨的市場環(huán)境、競爭對手、下游客戶也不相 同。 表1 半導體材料梳理 半導體材料 硅片 介紹涉及半導體產(chǎn)業(yè)鏈 硅片是制作

41、集成電路的重要材料，是由單晶硅切割成的薄片。根 拉單晶、切割等 據(jù)硅片直徑尺寸不同分為 6 英寸、8 英寸、12 英寸等規(guī)格。一般 把直徑大于 200mm（8 英寸）的硅片稱為大硅片。 電子氣體 光刻膠 應用于集成電路、新型顯示等半導體領域的特種氣體。氧化、刻蝕、離子注 入、氣相沉積等 光刻膠是利用化學反應進行微細加工圖形轉移的媒體，由感光樹 涂光刻膠等 脂、增感劑（見光譜增感染料）和溶劑三種主要成分組成的對光 敏感的混合液體。 光刻膠配套試劑光刻工藝中所涉及到的電子化學品，包括稀釋劑、顯影液、漂洗 涂光刻膠、顯影等 請務必閱讀正文之后的信息披露和重要聲明 - 13 - 行業(yè)深度研究報告 液、

42、剝離液等，光刻膠配套試劑與光刻膠配套使用。 靶材在濺射過程中，高速度能的離子束流轟擊的目標材料，是沉積薄 金屬濺射等 膜的原材料。 CMP 材料CMP 指化學機械拋光，是化學腐蝕與機械磨削相結合的一種拋光 化學機械拋光等 方法，用于精密加工領域，是目前唯一能夠實現(xiàn)晶片全局平坦化 的實用技術和核心技術。CMP 材料包括拋光墊、拋光液。 濕電子化學品（包 一般是指塵埃顆粒粒徑控制在 0.5m 以下，雜質含量低于 ppm 表面清洗、蝕刻、顯 -6-9-12 括超純試劑及光刻 級（10 為 ppm，10 為 ppb，是 10 為 ppt）的化學試劑，是化 影、去膜、摻雜等 膠配套試劑）學試劑中對顆粒粒

43、徑控制、雜質含量要求最高的試劑。這種試劑 包括超凈高純酸及堿類、超凈高純有機溶劑和超凈高純蝕刻劑。 資料來源：公司公告，中國行業(yè)資訊網(wǎng)，興業(yè)證券經(jīng)濟與金融研究院整理 表2 半導體材料行業(yè)格局 半導體材料 全球市場銷 售額占比 全球市場 規(guī)模 目前格局對外依存度國內生產(chǎn)企業(yè) 大硅片38%121 億 美 國內半導體材料企業(yè)多供應 6 英90%上海新陽、中環(huán)股 份等元寸以下的生產(chǎn)線，少量企業(yè)開始 進入 8 英寸、12 英寸生產(chǎn)線供應 鏈。 電子氣體13%43 億美元 我國集成電路高端應用領域中， 海外大型氣體公司占據(jù)了 80% 以上的市場份額。尤其在極大規(guī) 模集成電路等尖端應用領域，進 口制約尤為嚴

44、重。 75%雅克科技、華特氣 體、昊華科技、金 宏氣體 、南大光 電、巨化股份等 光刻膠5%17 億美元 高端光刻膠被跨國企業(yè)主導，部 分國內企業(yè)進入該市場 I 線、G 線等。EUV 等下一代技術的光刻 膠，國內企業(yè)尚未布局。 90% 75% 90% 晶瑞股份、上海新 陽、南大光電等 光刻膠配套 7% 22 億美元 配套試劑市場歐美傳統(tǒng)老牌企 業(yè)、日本企業(yè)市占率約為 35%、 28%，韓國、中國臺灣、內資企 業(yè)市占率約 35%。 江化微、晶瑞股份 試劑 靶材3% 7% 10 億美元 我國的超高純金屬材料及濺射 靶材嚴重依賴進口，部分企業(yè)實 現(xiàn)突破。 江豐電子、有研新 材、阿石創(chuàng)、隆華 科技等

45、CMP 材料22 億美元 半導體CMP拋光墊幾乎100%依 賴進口，陶氏化學在市場份額達 80% 95% 80% 江豐電子、鼎龍股 份等 CMP 拋光液主要為 Cabot 等主安集科技等 導，國內企業(yè)實現(xiàn)部分突破。 濕電子化學 6% 20 億美元 歐美傳統(tǒng)老牌企業(yè)的濕電子化 8 寸以上約 江化微、晶瑞股 （不含光 學品產(chǎn)品市占率約 35%，日本近 90%，8 寸 份、安集科技、新 刻膠配套 10 家企業(yè)市占率約 28%，韓國、 以下約 20% 宙邦、興發(fā)集團、 品 試劑）中國臺灣、內資企業(yè)市占率約濱化股份、多氟 請務必閱讀正文之后的信息披露和重要聲明 - 14 - 行業(yè)深度研究報告 35%。國

46、內 8 英寸及以上 IC 用多、巨化股份等 超凈高純試劑大部分依賴進口。 資料來源：SEMI，公司公告，政府網(wǎng)站，國家統(tǒng)計局，Bloomberg，Wind，興業(yè)證券經(jīng)濟與金融研究院整理 二、大基金二期布局在即，國內半導體材料行業(yè)發(fā)展有望迎 來黃金期 2.1、政策、資金、貿易紛爭等多因素催化半導體產(chǎn)業(yè)鏈歷經(jīng)兩次轉移 2.1.1、全球半導體行業(yè)歷經(jīng)重心從西到東的轉移 歷史上全球半導體行業(yè)歷經(jīng)重心從西到東的轉移。半導體行業(yè)技術于上世紀發(fā)源 于美國，最初是為國防和宇航服務：1942 年在美國誕生的世界上第一臺軍用電子 計算機；1947 年在美國貝爾實驗室制造出第一個晶體管；上世紀 60 年代末 Fai

47、rchild 制造出了 RAM（隨機存儲內存），Intel 和 IBM 公司隨后提出用于商用和 優(yōu)化的方案。 （1）第一次轉移：日本半導體行業(yè)在引導半導體重點用于工業(yè)和消費領域的產(chǎn)業(yè) 政策幫助下，實現(xiàn)了飛速發(fā)展，一度在上世紀 80 年代中取代美國成為全球半導體 產(chǎn)值最大的國家，完成了全球半導體產(chǎn)業(yè)的第一次轉移。 （2）第二次轉移：在美日貿易紛爭大背景下，政策、資金等大力扶持催化了全球 半導體產(chǎn)業(yè)的第二次轉移，韓國和中國臺灣于上世紀 80 年代末、90 年代初在全 球半導體行業(yè)逐步成為主要力量。 圖 22、 全球半導體行業(yè)不同國家（地區(qū)）產(chǎn)值比重變遷 100% 90% 80% 70% 60% 5

48、0% 40% 30% 20% 10% 0% 美洲 歐洲 日本 亞太（不含日本） 中國 亞太（不含中國、日本） 資料來源：SEMI，Bloomberg，WSTS，興證電子，前瞻經(jīng)濟學人，興業(yè)證券經(jīng)濟與金融研究 院整理 請務必閱讀正文之后的信息披露和重要聲明 - 15 - 行業(yè)深度研究報告 2.1.2、半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展離不開政策、資金的大力支持 半導體行業(yè)是資金密集型行業(yè)，縱觀日本、韓國等地半導體行業(yè)的發(fā)展，政策、 資金支持都起到了關鍵作用。 （1）美國 ：美國“VHSIC 計劃”（19791989）總經(jīng)費 10 億美元，由軍方分擔； 美國“MMIC 計劃”（19871993），總經(jīng)費 5 億美元，

49、由軍方承擔。 （2）日本：電子工業(yè)振興臨時措施法、特定電子工業(yè)及特定機械工業(yè)振興臨 時措施法、特定機械情報產(chǎn)業(yè)振興臨時措施法分別于 1957 年 、1971 年 、1978 年制定，三部法規(guī)極大的促進了日本企業(yè)積極發(fā)展本國的半導體產(chǎn)業(yè)。日本“超 大規(guī)模集成電路研究計劃”（VLSI，19761980）總投資 737 億日元，政府投入 291 億日元。日本“超大型（400mm）硅技術研究開發(fā)計劃”（19962001）經(jīng)費 134 億日元，政府投入 50.1。 （3）韓國：自上世紀 70 年代，韓國推動半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的流年計劃、半導 體信息技術開發(fā)方向的投資計劃、韓國半導體設備國產(chǎn)化 5 年計劃、促

50、進原 材料產(chǎn)業(yè)計劃等扶持半導體產(chǎn)業(yè)的政策相繼出臺?！俺笠?guī)模集成電路技術共同 開發(fā)計劃”（19861991）總投入 1.2 億美元，政府出資 50%；“韓國半導體設備 國產(chǎn)化 5 年計劃”（19901995）總投資 643 億韓元，政府支持 474 億韓元。 （4）中國臺灣：“超大型積體電路技術發(fā)展計劃”（19831988 年）投資 29.84 億 新臺幣；“微電子技術發(fā)展四年計劃”（19881992）投資 19.95 億新臺幣；“亞微 米工藝技術發(fā)展計劃”（19901995）總投入 70 億臺幣，當局出資 66 億臺幣。 表3 美國、日本、韓國、中國臺灣扶持半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的政策法規(guī) 國家/地

51、區(qū)年份政策法規(guī)國家/地區(qū)年份政策法規(guī) 美國1979 美國 VHSIC 計劃日本1957 電子工業(yè)振興臨時措施法 1986 半導體制造技術聯(lián)盟發(fā)展計 劃（SEMATECH） 1971 特定電子工業(yè)及特定機械工 業(yè)振興臨時措施法 1987 美國 MMIC 計劃1978 特定機械情報產(chǎn)業(yè)振興臨時 措施法 韓國1975 推動半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的流年 中國臺灣1974 集成電路計劃草案 計劃 1986 半導體信息技術開發(fā)方向的1984 超大集成電路計劃 投資計劃 1990 韓國半導體設備國產(chǎn)化 5 年1988 微電子技術發(fā)展四年計劃 1990 亞微米工藝技術發(fā)展計劃 計劃 1994 促進原材料產(chǎn)業(yè)計劃 20

52、01 半導體關稅減免 2004 IT839 戰(zhàn)略計劃 資料來源：EEWORLD，公司公告，CNKI，興業(yè)證券經(jīng)濟與金融研究院整理 請務必閱讀正文之后的信息披露和重要聲明 - 16 - 行業(yè)深度研究報告 2.1.3、地區(qū)經(jīng)濟繁榮程度、人才儲備均為半導體行業(yè)發(fā)展的條件 除了政策、資金扶持外，地區(qū)經(jīng)濟繁榮、人才儲備充分等軟硬件水平也是實現(xiàn)半 導體行業(yè)跨越發(fā)展的關鍵因素： （1）專業(yè)人才儲備：以韓國為例，韓國政府于 1976 年成立了韓國電子技術學院 （KIET），其主要職責是計劃與協(xié)調半導體 R&D、進口、吸收和傳播國外技術等， 為行業(yè)輸送了大量人才。 （2）地區(qū)經(jīng)濟繁榮：地區(qū)經(jīng)濟的繁榮是提供資金支

53、持的前提。韓國、中國臺灣經(jīng) 濟正是在 80 年代末和 90 年代初實現(xiàn)高速發(fā)展，為大力發(fā)展半導體產(chǎn)業(yè)提供了雄 厚的資金和經(jīng)濟環(huán)境。 國內已做好經(jīng)濟、人才儲備等軟硬件準備，具備半導體行業(yè)快速發(fā)展的基礎。 圖 23、 韓國、中國臺灣 1980s GDP 增速高于日 圖 24、 國內過去 10 年從事研究與實驗發(fā)展的投 本入增幅較大 500 450 400 350 300 250 200 150 100 50 萬人年 30 25 20 15 10 5 % 0 -5 0 -10 韓國:GDP:現(xiàn)價:同比日本:GDP:現(xiàn)價:同比研究與試驗發(fā)展試驗發(fā)展人員全時當量 研究與試驗發(fā)展基礎研究人員全時當量 研究

54、與試驗發(fā)展應用研究人員全時當量 中國臺灣:現(xiàn)價:GDP:同比 資料來源：SEMI，國家統(tǒng)計局，Bloomberg，Wind，興業(yè) 資料來源：SEMI，科技新報，前瞻經(jīng)濟學人，興業(yè)證券經(jīng) 證券經(jīng)濟與金融研究院整理 濟與金融研究院整理 2.2、半導體行業(yè)有望迎來第三次產(chǎn)業(yè)鏈轉移 2.2.1、國內行業(yè)政策于 2014 年后頻出，半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展提速 國家為推動半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展，相關政策密集出臺。為實現(xiàn)集成電路產(chǎn)業(yè)跨越式發(fā) 展，國務院于 2014 年 6 月印發(fā)國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進綱要（以下簡稱“綱 要”）。綱要提出到 2020 年，集成電路產(chǎn)業(yè)與國際先進水平的差距逐步縮小，全 行業(yè)銷售收入年均增速超

55、過 20%，企業(yè)可持續(xù)發(fā)展能力大幅增強。16/14nm 制造 工藝實現(xiàn)規(guī)模量產(chǎn)，封裝測試技術達到國際領先水平，關鍵裝備和材料進入國際 采購體系，基本建成技術先進、安全可靠的集成電路產(chǎn)業(yè)體系。到 2030 年，集成 電路產(chǎn)業(yè)鏈主要環(huán)節(jié)達到國際先進水平，一批企業(yè)進入國際第一梯隊，實現(xiàn)跨越 發(fā)展。 請務必閱讀正文之后的信息披露和重要聲明 - 17 - 行業(yè)深度研究報告 表4 半導體材料梳理 時間政策頒布方 2014 年 2015 年 2016 年 2016 年 2018 年 國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進綱要國務院 “互聯(lián)網(wǎng)”+三年行動計劃工業(yè)和信息化部 國務院十三五”國家信息化規(guī)劃 “十三五”國家戰(zhàn)略性

56、新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃國務院 關于集成電路生產(chǎn)企業(yè)有關企業(yè)所得稅政策問題 財政部、稅務總局、國家發(fā)展改革委、工業(yè) 的通知和信息化部 資料來源：地方政府網(wǎng)站，中國行業(yè)資訊網(wǎng)，興業(yè)證券經(jīng)濟與金融研究院整理 表5 國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進綱要內容 方面具體內容 發(fā)展目標- - - 到 2015 年，集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展體制機制創(chuàng)新取得明顯成效，建立與產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)律 相適應的融資平臺和政策環(huán)境。 到 2020 年，集成電路產(chǎn)業(yè)與國際先進水平的差距逐步縮小，全行業(yè)銷售收入年均 增速超過 20%，企業(yè)可持續(xù)發(fā)展能力大幅增強。 到 2030 年，集成電路產(chǎn)業(yè)鏈主要環(huán)節(jié)達到國際先進水平，一批企業(yè)進入國際第一 梯隊，實現(xiàn)跨

57、越發(fā)展。 主要任務和發(fā)展重點- - - - 著力發(fā)展集成電路設計業(yè)。 加速發(fā)展集成電路制造業(yè)。 提升先進封裝測試業(yè)發(fā)展水平。 突破集成電路關鍵裝備和材料。加強集成電路裝備、材料與工藝結合，研發(fā)光刻機、 刻蝕機、離子注入機等關鍵設備，開發(fā)光刻膠、大尺寸硅片等關鍵材料，加強集成 電路制造企業(yè)和裝備、材料企業(yè)的協(xié)作，加快產(chǎn)業(yè)化進程，增強產(chǎn)業(yè)配套能力。 保障措施- - 成立國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展領導小組，負責統(tǒng)籌協(xié)調，強化頂層設計，整合調動資 源，解決重大問題。 設立國家產(chǎn)業(yè)投資基金。主要吸引大型企業(yè)、金融機構以及社會資金，采取市場化 運作，重點支持集成電路等產(chǎn)業(yè)發(fā)展，促進工業(yè)轉型升級。支持設立地方性集

58、成電 路產(chǎn)業(yè)投資基金。 - - - - - - 加大金融支持力度。創(chuàng)新信貸產(chǎn)品和金融服務、支持企業(yè)上市和發(fā)行融資工具等。 推動落實稅收支持政策。進一步加大力度落實有關政策，保持政策的穩(wěn)定性等 加強安全可靠軟硬件的應用。推廣使用技術先進、安全可靠的集成電路等。 強化企業(yè)創(chuàng)新能力建設。 加強人才培養(yǎng)和引進力度。培養(yǎng)高層次、急需緊缺和骨干專業(yè)技術人才等。 要繼續(xù)擴大對外開放。大力吸引國（境）外資金、技術和人才等。 資料來源：政府網(wǎng)站，興業(yè)證券經(jīng)濟與金融研究院整理 各地方政府相繼成立基金，引導半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。2014 年 7 月北京率先成立了集 成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展股權投資基金，基金規(guī)模達 300 億元。之

59、后天津、江蘇、重慶等 地方各級政府相繼通過成立產(chǎn)業(yè)投資基金等方式扶持半導體產(chǎn)業(yè)，累計金額超過 5000 億元。 表6 地方扶持基金 時間基金基金規(guī)模時間基金基金規(guī)模 2014.07 北京集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展股 300 億2016.06 遼寧集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金 100 億 請務必閱讀正文之后的信息披露和重要聲明 - 18 - 行業(yè)深度研究報告 權投資基金 2014.09 天津集成電路設計產(chǎn)業(yè)促 每年 2 億 進專項資金 2015.07 北京集成電路海外平行基 20 億 2016.09 陜西省集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金 300 億 2016.11 石家莊集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金 100 億 2016.12 深

60、圳市集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金 50-100 億 2016.12 南京市集成電路產(chǎn)業(yè)專項發(fā)展 500+100 金 2015.07 江蘇浦口集成電路產(chǎn)業(yè)基 10 億 金 2015.08 湖北集成電路產(chǎn)業(yè)投資基 高于 300 億 億 金基金 2015.10 湖北長江經(jīng)濟帶產(chǎn)業(yè)基金 2000 億（母 2017.01 無錫市集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金 200 億 基金） 2015.12 湖南國微集成電路創(chuàng)業(yè)投 50 億（目標） 2017.02 昆山海峽兩岸集成電路產(chǎn)業(yè)投 100 億 資基金資基金 2016.01 上海集成電路產(chǎn)業(yè)基金 2016.03 廈門國資紫光發(fā)展基金 500 億 160 億 2017.05 安