導(dǎo)電微晶靜電場(chǎng)描繪儀說(shuō)明_第1頁(yè)
導(dǎo)電微晶靜電場(chǎng)描繪儀說(shuō)明_第2頁(yè)
導(dǎo)電微晶靜電場(chǎng)描繪儀說(shuō)明_第3頁(yè)
導(dǎo)電微晶靜電場(chǎng)描繪儀說(shuō)明_第4頁(yè)
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1、 實(shí)驗(yàn)五 用電流場(chǎng)模擬靜電場(chǎng)和飛機(jī)機(jī)翼周圍的速度場(chǎng)模擬法本質(zhì)上使用一種易于實(shí)現(xiàn)、便于測(cè)量的物理狀態(tài)或過(guò)程模擬不易實(shí)現(xiàn)、不便測(cè)量的狀態(tài)和過(guò)程,要求這兩種狀態(tài)或過(guò)程有一一對(duì)應(yīng)的兩組物理量,且滿足相似的數(shù)學(xué)形式及邊界條件。一般情況,模擬可分為物理模擬和數(shù)學(xué)模擬,對(duì)一些物理場(chǎng)的研究主要采用物理模擬(物理模擬就是保持同一物理本質(zhì)的模擬),例如用光測(cè)彈性模擬工件內(nèi)部應(yīng)力的分布等。數(shù)學(xué)模擬也是一種研究物理場(chǎng)的方法,它是把不同本質(zhì)的物理現(xiàn)象或過(guò)程,用同一數(shù)學(xué)方程來(lái)描繪。對(duì)一個(gè)穩(wěn)定的物理場(chǎng),若它的微分方程和邊界條件一旦確定,其解是唯一的。兩個(gè)不同本質(zhì)的物理場(chǎng)如果描述他們的微分方程和邊界條件相同,則他們的解是一一

2、對(duì)應(yīng)的,只要對(duì)其中一種易于測(cè)量的場(chǎng)進(jìn)行測(cè)繪,并得到結(jié)果,那么與它對(duì)應(yīng)的另一個(gè)物理場(chǎng)的結(jié)果也就知道了。由于穩(wěn)衡電流場(chǎng)易于實(shí)現(xiàn)測(cè)量,所以就用穩(wěn)衡電流場(chǎng)來(lái)模擬與其具有相同數(shù)學(xué)形式的其他物理場(chǎng)。我們還要明確,模擬法是試驗(yàn)和測(cè)量難心直接進(jìn)行,尤其是在理論難以計(jì)算時(shí),采用的一種方法,它在工程設(shè)計(jì)中有著廣泛的應(yīng)用。一、目的要求 本實(shí)驗(yàn)用穩(wěn)衡電流場(chǎng)分別模擬長(zhǎng)同軸圓行電纜的靜電場(chǎng)、劈尖形電極和聚焦。平行導(dǎo)線形成的靜電場(chǎng)以及飛機(jī)機(jī)翼周圍的速度場(chǎng)。具體要求達(dá)到:1、學(xué)習(xí)用模擬方法來(lái)測(cè)繪具有相同數(shù)學(xué)形式的物理場(chǎng)。2、3、描繪出分布曲線及場(chǎng)量的分布特點(diǎn)。加深對(duì)各物理場(chǎng)概念的理解。4、初步學(xué)會(huì)用模擬法測(cè)量和研究二位靜電場(chǎng)

3、。二、儀器設(shè)備gvz-3 型導(dǎo)電微晶靜電場(chǎng)描繪儀三、原理(一)模擬長(zhǎng)同軸圓柱形電纜的靜電場(chǎng)穩(wěn)恒電流場(chǎng)與靜電場(chǎng)是兩種不同性質(zhì)的場(chǎng),但是他們兩者在一定條件下具有相似的空間分布,即兩種遵守規(guī)律在形式上相似,都可以引入電位u ,電場(chǎng)強(qiáng)度 e= u,都遵守高斯定律。對(duì)于靜電場(chǎng),電場(chǎng)強(qiáng)度在無(wú)源區(qū)域內(nèi)滿足以下積分關(guān)系 對(duì)于穩(wěn)恒電流場(chǎng),電流密度矢量系在無(wú)源區(qū)域內(nèi)也滿足類似的積分關(guān)在模擬的條件上,要保證電極形狀一定,電極電位不變,空間介質(zhì)”或”e =e ”。下面具1.同軸電纜及其靜電場(chǎng)分布ab 圖 1 同軸電纜及其靜電場(chǎng)分布設(shè) r=rbb 2.同柱圓柱面電極間的電流分布若上述圓柱形導(dǎo)體 a 與圓筒形導(dǎo)體 b 之

4、間充滿了電導(dǎo)率為的不良導(dǎo)體, a、b 與電源電流正負(fù)極相連接(見(jiàn)圖2),a、b 間將形成徑向電流,建立穩(wěn)恒電流場(chǎng) e ,可以證明不良導(dǎo)體中的電場(chǎng)強(qiáng)度 err與原真空中的靜電場(chǎng) e 是相等的。r取厚度為 t 的圓軸形同軸不良導(dǎo)體片為研究對(duì)象,設(shè)材料電阻率為,則任意半徑 r 到 r +dr 的圓周間的電阻是則半徑為 r 到 r 之間的圓柱片的電阻為b 圖 2 同軸電纜的模擬模型總電阻為(半徑 r 到 r 之間圓柱片的電阻)ab設(shè) u 則兩圓柱面間所加電壓為 u ,徑向電流為b=0,a距軸線 r 處的電位為則= 由以上分析可見(jiàn),這兩種場(chǎng)的分,的分布函數(shù)完全相同。為什么與與布相同呢?我們可以從電荷產(chǎn)生

5、場(chǎng)的觀點(diǎn)加以分析。在導(dǎo)電質(zhì)中沒(méi)有電流通過(guò)的,其中任一體積元(宏觀小,微觀大,其內(nèi)仍包含大量原子)內(nèi)正負(fù)電荷數(shù)量相等,沒(méi)有凈電荷,呈電中性。當(dāng)有電流通過(guò)時(shí),單位時(shí)間內(nèi)流入和流出該體積元內(nèi)的正或負(fù)電荷。這就是說(shuō),真空中的靜電場(chǎng)和有穩(wěn)衡電流通過(guò)時(shí)導(dǎo)電質(zhì)中的場(chǎng)都是由電極上的電荷產(chǎn)生的。事實(shí)上,真空中電極上的電荷是不動(dòng)的,在有電流通過(guò)的導(dǎo)電質(zhì)中,電極上的電荷一邊流失,一邊由電源補(bǔ)充,在動(dòng)態(tài)平衡下保持電荷的數(shù)量不變。所以這兩種情況下電場(chǎng)分布是相同的。(二)模擬飛機(jī)機(jī)翼周圍的速度場(chǎng)我們來(lái)討論穩(wěn)恒電流場(chǎng)和機(jī)翼周圍的速度場(chǎng)具有相同的數(shù)學(xué)模擬,即它們可以由同一個(gè)微分方程來(lái)描述,并且具有相同的邊界條件。1.無(wú)旋穩(wěn)恒

6、電流場(chǎng)設(shè)在導(dǎo)電微晶中有穩(wěn)恒電流分布,即電流密度 不隨時(shí)間而變化。按照散度的定義:式中 s 是閉合曲面, 是 s 所圍的體積。上式右邊的曲面積分是單 位時(shí)間里從 流出的總電量,從而上式右邊的極限表示單位時(shí)間里從單位體積流出的電量。若我們考慮的區(qū)域無(wú)電流源,則此項(xiàng)為零,亦即雖然電流密度是無(wú)旋的,必定存在勢(shì)由上二式得 0,這就是拉普拉斯方程,在二維場(chǎng)中可記作2.流體的二維無(wú)旋穩(wěn)衡流場(chǎng)飛機(jī)機(jī)翼周圍的空氣流動(dòng)可以看作是無(wú)旋穩(wěn)衡流場(chǎng),我們來(lái)研究它的數(shù)學(xué)模擬。把流體的速度分布記作 ,按照散度的定義上式右邊是從單位體積流出的流量,若我們考慮的區(qū)域里沒(méi)有流體的源,則此項(xiàng)為零,即=0既然流動(dòng)是無(wú)旋的,必然存在速度

7、勢(shì) u-u又上兩式,得到拉普拉斯方程 u=0在二維場(chǎng)中表示為四、模擬條件(1)穩(wěn)恒電流場(chǎng)中的電極形狀應(yīng)與被模擬的靜電場(chǎng)中的帶電體幾何(2)穩(wěn)恒電流場(chǎng)中的導(dǎo)電介質(zhì)是不良導(dǎo)體且電導(dǎo)率分布均勻,并滿足(3)模擬所用電極系統(tǒng)與模擬電極系統(tǒng)的邊界條件相同。五、測(cè)繪方法 易實(shí)現(xiàn),所以可先測(cè)繪等位線,然后根據(jù)電場(chǎng)線與等位線正交的原理,畫(huà)出電場(chǎng)線。這樣就可由等位線的間距確定電場(chǎng)線的疏密和指向,將抽象的電場(chǎng)形象反映出來(lái)。六實(shí)驗(yàn)裝置gvz-3 型導(dǎo)電微晶靜電場(chǎng)描繪儀(包括導(dǎo)電微晶,雙層固定支架,同步探針等),如圖 4 所示,支架采用雙層式結(jié)構(gòu),上層放記錄紙,下層放導(dǎo)電微晶。電極已直接制作在導(dǎo)電微晶上,并將電極引線

8、接出到外接線柱上,電極間制作有導(dǎo)電率遠(yuǎn)小于電極且各項(xiàng)均勻的導(dǎo)電介質(zhì)。接通直流電源(10v)就可以進(jìn)行實(shí)驗(yàn)。在導(dǎo)電微晶和記錄紙上方各有一探針,通過(guò)金屬探針臂把兩探針固定在同一手柄座上,兩探針始終保持在同一鉛垂線上。移動(dòng)手柄座時(shí),可保證兩探針的運(yùn)動(dòng)軌跡是一樣的。由導(dǎo)電微晶上方的探針找到待測(cè)點(diǎn)后,按一下記錄紙上方的探針,在記錄紙上留下一個(gè)對(duì)應(yīng)的標(biāo)記。移動(dòng)同步探針在導(dǎo)電微晶上找出若干電位相同的點(diǎn),由此即可描繪出等位線。七.實(shí)驗(yàn)內(nèi)容1、描繪同軸電纜的靜電場(chǎng)分布(1)利用圖 2(b)所示的模擬模型,將導(dǎo)電微晶號(hào)喪內(nèi)外兩電極分別與直流穩(wěn)壓電源的正負(fù)極相連接,電壓表正負(fù)極分別與同步探針及電源負(fù)極相連接,移動(dòng)同

9、步探針測(cè)繪同軸電纜的等位線簇。要求相鄰兩等位線間的電位差為 1 伏,以每條等位線上各點(diǎn)到原點(diǎn)的平均距離r 為 半徑畫(huà)出等位線的同心圓簇。然后根據(jù)電場(chǎng)線與等位線正交原理,再畫(huà)出電場(chǎng)線,并指出電場(chǎng)強(qiáng)度方向,得到一張完整的電場(chǎng)分布圖。在坐標(biāo)紙上作出相對(duì)電位根和 ln 的關(guān)系曲線,并與理論結(jié)果比較,再據(jù)曲線的性質(zhì)說(shuō)明等位線是以內(nèi)電極中心為圓心的同心圓。(2)描繪一個(gè)劈尖電極和一個(gè)條形電極形成的靜電分布將電流電壓調(diào)到 10v,將記錄紙鋪在上層平板上,從 1v 開(kāi)始,平移同步探針,用導(dǎo)電微晶上方的探針找到等位點(diǎn)后,按一下記錄紙上方的探針,測(cè)出一系列等位點(diǎn),共測(cè) 9 條等位線,每條等勢(shì)線上找 10 個(gè)以上的

10、點(diǎn),在電極端點(diǎn)附近應(yīng)多找點(diǎn)幾個(gè)等位點(diǎn)。畫(huà)出等位線,再作出電場(chǎng)線,做電場(chǎng)線時(shí)要注意:電場(chǎng)線與等位線正交,導(dǎo)體表面是等位面,電場(chǎng)線垂直于導(dǎo)體表面,電場(chǎng)線發(fā)自正電荷而中止于負(fù)電荷,疏密要表 示出場(chǎng)強(qiáng)的大小,根據(jù)電極正,負(fù)畫(huà)出電場(chǎng)線方向。3繪機(jī)翼周圍的速度場(chǎng)八觀察與思考1、根據(jù)測(cè)繪所得等位線和電力線的分布,分析哪些地方場(chǎng)強(qiáng)較強(qiáng),哪些地方場(chǎng)強(qiáng)較弱2、從實(shí)驗(yàn)結(jié)果能否說(shuō)明電極的電導(dǎo)率遠(yuǎn)大于導(dǎo)電介質(zhì)的電導(dǎo)率?如不滿足這條件會(huì)出線什么現(xiàn)象?3.軸電纜的等位線簇時(shí),如何正確確定圓形等位線簇的圓心,如何正確描繪圓形等位線?4.導(dǎo)電微晶與記錄紙的同步測(cè)量記錄,能否模擬出點(diǎn)電荷激發(fā)的電場(chǎng)或同心圓球殼型帶電體激發(fā)的電場(chǎng)?

11、為什么?5.能否用穩(wěn)恒電流場(chǎng)模擬穩(wěn)定的溫度場(chǎng)?為什么?九描繪聚焦電極的電場(chǎng)分布利用右圖所示模擬模型,測(cè)繪陰極射線示波管內(nèi)聚焦電極間的電場(chǎng)分布要求測(cè)出 7-9 條等位線,相鄰等位線間的電位差為 1 伏該場(chǎng)為非均勻電場(chǎng),等位線是一簇互不相交的曲線,每條等位線的測(cè)量點(diǎn)應(yīng)取得密一些畫(huà)出電力線,可了解靜電透鏡聚焦的分布特點(diǎn)和作用,加深陰極射線示波管電聚焦原理的理解 注意事項(xiàng)由于導(dǎo)電微晶邊緣處電流只能沿邊流動(dòng),因此等位線必然與邊緣垂直,使該處的等位線和電力線嚴(yán)重畸變,這就是用有限大的模擬模型去模擬無(wú)限大的空間電場(chǎng)時(shí)必然會(huì)受到的”邊緣效應(yīng)”的影響如果減小這種影響,則要使用”無(wú)限大”的導(dǎo)電微晶進(jìn)行實(shí)驗(yàn),或者人為地將導(dǎo)電微晶的邊緣切割成電力線的形狀預(yù)習(xí)思考問(wèn)題1234用電流場(chǎng)模擬靜電場(chǎng)的理論依據(jù)是什么?用電流場(chǎng)模擬靜電場(chǎng)的條件是什么?等位線與電力線之間有何關(guān)系?

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