高二化學(xué)第二學(xué)期期中聯(lián)考試卷

1、高二化學(xué)第二學(xué)期期中聯(lián)考試卷試卷第卷 （選擇題共 60 分）一、選擇題（本題包括10小題，每小題2分，共20分。每小題只有一個(gè)選項(xiàng)符合題意。）1下面的敘述正確的是A、離子化合物中不可能含有共價(jià)鍵B、分子晶體中不會(huì)有離子鍵C、分子晶體中一定有共價(jià)鍵D、原子晶體中一定有非極性共價(jià)鍵2下列各組物質(zhì)的晶體中，化學(xué)鍵類型相同，晶體類型也相同的是A、SO2和SiO2B、CO2和H2O C、NaCl和HClD、CCl4和KCl3下列符號(hào)正確的是 A2d B3p C3f D1p4根據(jù)電子排布的特點(diǎn)，Cu在周期表屬于 As區(qū) Bp區(qū) Cd 區(qū) Dds區(qū)5下列元素的電負(fù)性最大的是：ANa BS CO DC6. 最

2、近，中國科大的科學(xué)家們將C60分子組裝在一單層分子膜表面，在268時(shí)凍結(jié)分子的熱振蕩，并利用掃描隧道顯微鏡首次“拍攝”到能清楚分辨碳原子間單、雙鍵的分子圖像。下列化合物分子中一定既含鍵又含鍵的是 AN2 BCO2 CC2H4O DH2O27. 下列物質(zhì)在水中溶解性最好的是 ACO2 BNH3 CSO2 DCH48. 在單質(zhì)的晶體中一定不存在的粒子是（ ）A、原子 B、分子 C、陰離子 D、陽離子9. 某主族元素的原子,M層上有一個(gè)半充滿的亞層,這種原子的質(zhì)子數(shù)是 A只能是7 B只能是15 C是11或15 D是11或1310下列晶體中，熔點(diǎn)最高的化合物是（ ）A、金剛石B、食鹽 C、石英 D、鋁

3、二、選擇題（本題包括10小題，每小題4分，共40分。每小題有一個(gè)或兩個(gè)選項(xiàng)符合題意。）11下列每組物質(zhì)發(fā)生狀態(tài)變化所克服的粒子間的相互作用屬于同種類型的是（ ）A食鹽和蔗糖熔化B鈉和硫熔化C碘和干冰升華D二氧化硅和氧化鈉熔化12. 下列基態(tài)原子或離子的電子排布式錯(cuò)誤的是AK：1s22s22p63s23p64s1 BF：1s22s22p6CFe：1s22s22p63s23p63d54s3 DKr：1s22s22p63s23p63d104s24p613原子序數(shù)小于18的元素X，其原子最外層中未成對電子數(shù)最多，含這種元素的陰離子可能是 AXO3 BXO32 CXO42 DXO4314. 下列式子中，

4、能真實(shí)表示分子的組成的是ASiO2 BC CNaOH DP415. 下面是一些原子的2p能級(jí)和3d能級(jí)中電子排布的情況，其中正確的是 16. a、b、c、d是四種短周期元素。a、b、d同周期，c、d同主族。a的原子結(jié)構(gòu)示意圖為x4x2x+7x， b與c形成化合物的電子式為 。下列比較中正確的是A原子半徑：acdb B電負(fù)性abdcC原子序數(shù)：dacb D最高價(jià)含氧酸的酸性cda17X、Y兩元素可形成XY3型共價(jià)化合物，則X、Y最外層的電子排布可能是AX：3s23p1 Y：3s23p5 BX：2s22p3 Y：2s22p4CX：3s23p1 Y：2s22p5 DX：2s22p3 Y：1s118下

5、列關(guān)于主族元素的說法正確的是 A主族元素的原子核外電子最后填入的能級(jí)是s能級(jí) B主族元素的原子核外電子最后填入的能級(jí)是s能級(jí)或p能級(jí) C主族元素的最外層電子數(shù)等于主族的序數(shù) D主族元素的價(jià)電子數(shù)有可能超過最外層電子數(shù)19. 下列敘述正確的是 （ ）A同周期元素中，VIIA 族元素的原子半徑最大BVIA 族元素的原子，其半徑越大，越容易得到電子C室溫時(shí)，零族元素的單質(zhì)都是氣體D同一周期中，堿金屬的第一電離能最小20. 在x mol石英晶體中，含有Si-O鍵數(shù)是 ( ) A.x mol B.2x mo C.3 x mol D.4x mol 第卷 （非選擇題共 60 分）三、（60分）21（10分）

6、寫出下列元素基態(tài)原子的電子排布式： （1） N （2）Ne （3） S （4）Ca （5）Cu 22（16分）根據(jù)下列五種元素的第一至第四電離能數(shù)據(jù)（單位：kJ/mol），回答下面各題：元素代號(hào)I1I2I3I4Q2080400061009400R500460069009500S7401500770010500T5801800270011600U420310044005900（1）在周期表中，最可能處于同一族的是_AQ和R BS和T CT和U DR和T ER和U（2）下列離子的氧化性最弱的是_AS2 BR2 CT3 DU（3）下列元素中，化學(xué)性質(zhì)和物理性質(zhì)最像Q元素的是_A硼 B鈹 C氦 D氫

7、（4）T元素最可能是_區(qū)元素，其氯化物的化學(xué)式為_（5）如果R、S、T是同周期的三種主族元素，則它們的原子序數(shù)由小到大的順序是_， 其中元素_的第一電離能反常高的原因是_。23（12分）A、B、C、D、E、F為六種短周期元素，它們核電荷數(shù)依次遞增。已知：B原子核外最外層電子數(shù)是次外層電子數(shù)的兩倍，電子總數(shù)是E原子總數(shù)的1/2，F(xiàn)是同周期元素中原子半徑最小的元素；D2-與E2+的電子層結(jié)構(gòu)相同。B與D可以形成三原子化合物甲。A是非金屬元素，且A、C、F可形成離子化合物乙。請回答：（1）C單質(zhì)的電子式_，F(xiàn)元素原子的電子排布式_，E元素的原子結(jié)構(gòu)示意圖是_（2）化合物乙中含有的化學(xué)鍵是_（3）化合

8、物甲為固體時(shí)屬于_晶體，E單質(zhì)在一定條件下與甲反應(yīng)的化學(xué)方程式為_。24（12分）鍵能的大小可以衡量化學(xué)鍵的強(qiáng)弱，也可以用于估算化學(xué)反應(yīng)的反應(yīng)熱（H），化學(xué)反應(yīng)的H等于反應(yīng)中斷裂舊化學(xué)鍵的鍵能之和與反應(yīng)中形成新化學(xué)鍵的鍵能之和的差。參考以下表格的鍵能數(shù)據(jù)，回答下列問題：化學(xué)鍵SiOSiClHHHClSiSiSiC鍵能/kJmol-1460360436431176347（1）比較下列兩組物質(zhì)的熔點(diǎn)高低（填“”或“”） SiC_Si； SiCl4_SiO2（2）能不能根據(jù)鍵能的數(shù)據(jù)判斷單質(zhì)Si 和化合物SiCl4的熔點(diǎn)高低？_（填“能”或“不能”），原因是_ _ （3）工業(yè)上高純硅可通過下列反應(yīng)制

9、?。?SiCl4(g) + 2H2（g） 高溫 Si（s）+4HCl（g) 計(jì)算該反應(yīng)的反應(yīng)熱H為_25（10分）（1）中學(xué)教材上圖示了NaCl晶體結(jié)構(gòu)，它向三維空間延伸得到完美晶體。NiO（氧化鎳）晶體的結(jié)構(gòu)與NaCl相同（如圖8），Ni2+與最鄰近O2-的核間距離為a10-8cm，計(jì)算NiO晶體的密度（已知NiO的摩爾質(zhì)量為74.7gmol-1）。（2）天然的和絕大部分人工制備的晶體都存在各種缺陷。例如在某種NiO晶體中就存在如圖7所示的缺陷：一個(gè)Ni2+空缺，另有兩個(gè)Ni2+被兩個(gè)Ni3+所取代。其結(jié)果晶體仍呈電中性，但化合物中Ni和O的比值卻發(fā)生了變化。某氧化鎳品組成為Ni0.97O，

10、試計(jì)算該晶體中Ni3+與Ni2+的離子數(shù)之比。高二化學(xué)試題答題紙題號(hào)12345678910答案題號(hào)11121314151617181920答案21（10分） （1） N （2）Ne （3） S （4）Ca （5）Cu 22（16分）（1）_ （2）_（3）_（4）_，_（5）_， _，_。23（12分）（1）_，_，_（2）_（3）_，_24（12分）（1）_； _（2）_，_ （3）_。25（1）（5分）（2）（5分）選修3物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)模塊測試參考答案與評(píng)分標(biāo)準(zhǔn)一、選擇題（本題包括10小題，每小題2分，共20分。每小題只有一個(gè)選項(xiàng)符合題意。）二、選擇題（本題包括10小題，每小題4分，共40

11、分。每小題有一個(gè)或兩個(gè)選項(xiàng)符合題意。若正確答案只包括一個(gè)選項(xiàng)，多選時(shí)，該小題為0分；若正確答案包括兩個(gè)選項(xiàng)，只選一個(gè)且正確的給2分，選兩個(gè)且都正確的給4分，但只要選錯(cuò)一個(gè)，該小題就為0分。）題號(hào)12345678910答案BBBDCBBCCC題號(hào)11121314151617181920答案CCADDDDADBC DD三、（60分）21. （共 10分）略 （每空2分）22. （共16分）（1）E （2）D （3）C （4）p，TCl3 （每小題2分）（5）電子分層排布，各能層能量不同 ，9 （每空2分）（6）RS， （4分）（2）不能，物質(zhì)熔點(diǎn)高低由構(gòu)成物質(zhì)的微粒間作用力決定，單質(zhì)Si屬于原子晶

12、體，原子間作用力是共價(jià)鍵；SiCl4屬于分子晶體，分子間作用力是范德華力，比共價(jià)鍵弱得多。因此不能都根據(jù)鍵能來判斷物質(zhì)的熔點(diǎn)高低。 （4分）（3）+236 kJ/mol （4分） 25. （1）根據(jù)NaCl晶體結(jié)構(gòu)，隔離出一個(gè)小立體（如圖8），小立方體的每個(gè)頂點(diǎn)離子為8個(gè)小立方本共用，因此小立方體含O2-：4 = ，含Ni2+：4 = ，即每個(gè)小立方體含有 個(gè)（Ni2+-O2-）離子對。則若含有1mol NiO，需2NA個(gè)小立方體，所以密度r= （2）設(shè)1mol Ni0.97O中含Ni3+ xmol，Ni2+ (0.97-x)mol根據(jù)晶體呈電中性3x mol +2(0.97-x)mol=21mol解之x=0.06，Ni2+為(0.97-x)mol=0.91mol離子數(shù)之比Ni3+：N